CN111709120A - α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。

Description

α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质

技术领域

本发明涉及电子器件可靠性技术领域，特别是涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质。

背景技术

作为核反应原料的235U(铀)、238U以及它们的子体同位素如232Th(钍)是比较常见的放射性元素。由于地球上天然存在着大量的235U(0.72％)、238U(99.2％)和232Th(100％)，使得这些元素极易出现在半导体器件的各种材料中，如模塑料、焊球、填充料等。同时，半导体器件的焊点中总是存在着极微量的210Po(钋)。这些重放射性同位素通常会发生α衰变，持续不断地释放出能量大约为4MeV-9MeV的α粒子。当带有能量的α粒子入射至半导体器件的有源区时，沿其径迹将产生高密度的电子-空穴对，电子-空穴对在器件电场的作用下发生分离后被节点收集，在电路中产生一个干扰电流信号，进而引起半导体器件发生数据丢失、功能中断等恶劣影响。α粒子对电路系统的影响可能是致命的，比如α粒子在CPU指令缓存中引起软错误，导致CPU无法执行预期的功能。

由于α粒子辐射存在于所有的半导体器件中，并且即使花费巨大的代价对所用材料进行放射性杂质提纯，目前国际上也仅能做到超低发射率等级(即0.001alpha/cm2/hr)，仍然无法避免α粒子引起的软错误。而且，随着半导体器件的发展，其特征尺寸越来越小，集成度越来越高，导致其抗α粒子辐射的能力迅速下降，源于工作电压下降导致的临界电荷减小，因此急需建立半导体器件α粒子软错误率试验评价方法和行业指导规范。

根据JESD89A标准，开展半导体器件α粒子软错误率试验最直观的方法是：使用人工α粒子放射源开展辐照试验，获得软错误截面，然后结合器件自身的α粒子发射率计算获得软错误率。而开展人工放射源辐照试验时，需对被测器件进行开封且放射源尽量靠近器件，即便如此，人工放射源与器件之间的空间几何效应、空气层的屏蔽效应仍可能导致到达器件表面的α粒子有效通量产生一定比例的减小，最高可达50％以上，进而导致试验存在较大误差。

发明内容

基于此，有必要针对在开展人工放射源辐照试验时，因人工放射源与器件之间的空间几何效应、空气层的屏蔽效应导致到达器件表面的α粒子有效通量产生一定比例的减小，进而导致试验存在较大误差的问题，提供一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质。

一种α粒子有效通量的分析方法，包括：

根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；

进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；

根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；

根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。

在其中一个实施例中，仿真试验为蒙特卡洛仿真试验。

在其中一个实施例中，根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子，包括：

μ＝(N_eff/A)/F

其中，μ为有效因子，N_eff为有效α粒子数量，F为放射源发射的单位面积的α粒子数量，A为半导体器件表面的面积。

在其中一个实施例中，根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：

F_eff＝F₀×μ

其中，F_eff为到达半导体器件表面的α粒子有效通量，μ为有效因子，F₀为放射源的α粒子发射率。

在其中一个实施例中，在进行仿真试验之前，还包括：

获取放射源辐照试验平台所处的试验环境；

如果试验环境为真空环境，则直接进行仿真试验；

如果试验环境为非真空环境，则先获取放射源发射的α粒子能谱，根据α粒子能谱对放射源的能量进行调整，再进行仿真试验。

在其中一个实施例中，获取放射源发射的α粒子能谱，包括：

通过离子能谱探测器获取放射源发射的α粒子能谱。

在其中一个实施例中，当试验环境为真空环境时，在进行仿真试验之前还包括：

判断放射源与半导体器件之间的间距是否小于预设距离，和判断放射源表面与半导体器件表面的面积比是否大于预设比例；

如果间距小于预设距离且面积比大于预设比例，则根据放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量；

如果间距大于等于预设距离或者面积比小于等于预设比例，则进行仿真试验。

在其中一个实施例中，根据放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：到达半导体器件表面的α粒子有效通量等于放射源的α粒子发射率。

一种α粒子有效通量的分析装置，包括：

仿真模型建立模块，用于根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；

仿真执行模块，用于进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；

仿真分析模块，用于根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子，并根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。

一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

上述α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，通过根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，并进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量，以及根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子，并根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应、气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高试验的准确度。

