CN111854937A - 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法 - Google Patents

基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111854937A
CN111854937A CN202010626399.XA CN202010626399A CN111854937A CN 111854937 A CN111854937 A CN 111854937A CN 202010626399 A CN202010626399 A CN 202010626399A CN 111854937 A CN111854937 A CN 111854937A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
leds
led
intensity
wavelength range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010626399.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111854937B (zh
Inventor
崔予红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Weikexin Microelectronics Co ltd
Original Assignee
Chengdu Weikexin Microelectronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Weikexin Microelectronics Co ltd filed Critical Chengdu Weikexin Microelectronics Co ltd
Priority to CN202010626399.XA priority Critical patent/CN111854937B/zh
Publication of CN111854937A publication Critical patent/CN111854937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111854937B publication Critical patent/CN111854937B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,方法包括以下步骤:利用不同LED对于不同光波段有不同响应的特点,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于相应光照环境下,对相应光的强度进行探测;通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压;将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测的对应光的强度。本方案采用成本较低的LED来对光进行探测,这样不仅可以具有良好的响应速度,还可以大幅减少其他成分光的干扰,并且能够大幅降低传感器成本,节约资源,使用便利。

Description

基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法
技术领域
本发明一般地涉及光电传感器领域,尤其涉及基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法。
背景技术
目前市面上用于光电探测传感器种类较多,大致可以分为三种。第一种是CCD与CMOS,这一类传感器大多用于图像传感与成像分析。第二种是光敏电阻,采用光敏材料做成电阻,当有光照时电阻阻值发生变化,从而探测光照强度。第三种则是较为常见的光电二极管,采用较大PN结的形式,将光子激发电子形成光生载流子,从而进行光电探测。但是相较于本发明所公布的光探测器件,这些产品都具有如下问题:
1)就CCD与CMOS而言,大多数这样的传感器用于图像采集,并且他们大多数结构都十分复杂且不利于对光进行探测;
2)然而光敏电阻对环境温度敏感,且响应速度较为缓慢;
3)光电二极管成本较高,面积较大,使用不便利。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,解决现有光探测传感器的结构复杂,面积过大,响应速度不高,成本较高等缺点。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,方法包括以下步骤:
S1,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于光照环境下,对特定波长范围内可探测光的强度进行探测;
S2,通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压;
S3,将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测的对应光的强度。
具体的,所述步骤S1中的LED包括紫光LED、蓝光LED、绿光LED、黄光LED、橙光LED、红光LED和红外光LED。
具体的,所述步骤S1中特定波长范围内可探测光的范围为280nm~780nm。
具体的,所述步骤S3中感光电压与光照强度之间的表征关系如下式所示:V=K*E,其中,V为感光电压,E为光照强度,K由相应电路的系数与LED的感光因素共同决定,K>0。
本发明的有益效果:本方案采用成本较低的LED来对光进行探测,这样不仅可以具有良好的响应速度,还可以大幅减少其他成分光的干扰,并且能够大幅降低传感器成本,节约资源,使用便利。
附图说明
图1是本发明的方法流程图。
图2是本发明的LED对应探测光的波长范围图。
图3本发明的光电流生成原理图。
图4是本发明的光照强度采集电路结构图。
图5是本发明第一实施例在400nm波长紫光条件下感光实验对比数据图。
图6是本发明第一实施例在365nm波长紫外光条件下感光实验对比数据图。
图7是本发明第一实施例在285nm波长紫外光条件下感光实验对比数据图。
图8是本发明第二实施例在365nm波长紫外光条件下实验数据图。
图9是本发明第二实施例在285nm波长紫外光条件下实验数据图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本发明的具体实施方式。
本实施例中,如图1所示,基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,方法包括以下步骤
