CN112018521B - 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器 - Google Patents

一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器 Download PDF

Info

Publication number
CN112018521B
CN112018521B CN202010866866.6A CN202010866866A CN112018521B CN 112018521 B CN112018521 B CN 112018521B CN 202010866866 A CN202010866866 A CN 202010866866A CN 112018521 B CN112018521 B CN 112018521B
Authority
CN
China
Prior art keywords
size square
metal structure
ring metal
phase
gasket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010866866.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112018521A (zh
Inventor
刘铁园
常亮
胡放荣
刘永琛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Electronic Technology
Original Assignee
Guilin University of Electronic Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Electronic Technology filed Critical Guilin University of Electronic Technology
Priority to CN202010866866.6A priority Critical patent/CN112018521B/zh
Publication of CN112018521A publication Critical patent/CN112018521A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112018521B publication Critical patent/CN112018521B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • H01Q17/007—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems with means for controlling the absorption
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • H01Q17/008—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems with a particular shape

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明为一种基于二氧化钒的电/光可调太赫兹双频吸收器，其主要特征是：包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。上相变垫片处于单元内引线上侧的小尺寸方形开口环金属结构开口处，下相变垫片处于单元内引线下侧的大尺寸方形开口环金属结构开口处。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极。吸收器的调谐触发方式为两种，电触发与激光触发。本发明可用电/光实现太赫兹双频吸收器的快速有效调谐，无需繁琐的更换不同吸收频率太赫兹吸收器，适用于不同场合，操作简单。

