CN111711425B - 一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备 - Google Patents
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 145
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 64
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 101000912503 Homo sapiens Tyrosine-protein kinase Fgr Proteins 0.000 description 5
- 102100026150 Tyrosine-protein kinase Fgr Human genes 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 102100027988 GTP-binding protein Rhes Human genes 0.000 description 4
- 101000578396 Homo sapiens GTP-binding protein Rhes Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 102100038083 Endosialin Human genes 0.000 description 2
- 101000884275 Homo sapiens Endosialin Proteins 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101100534229 Caenorhabditis elegans src-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F—AMPLIFIERS
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Abstract
本发明公开了一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备,包括:用于进行功率放大的功率放大器;用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路;用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路;用于稳定放大器增益的稳定电路;用于供电的第一电源和第二电源;所述功率放大器的基极/栅极与所述稳定电路及第一偏置电路连接,所述功率放大器的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路连接,所述功率放大器的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路与第一电源连接,所述第二耦合偏置电路与第二电源连接。本发明通过第一耦合偏置电路、第二耦合偏置电路和稳定电路结合提高了功率放大器的增益稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及微波传输领域,特别涉及一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备。
背景技术
微波无线输能技术的研究与开发和人类社会所面对的能源问题息息相关,它具有传输效率高、传输距离远的优点,与传统的使用高压电力设备传输电能的方式相比有着高方向性、高频段、带宽大等优势。
在设计微波无线传输时,射频功率放大器的指标是最为关键的,尤为体现在功率放大器的高增益、高平坦度和高效率之上。而耦合偏置电路的精准设计是保证功率放大器功能的重要因素,其有利于提高放大电路的稳定性、输出功率和效率。而现有的耦合偏置电路对功率放大器的增益稳定性提高还不足。
因而现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备,通过第一耦合偏置电路和第二耦合偏置电路在2.4-2.5GHZ频段时实现高阻抗并隔绝交流分量,并结合稳定电路提高了功率放大器增益和增益稳定性。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种基于功率放大器的耦合偏置电路,包括:用于进行功率放大的功率放大器;用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路;用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路;用于稳定放大器增益的稳定电路;用于供电的第一电源和第二电源;所述功率放大器的基极/栅极与所述稳定电路及第一偏置电路连接,所述功率放大器的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路连接,所述功率放大器的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路与第一电源的正极连接,所述第二耦合偏置电路与第二电源的正极连接。本实施例通过第一耦合偏置电路和第二耦合偏置电路在在2.4-2.5GHZ频段时实现高阻抗并扼制高频分量,并结合稳定电路提高了功率放大器增益和增益稳定性。