步骤1,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于光照环境下,对可探测光的强度进行探测。LED为能够发出不同波长的发光二极管,可对特定波长范围内可探测光进行,并形成光电流。由于发不同波长光的LED,对于不同波长可探测光有不同的响应。因此利用这个特点可以用不同光色LED来对不同波长范围内的光进行探测。具体LED对应探测光波长范围如图2所示,其中LED包括紫光LED、蓝光LED、绿光LED、黄光LED、橙光LED、红光LED和红外光LED,对应的,紫光LED可探测光波长范围为280nm~380nm,蓝光LED可探测光波长范围为280nm~450nm,绿光LED可探测光波长范围为280nm~500nm,黄光LED可探测光波长范围为280nm~560nm,橙光LED可探测光波长范围为280nm~620nm,红光LED可探测光波长范围为280nm~620nm,红外光LED可探测光波长范围为280nm~780nm。
步骤2,通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压。
步骤3,将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测光的强度。其中,LED内二极管管芯大小决定了光生电流大小,不同光色LED对于同一个波长光,同一光照强度,反应出光生电流不同。在使用同一种LED时,特定波长光光强度越大,反应出LED上的光生电流越大。感光电压与光照强度之间的表征关系如下式所示:V=K*E,其中,V为感光电压,E为光照强度,K由相应电路的系数与LED的感光因素共同决定,K>0。在不同的转换电路中,采用不同LED,K值由所在转换电路的系数参数和LED参数综合固定。
本发明中的光感器件利用不同波长的发光二极管遇到特定波长光照射时,携带能量的特定波长光光子在LED的PN结上能够激发电子,形成光电流,再经过设置有相应放大倍数的运算放大电路,将光生电流转换为感光电压。
其中,特定波长光的强度决定了进入PN结的光子的数量,进一步决定了光电流的大小。如图3所示,当PN结受到光照时,光子激发PN结上的电子形成电子—空穴对,使得少数载流子数目增加,少数载流子在一定电压下定向流动,形成与PN结方向相反的光生电流。然而,由于其他波长较长的光光子能量较低,导致一个光子无法激发特定发光波长LED的PN结上的一个电子,因此本发明也可以抑制其他光对特定波长光探测时带来的干扰,能够实现探测特定波长光的强度的同时,能够抑制其他波长光的影响,大量的节约资源和成本,同时方便使用。
本发明中的探测电路为放大电路,可由运放或其它具有放大功能的电路结构构成。该电路可以将光电流转化为感光电压,以表征所测光的光强度。
在本发明的第一实施例中,实验电路如图4所示,采用发光波长为450nm-500nm的单位面积蓝光LED与普通光电二极管,以探测紫光和紫外光的强度进行对比实验,实验条件为黑暗环境,首先在发光波长为400nm的紫光条件下测试实验,蓝光LED与普通光电二极管的感光实验对比数据如图5所示,通过图中斜率可以看出蓝光LED对400nm波长紫光感光效果明显优于普通光电二极管。
然后,将光照条件改为波长为365nm紫外光,同样在黑暗环境下测试实验,此时蓝光LED与普通光电二极管的感光实验对比数据如图6所示,通过斜率同样可以看出蓝光LED对365nm波长紫外光感光效果明显优于普通光电二极管。
其次,将光照条件为波长为285nm紫外光,黑暗环境下测试实验,测试实验数据如图7所示,通过斜率同样可以看出蓝光LED对285nm波长紫外光感光效果明显优于普通光电二极管。
最后,将光照条件改为波长450nm蓝光,黑暗环境下测试实验,实验中蓝光LED几乎没有产生感光电压。可以看出蓝光LED可探测范围为紫光与紫外光。
在本发明的第二实施例中,实验电路如图4所示,采用发光波长为400nm的单位面积紫光LED对紫外光探测实验。首先在光照条件为365nm波长的紫外光,黑暗环境下进行测试实验,测试实验数据如图8所示。然后将光照条件改为285nm波长的紫外光,同样在黑暗环境下进行实验,实验数据如图9所示。因此,本发明的方法采用不同发光波长的LED来对应探测特定波长范围内的光的强度是可行的。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,其特征在于,方法包括以下步骤:
S1,采用LED作为光感器件,并将光感器件置于光照环境下,对特定波长范围内可探测光的强度进行探测;
S2,通过相应转换电路,将LED的PN结受到光照产生的光电流转换成感光电压;
S3,将输出的电压按照感光电压与光照强度之间表征关系进行换算,从而得出光感器件探测的对应光的强度。
2.根据权利要求1所述的基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,其特征在于,所述步骤S1中的LED包括紫光LED、蓝光LED、绿光LED、黄光LED、橙光LED、红光LED和红外光LED。
3.根据权利要求1所述的基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,其特征在于,所述步骤S1中特定波长范围内可探测光的范围为280nm~780nm。
4.根据权利要求1所述的基于不同发光波长的LED对特定波长范围的光的探测方法,其特征在于,所述步骤S3中感光电压与光照强度之间的表征关系如下式所示:V=K*E,其中,V为感光电压,E为光照强度,K由相应电路的系数与LED的感光因素共同决定,K>0。
CN202010626399.XA 2020-07-02 2020-07-02 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法 Active CN111854937B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010626399.XA CN111854937B (zh) 2020-07-02 2020-07-02 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010626399.XA CN111854937B (zh) 2020-07-02 2020-07-02 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111854937A true CN111854937A (zh) 2020-10-30
CN111854937B CN111854937B (zh) 2023-11-17

