CN111933079B - 一种amoled屏gamma校正方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种AMOLED屏幕GAMMA校正方法及系统,涉及AMOLED显示技术领域,包括:计算各灰阶的初始目标三刺激值;量测初始电压设定下的实际三刺激值,并拟合转换曲线;根据目标三刺激值和转换曲线计算目标电压设定;量测目标电压设定下各灰阶的实际三刺激值;判断实际三刺激值与初始目标三刺激值的误差是否小于精度要求,若符合要求,则输出当前的目标电压设定作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值的误差修正各灰阶的目标三刺激值并重新计算目标电压设定直至符合精度要求,可以有效地克服了AMOLED显示器因ELVDD压降造成的发光亮度无法准确预估的问题,使用迭代的方式,快速、准确地得到符合GAMMA亮度特性的电压设定。

Description

一种AMOLED屏GAMMA校正方法及系统
技术领域
本发明涉及AMOLED显示技术领域技术领域,具体为一种AMOLED屏GAMMA校正方法及系统。
背景技术
GAMMA校正通过量测屏幕显示特性,构建各灰阶下的目标电压设定,以使得各灰阶的显示特性符合预期的GAMMA曲线。AMOLED屏幕由于阈值电压和迁移率等电学参数的差异性及ELVDD电压变化造成的IRDrop现象严重程度不一,不同屏幕原始GAMMA特性不会完全相同。为了使不同屏幕的显示特性均符合标准GAMMA曲线,GAMMA校正是AMOLED屏幕量产过程中必需的过程。
考虑到AMOLED屏幕特有的ELVDD电压变化造成IR Drop现象的影响,用来模拟AMOLED屏幕各子像素发光特性的数学模型较为复杂。传统的AMOLED屏幕GAMMA校正方式往往耗时耗力,需要量测大量数据来寻找最接近的目标电压设定,精度高但是消耗的时间非常久,极大地影响量产效率。因此,对于AMOLED屏幕来说,极其需要一种稳定性高,收敛速度快,同时兼顾准确性的GAMMA校正方法,为此本领域的技术人员提出了一种AMOLED屏GAMMA校正方法及系统。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种AMOLED屏GAMMA校正方法及系统,解决了传统的AMOLED屏幕GAMMA校正方式往往耗时耗力,需要量测大量数据来寻找最接近的目标电压设定,精度高但是消耗的时间非常久,极大地影响量产效率的问题。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种AMOLED屏GAMMA的校正系统,包括:
初始电压特性量测单元,计算初始电压设定,量测初始电压设定下的实际三刺激值,并将初始电压设定和实际三刺激值送给转换曲线拟合单元;
转换曲线拟合单元,根据初始电压设定和实际三刺激值,计算并拟合出转换曲线,并将转换曲线送给目标电压计算单元;
目标特性计算单元,根据输入的最大目标亮度,目标色度及目标GAMMA,计算不同灰阶的目标三刺激值,并将目标三刺激值送给目标电压计算单元;
目标电压计算单元,根据转换曲线拟合单元送过来的转换曲线和目标特性计算单元送过来的目标三刺激值,计算出目标三刺激值对应的目标电压设定,并将目标电压设定送给目标电压特性量测单元;
目标电压特性量测单元,量测目标电压设定下的实际三刺激值,并送给误差判断及输出单元;
误差判断及输出单元,判断误差是否在精度要求范围内,如符合要求,则直接输出电压设定,如不符合,则将实际三刺激值送给目标特性修正单元;
目标特性修正单元,根据实际三刺激值和初始目标三刺激值的差值补偿目标三刺激值,并将修正后的目标三刺激值送给目标电压计算单元。
优选的,上述AMOLED屏GAMMA的校正系统,校正方法,包括如下步骤:
S1、计算各灰阶的初始目标三刺激值;
S2、量测初始电压设定下的实际三刺激值,并拟合转换曲线;
S3、根据目标三刺激值和转换曲线计算目标电压设定;
S4、量测目标电压设定下各灰阶的实际三刺激值;
S5、判断实际三刺激值与初始目标三刺激值的误差是否小于精度要求;
S6、若符合要求,则输出当前的目标电压设定作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值的误差修正各灰阶的目标三刺激值并重新计算目标电压设定直至符合精度要求。
优选的,所述步骤S1中,计算各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0),
各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标亮度Lvtarget(n,0)可由目标亮度Lvmax和目标Gamma计算:
Figure BDA0002592572730000031
同时,结合目标色度坐标x,y可转换得到各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0):
Figure BDA0002592572730000032
Ytarget(n,0)=Lvtarget(n,0)
Figure BDA0002592572730000033
其中,数字0代表迭代次数i=0,即初始状态。
优选的,所述步骤S2中,量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并拟合VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x),
AMOLED屏幕各像素电路的发光亮度Lv与流过的电流I成正比,
而单个像素电路电流I与电压V近似存在如下的对应关系:
Figure BDA0002592572730000041
其中,g≈2,R,G,B的阈值电压Vth各不相同,假设Vth_R,Vth_G,Vth_B分别为R,G,B像素电路的阈值电压;
初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)可通过如下公式计算:
VR(n,0)=Vth_R+n*VR_step
VG(n,0)=Vth_G+n*VG_step
VB(n,0)=Vth_B+n*VB_step
一般地,VR_step,VG_step,VB_step,n需根据Lvmax的大小进行调整;
量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并通过屏幕线性转换关系得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)
Figure BDA0002592572730000042
其中,转换矩阵M可通过量测计算得到;
由于VG(n,0),VB(n,0)对于IR(n,0)的影响,VR(n,0),VB(n,0)对于IG(n,0)的影响,和VG(n,0),VR(n,0)对于IB(n,0)的影响均相对较小,当VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)组合固定的情况下,VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线可近似使用函数表达式FR(x),FG(x),FB(x)表示如下
