CN111844935A - 太阳能芯片封装方法及太阳能芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种太阳能芯片封装方法，以解决一次层压极易出现层压不良的问题。其中，所述太阳能芯片封装方法，包括：依次铺设第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层；对所述依次铺设的第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层进行加压加热处理，形成一次层压件；依次铺设底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板；以及对所述依次铺设的底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板进行加压加热处理，形成二次层压件。本发明实施例所提供的太阳能芯片封装方法有效提高了太阳能芯片封装的质量及稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域，特别是涉及一种太阳能芯片封装方法及太阳能芯片。
背景技术
针对柔性太阳能芯片而言，其长期使用的可靠性主要依靠材料和封装工艺来实现，而柔性太阳能芯片的封装工艺较为重要的就是层压。
现有技术方案中，柔性太阳能产品多采用一次层压，层压件均为一次成型，即多层封装材料敷合在一起，经一次层压成型，多层封装材料的物理反应和粘合均在层压一步实现。
多层封装材料敷合在一起进行层压封装时，由于整体平面厚度不一，且不同层的材料的热缩性差异较大，导致产品极易出现层压不良现象，从而影响产品质量。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种的太阳能芯片封装方法和一种太阳能芯片，能够解决太阳能芯片一次层压极易出现层压不良的问题。
本发明实施例提供的一种太阳能芯片封装方法，包括：依次铺设第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层；对所述依次铺设的第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层进行加压加热处理，形成一次层压件；依次铺设底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板；以及对所述依次铺设的底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板进行加压加热处理，形成二次层压件。
进一步地，在依次铺设底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板步骤之前，进一步包括：对所述一次层压件进行加压冷却定型处理。
进一步地，包括：对所述二次层压件进行加压冷却定行处理。
进一步地，对所述依次铺设的第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层进行加压加热处理，形成一次层压件的步骤，具体包括：对所述依次铺设的第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层进行预压预热处理，形成第一预层压件；以及，对所述第一预层压件进行加压加热处理，形成所述一次层压件。
进一步地，对所述依次铺设的底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板进行加压加热处理，形成二次层压件的步骤，具体包括：对所述依次铺设的底布、第三胶膜层、所述一次层压件、第四胶膜层和前板进行预压预热处理，形成第二预层压件；以及，对所述第二预层压件进行加压加热处理，形成所述二次层压件。
进一步地，所述第一阻隔层或第二阻隔层的材料为铝PET薄膜。
进一步地，所述第一胶膜层和第二胶膜层的材料为PoE胶膜。
进一步地，所述第三胶膜层和第四胶膜层的材料为EVA胶膜。
本发明实施例提供的一种太阳能芯片，包括：依次设置的底布、第三胶膜层、一次层压件、第四胶膜层和前板；所述一次层压件进一步包括：依次设置的第一阻隔层、第一胶膜层、太阳能电池芯片、第二胶膜层和第二阻隔层；通过上述的太阳能芯片封装方法，经过二次层压制备而成。
进一步地，所述第一阻隔层或第二阻隔层的材料为铝PET薄膜。
与现有技术相比，本发明实施例包括以下优点：
在本发明实施例中，太阳能芯片的层压分为两级进行，相比于现有技术中的一次层压定型，本发明实施例中的封装工艺中的层压分为两级进行，从而通过多次连续热压最终完成定型，实现了逐渐升温加压的过程，且升温和加压分别体现在不同的层压中，减少可变因素，保证产品一致性，在确保高效率的同时，解决了一次层压定型中因不同材料受热收缩率差异容易产生褶皱的问题，避免出现层压不良现象，提高产品质量。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明一实施例提供的太阳能芯片的一次层压件的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的太阳能芯片的二次层压件的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的太阳能芯片封装方法的流程示意图；
图4为本发明一实施例提供的太阳能芯片封装方法的流程示意图；
图5为本发明一实施例提供的太阳能芯片封装方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括......”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1至图3，一实施例的太阳能芯片封装方法，其中，图1示出了所述封装方法中一次层压件9206的结构示意图，所述一次层压件9206由依次铺设的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205层压而成。图2示出了所述封装方法中二次层压件92即太阳能芯片的结构示意图，所述二次层压件92由依次铺设的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210层压而成。如下结合图3具体描述本发明一实施例提供的太阳能芯片的封装方法。