Family

ID=72989043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010626399.XA Active CN111854937B (zh) 2020-07-02 2020-07-02 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111854937B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111854937B (zh) * 2020-07-02 2023-11-17 成都维客昕微电子有限公司 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102138799A (zh) * 2010-01-28 2011-08-03 深圳市索莱瑞医疗技术有限公司 一种高精度血氧探头温度检测与波长补偿方法
CN102264295A (zh) * 2008-12-22 2011-11-30 住友电气工业株式会社 生物成分检测装置
CN202485694U (zh) * 2011-11-18 2012-10-10 武汉航空仪表有限责任公司 一种激光探测电路
CN103115676A (zh) * 2013-01-29 2013-05-22 大连理工大学 一种led光线传感器及检测方法
CN205015086U (zh) * 2015-08-17 2016-02-03 深圳市亿博兰科技有限公司 一种阳光光照传感器及花盆
CN207515906U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 南京信息职业技术学院 日光浴手环
CN111289104A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 中国科学院物理研究所 一种太赫兹能量探测器、探测系统及应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111854937B (zh) * 2020-07-02 2023-11-17 成都维客昕微电子有限公司 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102264295A (zh) * 2008-12-22 2011-11-30 住友电气工业株式会社 生物成分检测装置
CN102138799A (zh) * 2010-01-28 2011-08-03 深圳市索莱瑞医疗技术有限公司 一种高精度血氧探头温度检测与波长补偿方法
CN202485694U (zh) * 2011-11-18 2012-10-10 武汉航空仪表有限责任公司 一种激光探测电路
CN103115676A (zh) * 2013-01-29 2013-05-22 大连理工大学 一种led光线传感器及检测方法
CN205015086U (zh) * 2015-08-17 2016-02-03 深圳市亿博兰科技有限公司 一种阳光光照传感器及花盆
CN207515906U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 南京信息职业技术学院 日光浴手环
CN111289104A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 中国科学院物理研究所 一种太赫兹能量探测器、探测系统及应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111854937B (zh) * 2020-07-02 2023-11-17 成都维客昕微电子有限公司 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111854937B (zh) 2023-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6596981B1 (en) Method and apparatus for optical detector with special discrimination
CN1670492B (zh) 用于消除颜色传感器电路中的暗光电流的系统和方法
CN110530515A (zh) 光电探测电路、激光雷达和控制方法
KR101055790B1 (ko) 태양전지 교류 전계발광 화상검사 장치
AU2010257215A1 (en) Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof
CN101090138A (zh) P+pin硅光电探测器
CN205015086U (zh) 一种阳光光照传感器及花盆
CN111854937B (zh) 基于不同发光波长的led对特定波长范围的光的探测方法
Kowalczyk et al. Photo-reception properties of common LEDs
CN108092624B (zh) 一种太阳能电池开路电压分布的检测装置及其检测方法
Mazzeo et al. AlGaN-based linear array for UV solar-blind imaging from 240 to 280 nm
CN107919854B (zh) 一种太阳能电池iv特性的检测装置及其检测方法
Doll et al. Contactless outdoor photoluminescence of silicon photovoltaic modules with large area excitation source
CN114598263A (zh) 太阳能电池伏安特性的自动检测方法、设备、计算机可读存储介质
Ho et al. CMOS field-modulated color sensor
CN201255663Y (zh) 一种智能可见光传感器
Huang et al. Real-Time Ultraviolet Flame Detection System Based on 4H-SiC Phototransistor
CN116338802A (zh) 一种物体检测电路及蛋品储存装置
Vieira et al. Pinpi'n and Pinpii'n Multilayer Devices with Voltage Controlled Optical Readout
Ripoll-Vercellone et al. Experimental characterization of off-the-shelf LEDs as photodetectors for waking up microcontrollers
Vieira et al. Bias sensitive multispectral structures for imaging applications
CN107546283B (zh) 掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器及其应用电路模块
US8796936B2 (en) Compact fluorescent lamps
Xu et al. Double junction photodiode for X-ray CMOS sensor IC
CN114584070A (zh) 一种太阳能电池伏安特性的自动检测系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant