CN111736722A - 电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置和设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置和设备。该方法,包括获取电容阵列中电容的电信号的数值;根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目;电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,第三数目为电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于电容的电信号的数值和电容的基准值确定;第二预设条件包括电信号变化参数不为0;基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。根据本申请实施例,能够实现对电容触控屏遮挡状态的检测。
Description
技术领域
本申请涉及数据处理领域,尤其涉及一种电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置和设备。
背景技术
目前电容触控在触控行业的应用越来越普遍。由于电容触控屏自身的优势,因此很多设备采用了电容触控屏。
在电容触控屏的使用场景中,有时候会存在利用电容触控屏的遮挡状态实现对电容触控屏的控制的情况,例如控制电容触控屏息屏或亮屏。因此需要提供一种能够检测电容触控屏的遮挡状态的方法。
发明内容
本申请实施例提供一种电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置、设备和介质,能够实现对电容触控屏遮挡状态的检测。
第一方面,本申请提供一种电容触控屏遮挡状态的检测方法,电容触控屏包括电容阵列,该方法包括:
获取电容阵列中电容的电信号的数值;
根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目;电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,第三数目为电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于电容的电信号的数值和电容的基准值确定;第二预设条件包括电信号变化参数不为0;
基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
在一个实施例中,第二预设条件包括电信号变化参数大于第二预设阈值。
在一个实施例中,第一方向为电容阵列的行方向或列方向。
在一个实施例中,基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态,包括:
在第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,第三预设阈值基于电容单元的总数目确定;
在第一数目小于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态。
在一个实施例中,目标遮挡物与电容触控屏之间的距离大于或等于零且小于预设距离阈值。
在一个实施例中,根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目之后,方法还包括:
基于第一数目,调整电容触控屏的预设功能参数的取值。
在一个实施例中,基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态之后,方法还包括:
基于遮挡状态,控制电容触控屏的预设功能和/或与电容触控屏连接的目标设备的开关状态。
在一个实施例中,基于遮挡状态,控制电容触控屏的预设功能和/或与电容触控屏连接的目标设备的开关状态,包括:
在遮挡状态为电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备关闭;
在遮挡状态为电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备开启。
第二方面,本申请实施例提供一种电容触控屏遮挡状态的检测装置,电容触控屏包括电容阵列,该装置包括:
获取模块,用于获取电容阵列中电容的电信号的数值;
第一数目确定模块,用于根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目;电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,第三数目为电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于电容的电信号的数值和电容的基准值确定;第二预设条件包括电信号变化参数不为0;
遮挡状态确定模块,用于基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
在一个实施例中,第二预设条件包括电信号变化参数大于第二预设阈值。
在一个实施例中,第一方向为电容阵列的行方向或列方向。
在一个实施例中,遮挡状态确定模块,包括:
第一遮挡状态确定单元,用于在第一数目大于或等于第二预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,第二预设阈值基于电容单元的总数目确定;
第二遮挡状态确定单元,用于在第一数目小于第二预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态。
在一个实施例中,目标遮挡物与电容触控屏之间的距离大于或等于零且小于预设距离阈值。