IR(n,0)=FR(VR(n,0)-Vth_R)
IG(n,0)=FG(VG(n,0)-Vth_G)
IB(n,0)=FB(VB(n,0)-Vth_B);
上述步骤已通过设定初始电压VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0),量测到该电压设定下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并根据线性转换关系计算得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0):即得到n取不同数值下VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)的多组对应数据。使用该多组对应数据,可拟合出VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)。
优选的,所述步骤S3中,根据目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)和转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)计算目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i);
由目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)通过转换矩阵M可计算目标电流IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i),其中,i为迭代次数;
然后,IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i)通过转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)可反向查找计算出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)。
优选的,所述步骤S4中,量测目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)下各灰阶的实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i)。
优选的,所述步骤S5中,判断实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i)与初始目标三刺激值,
Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差是否小于精度要求,若符合要求,输出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差修正各灰阶的目标三刺激值Xtarget(n,i+1),Ytarget(n,i+1),Ztarget(n,i+1)并重新计算目标电压设定直至符合精度要求;
目标三刺激值的修正方式如下:
Figure BDA0002592572730000061
其中,i为迭代次数,k(n,i)为调整系数。
有益效果
本发明提供了一种AMOLED屏GAMMA校正方法及系统。与现有技术相比具备以下有益效果:
1、一种AMOLED屏GAMMA的校正方法,包括计算各灰阶的初始目标三刺激值;量测初始电压设定下的实际三刺激值,并拟合转换曲线;根据目标三刺激值和转换曲线计算目标电压设定;量测目标电压设定下各灰阶的实际三刺激值;判断实际三刺激值与初始目标三刺激值的误差是否小于精度要求,若符合要求,则输出当前的目标电压设定作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值的误差修正各灰阶的目标三刺激值并重新计算目标电压设定直至符合精度要求,本发明提出的GAMMA校正方法,有效地克服了AMOLED显示器因ELVDD压降造成的发光亮度无法准确预估的问题,使用迭代的方式,快速、准确地得到符合GAMMA亮度特性的电压设定。
2、一种AMOLED屏GAMMA的校正系统,设置有初始电压特性量测单元、转换曲线拟合单元、目标特性计算单元、目标电压计算单元、目标电压特性量测单元、误差判断及输出单元以及目标特性修正单元,在实际使用时,可以有效的解决传统的AMOLED屏幕GAMMA校正方式往往耗时耗力,需要量测大量数据来寻找最接近的目标电压设定,精度高但是消耗的时间非常久,极大地影响量产效率的问题。
附图说明
图1为本发明AMOLED屏GAMMA校正系统结构示意图;
图2为本发明校正方法的逻辑框图。
图中:1、初始电压特性量测单元;2、转换曲线拟合单元;3、目标特性计算单元;4、目标电压计算单元;5、目标电压特性量测单元;6、误差判断及输出单元;7、目标特性修正单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种AMOLED屏GAMMA的校正系统,包括:
初始电压特性量测单元1,计算初始电压设定,量测初始电压设定下的实际三刺激值,并将初始电压设定和实际三刺激值送给转换曲线拟合单元2;
转换曲线拟合单元2,根据初始电压设定和实际三刺激值,计算并拟合出转换曲线,并将转换曲线送给目标电压计算单元4;
目标特性计算单元3,根据输入的最大目标亮度,目标色度及目标GAMMA,计算不同灰阶的目标三刺激值,并将目标三刺激值送给目标电压计算单元4;
目标电压计算单元4,根据转换曲线拟合单元2送过来的转换曲线和目标特性计算单元3送过来的目标三刺激值,计算出目标三刺激值对应的目标电压设定,并将目标电压设定送给目标电压特性量测单元5;
目标电压特性量测单元5,量测目标电压设定下的实际三刺激值,并送给误差判断及输出单元6;
误差判断及输出单元6,判断误差是否在精度要求范围内,如符合要求,则直接输出电压设定,如不符合,则将实际三刺激值送给目标特性修正单元7;
目标特性修正单元7,根据实际三刺激值和初始目标三刺激值的差值补偿目标三刺激值,并将修正后的目标三刺激值送给目标电压计算单元4。
请参阅图2,上述AMOLED屏GAMMA的校正系统,校正方法包括如下步骤:
S1、计算各灰阶的初始目标三刺激值;
S2、量测初始电压设定下的实际三刺激值,并拟合转换曲线;
S3、根据目标三刺激值和转换曲线计算目标电压设定;
S4、量测目标电压设定下各灰阶的实际三刺激值;
S5、判断实际三刺激值与初始目标三刺激值的误差是否小于精度要求;
S6、若符合要求,则输出当前的目标电压设定作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值的误差修正各灰阶的目标三刺激值并重新计算目标电压设定直至符合精度要求。
进一步的,步骤S1中,计算各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0),
