CN111965880A - 一种显示装置及其制备方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置在对置基板背离阵列基板一侧设置有功能膜层，该功能膜层包括高电阻率的第一功能膜和较低电阻率的第二功能膜，其中，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，以保证所述显示面板在正常使用过程中触控功能的正常运行，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，起到在所述显示装置的制备过程中的静电消散作用，避免了静电的积累而导致显示装置的显示异常的问题。另外，在所述显示装置的正常使用过程中，所述第二功能膜仍可起到静电消散作用，避免静电积累影响显示装置的正常显示。

Description

一种显示装置及其制备方法、电子设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种显示装置及其制备方法、电子设备。
背景技术
在集成有触控功能的显示面板中，为了保证显示面板的触控功能的正常工作，通常在显示面板的出光面一侧表面设置高阻膜，该高阻膜主要用于保证显示面板的触控功能正常使用。
但在集成有触控功能的显示面板的制备过程中，由于高阻膜的存在，容易在显示面板中积累大量静电，导致显示面板出现黑画面或黄斑等显示不良。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种显示面板及其制备方法、电子设备，以解决由于显示面板在制备过程中积累静电而导致显示不良的问题。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板；所述显示面板包括显示区和与所述显示区相邻的边框区；
位于所述对置基板背离所述阵列基板一侧的功能膜层，所述功能膜层包括第一功能膜和第二功能膜，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，所述第一功能膜的电阻率大于所述第二功能膜的电阻率。
一种显示装置的制备方法，包括：
提供第一基板；所述第一基板包括多个面板制备区域，相邻所述面板制备区域之间包括切割区域，所述面板制备区域包括显示区和与所述显示区相邻的边框区；
在所述第一基板上形成功能膜层，所述功能膜层包括第一功能膜和第二功能膜，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域与至少部分所述边框区，所述第一功能膜的电阻率大于所述第二功能膜的电阻率；
沿所述切割区域对所述第一基板进行切割，以将所述第一基板切割为多个显示面板。
一种电子设备，包括：如上述任一项所述的显示装置。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置在对置基板背离阵列基板一侧设置有功能膜层，该功能膜层包括高电阻率的第一功能膜和较低电阻率的第二功能膜，其中，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，以保证所述显示面板在正常使用过程中触控功能的正常运行，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，起到在所述显示装置的制备过程中的静电消散作用，避免了静电的积累而导致显示装置的显示异常的问题。另外，在所述显示装置的正常使用过程中，所述第二功能膜仍可起到静电消散作用，避免静电积累影响显示装置的正常显示。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图2为本申请的另一个实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图3为本申请的又一个实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图4为本申请的再一个实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图5为本申请的一个可选实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图6为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图；
图7-图9为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的制备流程示意图；
图10为本申请的另一个实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图；
图11为本申请的一个实施例提供的一种电子设备的外观示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，集成触控功能的显示面板的显示方向一侧表面通常需要设置高电阻率的膜层(即高阻膜)，该高阻膜一方面用于保护显示面板的触控功能正常使用，另一方面通过设置高阻膜的折射率与显示面板相匹配，可以降低对于显示面板出射光线的反射率，提高显示面板的光线利用率。