步骤S101：依次铺设第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205。
步骤S102：对所述依次铺设的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行加压加热处理，形成一次层压件9206。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S103：依次铺设底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210。
步骤S104：对所述依次铺设的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行加压加热处理，形成二次层压件92。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
如下结合图4具体描述本发明又一实施例提供的太阳能芯片的封装方法。
步骤S201：依次铺设第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205。
步骤S202：对所述依次铺设的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预压预热处理，形成第一预层压件。
在此步骤中，将加热温度控制为初步加热温度，以便于对待层压的所述第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预热；将挤压压力控制为初步挤压压力，以便于对待层压的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预压。该步骤中的预热预压有利于待层压的太阳能芯片中，各层不同材料的结构逐渐适应层压环境，从而避免出现太阳能芯片的各层结构突然受热受压，因受热收缩率不同而产生较多褶皱的现象。较佳地，本步骤中预热温度控制在20℃～160℃；预压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S203：对所述第一预层压件进行加压加热处理，形成所述一次层压件(9206)。
基于步骤S202预热的温度值，将此过程中的加热温度进一步提高，达到预设值；同时，基于步骤S202中的压力值，将挤压预层压件的压力进一步提高，达到预设值。相比于步骤S202的主要作用是预压预热，此步骤的主要作用偏重于对温度的升高控制，以结合步骤S202的层压，实现在整个层压中温度逐渐升高的过程。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S204：依次铺设底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210。
步骤S205：对所述依次铺设的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预压预热处理，形成第二预层压件。
与步骤S202相似，在此步骤中，将加热温度控制为初步加热温度，以便于对待层压的所述底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预热；将挤压压力控制为初步挤压压力，以便于对待层压的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预压。该步骤中的预热预压有利于待层压的太阳能芯片中，各层不同材料的结构逐渐适应层压环境，从而避免出现太阳能芯片的各层结构突然受热受压，因受热收缩率不同而产生较多褶皱的现象。较佳地，本步骤中预热温度控制在20℃～160℃；预压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S206：对所述第二预层压件进行加压加热处理，形成所述二次层压件92。
与步骤S303相似，本步骤中，基于步骤S306预热的温度值，将此过程中的加热温度进一步提高，达到预设值；同时，基于步骤S306中的压力值，将挤压预层压件的压力进一步提高，达到预设值。相比于步骤S306的主要作用是预压预热，此步骤的主要作用偏重于对温度的升高控制，以结合步骤S306的层压，实现在整个层压中温度逐渐升高的过程。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
综上所述，本实施例将现有技术中的一次层压改进为可阶段式控制的连续二次层压，经过二级层压后的太阳能芯片，避免了层压中出现的褶皱等不良现象，外观良好，性能优良，轻质便携。可见，上述太阳能芯片封装方法具有极佳的推广价值，应用途径广泛
如下结合图5具体描述本发明又一实施例提供的太阳能芯片的封装方法。
步骤S301：依次铺设第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205。
步骤S302：对所述依次铺设的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预压预热处理，形成第一预层压件。
在此步骤中，将加热温度控制为初步加热温度，以便于对待层压的所述第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预热；将挤压压力控制为初步挤压压力，以便于对待层压的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205进行预压。该步骤中的预热预压有利于待层压的太阳能芯片中，各层不同材料的结构逐渐适应层压环境，从而避免出现太阳能芯片的各层结构突然受热受压，因受热收缩率不同而产生较多褶皱的现象。较佳地，本步骤中预热温度控制在20℃～160℃；预压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S303：对所述第一预层压件进行加压加热处理，形成所述一次层压件9206。
基于步骤S302预热的温度值，将此过程中的加热温度进一步提高，达到预设值；同时，基于步骤S302中的压力值，将挤压预层压件的压力进一步提高，达到预设值。相比于步骤S302的主要作用是预压预热，此步骤的主要作用偏重于对温度的升高控制，以结合步骤S302的层压，实现在整个层压中温度逐渐升高的过程。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S304：对所述一次层压件进行加压冷却定型处理。