各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标亮度Lvtarget(n,0)可由目标亮度Lvmax和目标Gamma计算:
Figure BDA0002592572730000091
同时,结合目标色度坐标x,y可转换得到各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0):
Figure BDA0002592572730000092
Ytarget(n,0)=Lvtarget(n,0)
Figure BDA0002592572730000093
其中,数字0代表迭代次数i=0,即初始状态。
进一步的,步骤S2中,量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并拟合VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x),
AMOLED屏幕各像素电路的发光亮度Lv与流过的电流I成正比,
而单个像素电路电流I与电压V近似存在如下的对应关系:
Figure BDA0002592572730000101
其中,g≈2,R,G,B的阈值电压Vth各不相同,假设Vth_R,Vth_G,Vth_B分别为R,G,B像素电路的阈值电压;
初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)可通过如下公式计算:
VR(n,0)=Vth_R+n*VR_step
VG(n,0)=Vth_G+n*VG_step
VB(n,0)=Vth_B+n*VB_step
一般地,VR_step,VG_step,VB_step,n需根据Lvmax的大小进行调整;
量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并通过屏幕线性转换关系得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)
Figure BDA0002592572730000102
其中,转换矩阵M可通过量测计算得到;
由于VG(n,0),VB(n,0)对于IR(n,0)的影响,VR(n,0),VB(n,0)对于IG(n,0)的影响,和VG(n,0),VR(n,0)对于IB(n,0)的影响均相对较小,当VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)组合固定的情况下,VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线可近似使用函数表达式FR(x),FG(x),FB(x)表示如下
IR(n,0)=FR(VR(n,0)-Vth_R)
IG(n,0)=FG(VG(n,0)-Vth_G)
IB(n,0)=FB(VB(n,0)-Vth_B);
上述步骤已通过设定初始电压VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0),量测到该电压设定下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并根据线性转换关系计算得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0):即得到n取不同数值下VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)的多组对应数据。使用该多组对应数据,可拟合出VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)。
进一步的,步骤S3中,根据目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)和转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)计算目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i);
由目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)通过转换矩阵M可计算目标电流IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i),其中,i为迭代次数;
然后,IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i)通过转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)可反向查找计算出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)。
进一步的,步骤S4中,量测目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)下各灰阶的实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i)。
进一步的,步骤S5中,判断实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i)与初始目标三刺激值,
Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差是否小于精度要求,若符合要求,输出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差修正各灰阶的目标三刺激值Xtarget(n,i+1),Ytarget(n,i+1),Ztarget(n,i+1)并重新计算目标电压设定直至符合精度要求;
目标三刺激值的修正方式如下:
Figure BDA0002592572730000121
其中,i为迭代次数,k(n,i)为调整系数。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (1)

1.一种AMOLED屏GAMMA的校正方法,其特征在于,包括:一种AMOLED屏GAMMA的校正系统,包括
初始电压特性量测单元(1),计算初始电压设定,量测初始电压设定下的实际三刺激值,并将初始电压设定和实际三刺激值送给转换曲线拟合单元(2);
转换曲线拟合单元(2),根据初始电压设定和实际三刺激值,计算并拟合出转换曲线,并将转换曲线送给目标电压计算单元(4);
目标特性计算单元(3),根据输入的最大目标亮度,目标色度及目标GAMMA,计算不同灰阶的目标三刺激值,并将目标三刺激值送给目标电压计算单元(4);
目标电压计算单元(4),根据转换曲线拟合单元(2)送过来的转换曲线和目标特性计算单元(3)送过来的目标三刺激值,计算出目标三刺激值对应的目标电压设定,并将目标电压设定送给目标电压特性量测单元(5);
目标电压特性量测单元(5),量测目标电压设定下的实际三刺激值,并送给误差判断及输出单元(6);
误差判断及输出单元(6),判断误差是否在精度要求范围内,如符合要求,则直接输出电压设定,如不符合,则将实际三刺激值送给目标特性修正单元(7);