但在显示面板的制备过程，特别是在液晶显示面板(Liquid Crystal Display)的制备过程中，由于高阻膜的存在，在制备过程中的某些工序(例如液晶显示面板的制盒工序)中容易导致静电积累，导致液晶显示面板的盒内的液晶发生异常偏转，形成黑画面或黄斑等显示不良。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置在对置基板背离阵列基板一侧设置有功能膜层，该功能膜层包括高电阻率的第一功能膜和较低电阻率的第二功能膜，其中，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，以保证所述显示面板在正常使用过程中触控功能的正常运行，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，起到在所述显示装置的制备过程中的静电消散作用，避免了静电的积累而导致显示装置的显示异常的问题。另外，在所述显示装置的正常使用过程中，所述第二功能膜仍可起到静电消散作用，避免静电积累影响显示装置的正常显示。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种显示装置，如图1所示，图1为所述显示装置的剖面结构示意图，所述显示装置包括：
显示面板，所述显示面板包括相对设置的阵列基板10和对置基板20；所述显示面板包括显示区100和与所述显示区100相邻的边框区200。
位于所述对置基板20背离所述阵列基板10一侧的功能膜层30，所述功能膜层30包括第一功能膜32和第二功能膜31，所述第一功能膜32在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区100，所述第二功能膜31在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区200，所述第一功能膜32的电阻率大于所述第二功能膜31的电阻率。
在图1所示的实施例中，除了所述阵列基板10、所述对置基板20和所述功能膜层30之外，还示出了位于功能膜层30背离所述对置基板20一侧的光学膜40，所述光学膜40可以是偏光片等膜层结构。所述光学膜主要用于优化显示装置的显示效果，例如当所述光学膜40包括偏光片时，所述偏光片可以消散表面反光，并且把光散射以增加所述显示装置的视角，在一些种类的显示装置，例如液晶显示器中，通常包括两层以上的偏光片，这些偏光片分别设置在液晶盒的上下两侧，以辅助液晶进行成像。
图1中，所述第二功能膜31在所述显示面板上的正投影覆盖部分所述边框区200，所述第一功能膜32在所述显示面板上的正投影除了覆盖所述显示区100之外，还覆盖未被所述第二功能膜31覆盖的边框区200，由于所述第二功能膜31的电阻率相对较低，在所述显示装置的制备工序中，积累的静电可以通过所述第二功能膜31消散，避免大量的静电积累导致制备完成的显示装置的显示异常问题。同时在显示装置的使用过程中，所述第二功能膜31仍然具有对使用过程中引起或积累的静电的消散作用，有利于保持显示装置在使用过程中的正常显示和使用。所述第一功能膜32的覆盖区域主要包括所述显示区100，所述第一功能膜32的作用主要包括保证显示装置中集成的触控膜层的正常使用。在本申请的一些实施例中，所述第一功能膜32在所述显示装置上的正投影可以仅覆盖所述显示区100，所述第二功能膜31在所述显示装置上的正投影可以完全覆盖所述边框区200，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
对于所述显示装置中集成的触控膜层(附图1中未示出)，一般情况下可以以In-Cell的方式集成于所述显示面板的阵列基板10或对置基板20上，触控膜层以In-Cell的方式集成于所述显示面板的阵列基板10或对置基板20上相较于外挂式的集成方式而言，有利于降低显示装置的整体厚度。当所述触控膜层集成于所述阵列基板10上时，所述触控膜层位于所述阵列基板10朝向所述对置基板20一侧，由于阵列基板10在制备过程中通常会利用到多层金属，因此当触控膜层集成于所述阵列基板10上时，可复用现有的多层金属进行制备，无需额外增加金属层。
对于液晶显示面板而言，所述阵列基板10上主要用于设置薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列，所述对置基板20主要用于设置黑矩阵以及位于所述黑矩阵限定区域中的彩色色阻。对于有机发光显示面板或Micro-LED显示面板或量子点显示面板而言，所述阵列基板10主要用于设置像素电路阵列，像素电路中至少包括一个所述薄膜晶体管，所述对置基板20主要用于设置黑矩阵以及位于所述黑矩阵限定区域中的彩色色阻，当然地，在本申请的一些实施例中，所述黑矩阵以及所述彩色色阻也可以设置于所述阵列基板10上，此时所述对置基板20主要用于起到对显示器件的保护作用。
