CN111965877B - 彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备。该彩膜基板包括：层叠的透明基板和光阻层；第一压电结构，设置于透明基板远离光阻层的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；第二压电结构，设置于光阻层远离透明基板的一侧，用于接收超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；导电支撑柱，设置于第二压电结构远离光阻层的一侧，并且一端与第二压电结构电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输指纹识别电信号。通过将用于指纹识别的第一压电结构和第二压电结构设置于彩膜基板中，避免了极化过程中走线的损坏，同时提高了生产效率。

Description

彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备

技术领域

本申请涉及显示设备技术领域，具体而言，本申请涉及一种彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备。

背景技术

随着显示技术和移动通讯技术的发展，智能手机、平板电脑等移动电子设备成为了人们生活中比不可少的工具，特别是智能手机经常存储有用户的个人信息。为了提高以智能手机为代表的移动电子设备的安全性，现有移动电子设备多采用指纹识别的身份认证方法，即保护了用户的个人信息又方便了用户的使用。

现有具有指纹识别功能的移动电子设备主要是屏下指纹识别产品，即指纹识别模组设置于显示模组之下。指纹识别模组主要包括压电层、电极和走线，制作过程中，需要通过高压电场对压电层进行极化处理，但是，极化处理过程中，高压电场容易破坏走线，从而造成指纹识别模组的损坏。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备，用以解决现有技术存在显示面板中指纹识别模组极化处理过程中，指纹识别模组容易被损坏的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种彩膜基板，包括：

层叠的透明基板和光阻层；

第一压电结构，设置于透明基板远离光阻层的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；

第二压电结构，设置于光阻层远离透明基板的一侧，用于接收超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；

导电支撑柱，设置于第二压电结构远离光阻层的一侧，并且一端与第二压电结构电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输指纹识别电信号。

第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板和如上述第一方面所提供的彩膜基板；

阵列基板的一侧与彩膜基板远离第一压电结构的一侧相贴合；

阵列基板包括依次层叠的衬底基板和薄膜晶体管结构；彩膜基板的导电支撑柱与薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接。

第三个方面，本申请实施例提供了一种彩膜基板的制作方法，包括：

在透明基板的一侧制备第一压电结构的第一发送电极结构；

在透明基板的另一侧制备光阻层；

在光阻层远离透明基板的一侧制备第二压电结构的第一接收电极结构；

在透明基板的一侧和第一发送电极结构远离光阻层的一侧制备第一压电结构的第一压电层；在光阻层和第一接收电极结构远离透明基板的一侧制备第二压电结构的第二压电层；

在第一压电层远离透明基板的一侧制备第一压电结构的第二发送电极结构，在第二压电层远离光阻层的一侧制备第二压电结构的第二接收电极结构；

在第二接收电极结构远离第二压电层的一侧制备导电支撑柱。

第四个方面，本申请实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

采用如上述第三方面所提供的制作方法制备得到彩膜基板，并在衬底基板的一侧制备薄膜晶体管结构得到阵列基板；

将阵列基板和彩膜基板进行对盒，且使得薄膜晶体管结构的第一电极结构与彩膜基板的导电支撑柱电连接。

第五个方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括：如上述第二方面所提供的显示面板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

在本申请实施例提供的彩膜基板中，通过将用于指纹识别的第一压电结构和第二压电结构设置于彩膜基板中，避免了极化过程中高压电层对指纹识别模组中走线的破坏，解决了现有显示面板中指纹识别模组极化处理过程中，指纹识别模组容易被损坏的技术问题。

同时，在彩膜基的第一压电结构和第二压电结构极化过程中，省去了使用掩膜版的工序，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率，降低了生产成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的图2中显示面板指纹识别过程的示意图；

图4为本申请实施例提供的一种彩膜基板制作方法中的流程示意图；

图5a-5g为本申请实施例提供的彩膜基板制作方法中各流程中间结构的示意图；

图6a-6j为本申请实施例提供的显示面板制作方法中阵列基板各流程中间结构的示意图。

附图标号的说明如下：

100-彩膜基板；

110-透明基板；

120-光阻层；121-黑矩阵；122-色阻；123-平坦层；

130-第一压电结构；131-第一发送电极结构；132-第一压电层；133-第二发送电极结构；

140-第二压电结构；141-第一接收电极结构；142-第二压电层；143-第二接收电极结构；

150导电支撑柱；

160-第一偏光片；

170-盖板；

210-衬底基板；

220-薄膜晶体管结构；221-第一钝化层；222-导电层；2221-第一电极结构；2222-第二电极结构；223-第二钝化层；224-第一有源层；225-第一栅极绝缘层；226-第一栅极层；227-第一层间绝缘层；228-第二有源层；229-第二栅极绝缘层；230-第二栅极层；231-第二层间绝缘层；232-源漏极层；