所述基于功率放大器的耦合偏置电路还包括若干条微带线,所述功率放大器与所述第一耦合偏置电路、第二耦合偏置电路及稳定电路之间通过所述微带线连接。本实施例通过微带线传输使得微波能够在电路中传输。
所述第一耦合偏置电路包括:
用于进行耦合的第一耦合电路;
用于遏制高频信号的第一扼流电路;
所述第一耦合电路通过所述微带线与所述第一电源的正极连接,所述第一耦合电路还通过所述第一扼流电路与所述稳定电路连接。本实施例通过第一耦合电路对供电电压进行耦合,致使阻抗在2.4-2.5GHZ频段时最高可达1.83e4;通过所述扼流电路遏制高频信号对电路性能的作用,避免功率放大器Q1受高频信号的影响。
所述第二耦合偏置电路包括:
用于进行耦合的第二耦合电路;
用于遏制高频信号的第二扼流电路;
所述第二耦合电路通过所述微带线与所述第二电源的正极连接,所述第二耦合电路还通过所述第二扼流电路与所述功率放大器的集电极/漏极连接。本实施例通过第一耦合电路对供电电压进行耦合,致使阻抗在2.4-2.5GHZ频段时最高可达1.83e4;通过所述扼流电路遏制高频信号对电路性能的作用,避免功率放大器Q1受高频信号的影响。
所述第一耦合电路与所述第二耦合电路的电路结构一致,所述第一扼流电路与所述第二扼流电路的电路结构一致。
所述第一耦合电路包括第一电容、第二电容,所述第一电容的一端通过所述微带线与所述第二电容的一端、第一电源的正极及所述第一扼流电路连接,所述第一电容的另一端和所述第二电容的另一端均接地。本实施例通过第一电容和第二电容使得在2.4-2.5GHz频段时,功率放大器Q1的输入阻抗能够达到1.8264e4(约等于1.83e4),使得在放大器的栅极/基极与第一扼流电路连接处呈现的是高阻抗。
所述第一扼流电路包括第一弧形微带线、第四微带线和第五微带线,所述第一弧形微带线的一端通过所述第四微带线与所述第一电容的一端、所述第二电容的一端及第一电源的正极连接,所述第一弧形微带线的另一端通过所述第四微带线与所述稳定电路及所述功率放大器的基极/栅极连接。本实施例通过所述第一弧形微带线、第四微带线和第五微带线组成第一扼流电路,能够遏制高频信号,避免高频信号对功率放大器Q1进行干扰。
所述稳定电路包括第一电阻和第三电容,所述第一电阻的一端通过所述微带线与所述第一弧形微带线的一端、所述第三电容的一端及所述功率放大器的基极/栅极连接,所述第一电阻的另一端与所述第三电容的另一端连接并接地。本实施例中通过稳定电路使得无论在频率大还是频率小的情况下,都能够使功率放大器的输入信号保持稳定。
所述功率放大器为MOS管或者三极管。
还包括第一预留接口和第二预留接口,所述第一电阻的另一端和所述第三电容的另一端均与所述预留接口的正极连接,所述预留接口的负极接地,所述第二预留接口的正极与所述第二扼流电路及所述功率放大器的集电极/漏极连接,所述第二预留接口的负极接地。本实施例通过所述第一预留接口和第二预留接口以结合其他器件和设备实现预定的功能。
一种微波传输设备,包括设备本体,所述设备本体中设置有电路板,所述电路板上设置有如上文所述的基于功率放大器的耦合偏置电路。
相较于现有技术,本发明提供的基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备,其特征在于,包括;用于进行功率放大的功率放大器;用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路;用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路;用于稳定放大器增益的稳定电路;用于供电的第一电源和第二电源;所述功率放大器的基极/栅极与所述稳定电路及第一偏置电路连接,所述功率放大器的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路连接,所述功率放大器的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路与第一电源连接,所述第二耦合偏置电路与第二电源连接。本发明通过第一耦合偏置电路和第二耦合偏置电路在2.4-2.5GHZ频段时实现高阻抗并阻隔高频交流信号,并结合稳定电路提高了功率放大器增益和增益稳定性。
附图说明
图1为本发明提供的基于功率放大器的耦合偏置电路的结构功能框图;
图2为本发明提供的基于功率放大器的耦合偏置电路的电路图;
图3为本发明通过的基于功率放大器的耦合偏置电路的稳定系数仿真实验图;
图4为本发明通过的基于功率放大器的耦合偏置电路的增益仿真实验图。
具体实施方式