在一个实施例中,电容触控屏遮挡状态的检测装置还包括:
调整模块,用于基于第一数目,调整电容触控屏的预设功能参数的取值。
在一个实施例中,电容触控屏遮挡状态的检测装置还可以包括:
控制模块,用于基于遮挡状态,控制电容触控屏的预设功能和/或与电容触控屏连接的目标设备的开关状态。
在一个实施例中,控制模块用于:
在遮挡状态为电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备关闭;
在遮挡状态为电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备开启。
第三方面,本申请实施例提供一种电容触控屏遮挡状态的检测设备,该设备包括:处理器以及存储有计算机程序指令的存储器;
处理器执行计算机程序指令时实现如上述第一方面提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法。
第四方面,本申请实施例提供一种计算机存储介质,该计算机存储介质上存储有计算机程序指令,计算机程序指令被处理器执行时实现如上述第一方面提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法。
在本申请的实施例中,由于目标遮挡物遮挡电容触控屏时,会导致电容阵列中电容的电信号的数值与电容的基准值不同,即导致电容的电信号的取值发生变化,基于此,本申请通过利用电容阵列中电容的电信号的数值,可以确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。由于电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与电容单元中电容的总数目的比值可以反映单个电容单元中电容被遮挡的情况,则电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目和电容单元的总数目可以体现在电容阵列中被遮挡的电容的整体分布状况,而该分布状况可以体现遮挡物对电容触控屏的遮挡情况,因此根据第一数目和电容单元的总数目能够确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的自电容触控屏的工作原理示意图;
图2是本申请实施例提供的互电容触控屏的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法的流程示意图;
图4是本申请实施例提供的在第一视角下目标遮挡物与电容触控屏的位置关系的示意图;
图5是本申请实施例提供的在第二视角下目标遮挡物与电容触控屏的位置关系的示意图;
图6是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测装置的结构示意图;
图7是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请,并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
为了更好的理解本申请,下面将结合附图,详细描述根据本申请实施例的电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置、设备和介质,应注意,这些实施例并不是用来限制本申请公开的范围。
电容触控屏是利用导体接触电容触控屏表面时会引起触控区域的电容的容值发生变化的原理,来实现触控的检测。电容触控屏一般包括自电容触控屏和互电容触控屏。下面对自电容触控屏和互电容触控屏进行介绍。
作为一个示例,自电容触控屏包括在玻璃表面用N型氧化物半导体-氧化铟锡制成的横向与纵向的扫描电极,这些电极和地之间就构成一个电容的两极,这个电容就是自电容。通过横向和纵向的扫描电极,则可以形成自电容阵列。图1是本申请实施例提供的自电容触控屏的工作原理示意图。如图1所示,扫描电极和地平面之间构成自电容。当手指或者其他导体触摸到自电容触控屏上或者与自电容触控屏存在一定距离时,导体和自电容触控屏表面形成耦合电容。在图1中,以手指触摸自电容触控屏为例,电极和地之间的电容值由原来的Cp变为Cp+2Cf。其中,2Cf为电极和人体之间产生的电容。对于高频电流来说,电容是直接导体,会影响自电容的特性。也就是说,自电容触控屏利用人体的电流感应进行工作。通过检测自电容的容值变化量则可以确定手指的触控位置。
图2是本申请实施例提供的互电容触控屏的结构示意图。如图2所示,互电容触控屏包括多个驱动电极TX1、TX2……TXn,以及多个接收电极RX1、RX2……RXm。其中,m和n为正整数。图2中以n=m=4为例。其中,驱动电极和接收电极垂直。每个驱动电极与地(GND)连接,每个接收电极均与检测模块连接。驱动电极和接收电极交叉的地方形成互电容,也即这两组电极分别构成了电容的两极。如图2所示,驱动电极和接收电极形成了4*4的电容阵列。需要说明的是,图2中仅是示意性给出了电容阵列的结构,对于电容触控屏上驱动电极和接收电极的排布方式不做具体限定,即电容阵列的结构也不做具体限定。
当手指或其他导体触摸到互电容触控屏或者与互电容触控屏存在一定距离时,影响了触摸点附近两个电极之间的耦合,从而改变了这两个电极之间的电容量。检测互电容大小时,驱动电极依次发出激励信号,与所有接收电极连接的检测模块接收信号,即可以得到每个互电容的容值。
值得一提的是,对于检测模块的结构不做具体限制。例如,检测模块可以将电容的容值转化为用于表征电容的容值的电压信号。
需要说明的是,当导体接触电容触控屏表面时,会影响电容触控屏中的电容的容值发生变化,从而导致检测模块检测到的用于表征该电容的容值的电信号的数值(例如电压值)发生变化。由于电容触控屏中的电容之间是有间距的,手指或者电容笔等其他导体触摸后,会引起一个区域内的多个电容的电容值发生变化。当手指或电容笔触摸电容触控屏时,触摸位置附近的电容的电信号的数值会发生变化,越靠近触摸位置的电容,该电容的电信号的数值变化的越厉害。
