CN111697156A - 有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机发光装置。提供包括一或多个等离子体OLED和零个或更多个非等离子体OLED的装置结构。每一等离子体OLED包括增强层，所述增强层包括等离子体材料，所述等离子体材料展现与有机发射材料非辐射耦合并且将来自发射材料的激发态能量转移到所述等离子体OLED中的表面等离子体偏振子的非辐射模式的表面等离子体共振。

Description

有机发光装置
相关申请的交叉参考
本申请为2019年3月12日提交的第62/817,436号和2019年4月29日提交的第62/839,855号美国临时专利申请的非临时申请并且要求所述美国临时专利申请的优先权，所述美国临时专利申请中的每一者的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及适用于有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)的结构和组件和包括其的装置。
背景技术
出于多种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层发射光的波长通常可以容易地用适当的掺杂剂来调节。
OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OLED材料和配置，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单EML装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。
如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。
如本文所用，“溶液处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。
当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。
如本文所用，“红色”亚像素层、材料、区域或装置是指发射约580-700nm范围内的光的亚像素层、材料、区域或装置；“绿色”亚像素层、材料、区域或装置是指发射光谱的峰值波长在约500-600nm范围内的亚像素层、材料、区域或装置；“蓝色”亚像素层、材料或装置是指发射光谱的峰值波长在约400-500nm范围内的亚像素层、材料或装置；并且“黄色”亚像素层、材料、区域或装置是指发射光谱的峰值波长在约540-600nm范围内的亚像素层、材料、区域或装置。在一些布置中，单独的区域、层、材料、区域或装置可以提供单独的“深蓝色”和“浅蓝色”光。如本文所用，在提供独立的“浅蓝色”和“深蓝色”的布置中，“深蓝色”组件是指峰值发射波长比“浅蓝色”组件的峰值发射波长小至少约4nm的组件。典型地，“浅蓝色”组件的峰值发射波长在约465-500nm范围内，并且“深蓝色”组件的峰值发射波长在约400-470nm范围内，但是对于一些配置来说这些范围可以变化。类似地，变色层是指将另一色彩的光转换或修改成具有如针对所述色彩所指定的波长的光的层。举例来说，“红色”滤色片是指形成具有在约580-700nm范围内的波长的光的滤光片。一般来说，存在两类变色层：通过去除光的非所需波长修改光谱的滤色片，和将较高能量的光子转换成较低能量的变色层。
如本文所用，“全色”装置、像素或其它组件是指包括红色、绿色和蓝色组件且能够经配置成跨越可见光谱发射一系列光的组件。“全色”装置可包括多个亚像素，所述亚像素中的每一者可经配置成发射一或多个色彩的光。举例来说，全色像素可包括一或多个红色、绿色、蓝色和/或黄色亚像素，其中的每一者发射对应光。举例来说，红色亚像素可发射如先前所定义的红光，其与其它亚像素结合允许像素为全色像素。全色像素或其它组件通常还可能够如通过同时激活亚像素的多个色彩而发射白光。在一些情况下，全色像素还可包括白色或其它多色彩亚像素或类似组件。
与全色装置、像素或其它组件相比，“单色”亚像素或其它组件不包括具有不同色彩的多个组件，且通常仅在单一色彩范围内发射光。举例来说，红色单色亚像素通常发射红色可见光谱内的光，即，580-700nm。单色亚像素将在相关光谱范围内发射由亚像素发射的所有或基本上所有可见光。也就是说，虽然由可见光谱内的单色亚像素所发射的极少量能量可落在相关色彩范围之外，但色彩的差将足够少量，使得人眼不会察觉到色彩的差。
关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
发明内容