鉴于现有技术中的问题,本发明中提供一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备,通过第一耦合偏置电路和第二耦合偏置电路在在2.4-2.5GHZ频段时实现高阻抗并隔绝交流分量,并结合稳定电路提高了功率放大器增益和增益稳定性。
本发明的具体实施方式是为了便于对本发明的技术构思、所解决的技术问题、构成技术方案的技术特征和带来的技术效果做更为详细的说明。需要说明的是,对于这些实施方式的解释说明并不构成对本发明的保护范围的限定。此外,下文所述的实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间不构成冲突就可以相互组合。
"微波"通常是指波长在1毫米至1米之间的电磁波,对应的频率范围为:300MHz-300GHz,它介于无线电波和红外线之间,又可分为分米波、厘米波、毫米波、亚毫米波。微波与低频电磁波一样,具有电磁波的一切特性,但由于微波的波长较短、频率高因此又具有许多独特的性质,主要表现在:
1、描述方法:由于电磁波的波长极短,与使用的元件和设备的尺寸可以相比拟,在低频段由于能量集中其传播性质用“路”的概念来描述,使用的元件称为集中参数元件(电阻、电容、电感等);而微波的传播应利用“场”的概念来处理,使用的元件为分布参数元件(波导管、谐振腔等)。因此低频电路的电流、电压、电阻等不再适用,而是采用等效方法处理;微波测量则以功率、波长、阻抗取代了电流、电压、电阻等。
2、产生方法:微波的周期与电子管内电子的渡越时间相近,因此微波的产生和放大不能再使用普通的电子器件,取而代之的是结构和原理完全不同的微电子元件--速调管、磁控管、行波管及微波固态器件。
3、光似性:由于微波介于无线电波和红外线之间,因此不仅具有无线电波的性质同时具有光波的性质:以光速直线传播、反射、折射、干涉、衍射等。
4、能量强:由于微波的频率高,故可用频带宽、信息容量大,且能穿透大气层因此可广泛用于卫星通讯、卫星广播电视、宇宙通讯和射天天文学的研究。由于微波的这些特性,使微波在通信、雷达、导航、遥感、天文、气象、工业、农业、医疗、以及医学等方面得到广泛应用。
微波一般通过微波集成电路产生和传输进行传输,微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段,由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上,具有某种功能的电路。
微波集成电路中的微波传输线一般为微带线。微波传输线是用来传输微波信号和微波能量的传输线。微波传输线的种类很多按其传输电磁波的性质可分为三类:①TEM模传输线(包括准TEM模传输线),如平行双线、同轴线、带状线及微带线等双导线传输线;②TE模和TM模传输线,如矩形波导、圆波导、椭圆波导、脊波导等金属波导传输线;③表面波导传输线,其传输模式一般为混合模,如介质波导、介质镜像等。
微带线是微波传输线的一种,60年代初期,由于微波低损耗介质材料和微波半导体器件的发展,形成了微波集成电路,使微带线得到了广泛的应用,相继出现了各种类型的微带线,一般用薄膜工艺制造。介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料,同时导体也具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。
微波集成电路可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术,将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。
在微波电路无线传输设计时,射频功率放大器的指标是最为关键的,尤为体现在功率放大器的高增益、高平坦度和高效率之上。一般用过耦合偏置电路提高功率放大器的增益及增益平坦度。但是现有技术中的偏置电路所达到的增益效果和增益平坦度较低,无法满足更高要求的使用场景。
鉴于现有技术存在的上述问题,请参阅图1,本发明提供一种基于功率放大器Q1的耦合偏置电路,包括:用于进行功率放大的功率放大器Q1;用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路100;用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路200;用于稳定放大器增益的稳定电路300;用于供电的第一电源SRC1和第二电源SRC2;所述功率放大器Q1的基极/栅极与所述稳定电路300及第一偏置电路连接,所述功率放大器Q1的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路200连接,所述功率放大器Q1的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路100与第一电源SRC1连接,所述第二耦合偏置电路200与第二电源SRC2连接。