240-第二偏光片；

250-背光结构。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：

压电材料，是一种可以实现机械信号和电信号之间相互转换的功能材料，主要有石英晶体、压电陶瓷、有机PVDF(Polyvinylidene Fluoride，聚偏氟乙烯)压电薄膜和AlN(氮化铝)等材料，具有正压电效应和逆压电效应。当在压电材料上施加一定的力时，材料表面将出现与施加的力的大小成正比的正负电荷，此现象为材料的正压电效应；同时当在压电材料的上施加一定的电压时，压电材料将发生形变产生振动等，此现象为压电材料的逆压电效应。

极化处理，极化过程作为赋予有机压电材料压电性能的重要过程，主要是在一定条件下，将压电材料内杂乱取向的分子偶极矩沿着特定方向一致取向，从而赋予压电材料具有压电性能，可以实现电信号和振动信号之间的相互转换。

本申请的发明人进行研究发现，现有具有指纹识别功能的移动电子设备主要是屏下指纹识别产品，即将指纹识别模组贴在显示屏幕下方的特定位置进行指纹识别，指纹识别的区域面积比较有限和固定。而且指纹识别模组包括指纹识别区和走线封装区，在极化处理过程中，为了避免极化处理过程中的高压电场对走线封装区的走线造成损坏，需要使用有机材料制成的掩膜版置于指纹识别模组的表面，通过遮挡走线封装区，避免高压电场击穿走线。

但是，极化过程中使用掩膜版的工序会限制生产效率，同时，在机械手将掩膜版置于指纹识别模组表面时容易产生静电，从而造成指纹识别模组内部元器件的损坏。而且，对于不同布局设计的指纹识别模组，需要单独设计匹配的掩膜版，这会造成生产成本的增加。

本申请提供的彩膜基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种彩膜基板100，该彩膜基板的结构示意图如图1所示，包括：层叠的透明基板110和光阻层120；第一压电结构130，设置于透明基板110远离光阻层120的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；第二压电结构140，设置于光阻层120远离透明基板110的一侧，用于接收超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；导电支撑柱150，设置于第二压电结构140远离光阻层120的一侧，并且一端与第二压电结构140电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输指纹识别电信号。

在本申请实施例提供的彩膜基板中，通过将用于指纹识别的第一压电结构130和第二压电结构140设置于彩膜基板中，避免了极化过程中高压电层对指纹识别模组中走线的破坏，解决了现有显示面板中指纹识别模组极化处理过程中，指纹识别模组容易被损坏的技术问题。同时，在彩膜基的第一压电结构130和第二压电结构140极化过程中，省去了使用掩膜版的工序，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率，降低了生产成本。

具体的，本申请实施例提供的彩膜基板100，包括依次层叠的第一压电结构130、透明基板110、光阻层120、第二压电结构140和导电支撑柱150。第一压电结构130，设置于透明基板110远离光阻层120的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；第二压电结构140，设置于光阻层120远离透明基板110的一侧，用于接收超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；导电支撑柱150，设置于第二压电结构140远离光阻层120的一侧，并且一端与第二压电结构140电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输指纹识别电信号。

本申请实施例提供的彩膜基板100中，通过将用于指纹识别过程中超声波的发射和接收功能的第一压电结构130和第二压电结构140，集成于彩膜基板100中。当第一压电结构130接收到驱动电信号时，发出超声波信号，超声波信号经过用户手指的谷和脊反射后，形成反射超声波信号，反射超声波信号由第二压电结构140接收，第二压电结构140将反射超声波信号转换成指纹识别电信号，并传输给导电支撑柱150，导电支撑柱150将指纹识别电信号传输给阵列基板中薄膜晶体管结构的第一电极结构，从而形成指纹成像并完成指纹识别。由于彩膜基板100中不存在走线封装区以及其它半导体结构，因此在极化过程中，彩膜基板100不会被高压电场所破坏，从而保障了生产过程中的良品率。在生产彩膜基板100的过程中，在第一压电结构130和第二压电结构140极化过程中，避免了掩膜版工序，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率，降低了生产成本。