对于所述第一功能膜32的电阻率的可行取值范围可以为
Figure BDA0002664845130000051
Figure BDA0002664845130000052
即所述第一功能膜32的电阻率的取值可以为
Figure BDA0002664845130000053
Figure BDA0002664845130000054
等。在实际应用中发现，当第一功能膜32的电阻率的取值在
Figure BDA0002664845130000055
Figure BDA0002664845130000056
之间时，对于触控膜层的触控功能的辅助效果较好，当操作体在第一功能膜32表面由于触控造成电荷变化时，电阻率介于
Figure BDA0002664845130000057
的第一功能膜32可以快速恢复表面电荷状态，避免持续的电荷变化对于触控膜层的干扰。
所述第二功能膜31的电阻率的可行取值一般小于或等于
Figure BDA0002664845130000058
即所述第二功能膜31的电阻率的取值可以为
Figure BDA0002664845130000059
等。通过实验发现，当第二功能膜31的电阻率小于或等于
Figure BDA00026648451300000510
时即具有较好的导电作用，可以起到快速释放静电的作用。
下面对所述第一功能膜32和第二功能膜31的具体可行设置方式进行描述。
参考图2，图2为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图，所述第一功能膜32在所述显示面板上的正投影覆盖所述显示区100以及所述边框区200。
所述第二功能膜31位于所述第一功能膜32与所述光学膜40之间。
在本实施例中，所述功能膜层30的制备工序可以是：先在所述显示面板上整面设置所述第一功能膜32，以使所述第一功能膜32在所述显示面板上的正投影覆盖所述显示区100以及所述边框区200，然后在所述第一功能膜32的表面再设置所述第二功能膜31，此时所述第二功能膜31位于所述第一功能膜32与所述光学膜之间。所述第二功能膜31的具体形成工序可以包括：首先形成整面的第二功能膜31再进行图案化，也可以包括首先设置掩膜板，然后以掩膜板为掩膜直接形成预设图案的第二功能膜31，无论采用何种工序，只要能够形成在所述显示装置上的正投影仅覆盖至少部分所述边框区200的第二功能膜31即可。在本实施例中，仅需对第二功能膜31进行图案化，有利于简化整个功能膜层30的制备工艺。
参考图3、图4并结合参考图1，图3和图4为本申请的另一个实施例提供的显示装置的剖面结构示意图，在图3、图4和图1中，所述第一功能膜32与所述第二功能膜31同层且相邻设置。在图1、图3和图4中，所述第二功能膜31的厚度大于或等于所述第一功能膜32的厚度。具体地，在图1中，所述第二功能膜31的厚度等于所述第一功能膜32的厚度，且所述第二功能膜31层包括单层子功能膜。在图3中，所述第二功能膜31的厚度大于所述第一功能膜32的厚度，且所述第二功能膜31包括至少两层层叠设置的子功能膜。当然地，在本申请的其他实施例中，参考图4，当所述第二功能膜31的厚度大于所述第一功能膜32的厚度时，所述第二功能膜31也可以包括单层且厚度较厚的子功能膜。在图3和图4中，由于第二功能膜31的厚度较厚，在同等条件下，第二功能膜层31的电阻较小(由电阻公式R＝ρL/S可知，当第二功能膜31的横截面S增加，且电阻率ρ和长度L不变的情况下，第二功能膜层31的电阻会减小)，有利于快速释放静电。
在图1、图3和图4所示的显示装置中，所述功能膜层30的制备工序可以大致包括：首先在所述显示面板表面形成整面的第一功能膜32层，并对所述第一功能膜32层进行图案化，然后在所述显示面板表面设置掩膜板，以所述掩膜板为掩膜形成图案化的第二功能膜31。
在图1-图4中，均以显示装置中仍然具有所述第二功能膜31为例进行的说明，在实际的应用过程中，当所述显示装置在制备过程中，所述第二功能膜31也可仅覆盖大基板(第一基板)的切割区域，即第二功能膜31仅在显示装置的制备工序中起到释放静电的工作，而在切割完成后，由于第二功能膜31被切割掉，获得的显示装置参考图5，图5为本申请的又一个实施例提供的显示装置的剖面结构示意图，在图5中，由于第二功能膜31在切割的工序中被完全切除，此时所述第一功能膜32在所述显示装置上的正投影既覆盖所述显示区100也覆盖所述边框区200。
下面对本申请实施例提供的显示装置的制备方法进行描述，下文描述的显示装置的制备方法可与上文描述的显示装置相互对应参照。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置的制备方法，如图6所示，图6为所述显示装置的制备方法的流程示意图，所述显示装置的制备方法包括：
S101：提供第一基板；所述第一基板包括多个面板制备区域，相邻所述面板制备区域之间包括切割区域，所述面板制备区域包括显示区和与所述显示区相邻的边框区；参考图7，图7为步骤S101提供的第一基板的俯视结构示意图。在图7中，标号A100表示所述第一基板，所述面板制备区域包括所述显示区100和所述边框区200。相邻所述面板制备区域之间均为所述切割区域300。