Description

一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器
(一)技术领域
本发明涉及太赫兹技术领域，特别涉及一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器。
(二)背景技术
太赫兹波(Terahertz，简称THz)是指在微波和红外光谱之间，频率范围为0.1THz到10THz的电磁波(1THz＝1012Hz),太赫兹(terahertz:THz)电磁波具有安全性好、光谱信息含量高、穿透性强和频带宽等优点，在通信、生物医学、物质识别和国防军事等方面的应用前景极其广阔。因此，研究THz这一特殊波段对于探索电磁场和物质之间的相互作用、发展相应的功能器件和应用技术，具有十分重要的价值。但由于当前的太赫兹器件十分缺乏，因此开发高性能的太赫兹器件是太赫兹技术快速发展的关键。太赫兹吸收器在电磁隐身、热辐射和热成像等领域具有广阔的应用前景，是太赫兹领域必不可少的一类功能器件。目前，大多数的太赫兹吸收器件能够很好地实现了对单一特定波段太赫兹波的完美吸收，但同时也只能针对单一特定的太赫兹波频率具有吸收性，其中心频率位置不可调节，这极大地限制了太赫兹吸收器的实际应用范围。
(三)发明内容
本发明的目的是公开一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。二维阵列左右两侧各有一电极，分别连接直流电源的正负极，两个电极分别与二维阵列左侧第一列和右侧最后一列的各行的引线相连接。触发方式一：电极连接直流电源的开关开启时，两个相变垫片均为低电导率，即小尺寸方形开口环金属结构和一个大尺寸方形开口环金属结构之间的开口处同时不连通，此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态。电极连接直流电源的开关闭合时，引线通电生热，二相变垫片被加热转为高电导率，即二维阵列小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构之间的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态。触发方式二：用激光器对准本发明上的上相变垫片和下相变垫片，激光器关闭时，上相变垫片和下相变垫片均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口处都是阻断的。此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态。激光器开启时，泵浦激光斜入射至上相变垫片和下相变垫片，诱导上相变垫片和下相变垫片相变转为高电导率，即二维阵列行与行之间小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态。
本发明解决了现有太赫兹吸收器吸收频率不可调的缺陷，且可通过电/光控实现了同一吸收器的不同特定频率的双频完美吸收工作状态的调谐。
本发明设计的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，所述二维阵列的边长为入射太赫兹波束直径的1.0～1.5倍。金属基底和高阻硅层的长和宽均大于二维阵列的长和宽。太赫兹波从二维阵列上方正入射，进入本吸收器后被损耗吸收。
所述二维阵列的每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。
所述各金属结构和引线为金片、铜片或铝片中任意一种的金属片条。
所述的小尺寸方形开口环金属结构位于引线上方横置，且其开口一侧靠近引线。小尺寸方形开口环非开口处金属横条的垂直平分线为方形开口环金属结构的中心线。所述的大尺寸方形开口环金属结构位于引线下方横置，且其开口一侧靠近引线。大尺寸方形开口环非开口处金属横条的垂直平分线为方形开口环金属结构的中心线。两个不同尺寸的方形开口环共用一条中心线。
两个相变垫片处于一个阵列单元内，分别位于两个不同尺寸的方形开口环金属结构的开口之间，两个相变垫片的长度和宽度均大于其对应的两个开口处的长度和宽度。即2个不同尺寸方形开口环金属结构的部分主体位于相变垫片上且与之相接触。
所述二维阵列每一行有一条引线，由最左至最右，每行引线的中心线与该行的各阵列单元小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的中心线重合；各行各阵列单元的小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构分别处于引线的上下两侧，大尺寸方形开口环金属结构和小尺寸方形开口环金属结构与引线保持间隙。
二维阵列左右两侧绝缘层上各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，连接线路上各有一个开关，二开关的启闭同步。两侧的电极分别与二维阵列左侧第一列和右侧最后一列的各行的引线相连接。
触发方式一：电极连接直流电源的开关开启时，上相变垫片和下相变垫片均为低电导率，即行与行之间大尺寸方形开口环金属结构和小尺寸方形开口环金属结构开口处都是阻断的。此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态。电极连接直流电源的开关闭合时，引线通电产生焦耳热，热量转递到2个不同尺寸的方形开口环金属结构开口处的相变垫片，上相变垫片和下相变垫片被加热相变转为高电导率，即二维阵列行与行之间小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态。
触发方式二：用激光器对准本发明上的上相变垫片和下相变垫片，激光器关闭时，上相变垫片和下相变垫片均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口处都是阻断的。此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态。激光器开启时，泵浦激光斜入射至上相变垫片和下相变垫片，诱导上相变垫片和下相变垫片相变转为高电导率，即二维阵列行与行之间小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态。此时正入射本吸收器的太赫兹波吸收率随频率变化的曲线如图6中的虚线曲线所示。
所述直流电源的电压为12伏～24伏。
所述泵浦激光的功率为80瓦～150瓦。
所述二维阵列中一个阵列单元的横向宽度和纵向宽度相等，均为90微米～120微米。
所述小尺寸方形开口环金属结构、大尺寸方形开口环金属结构和引线为为金片、铜片或铝片中任意一种的金属片条，厚度为0.2微米～0.8微米，宽度为5微米～10微米。
所述的二相变垫片是二氧化钒垫片厚度为0.15微米～0.2微米。
所述上相变垫片和下相变垫片的长度和宽度相等，长度均为为32微米～35微米，宽度为6微米～10微米；
所述小尺寸方形开口环金属结构，方形开口环非开口处金属横条的长度为65微米～75微米，左右两侧平行金属竖条的长度为35微米～40微米，开口处的两个同向的金属条长度为16～20微米。