同时，通过将用于指纹识别过程中超声波的发射和接收功能的第一压电结构130和第二压电结构140，集成于彩膜基板100中，实现了超声波指纹识别技术与LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)结构显示产品的结合，实现了指纹识别功能和显示功能的一体化和集成化，同时，增大了指纹识别的面积。而且，缩短了第一压电结构130发送的超声波信号到达手指和从手指反射后到达第二压电结构140的距离，减少了超声波信号的能量损失，提高了超声波信号的强度，从而增强指纹识别的准确率和速度。

应该说明的是，本申请实施例中所说的设置于的含义包括位于和连接，例如，第一压电结构130设置于透明基板110远离光阻层120的一侧，表示的是，第一压电结构130位于透明基板110远离光阻层120的一侧，并且与透明基板110连接。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，第一压电结构130包括：第一发送电极结构131，设置于透明基板110的一侧；第一压电层132，设置于透明基板110的一侧和第一发送电极结构131远离透明基板110的一侧，并覆盖第一发送电极结构131；第二发送电极结构133，设置于第一压电层132远离第一发送电极结构131的一侧；第一发送电极结构131和第二发送电极结构133在透明基板110的投影区域相重叠；第一发送电极结构131和第二发送电极结构133用于根据驱动电信号驱动第一压电层132发出超声波信号。

本申请实施例中，第一发送电极结构131和第二发送电极结构133中夹设有第一压电层132，当第一压电结构130接收到驱动信号时，第一发送电极结构131和第二发送电极结构133驱动第一压电层132发出超声波信号，具体是通过激励第一压电层132的压电材料发生变形从而发出超声波信号。本申请实施例中的驱动信号包括用户接触按压彩膜基板100是产生的触摸信号。

本领域技术人员理解的是，为了保障彩膜基板100的透光性，本申请实施例中，第一发送电极结构131和第二发送电极结构133，采用具有良好透光率的ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)材料制作而成，且第一发送电极结构131的厚度为100纳米，第二发送电极结构133的厚度为80纳米；第一压电层132采用PVDF材料制作而成，PVDF在可见光(380-780纳米)之间的平均透过率为96％，具有良好的透光率，不会对显示效果造成影响，进而避免第一压电结构130对显示效果造成影响。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，第二压电结构140包括：第一接收电极结构141，设置于光阻层120远离透明基板110的一侧；第二压电层142，设置于光阻层120的一侧和第一接收电极结构141远离光阻层120的一侧，并覆盖第一接收电极结构141；第二接收电极结构143，设置于第二压电层142远离第一接收电极结构141的一侧；第一接收电极结构141和第二接收电极结构143在透明基板110的投影区域相重叠。

本申请实施例中，第一压电结构130产生的超声波信号，经过用户手指反射后，形成反射超声波信号，反射超声波信号通过激励第二压电结构140的第二压电层142振动，第一接收电极结构141和第二接收电极结构143将反射超声波信号转换成指纹识别电信号。应该说明的是，为了保障彩膜基板100指纹识别的准确率和速度，本申请实施例中，第一接收电极结构141、第二接收电极结构143、第一发送电极结构131和第二发送电极结构133在透明基板110的投影区域均相重叠。

本领域技术人员理解的是，为了保障彩膜基板100的透光性，本申请实施例中，第一接收电极结构141和第二接收电极结构143，也采用具有良好透光率的ITO材料制作而成，且第一接收电极结构141的厚度为100纳米，第二接收电极结构143的厚度为80纳米，第一压电层132也采用PVDF材料制作而成，从而避免第二压电结构140对显示效果造成影响。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，光阻层120包括：黑矩阵121、色阻122和平坦层123；黑矩阵121和色阻122在平行于透明基板110方向上间隔排列，黑矩阵121与相邻的色阻122至少部分交叠；平坦层123设置于黑矩阵121和色阻122远离透明基板110的一侧，并覆盖黑矩阵121和色阻122；黑矩阵121在透明基板110的投影区域与第一发送电极结构131在透明基板110的投影区域至少部分重叠；黑矩阵121在透明基板110的投影区域与第一接收电极结构141在透明基板的投影区域相重叠。

本申请实施例中，在平行于透明基板110方向上，黑矩阵121和色阻122间隔排列设置于透明基板110远离第一压电结构130的一侧，具体的，色阻122包括红色、绿色和蓝色三种颜色，相邻的红色色阻122和绿色色阻122之间设置黑矩阵121；同时，为了避免显示串色问题，黑矩阵121与相邻的色阻122至少部分交叠。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，导电支撑柱150设置于第二接收电极结构143远离第二压电层142的一侧，并与第二接收电极结构143电连接。