目标特性修正单元(7),根据实际三刺激值和初始目标三刺激值的差值补偿目标三刺激值,并将修正后的目标三刺激值送给目标电压计算单元(4);
校正方法包括如下步骤:
S1、计算各灰阶的初始目标三刺激值;
S2、量测初始电压设定下的实际三刺激值,并拟合转换曲线;
S3、根据目标三刺激值和转换曲线计算目标电压设定;
S4、量测目标电压设定下各灰阶的实际三刺激值;
S5、判断实际三刺激值与初始目标三刺激值的误差是否小于精度要求;
S6、若符合要求,则输出当前的目标电压设定作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值的误差修正各灰阶的目标三刺激值并重新计算目标电压设定直至符合精度要求;
所述步骤S1中,计算各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0),
各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标亮度Lvtarget(n,0)可由目标亮度Lvmax和目标Gamma计算:
Figure FDA0003475613170000021
同时,结合目标色度坐标x,y可转换得到各灰阶n(0≤n≤255)的初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0):
Figure FDA0003475613170000022
Ytarget(n,0)=Lvtarget(n,0)
Figure FDA0003475613170000023
其中,数字0代表迭代次数i=0,即初始状态;
所述步骤S2中,量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并拟合VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x),
AMOLED屏幕各像素电路的发光亮度Lv与流过的电流I成正比,
而单个像素电路电流I与电压V近似存在如下的对应关系:
Figure FDA0003475613170000024
其中,g≈2,R,G,B的阈值电压Vth各不相同,假设Vth_R,Vth_G,Vth_B分别为R,G,B像素电路的阈值电压;
初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)可通过如下公式计算:
VR(n,0)=Vth_R+n*VR_step
VG(n,0)=Vth_G+n*VG_step
VB(n,0)=Vth_B+n*VB_step
一般地,VR_step,VG_step,VB_step,n需根据Lvmax的大小进行调整;
量测初始电压设定VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并通过屏幕线性转换关系得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)
Figure FDA0003475613170000025
其中,转换矩阵M可通过量测计算得到;
由于VG(n,0),VB(n,0)对于IR(n,0)的影响,VR(n,0),VB(n,0)对于IG(n,0)的影响,和VG(n,0),VR(n,0)对于IB(n,0)的影响均相对较小,当VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)组合固定的情况下,VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线可近似使用函数表达式FR(x),FG(x),FB(x)表示如下
IR(n,0)=FR(VR(n,0)-Vth_R)
IG(n,0)=FG(VG(n,0)-Vth_G)
IB(n,0)=FB(VB(n,0)-Vth_B);
上述步骤已通过设定初始电压VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0),量测到该电压设定下的实际三刺激值X(n,0),Y(n,0),Z(n,0),并根据线性转换关系计算得到IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0):即得到n取不同数值下VR(n,0),VG(n,0),VB(n,0)与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)的多组对应数据,使用该多组对应数据,可拟合出VR(n,0)-Vth_R,VG(n,0)-Vth_G,VB(n,0)-Vth_B与IR(n,0),IG(n,0),IB(n,0)之间的转换曲线FR(x),FG(x),FB(x);
所述步骤S3中,根据目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)和转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)计算目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i);
由目标三刺激值Xtarget(n,i),Ytarget(n,i),Ztarget(n,i)通过转换矩阵M可计算目标电流IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i),其中,i为迭代次数;
然后,IR_target(n,i),IG_target(n,i),IB_target(n,i)通过转换曲线FR(x),FG(x),FB(x)可反向查找计算出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i);所述步骤S4中,量测目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)下各灰阶的实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i);
所述步骤S5中,判断实际三刺激值X(n,i),Y(n,i),Z(n,i)与初始目标三刺激值,
Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差是否小于精度要求,若符合要求,输出当前的目标电压设定VR_target(n,i),VG_target(n,i),VB_target(n,i)作为校正结果,若不符合要求,则根据与初始目标三刺激值Xtarget(n,0),Ytarget(n,0),Ztarget(n,0)的误差修正各灰阶的目标三刺激值Xtarget(n,i+1),Ytarget(n,i+1),Ztarget(n,i+1)并重新计算目标电压设定直至符合精度要求;
目标三刺激值的修正方式如下:
Figure FDA0003475613170000041
其中,i为迭代次数,k(n,i)为调整系数。
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