附图说明

图1为一个实施例中α粒子有效通量的分析方法的流程图；

图2为一个实施例中放射源辐照试验平台的结构示意图；

图3为一个实施例中分析仿真模型的示意图；

图4为另一个实施例中α粒子有效通量的分析方法的流程图；

图5为一个实施例中α粒子有效通量的分析装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

需要说明的是，单粒子效应(Single Event Effects，SEE)是指具有一定能量的单个粒子(包括重离子、质子、中子等)在半导体器件中沉积能量，产生的电子-空穴对被收集后产生的效应，包括单粒子翻转、多位翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子栅穿、单粒子瞬态脉冲等。软错误是指单粒子翻转、单粒子瞬态脉冲、多位翻转等不会对器件造成硬损伤的效应。注量是指单位面积内的粒子数。通量是指单位面积、单位时间内的粒子数。

图1为一个实施例中α粒子有效通量的分析方法的流程图，参考图1所示，α粒子有效通量的分析方法包括：

步骤S102，根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方。

在一个实施例中，参考图2所示，放射源辐照试验平台可包括放射源、半导体器件、测试板、程控电源和计算机，其中放射源(如人工放射源镅Am-241)放置在半导体器件(如开封的被测芯片)的上方，测试板位于半导体器件的下方，用于给半导体器件供电、监测半导体器件的工作状态以及获取试验过程中的效应数据等，并通过通信协议(如RS232协议)传输至计算机(如PC机)。

进一步地，根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型可包括：获取试验平台中放射源的尺寸、半导体器件的尺寸、放射源与半导体器件之间的间距以及试验所处环境的气体密度(如空气密度)等关键参数，然后根据关键参数和试验平台的实际布局建立分析仿真模型，所建立的分析仿真模型如图3所示。

步骤S104，进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量。

具体地，参考图3所示，在分析仿真模型建立完成后，开始进行仿真试验，例如进行蒙特卡洛仿真试验，此时α粒子从放射源表面沿2π方向各向同性出射，经一段距离(即，放射源辐照试验平台中放射源与半导体器件之间的间距)后到达半导体器件表面，记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量。

步骤S106，根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子。

也就是说，有效因子是根据放射源实际发射的α粒子数量以及半导体器件表面实际所接收到的α粒子数量(即有效α粒子数量)计算获得，由于半导体器件表面实际所接收到的α粒子数量不包括因放射源与半导体器件之间的空间几何效应以及气体层的屏蔽效应(若试验在非真空中进行)而损失的α粒子数量，因而所获得的有效因子能够真实反映空间几何效应以及气体层的屏蔽效应对α粒子有效通量的影响，因而可以保证α粒子有效通量的准确度。

在一个实施例中，根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子，包括：

μ＝(N_eff/A)/F (1)

其中，μ为有效因子，N_eff为有效α粒子数量，F为放射源发射的单位面积的α粒子数量，单位为/cm²，A为半导体器件表面的面积。

步骤S108，根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。

具体地，在获得有效因子后，根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。在一个实施例中，根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：

F_eff＝F₀×μ (2)

其中，F_eff为到达半导体器件表面的α粒子有效通量，单位为/(cm²·hr)，μ为有效因子，F₀为放射源的α粒子发射率，单位为/(cm²·hr)。

本实施例中，由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应、气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高试验的准确度。

在一个实施例中，参考图4所示，在进行仿真试验之前，还包括：

步骤S402，获取放射源辐照试验平台所处的试验环境，包括真空环境、非真空(如空气等)环境。

步骤S404，如果试验环境为真空环境，则直接进行仿真试验。

步骤S406，如果试验环境为非真空环境，则先获取放射源发射的α粒子能谱，根据α粒子能谱对放射源的能量进行调整，再进行仿真试验。

也就是说，如果放射源辐照试验平台处于真空环境，则不考虑气体层的屏蔽效应，此时可直接开展仿真试验，例如开展蒙特卡洛仿真试验，以获得到达半导体器件表面的有效α粒子数量，根据有效α粒子数量计算获得有效因子，该有效因子仅包括放射源辐照试验中的空间几何因子，然后根据有效因子计算获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由此，通过分析计算放射源辐照试验中的空间几何因子，即有效因子，获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高试验的准确度。

而如果放射源辐照试验平台处于非真空环境，如空气，则需要同时考虑空间几何效应和气体层的屏蔽效应，此时需要先获取放射源发射的α粒子能谱，根据α粒子能谱对放射源的能量进行调整，例如，将放射源的能量设定为α粒子能谱，然后根据调整后的能量开展仿真试验，例如开展蒙特卡洛仿真试验，以获得到达半导体器件表面的有效α粒子数量，根据有效α粒子数量计算获得有效因子，该有效因子包括放射源辐照试验中的空间几何因子和气体屏蔽因子，最后根据有效因子计算获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由此，通过根据放射源发射的α粒子能谱对放射源的能量进行调整，根据调整后的能量进行仿真实验，使得所获得的有效因子不仅包括了空间几何因子，还包括了气体屏蔽因子，即同时考虑了空间几何效应和气体层的屏蔽效应，保证了所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高试验的准确度。

在一个实施例中，获取放射源发射的α粒子能谱包括：通过离子能谱探测器获取放射源发射的α粒子能谱。当然，也可以通过其它方式获得放射源发射的α粒子能谱，具体这里不做限制。

本实施例中，在放射源辐照试验平台处于真空环境时，通过分析计算放射源辐照试验中的空间几何因子得到到达半导体器件表面的α粒子有效通量，并在放射源辐照试验平台处于非真空环境时，通过分析计算放射源辐照试验中的空间几何因子和气体屏蔽因子得到到达半导体器件表面的α粒子有效通量，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高了试验的准确度。

在一个实施例中，当试验环境为真空环境时，在进行仿真试验之前还包括：判断放射源与半导体器件之间的间距是否小于预设距离，和判断放射源表面与半导体器件表面的面积比是否大于预设比例；如果间距小于预设距离且面积比大于预设比例，则根据放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量；如果间距大于等于预设距离或者面积比小于等于预设比例，则进行仿真试验。其中，预设距离为一个很小的值，如1mm，预设比例为一个很大的值，具体可根据软错误率试验的精度来确定，这里不做限制。

具体来说，当放射源辐照试验平台处于真空环境时，如果放射源与半导体器件之间的间距小于预设距离(如1mm)，并且放射源表面与半导体器件表面的面积比大于预设比例(如10)，则可以忽略放射源与半导体器件之间的空间几何效应，此时可直接根据放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量，例如，到达半导体器件表面的α粒子有效通量等于放射源的α粒子发射率。也就是说，当放射源辐照试验平台处于真空环境、且放射源与半导体器件之间的间距很小、且放射源表面的面积远大于半导体器件表面的面积，则可认为到达半导体器件表面的α粒子有效通量即为放射源的α粒子发射率。

而当放射源辐照试验平台处于真空环境，但其它两者任意一项不满足上述条件时，需要开展仿真试验，以获得到达半导体器件表面的有效α粒子数量，然后根据有效α粒子数量经过一系列计算获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量。

本实施例中，在放射源辐照试验平台处于真空环境时，通过根据放射源与半导体器件之间的间距以及放射源表面与半导体器件表面的面积比来选择相应的α粒子有效通量的分析方法，不仅可以保证获得的α粒子有效通量的准确度，而且可以减少一些特殊情况下的仿真分析。

进一步地，为使本领域技术人员能够更清楚的了解本申请，下面结合一个具体示例来对本申请进行描述。

具体来说，首先根据图2所示放射源辐照试验平台的关键参数以及平台结构在仿真软件中建立分析仿真模型，如图3所示。在分析仿真模型建立完成后，开展仿真分析，仿真分析主要包括以下几种情况：

(1)当放射源辐照试验平台处于真空环境、且放射源与半导体器件之间的间距小于1mm、且放射源表面的面积远大于半导体器件表面的面积，则可认为到达半导体器件表面的α粒子有效通量等于放射源的α粒子发射率，即F_eff＝F₀；

(2)在非(1)的情况下：

如果放射源辐照试验平台处于真空环境，则只需要考虑空间几何效应，不需要考虑气体层的屏蔽效应，此时直接开展蒙特卡洛仿真试验，α粒子从放射源表面沿2π方向各向同性出射，部分α粒子穿过一定厚度的真空层到达半导体器件表面，记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量，并根据有效α粒子数量计算获得有效因子，即μ＝(N_eff/A)/F，然后根据有效因子计算获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量，即F_eff＝F₀×μ。

如果放射源辐照试验平台处于非真空环境，如空气，则需要同时考虑空间几何效应和气体层的屏蔽效应，此时先对放射源发射的表面α粒子能谱进行测量或计算，并将放射源的能量设定为表面α粒子能谱，然后开展蒙特卡洛仿真试验，α粒子从放射源表面沿2π方向各向同性出射，部分α粒子穿过一定厚度的非真空层，如空气层，到达半导体器件表面，记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量，并计算获得有效因子，即μ＝(N_eff/A)/F，然后根据有效因子计算获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量，即F_eff＝F₀×μ。另外，对于该情况，在进行后续计算α粒子的软错误截面时，还可根据到达半导体器件表面的α粒子能谱和初始能谱进行比对，以提高软错误截面计算的准确度。

本实施例中，通过分析计算放射源辐照试验中空间几何因子和气体屏蔽因子(若试验在非真空中进行)，即有效因子，获得到达半导体器件表面的α粒子有效通量，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差，提高试验的准确度。

综上所述，本申请的α粒子有效通量的分析方法，可高效地根据试验实际布局分析得到到达半导体器件表面的α粒子有效通量，为计算软错误截面提供关键基础数据，有效提高了测试的准确度，且方法简便、易实现，可直接应用于工程实践中。