所述大尺寸方形开口环金属结构，方形开口环非开口处金属横条的长度为90微米～96微米，左右两侧平行金属竖条的长度为35微米～40微米，开口处的两个同向的金属条长度为16～20微米。
所述小尺寸方形开口环金属结构和大尺寸方形开口环金属结构的开口一侧距离引线的间距同为5微米～10微米。
与现有技术相比，本发明一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器的优点为：通过控制直流电源/光泵浦开关的闭合，即可快速实现太赫兹吸收器特定双频完美吸收的状态转换，从而实现了太赫兹双频吸收器各吸收中心频率的同时调节控制，显著提高了太赫兹吸收器的性能，并拓展了其应用范围。
(四)附图说明
图1为本基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器实施例的俯视图；
图2为图1中A-A剖面示意图；
图3为图1中一个阵列单元结构的示意图；
图4为3中B-B剖面示意图；
图5为本基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器实施例在电极通电和断电情况下太赫兹波吸收率随频率变化的曲线图。
图6为本基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器实施例在激光器泵浦光源开启与关闭情况下太赫兹波吸收率随频率变化的曲线图。
图中标号：1、金属基底，2、高阻硅层，3、电极，4、二维阵列，5、小尺寸方形开口环金属结构，6、大尺寸方形开口环金属结构，7、引线，8、上相变垫片，9、下相变垫片。
(五)具体实施方式
下面结合附图和具体实施例详细介绍本发明一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器的方案。
本基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器实施例示意图如图1和2所示，包括金属基底1、位于金属基底1之上的高阻硅层2和固定于高阻硅层表面的二维阵列4。本例正入射的太赫兹波束的直径500微米，本例二维阵列4共有13×8个阵列单元，边长为1300微米×800微米。
本例金属基底1和高阻硅层2的长和宽均大于二维阵列4的长和宽。本例金属基底1的厚度为0.2微米。本例高阻硅层2厚度为10微米。从二维阵列4上方正入射的太赫兹波，进入本吸收器后被损耗吸收。
如图3和4所示，本例二维阵列4的每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构5、一个大尺寸方形开口环金属结构6、一个上相变垫片8、一个下相变垫片9、1条引线7。一个阵列单元的边长a＝100微米。
本例一个小尺寸方形开口环金属结构5、一个大尺寸方形开口环金属结构6和1条引线7为厚度0.2微米，宽度7微米的金片条。
本例小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口一侧均靠近引线7，同时小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6相对于引线7横置，小尺寸方形开口环金属结构5的中心线、大尺寸方形开口环金属结构6的中心线和引线的中心线重合，小尺寸方形开口环金属结构5开口处同向的2个金属条和大尺寸方形开口环金属结构6开口处的同向的2个金属条均与引线7保持同样的间距。本例小尺寸方形开口环金属结构5的非开口处金属横条的长度为c＝67微米，左右两侧平行金属竖条的长度为j＝37微米，开口处的两个同向金属横条的长度为g＝17微米。大尺寸方形开口环金属结构6的非开口处金属横条的长度为k＝94微米，左右两侧平行金属竖条的长度为b＝37微米，开口处的两个同向金属横条的长度为f＝32微米。
本例相变垫片8处于一个阵列单元内，位于小尺寸方形开口环金属结构5的开口处，本例内相变垫片8是二氧化钒片，厚度为0.15微米，长d＝33微米,宽e＝9微米。小尺寸方形开口环金属结构5开口处的部分主体位于相变垫片上且与之相接触。
本例相变垫片9位于大尺寸方形开口环金属结构6的开口处，本例相变垫片9是二氧化钒片，厚度为0.15微米，长d＝33微米,宽e＝9微米。大尺寸方形开口环金属结构6开口处的部分主体位于相变垫片上且与之相接触。
本例二维阵列4每一行有一条引线7，由最左至最右，每行引线7的中心线与该行的各阵列单元小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的中心线重合，每行的引线7长为二维阵列的宽286微米；每行各阵列单元的小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6分别处于引线7的上下两侧，小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口处距离引线7的间距均为i＝5微米。
本例二维阵列4左右两侧各有一电极3，分别连接直流电源的正负极，连接线路上各有一个开关，二开关的启闭同步。两侧的电极3分别与二维阵列4左侧第一列和右侧最后一列的各行的引线7相连接。本例电极3为边长为100微米×1200微米的金属板。本例直流电源的电压为20伏。本例激光器泵浦激光的功率为100瓦。
触发方式一：本例电极3连接直流电源的开关开启时，上相变垫片8和下相变垫片9均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口处都是阻断的。此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态，且正入射时本吸收器的太赫兹波吸收率随频率变化的曲线如图5中的虚线所示。
电极3连接直流电源的开关闭合时，引线7通电生热，上相变垫片8和下相变垫片9被加热相变转为高电导率，即二维阵列4行与行之间小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态，且正入射时本双频吸收器的太赫兹波吸收率随频率变化的曲线如图5中的实线曲线所示。
触发方式二：本例用激光器对准本发明上的上相变垫片8和下相变垫片9，激光器关闭时，上相变垫片8和下相变垫片9均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口处都是阻断的。此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态，且正入射时本吸收器的太赫兹波吸收率随频率变化的曲线如图6中的虚线曲线所示。
激光器开启时，一束中心波长为650nm的泵浦光斜入射至上相变垫片8和下相变垫片9，诱导上相变垫片8和下相变垫片9相变，即二维阵列4行与行之间小尺寸方形开口环金属结构5和大尺寸方形开口环金属结构6的开口处同时连通。此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态，且正入射时本吸收器的太赫兹波吸收率随频率变化的曲线如图6中的实线曲线所示。