本申请实施例中，导电支撑柱150的一端与第二接收电极结构143电连接，从而使得指纹识别电信号从第二压电结构140传输至导电支撑柱150，并通过导电支撑柱150传输至阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构，进而通过阵列基板的指纹识别信号检测电路进行指纹的成像从而进行指纹识别。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板，如图2所示，为显示面板的结构示意图。显示面板包括阵列基板和如上述各个实施例所提供的彩膜基板100；阵列基板的一侧与彩膜基板100远离第一压电结构130的一侧相贴合；阵列基板包括依次层叠的衬底基板210和薄膜晶体管结构220；彩膜基板100的导电支撑柱150与薄膜晶体管结构220的第一电极结构2221电连接。

本申请实施例中，阵列基板的一侧与彩膜基板100远离第一压电结构130的一侧相贴合，且阵列基板中薄膜晶体管结构220的第一电极结构2221与彩膜基板100的导电支撑柱150电连接，使得指纹识别电信号从导电支撑柱150传输至第一电极结构2221，进而传输至指纹识别信号检测电路进行指纹的成像从而进行指纹识别。本领域技术人员理解的是，彩膜基板100与阵列基板通过封装胶230连接，且彩膜基板100与阵列基板之间填充有液晶。

本申请实施例提供的显示面板中，实现了超声波指纹识别技术与液晶显示产品的结合，实现了指纹识别功能和显示功能的一体化和集成化，同时，增大了指纹识别的面积。而且，增强了指纹识别的准确率和速度。

如图3所示，为显示面板指纹识别过程的示意图。本申请实施例中，超声波信号的传输路径用虚线表示，第一压电结构130产生的超声波信号，经过用户手指指纹的谷和脊反射后，形成反射超声波信号，反射超声波信号传输至第二压电结构140转换成指纹识别电信号，指纹识别电信号从导电支撑柱150传输至第一电极结构2221。

在本申请的一个实施例中，薄膜晶体管结构220包括第一钝化层221、导电层222和第二钝化层223；导电层222设置于第一钝化层221远离衬底基板210的一侧；导电层222包括交替排列的第一电极结构2221和第二电极结构2222；第二钝化层223完全覆盖第二电极结构2222，并部分覆盖第一电极结构2221，以使得第一电极结构2221与导电支撑柱150位置对应并固定连接。

应当说明的是，如图2-3所示，显示面板的彩膜基板100还包括设置于第一压电结构130远离透明基板110一侧的第一偏光片160，设置于第一偏光片160远离第一压电结构130一侧的盖板170。阵列基板还包括第二偏光片240和背光结构250，第二偏光片240设置于衬底基板210远离薄膜晶体管结构220的一侧，背光结构250设置于第二偏光片240远离衬底基板210的一侧。具体的，薄膜晶体管结构220还包括：第一有源层224、第一栅极绝缘层225、第一栅极层226、第一层间绝缘层227、第二有源层228、第二栅极绝缘层229、第二栅极层230、第二层间绝缘层231和源漏极层232，上述各个层结构设置于衬底基板210与第一钝化层221之间，具体的位置关系以及制备方法参见后续显示面板的制作方法。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种彩膜基板的制作方法，该方法的流程示意图如图4所示，该方法包括：

S401，在透明基板的一侧制备第一压电结构的第一发送电极结构。

具体的，在透明基板110的一侧通过沉积工艺沉积厚度为100纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第一压电结构130的第一发送电极结构131。本申请实施例中，透明基板110具体为玻璃基板。

S402，在透明基板的另一侧制备光阻层。

具体的，将透明基板110翻面，在透明基板110远离第一发送电极结构131的一侧制备光阻层120。

可选地，制备光阻层120具体包括：在透明基板110远离第一发送电极结构131的一侧，涂覆黑矩阵材料，然后通过曝光和显影工艺形成黑矩阵121；在阵列排布的黑矩阵121之间依次形成红色、绿色和蓝色三种颜色的色阻122，且色阻122与相邻的黑矩阵121至少部分交叠；在黑矩阵121和色阻122远离透明基板110的一侧涂覆包含树脂材料、交联剂等的组合胶形成平坦层123。

S403，在光阻层远离透明基板的一侧制备第二压电结构的第一接收电极结构。

具体的，在光阻层120远离透明基板110的一侧，通过沉积工艺沉积厚度为100纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第二压电结构140的第一接收电极结构141。

S404，在透明基板的一侧和第一发送电极结构远离光阻层的一侧制备第一压电结构的第一压电层；在光阻层和第一接收电极结构远离透明基板的一侧制备第二压电结构的第二压电层。