触摸感应无需导体和电容触控屏直接接触,当导体与电容触控屏之间的距离小于一定距离时,导体依然能够影响电容触控屏上电容的容值。基于上述的技术问题以及当导体与电容触控屏之间的距离在一定距离内时,导体依然能够影响电容触控屏上电容的容值的原理,本申请提供一种电容触控屏遮挡状态的检测方法、装置、设备和介质,能够实现对电容触控屏遮挡状态的检测。下面结合具体实施例和附图进行详细介绍。
图3是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法的流程示意图。本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法的执行主体可以是电容触控屏遮挡状态的检测装置。在本申请的实施例中,电容触控屏包括电容阵列,如图3所示,本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法包括步骤310~步骤330。
步骤310,获取电容阵列中电容的电信号的数值。
步骤320,根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值。第三数目为电容单元中电容的总数目。电容的电信号变化参数基于电容的电信号的数值和电容的基准值确定。第二预设条件包括电信号变化参数不为0。
步骤330,基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
需要说明的是,电容的基准值是电容触控屏未被目标遮挡物遮挡时,预先获取的电容的电信号的取值。
在本申请的实施例中,由于目标遮挡物遮挡电容触控屏时,会导致电容阵列中电容的电信号的数值与电容的基准值不同,即导致电容的电信号的取值发生变化,基于此,本申请通过利用电容阵列中电容的电信号的数值,可以确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。由于电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与电容单元中电容的总数目的比值可以反映单个电容单元中电容被遮挡的情况,则电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目和电容单元的总数目可以体现在电容阵列中被遮挡的电容的整体分布状况,而该分布状况可以体现遮挡物对电容触控屏的遮挡情况,因此根据第一数目和电容单元的总数目能够确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
在本申请的实施例中,目标遮挡物为导体,目标遮挡物位于电容触控屏具有触控功能的一侧,目标遮挡物与电容触控屏之间的距离大于或等于零且小于预设距离阈值。
在本申请的一些实施例中,为了实现对电容触控屏遮挡状态的检测,则需要目标遮挡物能够引起电容触控屏表面的电容的容值发生变化,因此需要目标遮挡物是导体,且目标遮挡物需要位于电容触控屏具有触控功能的一侧。
为了实现对电容触控屏遮挡状态的检测,同时也需要控制目标遮挡物和电容触控屏之间的距离,以保证电容阵列的电容的容值受目标遮挡物的影响。其中,预设距离阈值为目标遮挡物能够影响电容阵列中的电容的电信号的数值的最大距离。
下面分别对步骤310~步骤330中每个步骤的具体实现方式进行详细介绍。
首先介绍步骤310的具体方式。在本申请的一些实施例中,电容的电信号的数值为用于表征电容的容值的数值。电容的电信号的数值可以从检测模块获取。作为一个示例,电容的电信号的数值可以为用于表征电容的容值的电压值或电流值。
在一些实施例中,在步骤310中需要获取电容阵列中每个电容的电信号的数值。
下面介绍步骤320的具体实现方式。
在本申请的一些实施例中,第一方向为预设方向,该第一方向可以为电容阵列的行方向或列方向。也就是说,电容单元可以为电容行或电容列。电容行是指一行电容,电容列是指一列电容。
作为一个示例,参见图2,图2中的驱动电极TX1、TX2、TX3、TX4分别和接收电极RX1形成的互电容则构成一个电容单元。也就是说,第一方向与接收电极平行,图2中示出了该第一方向。
在另一些实施例中,图2中的接收电极RX1、RX2、RX3、RX4分别和驱动电极TX1形成的互电容也可以构成一个电容单元。也就是说,第一方向与驱动电极平行。
在一些应用场景中,若电容触控屏的面积比较大,则为了遮挡电容触控屏,则需要面积较大的目标遮挡物。也就是说,目标遮挡物可以为面积大于预设面积阈值的大面积导体。
图4是本申请实施例提供的在第一视角下目标遮挡物与电容触控屏40的位置关系的示意图。参见图4,本申请实施例提供的目标遮挡物包括第一黑板41a和第二黑板41b,这两块黑板均为导体。并且,这两块黑板位于电容触控屏40的具有触控功能的一侧。图4中的电容触控屏40上示意性地示出了电容阵列。其中,第一方向为电容阵列的列方向。
通过沿第二方向移动图4中的第一黑板41a可以实现对电容触控屏40的遮挡,通过沿第三方向移动图4中的第一黑板41a可以取消对电容触控屏40的遮挡。通过沿第三方向移动图4中的第二黑板41b可以实现对电容触控屏40的遮挡,通过沿第二方向移动图4中的第二黑板41b可以取消对电容触控屏40的遮挡。其中,第二方向和第三方向相反。作为一个示例,第二方向和第三方向均与第一方向垂直。
图5是本申请实施例提供的在第二视角下目标遮挡物与电容触控屏40的位置关系的示意图。参见图5,第一黑板41a与电容触控屏40之间的距离为d。同理,第二黑板41b与电容触控屏40之间的距离也为d,图5中未示出。其中,为了实现对电容触控屏40遮挡状态的检测,d需要小于预设距离阈值。
需要说明的是,第一方向与目标遮挡物对电容触控屏的遮挡方向垂直。参见图4,目标遮挡物对电容触控屏的遮挡方向为第二方向或第三方向,即左右遮挡,则第一方向为电容阵列的列方向。如目标遮挡物对电容触控屏的遮挡方向为与第二方向垂直的方向,即上下遮挡,则第一方向为电容阵列的行方向,即电容单元为一行电容。
由于大面积导体悬空在电容触控屏上,会引起电容触控屏上大面积的集中区域内电容的容值发生变化,若电容触控屏上容值发生变化的电容分布比较分散,即使容值发生变化的电容的个数很多,也不可能是大面积的导体对电容触控屏进行了遮挡。因此若只根据电容触控屏上容值发生变化的电容的数量作为判断电容触控屏的遮挡状态的依据,则无法实现对电容触控屏被大面积的目标遮挡物遮挡的遮挡状态的检测。因此,为了实现对电容触控屏被大面积目标遮挡物遮挡的遮挡状态进行检测,则将电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目作为判断电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态的依据。
在一些实施例中,在步骤320中,对于电容阵列中的电容单元,可以基于电容单元中电容的电信号的数值和电容的基准值,确定电容的电信号变化参数,然后统计电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目;接着,在第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值的情况下,确定电容单元为满足第一预设条件的电容单元;再接着,统计电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。
在本申请的一些实施例中,可以按照上述方法统计出电容阵列中每个满足第一预设条件的电容单元。
在本申请的一些实施例中,对于电容阵列中的电容单元,可以基于电容单元中每个电容的电信号的数值和每个电容的基准值,确定每个电容的电信号变化参数。
作为一个示例,电信号变化参数可以为电信号变化率。对于每个电容,首先计算该电容的电信号的数值与该电容的电信号的基准值之间的差值,然后计算该差值与该基准值的比值,该比值则为该电容的电信号变化率。
作为另外一个示例,电信号变化参数可以为电信号变化量,对于每个电容,计算该电容的电信号的数值与该电容的电信号的基准值之间的差值,该差值即为该电容的电信号变化量。
在一些实施例中,第二预设条件为电信号变化参数不为0。
在另一些实施例中,为了提高对电容触控屏的遮挡状态判断的准确率,第二包括电信号变化参数大于第二预设阈值。也就是说,对于每个电容单元,可以统计该电容单元中电信号变化参数大于第二预设阈值的电容的数目。
在一些实施例中,在电信号变化参数为电信号变化率的情况下,第二预设阈值为预设电信号变化率阈值。作为一个示例,预设电信号变化率阈值为80%。
在另一些实施例中,在电信号变化参数为电信号变化量的情况下,第二预设阈值为预设电信号变化阈值。作为一个示例,预设电信号变化阈值等于预设电信号变化率阈值与电容的电信号的基准值的乘积。
在本申请的实施例中,若第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,即电容单元满足第一预设条件,则可以认为该电容单元被目标遮挡物遮挡。作为一个示例,若第二预设条件包括电信号变化参数大于第二预设阈值,则第一预设阈值可以为50%。
下面介绍步骤330的具体实现方式。
由于电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目和电容单元的总数目可以反映电容触控屏上容值发生变化的电容的分布是否集中,因此可以根据第一数目和电容单元的总数目作为确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态的依据。
在一些实施例中,步骤330包括:在第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,第三预设阈值基于电容单元的总数目确定;在第一数目小于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态。
作为一个示例,第三预设阈值为电容单元的总数目的10%。
在第一数目大于或等于第二预设阈值的情况下,则代表电容触控屏上具有大面积的集中区域内的电容的容值发生变化,则可以认为电容触控屏处于被大面积的目标遮挡物遮挡的状态。在第一数目小于第二预设阈值的情况下,则代表大面积的遮挡消失,意味着目标遮挡物移开或目标遮挡物未遮挡电容触控屏,则可以认为电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态。
在本申请的一些实施例中,为了提高对电容触控屏的控制效率,提高用户使用电容触控屏的便利性,在步骤320之后,本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法还包括步骤340。步骤340,基于遮挡状态,控制电容触控屏的预设功能和/或与电容触控屏连接的目标设备的开关状态。
作为一个示例,预设功能可以为电容触控屏的触控功能或屏幕显示功能等功能。
作为一个示例,与电容触控屏连接的目标设备可以是与电容触控屏连接的电子设备,例如手机、平板电脑、笔记本电脑或掌上电脑等设备。
在一些实施例中,步骤340包括:在遮挡状态为电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备关闭;在遮挡状态为电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备开启。