具体实施时,本实施例中,所述基于功率放大器Q1的耦合偏置电路还包括若干条微带线,所述功率放大器Q1与所述第一耦合偏置电路100、第二耦合偏置电路200及稳定电路300电路之间通过所述微带线连接。所述第一电源SRC1提供电压,通过微带线传输至第一耦合偏置电路100,由所述第一耦合偏置电路100进行处理后,传至稳定电路300和功率放大器Q1的栅极/基极(当所述功率放大器Q1为MOS管时为栅极,当所述功率放大器Q1为三极管时为基极);所述第二电源SRC2提供电压,通过微带线传输至第二耦合偏置电路200,由所述第二耦合偏置电路200进行处理后,传至功率放大器Q1的集电极/漏极(当所述功率放大器Q1为MOS管时为漏极,当所述功率放大器Q1为三极管时为集电极),功率放大器Q1得电导通。所述第一耦合偏置电路100和所述第二耦合偏置电路200使得功率放大器Q1的阻抗在2.4-2.5GHz频段时达到1.83E4(即1.83乘以10的4次方),并且结合所述稳定电路300使得所述功率放大器Q1的增益达到20.003-20.378dB之间,且增益差在0.3以内,使得增益稳定性提高。
具体的,本实施例中,请参阅图2,若干条所述微带线分别为:第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5、第六微带线TL6、第七微带线TL7、第八微带线TL8、第九微带线TL9、第十微带线TL10、第十一微带线TL11、第十二微带线TL12和第十三微带线TL13。
具体的,请继续参阅图2,所述第一耦合偏置电路100包括:用于进行耦合的第一耦合电路110;用于遏制高频信号的第一扼流电路120;所述第一耦合电路110通过所述第一微带线TL1、第二微带线TL2和第三微带线TL3分别与所述第一扼流电路120及第一电源SRC1的正极连接(如图2所示),所述第一扼流电路120还与所述稳定电路300连接。
本实施例中,由所述第一电源SRC1提供供电电压,所述耦合电路与供电电压并联再与扼流电路串联共同形成耦合偏置电路。所述耦合电路对供电电压进行耦合,致使阻抗在2.4-2.5GHZ频段时最高可达1.83e4,通过所述扼流电路遏制高频信号对电路性能的作用,避免功率放大器Q1受高频信号的影响。
具体的,请继续参阅图2,所述第二耦合偏置电路200包括:用于进行耦合的第二耦合电路210;用于遏制高频信号的第二扼流电路220;所述第二耦合电路210通过所述第六微带线TL6、第七微带线TL7和第八微带线TL8分别与所述第二扼流电路220及第二电源SRC2的正极连接(如图2所示),所述第二扼流电路220还通过所述第十一微带线TL11和第十二微带线TL12与所述功率放大器Q1的集电极/漏极连接。所述第二耦合偏置电路200与所述第一耦合偏置电路100的作用相同,均能够提供高阻抗并遏制高频信号的作用,同时为功率放大器Q1供电。
进一步的,所述第一耦合电路110与所述第二耦合电路210的电路结构一致,所述第一扼流电路120与所述第二扼流电路220的电路结构一致,能够实现相同的功能。
具体的,请继续参阅图2,所述第一耦合电路110包括第一电容C1、第二电容C2,所述第一电容C1的一端通过所述第一微带线TL1与所述第二电容C2的一端连接、通过所述第二微带线TL2和第三微带线TL3与所述第一电源SRC1的正极连接,所述第一电容C1的一端还通过所述第二微带线TL2与所述第一扼流电路120连接,所述第一电容C1的另一端和所述第二电容C2的另一端均接地。
本实施例中,所述第一电容C1和所述第二电容C2均为耦合电容,所述第一电容C1和所述第二电容C2由两个不同的皮法级电容组成(本实施例中设置为1.3pF和9.1pF),以使得在2.4-2.5GHz频段时,功率放大器Q1的输入阻抗能够达到1.8264e4(约等于1.83e4),使得在放大器的栅极/基极与第一扼流电路连接处呈现的是高阻抗。
具体的,请继续参阅图2,所述第一扼流电路120包括第一弧形微带线TL14、第四微带线TL4和第五微带线TL5。所述第一弧形微带线TL14的一端依次通过所述第四微带线TL4和所述第二微带线TL2与所述第二电容C2的一端连接,通过所述第四微带线TL4、所述第二微带线TL2和所述第一微带线TL1与所述第一电容C1的一端连接,通过所述第四微带线TL4、所述第二微带线TL2和所述第三微带线TL3与及第一电源SRC1的正极连接;所述第一弧形微带线TL14的另一端通过所述第五微带线TL5与所述稳定电路300及所述功率放大器Q1的基极/栅极连接。
本实施例中,在电路设计中,所述第二电容C2的衔接点(即第二电容C2的一端)到功率放大器Q1的理论长度要求是1/4微波波长。其中,为了焊接元器件方便,设置了一小段微带线(即第四微带线TL4),以及一段较长的微带线(即第五微带线TL5),所述第四微带线TL4、所述第五微带线TL5和所述第一弧形微带线TL14的长度之和等于1/4微波波长。所述第一弧形微带线TL14能够遏制高频信号,避免高频信号对功率放大器Q1进行干扰。
具体的,请继续参阅图2,所述稳定电路300包括第一电阻R1和第三电容C3,所述第一电阻R1的一端通过所述第五微带线TL5与所述第一弧形微带线TL14的一端、所述第三电容C3的一端及所述功率放大器Q1的基极/栅极连接,所述第一电阻R1的另一端与所述第三电容C3的另一端连接并接地。