根据一个实施例，还提供一种有机发光二极管/装置(OLED)。所述OLED可以包括阳极、阴极和安置在阳极与阴极之间的有机层。根据一个实施例，所述有机发光装置并入一或多种选自以下的装置中：消费型产品、电子组件模块和/或照明面板。
附图说明
图1展示一种有机发光装置。
图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。
图3展示根据本文所公开的一个实施例的包括等离子体OLED的装置的示意性说明。
图4A-4D展示根据如本文所公开的图3中展示的一般结构的特定OLED架构的实例。图4A展示包括以堆叠方式布置且串联连接的一个等离子体OLED和两个非等离子体OLED装置的OLED架构。图4B展示来自图4A的OLED架构包括下转换层和滤色片。图4C展示与图4B相同的架构，具有修改装置中的亚像素的辐射图的额外元件。图4D展示具有并入到装置堆叠中的多个等离子体OLED装置的实例架构，所述装置堆叠将显现用于显示器的亚像素。
图5A-5D展示根据本文所公开的实施例的等离子体OLED特征为宽带发射的装置架构的示意性描绘。图5A展示一种装置，其中来自等离子体OLED的宽带发射通过出耦层出耦为宽带光，并且接着通过滤色片转换成个别亚像素。图5B展示了具有来自等离子体OLED的宽带发射的装置，其通过出耦层出耦为宽带光，并且接着经由下转换层转换成亚像素色彩。图5C展示了具有来自等离子体OLED的宽带发射的装置，其通过出耦层出耦为宽带光，并且接着通下转换层和滤色片转换成个别亚像素色彩。图5D展示了具有来自等离子体OLED的宽带发射的装置，其通过组成上不同的出耦层出耦为R、G和B层以产生个别亚像素色彩。
具体实施方式
一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。
最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。
最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。
图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。
可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。
图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。
图1和2中所图解说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本发明的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物、或更一般来说混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。
还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。
在本文中所公开的一些实施例中，发射层或材料(如图1-2中分别所示的发射层135和发射层220)可以包括量子点。除非明确相反地指示或根据所属领域的技术人员的理解依照情形指示，如本文所公开的“发射层”或“发射材料”可以包括有机发射材料和/或含有量子点或同等结构的发射材料。此类发射层可以仅包括转换由单独发射材料或其它发射体发射的光的量子点材料，或其还可以包括所述单独发射材料或其它发射体，或其本身可以通过施加电流而直接发光。类似地，变色层、滤色片、上转换或下转换层或结构可以包括含有量子点的材料，但此类层可以不视为如本文所公开的“发射层”。一般来说，“发射层”或材料是如下“发射层”或材料：发射初始光，所述初始光可以通过本身在装置内不发射初始光的另一层(如滤色片或其它变色层)改变，还可以基于发射层所发射的初始光再发射光谱内容不同的改变光。
除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的模式化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和OVJP的沉积方法中的一些方法相关联的模式化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液处理，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。
根据本发明实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。
根据本发明的实施例而制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明的实施例而制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品，所述OLED在OLED中的有机层中包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明而制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，例如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)，但可以在这一温度范围外(例如-40℃到+80℃)使用。
本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。
在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。
在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。
在发射区域的一些实施例中，所述发射区域进一步包含主体。
在一些实施例中，所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中，所述化合物可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)，三重态-三重态消灭(triplet-triplet annihilation)或这些方法的组合。
组件本文所公开的OLED可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。
所述有机层还可以包括主体。在一些实施例中，两种或更多种主体是优选的。在一些实施例中，所用的主体可以是在电荷传输中起极小作用的a)双极，b)电子传输，c)空穴传输，或d)宽带隙材料。在一些实施例中，主体可以包括金属络合物。组件所述主体可以是无机化合物。
与其它材料的组合
本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与可能存在的广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。
本文所公开的不同发射层和非发射层以及布置可以使用不同材料。合适材料的实例公开于第2017/0229663号美国专利申请公开中，所述公开以全文引用的方式并入。
导电性掺杂剂：
电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。
HIL/HTL：
本发明中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。
EBL：
电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。
主体：
本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。
HBL：
空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。
ETL：
电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。
电荷产生层(CGL)
在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。
当将如本文所公开的发射体的发射材料放置于具有相对于真空的光子状态的增加的密度的环境中时，材料的发射速率通常归因于被称为珀塞尔效应(Purcell effect)的现象而增加。增强型辐射和非辐射速率降低发射体在激发态中保持的时间长度，由此稳定发射体并且降低发射材料的老化速率，并且因此，OLED装置作为整体。相信获得相对较大的珀塞尔增强通常需要将发射材料放置在接近金属膜或其它等离子体活性增强层的位置。此类配置描述于例如第9,960,386号美国专利中，其公开内容以全文引用的方式并入本文中。如本文所用，“等离子体OLED”是指包括增强层的OLED，所述增强层包括等离子体材料，其展现与有机发射材料非辐射耦合的表面等离子体共振并且将来自发射材料的激发态能量转移到表面等离子体偏振子的非辐射模式。如先前所公开和定义，所提供的增强层通常远离第二有机发射层不超过阈值距离。此类布置对于增强层的阈值距离内的发射材料可为最重要的，其中相关阈值距离可定义为距总辐射衰减速率常数等于总非辐射衰减速率常数处的增强层的距离。通常，耦合到增强层中的能量作为热量损失，除非装置还并入出耦层。本文所公开的实施例提供允许增强层和/或出耦层并入到OLED显示器和其它装置中的技术和布置。
用于OLED显示器的典型制造方法通常涉及通过控制沉积在对于每一亚像素得显示器上的材料模式化亚像素(通常被称为并列制造)，或在整个背平面上沉积均匀OLED堆叠，并且接着随后用如滤色片或下转换层等元件模式化亚像素。均匀OLED堆叠通常包括在不中断的情况下跨越一或多个底层电极沉积的一或多个毯式OLED沉积。这些方法还可以各种形式组合。这些和相关制造技术和装置布置的实例描述于例如第9,385,168号、第9,590,017号、第9,424,772号、第10,243,023号、第10,304,906号和第10,229,956号美国专利和第2015/0349034号和第2015/0349032号美国公布中，其中的每一个的公开内容以全文引用的方式并入。
在整个背平面上具有均匀OLED堆叠的OLED显示器通常在其中具有堆叠OLED装置。举例来说，当前TV架构通常使用串联堆叠的3个OLED以提供白色发射装置。根据均匀白色堆叠OLED沉积，接着模式化4个亚像素，例如通过使用掩模、变色层(如滤色片)等将红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素模式化。作为另一个实例，蓝色OLED装置可以堆叠以产生极亮的蓝色光，所述蓝色光可以通过与蓝色装置堆叠安置的下转换层而转换成红色和/或绿色亚像素，由此呈现具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)(RGB)亚像素的显示器。本文所公开的实施例提供实现与此类装置结合的等离子体OLED的方法和布置以利用等离子体OLED的寿命增强以及堆叠结构来以多种方式有益于显示。
图3展示如本文所提供的装置的基本结构的示意性表示。所述装置包括等离子体OLED 350和零个或更多个、通常一或多个非等离子体OLED 360、361。如本文所用，“非等离子体”OLED可以是如相对于图1和2所描述的OLED，或不限制装置中组件的布置以满足如本文所描述的针对“增强层”所定义的要求的任何其它OLED装置。等离子体OLED 350由发射堆叠提供，所述发射堆叠包括外部导电层351、353，所述外部导电层之间安置有发射堆叠352。如本文所用，“发射堆叠”是指提供至少最小层和发射光的组件(通常包括导电层和安置于其间的至少发射层)的堆叠的层或其它组件。每一“发射堆叠”352、362、363还可包括本文所公开的其它有机层和其它层中的任一者或全部，例如参考图1和2，包括但不限于阻挡层、传输层、间隔层等。在公共装置结构中，最外导电层351、367为电极。与周围导电层结合的“发射堆叠”提供功能OLED装置，即使其含于如所示的更大装置内，所述装置可包括各自具有对应发射堆叠的多个OLED。导电层351、353中的每一者可为电极，其包括在装置外部延伸的电连接，或不包括外部连接但提供与电极相同的功能性的电荷产生层，即OLED内的电荷产生。类似地，非等离子体OLED 360、361各自由外部导电层和其之间的发射堆叠界定。第一非等离子体OLED 360包括安置于外部导电层353、364之间的发射堆叠362，并且第二非等离子体OLED包括安置于外部导电层364、367之间的发射堆叠363。如同等离子体OLED 350，导电层353、364、367中的每一者可为电极或内部电荷产生层。导电层可以在两个邻近发射堆叠之间共有。在此实例中，导电层353可为将电极类功能性提供到等离子体OLED 350的发射堆叠352以及邻近非等离子体OLED 360的发射堆叠362的电荷产生层。导电层351、353、364、367中的一或多者可充当装置(如OLED 350)中的等离子体OLED的增强层。在此实例结构中，导电层351可以是也是等离子体OLED 350的增强层的电极。装置中的每一者可被描述为“堆叠”，并且装置整体可被描述为布置于“堆叠配置”中，因为其至少部分地彼此垂直(即，在从下部导电层367到上部导电层351的方向上)地重叠。一般来说，最外导电层351、367将为用于堆叠装置的电极。通常，最靠近衬底的导电层367为阳极，且上部层351为阴极，但可使用倒置布置，其中下部层367为装置的阴极。内部导电层(如层353、364)通常为安置于OLED的每一者的发射层之间的电荷产生层，并且更确切地说，安置于每一OLED中包括一或多个发射层和任何其它层的发射堆叠352、362、363之间的电荷产生层。其它层和组件可安置于导电层351上方，例如出耦层、滤色片、下转换层等。此外，一或多个其它层390可安置于衬底下方，即与来自发射堆叠350、360、361的衬底相对，或更一般来说，在与本文所公开的结构中的任一者中的一或多个发射层相对侧。此类层390可包括例如一或多个出耦层、滤色片、下转换层、上转换层、辐射模式修改元件或如本文所公开的任何其它变色或类似层，包括如本文所公开的用于此类层中的材料或结构中的任一者。本文进一步详细描述此类结构的实例，所述结构中的任一者可用于如所示的其它层或层390。举例来说，本文展示的层和结构中的任一者，包括但不限于层和组件305、370、365、375、565、566、567、571、572、573，以及其组合和变化形式。