S102：在所述第一基板上形成功能膜层，所述功能膜层包括第一功能膜和第二功能膜，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域与至少部分所述边框区，所述第一功能膜的电阻率大于所述第二功能膜的电阻率。
参考图8和图9，图8和图9为经过步骤S102后的第一基板及其表面结构的俯视示意图，在图8中，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影仅覆盖所述切割区域，在图8所示的结构中，当经过切割后形成最终的显示装置后，所述第二功能膜被完全切除，即所述第二功能膜仅在显示装置的制备过程中发挥静电释放的功能。而在图9中，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖所述切割区域与至少部分所述边框区，此时所述第二功能膜即可在显示装置的制备过程中发挥静电释放的功能，而且由于在切割后显示装置的边框区仍保留有部分所述第二功能膜，此时所述第二功能膜仍可继续发挥释放静电的功能。在图8和图9中，标号31表示所述第二功能膜，32表示所述第一功能膜。
S103：沿所述切割区域对所述第一基板进行切割，以将所述第一基板切割为多个显示面板。
经过步骤S103后获得的显示面板的剖面结构可以参考图1-图5，在图1-图5中除了显示面板的对置基板和阵列基板之外，还示出了光学膜40。
图1中，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖部分所述边框区，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影除了覆盖所述显示区之外，还覆盖未被所述第二功能膜覆盖的边框区，由于所述第二功能膜的电阻率相对较低，在所述显示装置的制备工序中，积累的静电可以通过所述第二功能膜消散，避免大量的静电积累导致制备完成的显示装置的显示异常问题。同时在显示装置的使用过程中，所述第二功能膜仍然具有对使用过程中引起或积累的静电的消散作用，有利于保持显示装置在使用过程中的正常显示和使用。所述第一功能膜的覆盖区域主要包括所述显示区，所述第一功能膜的作用主要包括保证显示装置中集成的触控膜层的正常使用。在本申请的一些实施例中，所述第一功能膜在所述显示装置上的正投影可以仅覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示装置上的正投影可以完全覆盖所述边框区，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
对于所述显示装置中集成的触控膜层(附图1中未示出)，一般情况下可以以In-Cell的方式集成于所述显示面板的阵列基板或对置基板上，当所述触控膜层集成于所述阵列基板上时，所述触控膜层位于所述阵列基板朝向所述对置基板一侧。对于液晶显示面板而言，所述阵列基板上主要用于设置薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列，所述对置基板主要用于设置黑矩阵以及位于所述黑矩阵限定区域中的彩色色阻。对于有机发光显示面板或Micro-LED显示面板或量子点显示面板而言，所述阵列基板主要用于设置像素电路阵列，像素电路中至少包括一个所述薄膜晶体管，所述对置基板主要用于设置黑矩阵以及位于所述黑矩阵限定区域中的彩色色阻，当然地，在本申请的一些实施例中，所述黑矩阵以及所述彩色色阻也可以设置于所述阵列基板上，此时所述对置基板主要用于起到对显示器件的保护作用。
对于所述第一功能膜的电阻率的可行取值范围可以为
Figure BDA0002664845130000091
即所述第一功能膜的电阻率的取值可以为
Figure BDA0002664845130000092
等。
所述第二功能膜的电阻率的可行取值一般小于或等于
Figure BDA0002664845130000093
即所述第二功能膜的电阻率的取值可以为
Figure BDA0002664845130000094
等。
在图2中，所述第二功能膜位于所述第一功能膜与所述光学膜之间。
在图1、图3和图4中，所述第一功能膜与所述第二功能膜同层且相邻设置。且在图1、图3和图4中，所述第二功能膜的厚度大于或等于所述第一功能膜的厚度。具体地，在图1中，所述第二功能膜的厚度等于所述第一功能膜的厚度，且所述第二功能膜层包括单层子功能膜。在图3中，所述第二功能膜的厚度大于所述第一功能膜的厚度，且所述第二功能膜包括至少两层层叠设置的子功能膜。当然地，在本申请的其他实施例中，参考图4，当所述第二功能膜的厚度大于所述第一功能膜的厚度时，所述第二功能膜也可以包括单层且厚度较厚的子功能膜。
下面对本申请实施例中功能膜层的具体制备工序进行描述。
可选的，所述在所述第一基板上形成功能膜层包括：