本申请还提供一种α粒子有效通量的分析装置，参考图5所示，α粒子有效通量的分析装置包括：仿真模型建立模块10、仿真执行模块20和仿真分析模块30。其中，仿真模型建立模块10用于根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；仿真执行模块20用于进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；仿真分析模块30用于根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子，并根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。

在一个实施例中，仿真试验为蒙特卡洛仿真试验。

在一个实施例中，仿真分析模块30根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量通过以下方式获取有效因子：

μ＝(N_eff/A)/F

其中，μ为有效因子，N_eff为有效α粒子数量，F为放射源发射的单位面积的α粒子数量，A为半导体器件表面的面积。

在一个实施例中，仿真分析模块30根据有效因子和放射源的α粒子发射率通过以下公式获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量：

F_eff＝F₀×μ

其中，F_eff为到达半导体器件表面的α粒子有效通量，μ为有效因子，F₀为放射源的α粒子发射率。

在一个实施例中，仿真执行模块20在进行仿真试验之前，还获取放射源辐照试验平台所处的试验环境；如果试验环境为真空环境，则直接进行仿真试验；如果试验环境为非真空环境，则先获取放射源发射的α粒子能谱，根据α粒子能谱对放射源的能量进行调整，再进行仿真试验。

在一个实施例中，仿真执行模块20通过离子能谱探测器获取放射源发射的α粒子能谱。

在一个实施例中，当试验环境为真空环境时，仿真执行模块20在进行仿真试验之前还判断放射源与半导体器件之间的间距是否小于预设距离，和判断放射源表面与半导体器件表面的面积比是否大于预设比例；如果间距小于预设距离且面积比大于预设比例，仿真分析模块30则根据放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量；如果间距大于等于预设距离或者面积比小于等于预设比例，仿真执行模块20则进行仿真试验。

在一个实施例中，仿真分析模块30根据放射源的α粒子发射率通过以下方式获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量：到达半导体器件表面的α粒子有效通量等于放射源的α粒子发射率。

需要说明的是，本申请中关于α粒子有效通量的分析装置的描述，请参考本申请中关于α粒子有效通量的分析方法的描述，这里不再赘述。

本申请还提供一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的α粒子有效通量的分析方法的步骤。

需要说明的是，本申请中关于计算机存储介质的描述，可参考本申请中关于α粒子有效通量的分析方法的描述，这里不再赘述。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，包括：

根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，所述分析仿真模型包括放射源和半导体器件，所述放射源位于所述半导体器件上方；

进行仿真试验，以使所述放射源发射α粒子，并记录到达所述半导体器件表面的有效α粒子数量；

根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子；

根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量。

2.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述仿真试验为蒙特卡洛仿真试验。

3.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子，包括：

μ＝(N_eff/A)/F

其中，μ为有效因子，N_eff为所述有效α粒子数量，F为所述放射源发射的单位面积的α粒子数量，A为所述半导体器件表面的面积。

4.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：

F_eff＝F₀×μ

其中，F_eff为到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量，μ为所述有效因子，F₀为所述放射源的α粒子发射率。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，在进行仿真试验之前，还包括：

获取所述放射源辐照试验平台所处的试验环境；

如果所述试验环境为真空环境，则直接进行所述仿真试验；

如果所述试验环境为非真空环境，则先获取所述放射源发射的α粒子能谱，根据所述α粒子能谱对所述放射源的能量进行调整，再进行所述仿真试验。

6.根据权利要求5所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述获取所述放射源发射的α粒子能谱，包括：

通过离子能谱探测器获取所述放射源发射的α粒子能谱。

7.根据权利要求5所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，当所述试验环境为所述真空环境时，在进行所述仿真试验之前还包括：

判断所述放射源与所述半导体器件之间的间距是否小于预设距离，和判断所述放射源表面与所述半导体器件表面的面积比是否大于预设比例；

如果所述间距小于所述预设距离且所述面积比大于所述预设比例，则根据所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量；

如果所述间距大于等于所述预设距离或者所述面积比小于等于所述预设比例，则进行所述仿真试验。

8.根据权利要求7所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述根据所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量等于所述放射源的α粒子发射率。

9.一种α粒子有效通量的分析装置，其特征在于，包括：

仿真模型建立模块，用于根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，所述分析仿真模型包括放射源和半导体器件，所述放射源位于所述半导体器件上方；

仿真执行模块，用于进行仿真试验，以使所述放射源发射α粒子，并记录到达所述半导体器件表面的有效α粒子数量；

仿真分析模块，用于根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子，并根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量。

10.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项的方法的步骤。

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