具体的，在光阻层120和第一接收电极结构141远离透明基板110的一侧制备第二压电结构140的第二压电层142，然后将透明基板110翻面，在透明基板110的一侧和第一发送电极结构131远离光阻层120的一侧制备第一压电结构130的第一压电层132。当然，也可以先翻面透明基板110，制作第一压电层132，然后再将透明基板110翻面制作第二压电层142。

S405，在第一压电层远离透明基板的一侧制备第一压电结构的第二发送电极结构，在第二压电层远离光阻层的一层制备第二压电结构的第二接收电极结构。

具体的，在工艺温度为25摄氏度的条件下，在第一压电层132远离透明基板110的一侧，通过沉积工艺沉积厚度为80纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第一压电结构130的第二发送电极结构133；然后将透明基板110翻面，在第二压电层142远离光阻层120的一侧，也通过沉积工艺沉积厚度为80纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第二压电结构140的第二接收电极结构143。

S406，在第二接收电极结构远离第二压电层的一侧制备导电支撑柱。

具体的，在第二接收电极结构143远离第二压电层142的一侧涂覆导电树脂胶，然后通过曝光和显影工艺形成导电支撑柱150。

可选地，上述S404具体包括：

在透明基板100的一侧和第一发送电极结构131上涂覆压电材料溶液，并通过固化和晶化工艺处理压电材料，形成第一压电层中间结构；

然后，将透明基板110翻面，在光阻层120和第一接收电极结构141上涂覆压电材料溶液，并通过固化和晶化工艺处理压电材料，形成第二压电层中间结构；

极化处理第一压电层中间结构和所述第二压电层中间结构；

通过掩膜版工艺图案化第一压电层中间结构形成所述第一压电层131，通过掩膜版工艺图案化第二压电层中间结构形成所述第二压电层142。

可选地，如图5a-5g所示，为本申请实施例提供的彩膜基板的制作方法过程中的结构示意图。具体的，在透明基板110的一侧通过沉积工艺沉积厚度为100纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第一压电结构130的第一发送电极结构131，形成如图5a所示的彩膜基板100的第一中间结构。

将彩膜基板100的第一中间结构翻面，在透明基板110远离第一发送电极结构131的一侧，涂覆黑矩阵材料，然后通过曝光和显影工艺形成黑矩阵121，形成如图5b所示的彩膜基板100的第二中间结构。

在彩膜基板100第二中间结构的阵列排布的黑矩阵121之间依次形成红色、绿色和蓝色三种颜色的色阻122，且色阻122与相邻的黑矩阵121至少部分交叠，形成如图5c所示的彩膜基板100的第三中间结构。

在彩膜基板100第三中间结构黑矩阵121和色阻122远离透明基板110的一侧涂覆包含树脂材料、交联剂等的组合胶形成平坦层123，形成如图5d所示的彩膜基板100的第四中间结构。

在彩膜基板100第四中间结构的平坦层123远离透明基板110的一侧，通过沉积工艺沉积厚度为100纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第二压电结构140的第一接收电极结构141，形成如图5e所示的彩膜基板100的第五中间结构。

在彩膜基板100第五中间结构的光阻层120和第一接收电极结构141远离透明基板110的一侧制备第二压电结构140的第二压电层142，然后翻面，在透明基板110的一侧和第一发送电极结构131远离光阻层120的一侧制备第一压电结构130的第一压电层132，形成如图5f所示的彩膜基板100的第六中间结构。

在彩膜基板100第六中间结构的第一压电层132远离透明基板110的一侧，通过沉积工艺沉积厚度为80纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第一压电结构130的第二发送电极结构133；然后将透明基板110翻面，在第二压电层142远离光阻层120的一侧，也通过沉积工艺沉积厚度为80纳米的ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成第二压电结构140的第二接收电极结构143，形成如图5g所示的彩膜基板100的第七中间结构。

然后，在彩膜基板100第七中间结构的第二接收电极结构143远离第二压电层142的一侧涂覆导电树脂胶，然后通过曝光和显影工艺形成导电支撑柱150，形成如图1所示的彩膜基板100。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

采用如上述实施例所提供的制作方法制备得到彩膜基板100，并在衬底基板210的一侧制备薄膜晶体管结构220得到阵列基板；

将阵列基板和彩膜基板100进行对盒，且使得薄膜晶体管结构220的第一电极结构2221与彩膜基板100的导电支撑柱150电连接。

可选地，在衬底基板210的一侧制备薄膜晶体管结构220得到阵列基板，包括：

在衬底基板210的一侧制备第一有源层224。具体的，在衬底基板210的一侧沉积一层非晶硅材料，然后经过脱氢、氢氟酸清洗等工艺将非晶硅材料层转化为低温多晶硅，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化形成第一有源层224。