基于步骤S303的压力值，将挤压压力进一步提高，达到更高的预设值。相比于步骤S303层压的主要作用偏重于对压力的增大控制。同时，在该步骤中，基于步骤S303中的加热温度值，可适度降低加热温度值，以在实现热压的同时，便于在该步骤中进行冷却定型，输出所述一次层压件9206的定型层压件。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～60℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
本实施例将待层压所述第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205的环节，分为预热预压、一次层压和加压冷却三个阶段来来实现，分别侧重于对温度和压力逐渐变化的控制，减少可变因素，保证产品生产的一致性。可见，本实施例在一次层压的连续三个阶段中，通过控制温度和压力的变化，避免了一次层压件9206的各层封装材料在一次层压中，因受热收缩量不同产生的层压不良现象，产品的质量明显提高。
步骤S305：依次铺设底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210。
步骤S306：对所述依次铺设的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预压预热处理，形成第二预层压件。
与步骤S302相似，在此步骤中，将加热温度控制为初步加热温度，以便于对待层压的所述底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预热；将挤压压力控制为初步挤压压力，以便于对待层压的底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210进行预压。该步骤中的预热预压有利于待层压的太阳能芯片中，各层不同材料的结构逐渐适应层压环境，从而避免出现太阳能芯片的各层结构突然受热受压，因受热收缩率不同而产生较多褶皱的现象。较佳地，本步骤中预热温度控制在20℃～160℃；预压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S307：对所述第二预层压件进行加压加热处理，形成所述二次层压件92。
与步骤S303相似，本步骤中，基于步骤S306预热的温度值，将此过程中的加热温度进一步提高，达到预设值；同时，基于步骤S306中的压力值，将挤压预层压件的压力进一步提高，达到预设值。相比于步骤S306的主要作用是预压预热，此步骤的主要作用偏重于对温度的升高控制，以结合步骤S306的层压，实现在整个层压中温度逐渐升高的过程。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～180℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
步骤S308：对所述二次层压件进行加压冷却定型处理。
与步骤S304相似，本步骤中，基于步骤S307的压力值，将挤压压力进一步提高，达到更高的预设值。相比于步骤S307层压的主要作用偏重于对压力的增大控制。同时，在该步骤中，基于步骤S307中的加热温度值，可适度降低加热温度值，以在实现热压的同时，便于在该步骤中进行冷却定型，输出所述二次层压件92即太阳能芯片的定型层压件。较佳地，本步骤中加热温度控制在20℃～60℃；加压压力控制在0.01MPa～0.1MPa。
本实施例将待层压底布9207、第三胶膜层9208、所述一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210的环节，分为预热预压、二次层压和加压冷却三个阶段来来实现，分别侧重于对温度和压力逐渐变化的控制，减少可变因素，保证产品生产的一致性。可见，本实施例在二次层压的连续三个阶段中，通过控制温度和压力的变化，避免了二次层压件92即太阳能芯片的各层封装材料在二次层压中，因受热收缩量不同产生的层压不良现象，产品的质量明显提高。
综上所述，本实施例将现有技术中的一次层压改进为可阶段式控制的连续二次层压，经过二级层压后的太阳能芯片，避免了层压中出现的褶皱等不良现象，外观良好，性能优良，轻质便携。可见，上述太阳能芯片封装方法具有极佳的推广价值，应用途径广泛
在上述图3至图5提供的实施例中，第一胶膜层9202和第二胶膜层9204为相同材料，具有热塑性，当温度变化时，其物理状态随温度的变化而变化，而化学特性保持不变。第一胶膜层9202和第二胶膜层9204可采用如下材料之一，例如：乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer，简称EVA)粘合剂或EVA胶膜、聚乙烯醇缩丁醛(POLYVINYL BUTYRAL)PVB粘合剂或PVB胶膜、聚烯烃(POE)粘合剂或聚烯烃(POE)胶膜、热塑性聚氯酯弹性体橡胶(Thermoplastic polyurethanes，简称TPU)粘合剂或TPU胶膜。
第三胶膜层9208和第四胶膜层9209为相同材料，具有热塑性，当温度变化时，其物理状态随温度的变化而变化，而化学特性保持不变。第三胶膜层9208和第四胶膜层9209可采用如下材料之一，例如：乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer，简称EVA)粘合剂或EVA胶膜、聚乙烯醇缩丁醛(POLYVINYL BUTYRAL)PVB粘合剂或PVB胶膜、聚烯烃(POE)粘合剂或聚烯烃(POE)胶膜、热塑性聚氯酯弹性体橡胶(Thermoplasticpolyurethanes，简称TPU)粘合剂或TPU胶膜。
第一阻隔层9201或第二阻隔层9205的材料为铝PET薄膜，采用铝PET薄膜可以降低生产成本，使得层压封装后的太阳能电池芯片柔软性更好，厚度更薄。
太阳能电池芯片9203可以为柔性衬底薄膜电池芯片或晶体硅电池芯片，也可以为经过预封装阻水膜处理的柔性衬底薄膜电池芯片或晶体硅电池芯片。其中，薄膜电池芯片可以为铜铟镓硒CIGS，砷化镓GaAs薄膜电池芯片。
前板9210为高分子复合膜，高分子复合膜为透光率大于80％的乙烯或四氟乙烯复合材料或复合膜，具有高透光高阻水性能。
底布9207可以为阻水布，该阻水布最外层经过阻水处理，最内层表面薄膜是能够与胶膜层进行粘合的树脂。