在一些应用场景下,参见图4,用户希望当拉上一部分黑板后,可以关闭电容触控屏的触控功能,以防止电容触控屏被误操作。则当用户沿第二方向移动第一黑板41a和/或沿第三方向移动第二黑板41b,即用户拉上黑板后,则可以确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,则可以自动控制电容触控屏的触控功能关闭,从而不需要用户在移动目标遮挡物之前手动去关闭电容触控屏的触控功能,只需要利用目标遮挡物遮挡电容触控屏即可。在此基础上,当用户沿第三方向移动第一黑板41a和/或沿第二方向移动第二黑板41b,即用户移开了黑板,则可以确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态,为了便于用户的操作,则可以直接控制电容触控屏的触控功能开启。
在另一些应用场景下,用户希望当拉上一部分黑板后,可以自动关闭与电容触控屏连接的目标设备,以节省资源。则当用户沿第二方向移动第一黑板41a和/或沿第三方向移动第二黑板41b,即用户拉上黑板后,则可以确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,则可以自动控制目标设备关机,从而不需要用户在移动目标遮挡物之前手动去关闭目标设备,只需要利用取消目标遮挡物对电容触控屏的遮挡即可。在此基础上,当用户沿第三方向移动第一黑板41a和/或沿第二方向移动第二黑板41b,即用户移开了黑板,则可以确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态,为了便于用户的操作,则可以直接控制目标设备开机,以便于用户可以直接使用目标设备,提高了用户使用目标设备的便利性。
在本申请的一些实施例中,为了提高对电容触控屏的控制效率,提高用户使用电容触控屏的便利性,在步骤320之后,本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法还包括:基于第一数目,调整电容触控屏的预设功能参数的取值。
作为一个示例,预设功能参数可以为电容触控屏的屏幕亮度、电容触控屏的屏幕显示颜色等参数。
作为一个示例,在第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,则可以降低电容触控屏的屏幕亮度,且屏幕亮度与第一数目负相关。也就是说,在第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,随着第一数目的增加,则可以逐渐自动降低电容触控屏的屏幕亮度,以节省资源,且提高用户使用电容触控屏的便利性。
在第一数目小于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态,则可以增大电容触控屏的屏幕亮度,以恢复电容触控屏的正常亮度,并且屏幕亮度与第一数目负相关。也就是说,若第一数目小于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,随着第一数目的减小,则可以逐渐自动增加电容触控屏的屏幕亮度,以自动恢复电容触控屏的正常亮度,以提高用户使用电容触控屏的便利性。
在另一些实施例中,也可以随着第一数目的变化,调节电容触控屏的屏幕显示颜色的深浅。
在本申请的实施例中,由于第一数目和电容单元的总数目可以体现在电容阵列中电信号的取值发生变化的电容的分布状况,而该分布状况可以体现目标遮挡物对电容触控屏的遮挡情况,因此根据第一数目和电容单元的总数目能够确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。并且,通过本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法还可以提高对电容触控屏的控制效率,提高用户使用电容触控屏的便利性。
图6是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测装置的结构示意图。如图6所示,电容触控屏遮挡状态的检测装置600包括:
获取模块610,用于获取电容阵列中电容的电信号的数值。
第一数目确定模块620,用于根据电容的电信号的数值,确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,第三数目为电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于电容的电信号的数值和电容的基准值确定;第二预设条件包括电信号变化参数不为0。
遮挡状态确定模块630,用于基于第一数目与电容单元的总数目,确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
在本申请的实施例中,在目标遮挡物遮挡电容触控屏时,会导致电容阵列中电容的电信号的数值与电容的基准值不同,即导致电容的电信号的取值发生变化,基于此,本申请通过利用电容阵列中电容的电信号的数值,可以确定电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目。由于电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与电容单元中电容的总数目的比值可以反映单个电容单元中电容被遮挡的情况,则电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目和电容单元的总数目可以体现在电容阵列中被遮挡的电容的整体分布状况,而该分布状况可以体现遮挡物对电容触控屏的遮挡情况,因此根据第一数目和电容单元的总数目能够确定电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