在衬底基板210和第一有源层224的一侧制备第一栅极绝缘层225。具体的，在衬底基板210和第一有源层224的一侧沉积一氧化硅，且一氧化硅层覆盖衬底基板210和第一有源层224，形成第一栅极绝缘层225。

在第一栅极绝缘层225的一侧制备第一栅极层226。具体的，在第一栅极绝缘层225的一侧沉积导电金属材料，并通过光刻和刻蚀工艺图案化形成第一栅极层226。

在第一栅极绝缘层225和第一栅极层226的一侧制备第一层间绝缘层227、第二栅极绝缘层229和第二层间绝缘层231。具体包括：

在第一栅极绝缘层225和第一栅极层226的一侧通过沉积工艺制备第一层间绝缘层227；

在第一层间绝缘层227的一侧通过沉积、光刻和刻蚀工艺形成第二有源层228；

在第一层间绝缘层227和第二有源层228的一侧通过沉积工艺形成第二栅极绝缘层229；

在第二栅极绝缘层229的一侧通过沉积、光刻和刻蚀工艺形成第二栅极层230；

在第二栅极绝缘层229和第二栅极层230的一侧通过沉积工艺形成第二层间绝缘层231。

在第二层间绝缘层231的一侧制备源漏极层232，并使得源漏极层232的一部分源漏极结构与第一有源层224电连接。具体的，通过曝光和刻蚀工艺形成连通第一有源层224和第二有源层228的孔，然后通过沉积工艺沉积金属材料形成源漏极层232，且孔中均沉积有金属材料，使得源漏极层232的一部分源漏极结构与第一有源层224电连接，源漏极层232的另一部分源漏极结构与第二有源层228电连接；

在第二层间绝缘层231的一侧和源漏极层232的一侧制备第一钝化层221。具体的，在第二层间绝缘层231的一侧和源漏极层232的一侧通过沉积工艺沉积氮化硅，并经过图案化处理形成第一钝化层221。

在第一钝化层221的一侧制备导电层222，并使得导电层222的第一电极结构2221与源漏极层232的一部分源漏极结构连接。具体的，在第一钝化层221的一侧通过沉积工艺沉积ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成导电层222。导电层222包括第一电极结构2221和第二电极结构2222，第一电极结构2221与源漏极层232的一部分源漏极结构电连接，第二电极结构2222与源漏极层232的另一部分源漏极结构电连接。

在第一钝化层221和导电层222的一侧通过沉积工艺沉积氮化硅，并经过图案化处理形成第二钝化层223，第二钝化层223部分覆盖第一电极结构2221，在第一电极结构2221上形成开口区域。对盒后的彩膜基板100和阵列基板中，彩膜基板100的导电支撑柱150部分置于开口区域内，并与第一电极结构2221电连接。

可选地，如图6a-6j所示，为本申请实施例提供的显示面板制作方法中阵列基板各流程中间结构的示意图。具体的，在衬底基板210的一侧沉积一层非晶硅材料，然后经过脱氢、氢氟酸清洗等工艺将非晶硅材料层转化为低温多晶硅，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化形成第一有源层224，形成如图6a所示的阵列基板的第一中间结构。

在阵列基板的第一中间结构的衬底基板210和第一有源层224的一侧沉积一氧化硅，且一氧化硅层覆盖衬底基板210和第一有源层224，形成第一栅极绝缘层225，形成如图6b所示的阵列基板的第二中间结构。

在阵列基板的第二中间结构的第一栅极绝缘层225的一侧沉积导电金属材料，并通过光刻和刻蚀工艺图案化形成第一栅极层226，形成如图6c所示的阵列基板的第三中间结构。

在阵列基板的第三中间结构的第一栅极绝缘层225和第一栅极层226的一侧通过沉积工艺制备第一层间绝缘层227，形成如图6d所示的阵列基板的第四中间结构。

在阵列基板的第四中间结构的第一层间绝缘层227的一侧通过沉积、光刻和刻蚀工艺形成第二有源层228，形成如图6e所示的阵列基板的第五中间结构。

在阵列基板的第五中间结构的第一层间绝缘层227和第二有源层228的一侧通过沉积工艺形成第二栅极绝缘层229，形成如图6f所示的阵列基板的第六中间结构。

在阵列基板的第六中间结构的第二栅极绝缘层229的一侧通过沉积、光刻和刻蚀工艺形成第二栅极层230，形成如图6g所示的阵列基板的第七中间结构。

在阵列基板的第七中间结构的第二栅极绝缘层229和第二栅极层230的一侧通过沉积工艺形成第二层间绝缘层231，通过曝光和刻蚀工艺形成连通第一有源层224和第二有源层228的孔，然后通过沉积工艺沉积金属材料形成源漏极层232，使得源漏极层232的一部分源漏极结构与第一有源层224电连接，源漏极层232的另一部分源漏极结构与第二有源层228电连接，形成如图6h所示的阵列基板的第八中间结构。

在阵列基板的第八中间结构的第二层间绝缘层231和源漏极层232的一侧通过沉积工艺沉积氮化硅，并经过图案化处理形成第一钝化层221，并在第一钝化层221的一侧通过沉积工艺沉积ITO层，然后通过光刻和刻蚀工艺图案化ITO层，形成导电层222，形成如图6i所示的阵列基板的第九中间结构。阵列基板的第九中间结构中的导电层222包括第一电极结构2221和第二电极结构2222，第一电极结构2221与源漏极层232的一部分源漏极结构电连接，第二电极结构2222与源漏极层232的另一部分源漏极结构电连接。

在阵列基板的第九中间结构的第一钝化层221和导电层222的一侧通过沉积工艺沉积氮化硅，并经过图案化处理形成第二钝化层223，第二钝化层223部分覆盖第一电极结构2221，在第一电极结构2221上形成有用于容纳导电支撑柱150的开口区域，从而形成如图6j所示的阵列基板。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示设备，包括：上述各实施例所提供的显示面板。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

在本申请实施例提供的彩膜基板中，包括：层叠的透明基板和光阻层；第一压电结构，设置于透明基板远离光阻层的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；第二压电结构，设置于光阻层远离透明基板的一侧，用于接收超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；导电支撑柱，设置于第二压电结构远离光阻层的一侧，并且一端与第二压电结构电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输指纹识别电信号。通过将用于指纹识别的第一压电结构和第二压电结构设置于彩膜基板中，避免了极化过程中高压电层对指纹识别模组中走线的破坏，解决了现有显示面板中指纹识别模组极化处理过程中，指纹识别模组容易被损坏的技术问题。

同时，在彩膜基的第一压电结构和第二压电结构极化过程中，省去了使用掩膜版的工序，从而缩短了工艺流程，提高了生产效率，降低了生产成本。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (13)

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：

层叠的透明基板和光阻层；

第一压电结构，设置于所述透明基板远离所述光阻层的一侧，用于根据驱动电信号发出超声波信号；

第二压电结构，设置于所述光阻层远离所述透明基板的一侧，用于接收所述超声波信号经反射后形成的反射超声波信号，并转换成指纹识别电信号；所述第二压电结构包括：第一接收电极结构，设置于所述光阻层远离所述透明基板的一侧；第二压电层，设置于所述光阻层的一侧和所述第一接收电极结构远离所述光阻层的一侧，并覆盖所述第一接收电极结构；第二接收电极结构，设置于所述第二压电层远离所述第一接收电极结构的一侧；

导电支撑柱，设置于所述第二接收电极结构远离所述第二压电层的一侧，并且所述导电支撑柱的一端与所述第二压电结构电连接，另一端用于与阵列基板的薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接，传输所述指纹识别电信号。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一压电结构包括：