形成第一功能膜，所述第一功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域、所述显示区和所述边框区在所述第一基板上的正投影；
在所述第一功能膜背离所述第一基板一侧表面，形成多个所述第二功能膜，所述第二功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域以及至少部分所述边框区。
在本实施例中，所述功能膜层在形成过程中首先形成整面的第一功能膜，然后在第一功能膜的表面形成多个第二功能膜，所述第二功能膜的形成工艺可以包括：通过设置掩膜板的方式将所述第二功能膜所需形成的位置暴露出来，然后以所述掩膜板为掩膜进行第二功能膜的形成。在本实施例中，所述第二功能膜直接形成于整面的第一功能膜上，无需对第一功能膜进行图案化，仅需对第二功能膜进行图案化即可，有利于简化整个功能膜层的制备工艺。
可选的，在本申请的另一个实施例中，所述在所述第一基板上形成功能膜层包括：
在所述第一基板上形成第一功能膜和与所述第一功能膜同层且相邻的第二功能膜；所述第一功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述显示区；所述第二功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域以及至少部分所述边框区。在本实施例中，所述第一功能膜和所述第二功能膜同层相邻设置，可以在一定程度上减少功能膜层在垂直于功能膜层表面方向上的厚度。
其中，所述在所述第一基板上形成第一功能膜和与所述第一功能膜同层且相邻的第二功能膜的具体过程可以包括：
在所述第一基板上设置第一掩膜板，所述第一掩模板暴露出所述显示区；
以所述第一掩膜板为掩膜，形成所述第一功能膜；
在所述第一基板上设置第二掩膜板，所述第二掩膜板暴露出所述切割区域或所述切割区域与至少部分所述边框区；
以所述第二掩膜板为掩膜，形成所述第二功能膜。
在本实施例中，与所述第一功能膜同层设置的第二功能膜的厚度可以与第一功能膜层的厚度相同，也可大于所述第一功能膜的厚度，当所述第二功能膜的厚度大于所述第一功能膜的厚度时，所述第二功能膜可以包括至少两层层叠设置的子功能膜，也可以包括单层且厚度较厚的子功能膜。由于第二功能膜的厚度较厚，在同等条件下，第二功能膜层的电阻较小(由电阻公式R＝ρL/S可知，当第二功能膜31的横截面S增加，且电阻率ρ和长度L不变的情况下，第二功能膜层31的电阻会减小)，有利于快速释放静电。
在本申请的一个可选实施例中，所述功能膜层的制备过程中还可以在所述显示区形成高电阻率的第一功能膜，在所述切割区域和所述边框区形成两种电阻率不同的第二功能膜，即所述切割区域和所述边框区上形成的第二功能膜的电阻率可以相同，也可以不同，本申请对此并不做限定。在本实施例中，当切割区域和边框区上形成的第二功能膜的电阻率不同时，有利于满足不同类型的显示装置的需要，提升本方法的适用性。
在上述实施例的基础上，在本申请的又一个实施例中，如图10所示，图10为所述显示装置的制备方法的流程示意图，所述在所述第一基板上形成功能膜层之后，所述沿所述切割区域对所述第一基板进行切割之前还包括：
S104：在所述功能膜层背离所述第一基板一侧形成光学膜，所述光学膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述显示区。
所述光学膜可以为偏光片等膜层，本申请对此并不做限定。所述光学膜主要用于优化显示装置的显示效果，例如当所述光学膜40包括偏光片时，所述偏光片可以消散表面反光，并且把光散射以增加所述显示装置的视角，在一些种类的显示装置，例如液晶显示器中，通常包括两层以上的偏光片，这些偏光片分别设置在液晶盒的上下两侧，以辅助液晶进行成像。
相应的，本申请实施例还提供了一种电子设备，如图11所示，图11为所述电子设备B100的外观示意图，所述电子设备B100包括如上述任一实施例所述的显示装置。
综上所述，本申请实施例提供了一种显示装置及其制备方法、电子设备，其中，所述显示装置在对置基板背离阵列基板一侧设置有功能膜层，该功能膜层包括高电阻率的第一功能膜和较低电阻率的第二功能膜，其中，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，以保证所述显示面板在正常使用过程中触控功能的正常运行，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，起到在所述显示装置的制备过程中的静电消散作用，避免了静电的积累而导致显示装置的显示异常的问题。另外，在所述显示装置的正常使用过程中，所述第二功能膜仍可起到静电消散作用，避免静电积累影响显示装置的正常显示。
本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或者组合，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示面板，所述显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板；所述显示面板包括显示区和与所述显示区相邻的边框区；