在本申请的一些实施例中,为了能够精确地检测电容触控屏的遮挡状态,第二预设条件包括电信号变化参数大于第二预设阈值。
在本申请的一些实施例中,第一方向为电容阵列的行方向或列方向。
在本申请的一些实施例中,遮挡状态确定模块630,包括:
第一遮挡状态确定单元,用于在第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态,第三预设阈值基于电容单元的总数目确定;
第二遮挡状态确定单元,用于在第一数目小于第三预设阈值的情况下,确定电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态。
在一些实施例中,为了实现对电容触控屏的遮挡状态的检测,目标遮挡物与电容触控屏之间的距离大于或等于零且小于预设距离阈值。
在本申请的一些实施例中,为了提高对电容控制屏的控制效率,电容触控屏遮挡状态的检测装置600还包括:
调整模块,用于基于第一数目,调整电容触控屏的预设功能参数的取值。
在本申请的一些实施例中,为了提高对电容控制屏的控制效率,电容触控屏遮挡状态的检测装置600还可以包括:
控制模块,用于基于遮挡状态,控制电容触控屏的预设功能和/或与电容触控屏连接的目标设备的开关状态。
在本申请的一些实施例中,控制模块用于:
在遮挡状态为电容触控屏处于被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备关闭;
在遮挡状态为电容触控屏处于未被目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制预设功能和/或目标设备开启。
根据本申请实施例的电容触控屏遮挡状态的检测装置的其他细节与以上结合图3至图5描述的根据本申请实施例的电容触控屏遮挡状态的检测方法类似,在此不再赘述。
结合图3至图6描述的根据本申请实施例的电容触控屏遮挡状态的检测方法和装置可以由电容触控屏遮挡状态的检测设备来实现。图7是本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测设备的结构示意图。
如图7所示,本实施例中的电容触控屏遮挡状态的检测设备700包括:处理器701、存储器702、通信接口703和总线710,其中,处理器701、存储器702、通信接口703通过总线710连接并完成相互间的通信。
具体地,上述处理器701可以包括中央处理器(CPU),或者特定集成电路(ASIC),或者可以被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
存储器702可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制,存储器702可包括HDD、软盘驱动器、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下,存储器702可包括可移除或不可移除(或固定)的介质。在合适的情况下,存储器702可在电容触控屏遮挡状态的检测设备700的内部或外部。在特定实施例中,存储器702是非易失性固态存储器。在特定实施例中,存储器702包括只读存储器(ROM)。在合适的情况下,该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、电可改写ROM(EAROM)或闪存或者两个或更多个以上这些的组合。
通信接口703,主要用于实现本申请实施例中各模块、装置、单元和/或设备之间的通信。
总线710包括硬件、软件或两者,将电容触控屏遮挡状态的检测设备700的部件彼此耦接在一起。举例来说而非限制,总线可包括加速图形端口(AGP)或其他图形总线、增强工业标准架构(EISA)总线、前端总线(FSB)、超传输(HT)互连、工业标准架构(ISA)总线、无限带宽互连、低引脚数(LPC)总线、存储器总线、微信道架构(MCA)总线、外围组件互连(PCI)总线、PCI-Express(PCI-X)总线、串行高级技术附件(SATA)总线、视频电子标准协会局部(VLB)总线或其他合适的总线或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下,总线710可包括一个或多个总线。尽管本申请实施例描述和示出了特定的总线,但本申请考虑任何合适的总线或互连。
也就是说,图7所示的电容触控屏遮挡状态的检测设备700可以被实现为包括:处理器701、存储器702、通信接口703和总线710。处理器701、存储器702和通信接口703通过总线710连接并完成相互间的通信。存储器702用于存储程序代码;处理器701通过读取存储器702中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序,以用于执行本申请任一实施例中的电容触控屏遮挡状态的检测方法,从而实现结合图3至图6描述的电容触控屏遮挡状态的检测方法和装置。
本申请实施例还提供一种计算机存储介质,该计算机存储介质上存储有计算机程序指令;该计算机程序指令被处理器执行时实现本申请实施例提供的电容触控屏遮挡状态的检测方法。
需要明确的是,本申请并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见,这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中,描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是,本申请的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤,本领域的技术人员可以在领会本申请的精神后,作出各种改变、修改和添加,或者改变步骤之间的顺序。