第一发送电极结构，设置于所述透明基板的一侧；

第一压电层，设置于所述透明基板的一侧和所述第一发送电极结构远离所述透明基板的一侧，并覆盖所述第一发送电极结构；

第二发送电极结构，设置于所述第一压电层远离所述第一发送电极结构的一侧；

所述第一发送电极结构和所述第二发送电极结构在所述透明基板的投影区域相重叠；

所述第一发送电极结构和所述第二发送电极结构用于根据所述驱动电信号驱动所述第一压电层发出所述超声波信号。

3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，

所述第一接收电极结构和所述第二接收电极结构在所述透明基板的投影区域相重叠。

4.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述光阻层包括：黑矩阵、色阻和平坦层；

所述黑矩阵和所述色阻在平行于所述透明基板方向上间隔排列，所述黑矩阵与相邻的所述色阻至少部分交叠；

所述平坦层设置于所述黑矩阵和所述色阻远离所述透明基板的一侧，并覆盖所述黑矩阵和所述色阻；

所述黑矩阵在所述透明基板的投影区域与所述第一发送电极结构在所述透明基板的投影区域至少部分重叠；

所述黑矩阵在所述透明基板的投影区域与所述第一接收电极结构在所述透明基板的投影区域相重叠。

5.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板和如权利要求1-4中任一项所述的彩膜基板；

所述阵列基板的一侧与所述彩膜基板远离第一压电结构的一侧相贴合；

所述阵列基板包括依次层叠的衬底基板和薄膜晶体管结构；所述彩膜基板的导电支撑柱与所述薄膜晶体管结构的第一电极结构电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括第一钝化层、导电层和第二钝化层；

所述导电层设置于所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧；所述导电层包括交替排列的所述第一电极结构和第二电极结构；所述第二钝化层完全覆盖所述第二电极结构，并部分覆盖所述第一电极结构，以使得所述第一电极结构与所述导电支撑柱位置对应并固定连接。

7.一种如权利要求3所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板的一侧制备第一压电结构的第一发送电极结构；

在所述透明基板的另一侧制备光阻层；

在所述光阻层远离所述透明基板的一侧制备第二压电结构的第一接收电极结构；

在所述透明基板的所述一侧和所述第一发送电极结构远离所述光阻层的一侧制备所述第一压电结构的第一压电层；在所述光阻层和所述第一接收电极结构远离所述透明基板的一侧制备所述第二压电结构的第二压电层；

在所述第一压电层远离所述透明基板的一侧制备所述第一压电结构的第二发送电极结构，在所述第二压电层远离所述光阻层的一侧制备所述第二压电结构的第二接收电极结构；

在所述第二接收电极结构远离所述第二压电层的一侧制备导电支撑柱。

8.根据权利要求7所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述在所述透明基板的所述一侧和所述第一发送电极结构远离所述光阻层的一侧制备所述第一压电结构的第一压电层；在所述光阻层和所述第一接收电极结构远离所述透明基板的一侧制备所述第二压电结构的第二压电层，包括：

在所述透明基板的所述一侧和所述第一发送电极结构上涂覆压电材料，并通过固化和晶化工艺处理所述压电材料，形成第一压电层中间结构；

在所述光阻层和所述第一接收电极结构上涂覆压电材料，并通过固化和晶化工艺处理所述压电材料，形成第二压电层中间结构；

极化处理所述第一压电层中间结构和所述第二压电层中间结构；

图案化所述第一压电层中间结构形成所述第一压电层，图案化所述第二压电层中间结构形成所述第二压电层。

9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：采用如权利要求7或8所述的制作方法制备得到彩膜基板，并在衬底基板的一侧制备薄膜晶体管结构得到阵列基板；

将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒，且使得所述薄膜晶体管结构的第一电极结构与所述彩膜基板的导电支撑柱电连接。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板的一侧制备薄膜晶体管结构得到阵列基板，包括：

在所述衬底基板的一侧制备第一有源层；

在所述衬底基板和所述第一有源层的一侧制备第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层的一侧制备第一栅极层；

在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极层的一侧制备第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；

在所述第二层间绝缘层的一侧制备源漏极层，并使得所述源漏极层的一部分源漏极结构与所述第一有源层电连接；

在所述第二层间绝缘层的一侧和所述源漏极层的一侧制备第一钝化层；

在所述第一钝化层的一侧制备导电层，并使得所述导电层的第一电极结构与所述一部分所述源漏极结构连接。

11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极层的一侧制备第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层，包括：

在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极层的一侧制备第一层间绝缘层；

在所述第一层间绝缘层的一侧制备第二有源层；

在所述第一层间绝缘层和所述第二有源层的一侧制备第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层的一侧制备第二栅极层；

在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层的一侧制备第二层间绝缘层。

12.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述第二层间绝缘层的一侧制备源漏极层，并使得所述源漏极层的一部分源漏极结构与所述第一有源层所述电连接，包括：

在所述第二层间绝缘层的一侧制备源漏极层，并使得所述源漏极层的一部分源漏极结构与所述第一有源层电连接，另一部分源漏极结构与所述第二有源层电连接；

以及，在所述第一钝化层的一侧制备导电层，并使得所述导电层的第一电极结构与所述一部分所述源漏极结构连接，包括：

在所述第一钝化层的一侧制备导电层，并使得所述导电层的第一电极结构、第二电极结构与所述一部分所述源漏极结构、所述另一部分所述源漏极结构电连接。

13.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求5或6所述的显示面板。