本实施例中,在工作频率较低时,由于第三电容C3会产生高阻抗,而此时电阻阻抗小,信号可以最大效果的传入功率放大器Q1,反之,在高频传输时,电容阻抗小,可通过电容使信号最大效果的传入功率放大器Q1。因此,当功率放大器Q1作用于2.4-2.5GHZ频段时,所述第一耦合偏置电路100使得输入阻抗达到最大值1.83e4,结合稳定电路300能够实现最大效果的信号输入且可使得功率放大器Q1作用于2.4-2.5GHZ频段时达到大于1且趋于不变的稳定系数。综上所述所述第一耦合偏置电路100与稳定电路300结合能够使功率放大器Q1栅极/基极的输入信号的输入效果更好。
进一步的,请继续参阅图2,所述第二耦合电路210包括第四电容C4和第五电容C5。所述第四电容C4的一端通过所述第六微带线TL6与所述第五电容C5的一端连接,通过所述第六微带线TL6和第七微带线TL7与所述第二扼流电路220连接,通过所述第六微带线TL6、第七微带线TL7和第八微带线TL8与所述第二电源SRC2的正极连接。所述第四电容C4的另一端和所述第五电容C5的另一端均接地,所述第二扼流电路220还通过所述第十一微带线TL11和所述第十二微带线TL12与所述功率放大器Q1的集电极/漏极连接。由所述第四电容C4和所述第五电容C5在功率放大器Q1作用于2.4-2.5GHZ频段时,将功率放大器Q1集电极/漏极的输入阻抗达到最大值1.83e4。
更进一步的,请继续参阅图2,所述第二扼流电路220包括第二弧形微带线TL15、第九微带线TL9和第十为微带线TL10。所述第二弧形微带线TL15的一端通过所述第九微带线TL9、第七微带线TL7和第八微带线TL8与所述第二电源SRC2的正极连接,通过所述第九微带线TL9、第七微带线TL7与第五电容C5的一端连接,通过所述第九微带线TL9、第七微带线TL7和第六微带线TL6与所述第四电容C4的一端连接,所述第二弧形微带线TL15的另一端通过所述第十微带线TL10、所述第十一微带线TL11和所述第十二微带线TL12与所述功率放大器Q1的集电极/漏极连接。
进一步的,请继续参阅图2,所述基于功率放大器Q1的耦合偏置电路还包括第一预留接口TEM1和第二预留接口TEM2,所述第一电阻R1的另一端和所述第三电容C3的另一端均与所述预留接口的正极连接,所述预留接口的负极接地;所述第二预留接口TEM2的正极与通过所述第十三微带线TL13、第十一微带线TL11和第十微带线TL10与所述第二弧形微带线TL15的另一端连接,通过所述第十三微带线TL13、第十一微带线TL11和所述第十二微带线TL12与所述功率放大器Q1的集电极/漏极连接,所述第二预留接口TEM2的负极接地。
本实施例中,所述第一预留接口TEM1和所述第二预留接口TEM2用于连接其他的器件和设备,以结合其他器件和设备实现预定的功能,本实施例中并不对其进行拓展。
下面以一组实验数据进行说明,以使本发明基于功率放大器的耦合偏置电路的功能和效果更佳清楚:
请参阅图3和图4,如图所示,参数StabFact1是指稳定系数,参数MaxGai n是指增益,参数freq是指频段。当电路工作时,对功率放大器的参数进行检测,稳定系数对应的m3和m6两点,表示在2.4-2.5GHz频段之间,功率放大器稳定系数都在1.174—1.141之间;增益所对应的m1和m2两点,表示在2.4-2.5GHz频段之间,功率放大器最大增益在20.003—20.378dB之间,增益变化范围在0.3dB之内,增益稳定性大大提高。由上述可知,本发明的方案能够使得功率放大器工作在2.4-2.5GHz频段之间时,其增益和增益稳定性均得到提高。
基于上述的基于功率放大器的耦合偏置电路,本发明还提供一种微波传输设备,包括设备本体,所述设备本体中设置有电路板,所述电路板上设置有如上文所述的基于功率放大器的耦合偏置电路。由于所述基于功率放大器的耦合偏置电路已在上文进行了详细描述,在此不再详述。
综上所述,本发明提供的基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备,其特征在于,包括;用于进行功率放大的功率放大器;用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路;用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路;用于稳定放大器增益的稳定电路;用于供电的第一电源和第二电源;所述功率放大器的基极/栅极与所述稳定电路及第一偏置电路连接,所述功率放大器的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路连接,所述功率放大器的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路与第一电源连接,所述第二耦合偏置电路与第二电源连接。本发明通过第一耦合偏置电路和第二耦合偏置电路在在2.4-2.5GHZ频段时实现高阻抗并隔绝交流分量,并结合稳定电路提高了功率放大器增益和增益稳定性。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,包括:
用于进行功率放大的功率放大器;
用于进行耦合并提供偏置电压的第一耦合偏置电路
用于进行耦合并提供偏置电压的第二耦合偏置电路;
用于稳定放大器增益的稳定电路;
用于供电的第一电源和第二电源;
所述功率放大器的基极/栅极与所述稳定电路及第一偏置电路连接,所述功率放大器的集电极/漏极与所述第二耦合偏置电路连接,所述功率放大器的发射极/源极接地,所述第一耦合偏置电路与第一电源的正极连接,所述第二耦合偏置电路与第二电源的正极连接;
其中,所述基于功率放大器的耦合偏置电路还包括:若干条微带线,所述功率放大器与所述第一耦合偏置电路、第二耦合偏置电路及稳定电路之间通过所述微带线连接;
所述第一耦合偏置电路包括:
用于进行耦合的第一耦合电路;
用于遏制高频信号的第一扼流电路;
所述第一扼流电路包括第一弧形微带线、第四微带线和第五微带线;
所述第四微带线,所述第五微带线和所述第一弧形微带线的长度之和等于1/4微波波长;
所述第一耦合电路包括第一电容、第二电容,所述第一电容的一端通过所述微带线与所述第二电容的一端、第一电源的正极及所述第一扼流电路连接,所述第一电容的另一端和所述第二电容的另一端均接地;
所述第一电容和所述第二电容均为耦合电容,所述第一电容和所述第二电容为两个不同的皮法级电容;
所述稳定电路包括第一电阻和第三电容,所述第一电阻的一端通过所述第五微带线与所述第一弧形微带线的另一端、所述第三电容的一端及所述功率放大器的基极/栅极连接,所述第一电阻的另一端与所述第三电容的另一端连接并接地。
2.根据权利要求1所述的基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,
所述第一耦合电路通过所述微带线与所述第一电源的正极连接,所述第一耦合电路还通过所述第一扼流电路与所述稳定电路连接。
3.根据权利要求2所述的基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,所述第二耦合偏置电路包括:
用于进行耦合的第二耦合电路;
用于遏制高频信号的第二扼流电路;
所述第二耦合电路通过所述微带线与所述第二电源的正极连接,所述第二耦合电路还通过所述第二扼流电路与所述功率放大器的集电极/漏极连接。
4.根据权利要求3所述的基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,所述第一耦合电路与所述第二耦合电路的电路结构一致,所述第一扼流电路与所述第二扼流电路的电路结构一致。
5.根据权利要求1所述的基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,所述第一弧形微带线的一端通过所述第四微带线与所述第一电容的一端、所述第二电容的一端及第一电源的正极连接,所述第一弧形微带线的另一端通过所述第五微带线与所述稳定电路及所述功率放大器的基极/栅极连接。
6.根据权利要求3所述的基于功率放大器的耦合偏置电路,其特征在于,还包括第一预留接口和第二预留接口,所述第一电阻的另一端和所述第三电容的另一端均与所述预留接口的正极连接,所述预留接口的负极接地,所述第二预留接口的正极与所述第二扼流电路及所述功率放大器的集电极/漏极连接,所述第二预留接口的负极接地。
7.一种微波传输设备,其特征在于,包括设备本体,所述设备本体中设置有电路板,所述电路板上设置有如权利要求1至6任意一项所述的基于功率放大器的耦合偏置电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010597852.9A CN111711425B (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111711425A CN111711425A (zh) | 2020-09-25 |
CN111711425B true CN111711425B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=72544173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010597852.9A Active CN111711425B (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111711425B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111711425A (zh) | 2020-09-25 |
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PB01 | Publication | ||
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