以上的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时,其可以例如是电子电路、专用集成电路(ASIC)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时,本申请的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中,或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RF)链路,等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。
以上,仅为本申请的具体实施方式,所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。应理解,本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电容触控屏遮挡状态的检测方法,所述电容触控屏包括电容阵列,其特征在于,所述方法包括:
获取所述电容阵列中电容的电信号的数值;
根据所述电容的电信号的数值,确定所述电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目;所述电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;所述第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,所述第三数目为所述电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于所述电容的电信号的数值和所述电容的基准值确定;所述第二预设条件包括电信号变化参数不为0;
基于所述第一数目与所述电容单元的总数目,确定所述电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二预设条件包括电信号变化参数大于第二预设阈值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一方向为所述电容阵列的行方向或列方向。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一数目与所述电容单元的总数目,确定所述电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态,包括:
在所述第一数目大于或等于第三预设阈值的情况下,确定所述电容触控屏处于被所述目标遮挡物遮挡的状态,所述第三预设阈值基于所述电容单元的总数目确定;
在所述第一数目小于所述第三预设阈值的情况下,确定所述电容触控屏处于未被所述目标遮挡物遮挡的状态。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标遮挡物与所述电容触控屏之间的距离大于或等于零且小于预设距离阈值。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电容的电信号的数值,确定所述电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目之后,所述方法还包括:
基于所述第一数目,调整所述电容触控屏的预设功能参数的取值。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一数目与所述电容单元的总数目,确定所述电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态之后,所述方法还包括:
基于所述遮挡状态,控制所述电容触控屏的预设功能和/或与所述电容触控屏连接的目标设备的开关状态。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述遮挡状态,控制所述电容触控屏的预设功能和/或与所述电容触控屏连接的目标设备的开关状态,包括:
在所述遮挡状态为所述电容触控屏处于被所述目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制所述预设功能和/或所述目标设备关闭;
在所述遮挡状态为所述电容触控屏处于未被所述目标遮挡物遮挡的状态的情况下,控制所述预设功能和/或所述目标设备开启。
9.一种电容触控屏遮挡状态的检测装置,所述电容触控屏包括电容阵列,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于获取所述电容阵列中电容的电信号的数值;
第一数目确定模块,用于根据所述电容的电信号的数值,确定所述电容阵列中满足第一预设条件的电容单元的第一数目;所述电容单元包括沿第一方向连续排列的多个电容;所述第一预设条件包括电容单元中电信号变化参数满足第二预设条件的电容的第二数目与第三数目的比值大于第一预设阈值,所述第三数目为所述电容单元中电容的总数目,电容的电信号变化参数基于所述电容的电信号的数值和所述电容的基准值确定;所述第二预设条件包括电信号变化参数不为0;
遮挡状态确定模块,用于基于所述第一数目与所述电容单元的总数目,确定所述电容触控屏被目标遮挡物遮挡的遮挡状态。
10.一种电容触控屏遮挡状态的检测设备,其特征在于,所述设备包括:处理器以及存储有计算机程序指令的存储器;
所述处理器执行所述计算机程序指令时实现如权利要求1-8任意一项所述的电容触控屏遮挡状态的检测方法。
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