如本文关于图3中所展示的基本架构的实例布置进一步详细地揭示，本文所提供的装置可包括作为堆叠装置中的一或多个等离子体和/或非等离子体OLED的一部分或与其结合而操作的各种组件和层。现将描述这些组件的各种特征。除非由个别特征的物理要求或约束明确地指示为相反或禁止，否则可在不脱离本发明的范围和内容的情况下结合每一其它特征使用每一特征。另外，除非相反地明确地描述，否则本文所公开的装置和布置中的任一者，无论等离子体或非等离子体OLED都可以包括关于图1和2所描述的层和结构中的任一者或所有，包括但不限于发射层、传输层、阻挡层、变色层(如滤色片)、上转换层或下转换层、量子点结构、电荷产生层、电极和衬底。
如本文所公开的出耦层或组件可以是周期性的、非周期性的，或不具有周期性，包括随机物理布置。其可包括介电材料、金属或半导电材料或这些材料的组合。在一些配置中，出耦层可包括额外涂层以改变辐射方向图，如本文关于辐射模式改变元件所描述。或者或另外，出耦层可具有涂层以降低层或装置整体的反射性。
本文所公开的每一发射层(EML)，无论并入到等离子体OLED发射堆叠或非等离子体OLED发射堆叠中都可以包括一或多种发射材料。每种发射材料可以发射单色或彩色光，其实例包括但不限于红色和绿色发射材料以提供黄光发射、蓝色和红色发射材料以提供白光发射、蓝色和红色和绿色以产生白光发射，或蓝色、红色、绿色和/或黄色，以提供白光发射。类似地，每一发射堆叠可包括多个独立发射层以实现相同效果。每种发射材料可以是荧光、磷光或热激活延迟荧光(TADF)材料或这些类型的材料的组合。类似地，本文所公开的每个装置中的每个发射堆叠可以使用荧光、磷光和/或TADF材料的任何组合。
每个OLED和包括多个OLED的每个OLED堆叠可以是底部发射、顶部发射或双侧装置。底部发射装置为通过装置堆叠于其上的衬底发射的装置，而顶部发射装置主要通过装置的相对侧发射光。双侧装置通过OLED或装置的两个表面发射。这些装置可以任何个别装置内的任何组合使用。举例来说，最顶部发射堆叠可以是顶部发射的，而装置中更低的堆叠(即，更接近于衬底)可以具有双侧发射。如所属领域中关于常规OLED结构所理解，各种反射和透射材料和层可用于实现任何所要类型的发射。在一些情况下，发射堆叠和装置的布置可从图3-5中所展示的实例反转。举例来说，对于底部发射装置，等离子体OLED可布置得更接近衬底，其中一或多个非等离子体OLED堆叠于其上方，并且任何出耦层或组件可布置于阳极下方而非其上方，其中阳极充当等离子体OLED的增强层。或者或另外，在一些配置中，电极可从所展示的实例反转，使得阴极位于发射堆叠下方并且阳极为最上部导电层。
如本文所公开的每个下转换层或组件可以包括一或多种材料，包括荧光发射体、无机磷光体、有机磷光体和/或量子点。更一般来说，下转换层或组件可包括吸收光子并且以比材料所吸收的能量低的能量再发射光子的任何材料。下转换层可为跨越多个亚像素未破坏地延伸的毯式层，或其可仅在装置内的一或多个亚像素上模式化。
如本文所公开的等离子体出耦层，如层305、层571、层572和层573可包括多种结构。适合的出耦结构的实例包括但不限于网格或波纹、纳米贴片天线或其它基于纳米粒子的出耦方案和通孔阵列。或者或另外，出耦层可包括电压可调折射率材料，其可与允许基于外部电压调谐出耦色彩的另一电极结合使用。或者或除了这些出耦结构之外，一些装置可包括常规出耦结构，如微透镜片、出耦网格或透镜等。
本文所公开的每一电荷产生层可以包括金属材料和所属领域中已知的用于常规OLED中电荷产生的任何其它材料或结构。或者或另外，电荷产生层可包括其它组件，如但不限于旋涂纳米粒子、通过金属缓慢地生长以使得其去湿或通过层压金属膜而制备的纳米粒子。层压的CGL结构可包括粒子的阵列、伪周期性和随机定向的纳米粒子，和金属或金属合金的通孔阵列。CGL可由单一组件构成，或其可包括具有嵌入其中的电介质或金属纳米粒子的有机材料的混合层，或其可包括这些材料的任何组合中的亚层。
如本文所公开的辐射模式改变元件可以将辐射图从非朗伯转换成朗伯(Lambertian)，或从朗伯转换成非朗伯(如对于期望某一角度相依性的应用)，或更一般地改变由装置发射的光的属性的角度相依性。可用于提供辐射模式改变元件的组件的实例包括纳米贴片天线和包括同等纳米贴片结构、半透明金属和分布式布拉格反射器(distributed Bragg reflector)的组件。
包括多个发射堆叠和每个个别发射堆叠的每个堆叠装置可以发射任何所要色彩的光。举例来说，等离子体或非等离子体OLED可以发射红色、绿色、蓝色、黄色、白色或任何其它所要颜色。由堆叠装置内的发射堆叠发射的光可由不变的装置发射，或其可通过使用滤色片、下转换层、上转换层和如本文所公开的其它结构而改变，以实现装置的所要发射光谱。堆叠装置可在显示面板的像素结构内提供单个亚像素，或单个堆叠装置结构可提供多个亚像素，如本文的各种实例中所揭示且如所属领域中关于常规堆叠装置通常已知。在一些情况下，如本文所公开的等离子体OLED可以优选地发射蓝光和/或在发射层中包括蓝色发射材料，因为蓝色发射装置通常为装置寿命的限制因素。使用本文所揭示的装置结构的显示面板可包括亚像素的颜色的任何所要组合，包括3-和4-亚像素布置、白色亚像素、红-绿-蓝(RGB)并列布置，包括两个蓝色亚像素的布置(RGB1B2型装置)。装置可包括有限数目的发射材料色彩，如其中仅使用发射材料的两种或三种色彩，并且变色层和组件用于在全色像素中提供其它色彩。
具有图3中所展示的基本结构的布置的特定实例现将相对于图4-5描述。图4-5中所展示的特定构件、组件和层中的任一者除非相反地特别指示，或除非基于每一者的描述和要求以物理方式禁止此类组合，否则可与任何其它构件、组件和层结合使用。此外，其它层和组件可用于图4-5中所展示的装置中的任一者中，包括但不限于安置于衬底的与一或多个发射堆叠相对的侧上的一或多个其它层，如关于图3所描述。
图4A展示与一或多个如本文所公开的非等离子体OLED串联堆叠的等离子体OLED的示意性说明。如所展示，如本文所提供的装置可包括非等离子体OLED结构360，其包括外部电极330、340，其中一或多个层335安置于其间。非等离子体OLED可以是在其内包括多个OLED结构的堆叠结构。举例来说，图4A中所展示的非等离子体OLED结构包括以堆叠方式布置的两个非等离子体OLED。第一电极由外部电极330、340界定，其中发射层335安置于其间。第二非等离子体OLED由外部导电层320、330界定，其中发射层322安置于其间。每一非等离子体OLED可包括关于图1和2所公开的其它层中的任一者或所有，或更一般来说，适合用于如所属领域中已知的OLED的任何层或结构。如图4A中所示，本文所公开的等离子体和非等离子体OLED可使用提供外部电连接的电极310、340，或其可使用电荷产生层320、330来提供如所属领域中已知的电极样功能性。等离子体OLED 350可包括一或多个电极或同等层310、320，其中一或多个发射层315安置于其间。等离子体和非等离子体OLED可以堆叠方式布置在衬底(图中未示)上。如本文所用，两个装置、层或其它组件可“呈堆叠方式(in a stack)”或“堆叠式(stacked)”配置而布置，其中相对于衬底或其它共同层，一个至少部分地安置在另一个上。与堆叠配置相比，可将两个组件描述为布置在平面中或布置在并列配置中，其中沿着穿过组件中的一者绘制的任何和所有垂直线不存在组件的重叠。
更一般来说，本文所公开的布置可包括并入到共同显示架构中的一或多个等离子体OLED和零个或更多个非等离子体OLED。如先前所公开，等离子体OLED包括增强层。在图4A中所展示的实例结构中，阴极310充当等离子体OLED 350的电接触以及增强层两者。如本文中进一步详细描述，由一或多个非等离子体OLED 360中的发射层(如EML 322、335)发射的光可由等离子体OLED 360和出耦结构305(如果存在)透射。
本文所公开的装置可以包括与等离子体和/或非等离子体OLED结合操作的额外结构。举例来说，图4B展示与图4A相同的装置，具有下转换层365和红色、绿色和蓝色滤色片370。下转换层可包括荧光发射体、无机磷光体、有机磷光体、量子点或吸收光子且在较低能量下再发射光子的任何其它元件。如图4B中所示的装置可包括如所示的均匀地沉积在所有亚像素上方的下转换层，或其可在一或多个亚像素上方模式化。举例来说，在OLED中的一或多者发射蓝光的情况下，红色和绿色下转换和/或滤色片层可以安置在红色和绿色亚像素上，而蓝色亚像素仅使用由蓝色发射装置提供的未经过滤的光。当在一或多个亚像素上模式化此层时，其组成可在亚像素之间变化。除下转换层之外，各种配置可使用任何数目个滤色片，或可在不具有相关滤色片的情况下使用下转换层。每一亚像素可具有不同配置，使得每个可按任何组合包括下转换层和/或滤色片，不管用于其它亚像素的结构。
作为另一实例，本文所公开的装置可包括辐射模式改变元件。图4C展示与图4B中相同的装置，通过添加辐射模式改变元件来修改显示器的角度相依性。如同下转换和滤色片组件，辐射模式改变元件375可在显示器上均匀地沉积或在一或多个亚像素上个别或同时模式化。辐射模式改变元件组成不必在所有亚像素上相同，并且可以在单个显示面板内的像素之间或堆叠OLED装置之间变化。此外，辐射模式改变元件可用于将辐射图从非-朗伯转换到朗伯，或从朗伯转换到非-朗伯以用于需要某一角度相依性的应用。举例来说，元件375可包括纳米贴片天线出耦机构以将等离子体能量转换成光子，其产生近-朗伯发射曲线。在需要某一角度相依性的某些移动显示应用中，辐射模式改变元件可用于在等离子体出耦机构顶上形成空腔。所述元件可包括例如半透明金属或分布式布拉格反射器以所要空腔效应。元件375可单独使用或与关于图4B所描述的组件中的一或多者以任何组合形式结合使用。
如先前所公开，一或多个等离子体OLED可与零个或更多个非等离子体OLED以堆叠方式布置。图4D展示包括与非等离子体OLED 360堆叠布置的两个等离子体OLED装置350、380的装置的示意性描绘。如所展示，装置可包括界定堆叠中的每一OLED的边界的电极和电荷产生层。在此实例中，阴极310充当用于第一等离子体OLED 350中的发射层410的增强层，并且电荷产生层420充当用于第二等离子体OLED 380中的发射层430的增强层和出耦层以及用于装置堆叠的CGL。图4D中展示的实例包括如先前所公开作为实例的下转换层和滤色片，但更通常为零个或更多个下转换层、滤色片、出耦组件和/或辐射模式改变元件可如先前所公开使用。
在一些情况下，与不同堆叠结构中的其它等离子体OLED相比，等离子体OLED 380可具有更低效率。这可在非等离子体OLED 360出耦的光需要穿过电荷产生层440和用于底部发射装置的阳极460或穿过用于顶部发射装置的阴极310时发生。这些层的透射可能低于100％，因此降低形成有EML2 430的等离子体OLED 380的效率。
在一些情况下，可能需要使用具有较大光谱宽度的发射光谱的等离子体OLED。此类装置可直接显现具有多个亚像素的显示器。包括具有可显现多个亚像素的等离子体OLED和非等离子体OLED的组合的结构的装置的实例在图5A-5C中示意性地展示。
图5A展示包括一种等离子体OLED和两种非等离子体OLED的例示性装置结构，与关于图4A-4C所描述的结构特别相同。等离子体OLDD可包括磷光或其它发射层315，其可包括一或多种发射彩色光的发射材料。由OLED 350中的等离子体EML 315发射的光可转换成提供两个或更多个亚像素，如通过使用一或多个滤色片370的层。如先前所公开，尽管图5A出于说明的目的展示两个非等离子体OLED 360，更通常如图5A中所示的装置可包括零个或更多个非等离子体OLED。来自具有相对较大光谱宽度的等离子体OLED的光的转换可通过例如宽带出耦结构实现，其中出耦发射接着通过一或多个滤色片、下转换层或组合转换成光谱纯色彩，如先前所公开且如图5A-5C中所示。举例来说，图5B展示单一出耦层305用以将在等离子体OLED 350中产生的光去耦但个别下转换层565用以从对应亚像素产生红、绿和蓝光的布置。图5C展示相同装置，其中个别亚像素包括组合式滤色片和下转换组件566。此类组件可提供于单层中，其中组件并列布置，或其可提供于两个或更多个单独层中。在一些实施例中，滤色片或下转换层可包括额外涂层，或可使用额外层或组件来改变如先前所公开的辐射图。
在一些配置中，可通过出耦特定光谱区显现亚像素色彩。举例来说，白色发射等离子体OLED可通过使用固定间距光栅经由改变涂布光栅的材料的折射率而出耦到红色、绿色和蓝色亚像素中，使得分散关系优先地散射垂直于衬底的红、绿或蓝光。此实施例的示意性描绘展示于图5D。在此布置中，出耦层567的组成可对于每个亚像素不同，使得红色、绿色和蓝色亚像素分别由对应的出耦层571、572、573界定。在一些实施例中，出耦组件和/或材料之间的差异可能较小。举例来说，所有出耦层可具有300nm间距光栅，其中蓝色亚像素出耦层573不具有涂层，而红色出耦层571可具有1微米厚的具有1.7的折射率的材料涂层。用于选择特定波长范围的其它实例出耦机构包括但不限于纳米贴片天线或其它基于纳米粒子的出耦方案和通孔阵列。
在一些配置中，可能需要使用特定材料或材料的组合来实现特定效果。举例来说，可能需要平衡等离子体OLED内的电荷分布和注入，并且尤其对于磷光等离子体OLED。当将等离子体增强层从Al切换到Ag或其它更等离子体活性材料时，避免较大电荷增加的一种方式为使用电子注入层，如Yb或其合金或氧化物，其与常见等离子体活性材料(如Mg和Ag)一起工作。或者或另外，可使用还充当电荷注入层的粘附层，如Mg、Al、Ni和Ti层。作为特定实例，可使用与Ag层结合的10埃Al层。对于粘附层的厚度可以优选在2与60埃之间；更优选在5与30埃之间，或更优选在5与20埃之间。
可能还需要平衡装置内的电荷，因为即使在通过耦合到金属的等离子体模式而稳定的装置中，如果失去电荷平衡，装置的寿命也可能降低。各种技术可用于维持所要电荷平衡，包括使用较低电子迁移率电子传输层，如AlQ3。作为另一实例，可以增加空穴阻挡层的厚度以降低从电子传输层到发射层的电子注入速度。作为另一实例，具有相对较高LUMO的空穴阻挡材料可用于添加电子注入障壁或在发射层内以减少发射层中的电子注入和/或迁移率。或者或另外，高HOMO电子阻挡材料可用于减少到发射层中的空穴注入障壁。作为另一实例，发射层内的e型主体的比例可降低到更低发射层内的电子迁移率。作为另一实例，可使用相对薄的空穴传输层，和/或可增加掺杂EML中的发射材料的百分比以增加装置内的空穴迁移率。还可能需要维持高品质增强层以改良等离子体OLED的性能。特定实例包括生长速率为0.1到
Figure BDA0002409458400000181
更优选地0.5到
Figure BDA0002409458400000182
的Ag膜。这些方法中的任一者或全部可个别地或与任何其它方法结合使用以获得稳定、高效等离子体OLED。
应理解，本文所述的各种实施例仅借助于实例，并且并不意图限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。

Claims (15)

1.一种装置，其包含：
第一有机发光堆叠，其包含：
第一电极；和
安置在所述第一电极上的第一有机发射层，所述第一有机发射层包含第一有机发射材料；和
第二有机发光堆叠，其与所述第一有机发光堆叠以堆叠方式安置，所述第二有机发光堆叠包含：
第二有机发射层，其包含第二有机发射材料；和
第一增强层，其包含展现与所述第二有机发射材料非辐射耦合并且将来自所述发射材料的激发态能量转移到表面等离子体偏振子的非辐射模式的表面等离子体共振的等离子体材料，
其中所述第一增强层以远离所述第二有机发射层不超过阈值距离的方式提供，并且
其中所述第二有机发射材料归因于所述第一增强层的存在而具有总非辐射衰减速率常数和总辐射衰减速率常数，并且所述阈值距离是所述总非辐射衰减速率常数等于所述总辐射衰减速率常数处的距离。
2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含安置于所述第一有机发射层与所述第二有机发射层之间的电荷产生层。
3.根据权利要求2所述的装置，其进一步包含安置于所述第二有机发光堆叠上的第二电极。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二电极为所述增强层。
5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一有机发射层和所述第二有机发射层中的至少一者包含多种发射材料。
6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含与所述第一有机发光堆叠和所述第二有机发光堆叠以堆叠方式安置的第三有机发光堆叠，所述第三有机发光堆叠包含：
第三有机发射层，其包含第三有机发射材料。
7.根据权利要求6所述的装置，其进一步包含：
第二增强层，其包含展现与所述第二有机发射材料非辐射耦合并且将来自所述发射材料的激发态能量转移到表面等离子体偏振子的非辐射模式的表面等离子体共振的等离子体材料，其中所述第二增强层以远离所述第三有机发射层不超过阈值距离的方式提供。
8.根据权利要求7所述的装置，其进一步包含安置于所述第二有机发光堆叠与所述第三有机发光堆叠之间的电荷产生层。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述电荷产生层为所述第二增强层。
10.根据权利要求7所述的装置，其进一步包含安置于所述第三有机发光堆叠上的第二电极。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第二电极为所述第一增强层。
12.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含衬底；
其中所述第一有机发光堆叠和所述第二有机发光堆叠安置于所述衬底上。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述装置经配置以主要通过所述衬底发射光。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述装置经配置以主要通过最远离所述衬底的所述装置的表面发射光。
15.根据权利要求12所述的装置，其进一步包含选自由以下组成的群组的至少一个组件：滤色器、下转换层、上转换层和辐射图案修改元件，其中所述至少一个组件安置于所述衬底的与所述第一有机发光堆叠和所述第二有机发光堆叠相对的侧上。
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