较佳地，太阳能电池片1的厚度为0.1mm～3mm。
较佳地，二次层压后的太阳能电池芯片厚度为0.1mm～4mm。
本发明实施例提供的经过二次层压封装的太阳能电池芯片具有可折叠性，折叠位置不限，适于贴设于各种移动设备，给各种移动设备提供电源。
本发明的又一实施例提供一种太阳能芯片，包括：依次设置的底布(9207)、第三胶膜层9208、一次层压件9206、第四胶膜层9209和前板9210；所述一次层压件92进一步包括：依次设置的第一阻隔层9201、第一胶膜层9202、太阳能电池芯片9203、第二胶膜层9204和第二阻隔层9205；通过如图3至图5所述实施例提供的太阳能芯片封装方法，经过二次层压制备而成。
综上所述，随着太阳能市场的不断发展，光伏组件被广泛应用于地面电站，屋顶电站，光伏建筑一体化(Building Integrated PV，简称BIPV)，各种消费产品等各种项目中。与此同时，各种不同类型的功能性产品应运而生，被广泛应用于不同的应用场景中，尤其是具有一定便携性和柔软性的产品应用途径更为广泛，譬如柔性大功率组件以轻质化特点被应用于承重稍差的屋顶上，柔性太阳能发电伞、可折叠充电包和背包被广大户外爱好者积极应用。但是，由于此类产品多为特定应用场景的定制化产品，结构不一，而性能和充电需求多样化，导致大多数产品只能采用手工或半自动的生产流程。不仅效率偏低，良率不高，产能较难提升，而且使用的设备均需要特制或定制，具有唯一性，不具备规模化生产能力，导致生产出来的产品均存在一定的外观瑕疵，譬如褶皱、引线凸起等，观赏性欠佳。
而本实施例中的太阳能芯片封装方法和太阳能芯片，基于上述问题，实现了一种更合理的生产流程，不仅适用于各类柔性太阳能芯片，提高生产效率，还保证了柔性太阳能芯片的极致外观。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种太阳能芯片封装方法及太阳能芯片，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种太阳能芯片封装方法，其特征在于，包括：
依次铺设第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、太阳能电池芯片(9203)、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)；
对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、太阳能电池芯片(9203)、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行加压加热处理，形成一次层压件(9206)；
依次铺设底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)；以及
对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行加压加热处理，形成二次层压件(92)。
2.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，在依次铺设底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)步骤之前，进一步包括：
对所述一次层压件(9206)进行加压冷却定型处理。
3.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，进一步包括：
对所述二次层压件(92)进行加压冷却定型处理。
4.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、太阳能电池芯片(9203)、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行加压加热处理，形成一次层压件(9206)的步骤，具体包括：
对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、太阳能电池芯片(9203)、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行预压预热处理，形成第一预层压件；以及
对所述第一预层压件进行加压加热处理，形成所述一次层压件(9206)。
5.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行加压加热处理，形成二次层压件(92)的步骤，具体包括：
对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行预压预热处理，形成第二预层压件；以及
对所述第二预层压件进行加压加热处理，形成所述二次层压件(92)。
6.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第一阻隔层(9201)或第二阻隔层(9205)的材料为铝PET薄膜。
7.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第一胶膜层(9201)和第二胶膜层(9205)的材料为PoE胶膜。
8.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第三胶膜层(9208)和第四胶膜层(9209)的材料为EVA胶膜。
9.一种太阳能芯片，其特征在于，包括：依次设置的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)；所述一次层压件(92)进一步包括：依次设置的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、太阳能电池芯片(9203)、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)；通过如权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，经过二次层压制备而成。
10.根据权利要求9所述的的太阳能芯片，其特征在于，所述第一阻隔层(9201)或第二阻隔层(9205)的材料为铝PET薄膜。
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