上述实施例，仅为对本发明的目的、技术方案和有益效果进一步详细说明的具体个例，本发明并非限定于此。凡在本发明的公开的范围之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，包括金属基底(1)、位于金属基底(1)之上的高阻硅层(2)和固定于高阻硅层(2)表面的二维阵列(4)，所述二维阵列(4)的边长为入射太赫兹波束直径的1.0～1.5倍；金属基底(1)和高阻硅层(2)的长和宽均大于二维阵列(4)的长和宽；太赫兹波从二维阵列(4)上方正入射，进入本吸收器后被损耗吸收；其特征在于：
所述二维阵列(4)的每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构(5)、一个大尺寸方形开口环金属结构(6)、一条引线(7)、一个上相变垫片(8)、一个下相变垫片(9)；
所述的小尺寸方形开口环金属结构(5)位于引线上方横置，且其开口一侧靠近引线，小尺寸方形开口环非开口处金属横条的垂直平分线为方形开口环金属结构的中心线，所述的大尺寸方形开口环金属结构(6)位于引线下方横置，且其开口一侧靠近引线，大尺寸方形开口环非开口处金属横条的垂直平分线为方形开口环金属结构的中心线，两个尺寸不同的方形开口环共用一条中心线；
一个上相变垫片(8)位于引线上侧的小尺寸方形开口环金属结构(5)的开口处，小尺寸方形开口环金属结构(5)开口处的部分主体位于相变垫片上且与之相接触；
另一个下相变垫片(9)位于引线下侧的大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处，大尺寸方形开口环金属结构(6)开口处的部分主体位于相变垫片上且与之相接触；
所述二维阵列每一行有一条引线(7)，由最左至最右，每行引线的中心线与该行的各阵列单元小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的中心线重合；各行各阵列单元的小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)分别处于引线(7)的上下两侧，小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)与引线(7)保持间隙；
二维阵列(4)左右两侧高阻硅层(2)上各固定一电极(3)，分别连接直流电源的正负极，连接线路上各有一个开关，二开关的启闭同步；两侧的电极(3)分别与二维阵列(4)左侧第一列和右侧最后一列的各行的引线(7)相连接；
触发方式一：电极(3)连接直流电源的开关开启时，上相变垫片(8)和下相变垫片(9)均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处都是阻断的，此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态，电极(3)连接直流电源的开关闭合时，引线(7)通电生热，上相变垫片(8)和下相变垫片(9)被加热相变转为高电导率，即二维阵列(4)行与行之间小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处同时连通，此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态；
触发方式二：激光器对准上相变垫片(8)和下相变垫片(9)，激光器关闭时，上相变垫片(8)和下相变垫片(9)均为低电导率，即行与行之间小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处都是阻断的，此时本吸收器工作于特定双频率的完美吸收状态，激光器开启时，一束中心波长为650nm的泵浦激光斜入射至上相变垫片(8)和下相变垫片(9)，诱导上相变垫片(8)和下相变垫片(9)相变，即二维阵列(4)行与行之间小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处同时连通，此时本吸收器工作于红移后的另一特定双频率的完美吸收状态。
2.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述的太赫兹双频吸收器能分别通过电/光快速有效调谐，双频直流电源的电压为12伏～24伏，所述泵浦激光的功率为80瓦～150瓦。
3.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述二维阵列(4)中一个阵列单元的横向宽度和纵向长度相等，均为90微米～120微米。
4.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述小尺寸方形开口环金属结构(5)、大尺寸方形开口环金属结构(6)和引线(7)为金片、铜片或铝片中任意一种的金属片条，厚度为0.2微米～0.8微米，宽度为5微米～10微米。
5.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述上相变垫片(8)和下相变垫片(9)是二氧化钒垫片、二硫化钼垫片或锗锑碲垫片中的任意一种，厚度为0.15微米～0.2微米。
6.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述上相变垫片和下相变垫片的长度和宽度相等，长度均为31微米～36微米，宽度为6微米～12微米。
7.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述小尺寸方形开口环金属结构，方形开口环非开口处金属横条的长度为65微米～75微米，左右两侧平行金属竖条的长度为35微米～40微米，开口处的两个同向的金属条长度为16～20微米。
8.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：所述大尺寸方形开口环金属结构，方形开口环非开口处金属横条的长度为90微米～96微米，左右两侧平行金属竖条的长度为35微米～40微米，开口处的两个同向的金属横条长度为28～36微米。
9.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器，其特征在于：小尺寸方形开口环金属结构(5)和大尺寸方形开口环金属结构(6)的开口处距离引线(7)的间距均为4微米～10微米。
CN202010866866.6A 2020-08-26 2020-08-26 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器 Active CN112018521B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010866866.6A CN112018521B (zh) 2020-08-26 2020-08-26 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010866866.6A CN112018521B (zh) 2020-08-26 2020-08-26 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112018521A CN112018521A (zh) 2020-12-01
CN112018521B true CN112018521B (zh) 2022-07-26

