CN111929628B - 一种7t磁共振成像射频线圈 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种7T磁共振成像射频线圈，包括线圈工字和贴合于其内端的基材，线圈工字间的耦合电容由集电层、绝缘层构成，绝缘层由特氟龙注塑为一体成型结构，通过集电层、绝缘层构成线圈工字间的耦合电容，集电层、绝缘层厚度均为0.1‑0.4mm，使得磁共振成像射频线圈成为亚毫米超薄结构，最大限度利用磁体空间，同时大大降低了成本；线圈工字的单位数为2k，k的取值至少为2，线圈工字间的间距1‑2mm，线圈工字的横向部的宽度a与纵向部的长度b相同，能够进一步最大限度利用磁体空间，使产品利益最大化，利于微型超薄结构线圈的制造，绝缘层由特氟龙注塑为一体成型结构，具有耐高温的特点，摩擦系数极低，绝缘效果极佳，保证耦合电容的成型性。
Description
技术领域
本发明涉及磁共振技术领域，具体涉及到了一种7T磁共振成像射频线圈。
背景技术
现有技术使用商品化电容构造线圈，满足一般应用要求，在磁共振进入超高场领域后，频率超过300Mhz后，所使用的电容小于10PF，由线圈结构构成电容的优势已经超过商品化产品电容，商品化电容尺寸较大，厚度是几毫米级别，不利于微型超薄结构线圈的制造，而超高场强磁共振线圈的成像空间很小，在低场强磁共振中，射频线圈使用几十至数百匹法拉电容，因此，亟需本领域技术人员设计出一种新型的磁共振成像射频线圈结构。
发明内容
本发明要解决的问题是通过集电层、绝缘层构成线圈工字间的耦合电容，集电层、绝缘层厚度均为0.1-0.4mm，使得磁共振成像射频线圈成为亚毫米超薄结构，最大限度利用磁体空间，同时大大降低了成本的7T磁共振成像射频线圈。
为了解决上述问题，本发明提供了一种7T磁共振成像射频线圈，包括线圈工字和贴合于其内端的基材，所述线圈工字的单位数为2k，所述k的取值至少为2，所述线圈工字间的间距1-2mm，所述线圈工字的横向部的宽度a与纵向部的长度b相同，所述线圈工字间的耦合电容由集电层、绝缘层构成，所述绝缘层由特氟龙注塑为一体成型结构，所述集电层、绝缘层厚度均为0.1-0.4mm。
作为优选地，所述线圈工字与集电层、绝缘层间的面积构成耦合电容。
作为优选地，所述7T磁共振成像射频线圈采用0.2mm电容间隙。
作为优选地，所述集电层、绝缘层厚度均为0.2mm。
作为优选地，所述耦合电容的宽度为e，e的取值等于a+2mm，所述绝缘层长度为e+2mm。
作为优选地，所述绝缘层还可为聚酰胺或环氧玻璃布或特氟龙胶涂。
作为优选地，所述集电层为铜箔。
作为优选地，所述集电层为方型结构。
作为优选地，所述集电层由0.2mm铜胶带激光切割成型。
采用上述结构，其有益效果在于：
本发明集电层容易粘合于绝缘层上，使得集电层、绝缘层构成线圈工字间的耦合电容，集电层、绝缘层厚度均为0.1-0.4mm，使得磁共振成像射频线圈成为亚毫米超薄结构，最大限度利用磁体空间，同时大大降低了成本；线圈工字的单位数为2k，k的取值至少为2，线圈工字间的间距1-2mm，线圈工字的横向部的宽度a与纵向部的长度b相同，通过多次有效的试验及设计，上述结构以及比例的设定，能够进一步最大限度利用磁体空间，使产品利益最大化，利于微型超薄结构线圈的制造；绝缘层由特氟龙注塑为一体成型结构，特氟龙具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，同时特氟龙具有耐高温的特点，摩擦系数极低，绝缘效果极佳，能够有效保证耦合电容的成型性。
附图说明
图1 为7T磁共振成像射频线圈的结构示意图。
图2为线圈工字的结构示意图。
图3为图2中A-A1部分的局部放大图。
图中：1-线圈工字，2-基材，3-集电层，4-绝缘层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的解释说明。
一种7T磁共振成像射频线圈，包括线圈工字1和贴合于其内端的基材2，所述线圈工字1的单位数为2k，所述k的取值至少为2，所述线圈工字1间的间距1-2mm，所述线圈工字1的横向部的宽度a与纵向部的长度b相同，所述线圈工字1间的耦合电容由集电层3、绝缘层4构成，所述绝缘层4由特氟龙注塑为一体成型结构，所述集电层3、绝缘层4厚度均为0.1-0.4mm。
所述线圈工字1与集电层3、绝缘层4间的面积构成耦合电容。
所述7T磁共振成像射频线圈采用0.2mm电容间隙。
所述集电层3、绝缘层4厚度均为0.2mm。
所述耦合电容的宽度为e，e的取值等于a+2mm，所述绝缘层4长度为e+2mm。
所述绝缘层4还可为聚酰胺或环氧玻璃布或特氟龙胶涂。
所述集电层3为铜箔。
所述集电层3为方型结构。
所述集电层3由0.2mm铜胶带激光切割成型。
上述内容为本发明的示例及说明，但不意味着本发明可取得的优点受此限制，凡是本发明实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。
Claims (7)
1.一种7T磁共振成像射频线圈，包括线圈工字（1）和贴合于其内端的基材（2），其特征在于：所述线圈工字（1）的单位数为2k，所述k的取值至少为2，所述线圈工字（1）间的间距1-2mm，所述线圈工字（1）的横向部的宽度a与纵向部的长度b相同，所述线圈工字（1）间的耦合电容由集电层（3）、绝缘层（4）构成，所述绝缘层（4）由特氟龙注塑为一体成型结构，所述集电层（3）、绝缘层（4）厚度均为0.1-0.4mm；
所述线圈工字（1）与集电层（3）、绝缘层（4）间的面积构成耦合电容；
所述耦合电容的宽度为e，e的取值等于a+2mm，所述绝缘层（4）长度为e+2mm。
2.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述7T磁共振成像射频线圈采用0.2mm电容间隙。
3.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述集电层（3）、绝缘层（4）厚度均为0.2mm。
4.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述绝缘层（4）还可为聚酰胺或环氧玻璃布或特氟龙胶涂。
5.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述集电层（3）为铜箔。
6.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述集电层（3）为方型结构。
7.根据权利要求1所述的7T磁共振成像射频线圈，其特征在于：所述集电层（3）由0.2mm铜胶带激光切割成型。
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