位于所述对置基板背离所述阵列基板一侧的功能膜层，所述功能膜层包括第一功能膜和第二功能膜，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖至少部分所述边框区，所述第一功能膜的电阻率大于所述第二功能膜的电阻率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一功能膜的电阻率的取值范围为
Figure FDA0002664845120000011
所述第二功能膜的电阻率的取值小于或等于
Figure FDA0002664845120000012
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
位于所述功能膜层背离所述显示面板一侧的光学膜。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖所述显示区以及所述边框区；
所述第二功能膜位于所述第一功能膜与所述光学膜之间。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一功能膜与所述第二功能膜同层且相邻设置。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第二功能膜的厚度大于或等于所述第一功能膜的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二功能膜的厚度大于所述第一功能膜的厚度，且所述第二功能膜包括至少两层层叠设置的子功能膜。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二功能膜的厚度等于所述第一功能膜的厚度，且所述第二功能膜层包括单层子功能膜。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：触控膜层；
所述触控膜层位于所述阵列基板朝向所述对置基板一侧。
10.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基板；所述第一基板包括多个面板制备区域，相邻所述面板制备区域之间包括切割区域，所述面板制备区域包括显示区和与所述显示区相邻的边框区；
在所述第一基板上形成功能膜层，所述功能膜层包括第一功能膜和第二功能膜，所述第一功能膜在所述显示面板上的正投影至少覆盖所述显示区，所述第二功能膜在所述显示面板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域与至少部分所述边框区，所述第一功能膜的电阻率大于所述第二功能膜的电阻率；
沿所述切割区域对所述第一基板进行切割，以将所述第一基板切割为多个显示面板。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成功能膜层包括：
形成第一功能膜，所述第一功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域、所述显示区和所述边框区在所述第一基板上的正投影；
在所述第一功能膜背离所述第一基板一侧表面，形成多个所述第二功能膜，所述第二功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域以及至少部分所述边框区。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成功能膜层包括：
在所述第一基板上形成第一功能膜和与所述第一功能膜同层且相邻的第二功能膜；所述第一功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述显示区；所述第二功能膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述切割区域或覆盖所述切割区域以及至少部分所述边框区。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成第一功能膜和与所述第一功能膜同层且相邻的第二功能膜包括：
在所述第一基板上设置第一掩膜板，所述第一掩模板暴露出所述显示区；
以所述第一掩膜板为掩膜，形成所述第一功能膜；
在所述第一基板上设置第二掩膜板，所述第二掩膜板暴露出所述切割区域或所述切割区域与至少部分所述边框区；
以所述第二掩膜板为掩膜，形成所述第二功能膜。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成功能膜层之后，所述沿所述切割区域对所述第一基板进行切割之前还包括：
在所述功能膜层背离所述第一基板一侧形成光学膜，所述光学膜在所述第一基板上的正投影覆盖所述显示区。
15.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的显示装置。
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