Family

ID=73502491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010866866.6A Active CN112018521B (zh) 2020-08-26 2020-08-26 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112018521B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103178351A (zh) * 2013-02-27 2013-06-26 华中科技大学 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器
CN103247839A (zh) * 2013-04-02 2013-08-14 华中科技大学 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法
KR20160057950A (ko) * 2014-11-14 2016-05-24 삼육대학교산학협력단 메타물질 기반 테라헤르츠파 변조기
CN107579354A (zh) * 2017-08-11 2018-01-12 中国科学技术大学 基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体
CN111162354A (zh) * 2020-01-16 2020-05-15 桂林电子科技大学 一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674792B2 (en) * 2008-02-07 2014-03-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Tunable metamaterials
US10545357B2 (en) * 2017-08-24 2020-01-28 International Business Machines Corporation Programmable metamaterial

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103178351A (zh) * 2013-02-27 2013-06-26 华中科技大学 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器
CN103247839A (zh) * 2013-04-02 2013-08-14 华中科技大学 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法
KR20160057950A (ko) * 2014-11-14 2016-05-24 삼육대학교산학협력단 메타물질 기반 테라헤르츠파 변조기
CN107579354A (zh) * 2017-08-11 2018-01-12 中国科学技术大学 基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体
CN111162354A (zh) * 2020-01-16 2020-05-15 桂林电子科技大学 一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Tunable Broadband Terahertz Metamaterial Absorbers Based on VO2;Lei Kang等;《2020 IEEE International Symposium on Antennas and Propagation and North American Radio Science Meeting》;20200710;第729-730页 *
一种基于二氧化钒材料的可调谐吸波器设计;道日娜等;《激光技术》;20181211;第43卷(第4期);第121-126页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112018521A (zh) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101139938B1 (ko) 메타물질을 이용한 테라헤르츠파 공진기 및 변조기
US8847824B2 (en) Apparatuses and method for converting electromagnetic radiation to direct current
US10084102B2 (en) Plasmon-enhanced terahertz graphene-based photodetector and method of fabrication
Berry et al. Terahertz generation using plasmonic photoconductive gratings
US7943847B2 (en) Apparatus and methods for solar energy conversion using nanoscale cometal structures
US20140020733A1 (en) Photovoltaic device for a closely packed array
US10830640B2 (en) Electromagnetic wave detection element, electromagnetic wave sensor, electronic apparatus, and structural body
CN109449237B (zh) 基于等离激元热电子多层图案化光电转换器件及制备方法
CN103344328A (zh) 一种多层结构横向热电光探测器
CN102593235B (zh) 微波太赫兹波探测器及其制备方法
Zhu et al. Overview of optical rectennas for solar energy harvesting
CN210182581U (zh) 一种基于二氧化钒调控的单层THz宽带吸波体
CN111162354B (zh) 一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器
Chai et al. Metamaterials‐Based Photoelectric Conversion: From Microwave to Optical Range
CN112018521B (zh) 一种基于相变材料的电/光可调太赫兹双频吸收器
WO2010006440A1 (en) Terahertz photoconductive antennas having transparent conductor electrodes and methods of making same
CN114464632A (zh) 近-远红外宽光谱超晶格探测器
CN106067592A (zh) 一种收发一体的太赫兹天线及其制造方法和太赫兹测量系统
CN116106998B (zh) 基于卍形阵列与氮化钛复合结构的可调谐近红外吸收器
EP3503206B1 (en) A device for operating with thz and/or ir and/or mw radiation
CN104319613A (zh) 以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器
CN102868030A (zh) 一种复合式光电导天线及太赫兹波辐射源
CN211208632U (zh) 一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器
CN114014256A (zh) 一种光辐射事件驱动的智能开关及其制备方法
CN114512556A (zh) 一种基于非对称超材料结构的光电探测器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant