CN111667994B - 线圈组件及用于制造该线圈组件的方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种线圈组件及用于制造该线圈组件的方法，所述线圈组件包括：主体部，包括磁性材料；支撑构件，设置在所述主体部中；第一导体图案和第二导体图案，设置在所述支撑构件的彼此背对的两侧上；凹槽部，形成在所述支撑构件的侧表面中；过孔导体，设置在所述凹槽部中，并将所述第一导体图案和所述第二导体图案彼此连接；以及过孔垫，设置在所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个的端部中以将所述第一导体图案和所述第二导体图案连接到所述过孔导体，并且具有比所述第一导体图案的线宽和所述第二导体图案的线宽大的线宽。
Description
本申请要求于2019年3月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0025944号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件及用于制造该线圈组件的方法。
背景技术
随着便携式无线通信装置和可穿戴装置的近来发展，需要高性能、轻便且小尺寸的组件。具体地，随着最近的便携式智能电话和可穿戴装置的使用频率变得更高，在使用的频率范围内需要稳定的电源。因此，随着智能电话和可穿戴装置的发展，需要具有抑制电源端子中的电流跳变的功能的功率电感器，以在更高的频率和更高的电流中使用。此外，薄膜高频电感器应用于高频电路的信号端子，以用作噪声滤波器。
此外，在这样的薄膜功率电感器的情况下，设置用于在线圈层之间承载电流的过孔。在这种情况下，为了确保过孔与线圈之间的对准，过孔垫被形成为比导体图案的最内周部分的端部大。然而，由于过孔垫的尺寸比线圈图案的线宽大，因此可能在确保芯部区域方面存在问题，诸如发生过度镀覆。
发明内容
本公开中的一方面在于提供一种线圈组件及用于有效地制造该线圈组件的方法，所述线圈组件能够通过增大芯部的体积而实现更高容量的线圈组件从而改善DC电阻特性(Rdc)。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体部，包括磁性材料；支撑构件，设置在所述主体部中；以及第一导体图案和第二导体图案，设置在所述支撑构件的彼此背对的两侧上，其中，所述支撑构件具有形成在所述支撑构件的侧表面中的凹槽部，过孔导体设置在所述凹槽部中，并将所述第一导体图案和所述第二导体图案彼此连接，并且所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个包括设置在其端部中的过孔垫，以将所述第一导体图案和所述第二导体图案连接到所述过孔导体，所述过孔垫具有比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大的线宽。
根据本公开的另一方面，一种用于制造线圈组件的方法可包括：形成线圈部，形成嵌有所述线圈部的主体部以及在所述主体部上形成电极部，其中，形成线圈部的步骤包括：制备支撑构件；形成贯穿所述支撑构件的凹槽部；分别在所述支撑构件的第一表面和第二表面上形成第一分隔壁和第二分隔壁，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个具有呈平面线圈形状的开口；通过用导体填充所述第一分隔壁的开口而在所述支撑构件的所述第一表面上形成具有第一导体图案的第一线圈层，通过用导体填充所述第二分隔壁的开口而在所述支撑构件的所述第二表面上形成具有第二导体图案的第二线圈层，所述第一导体图案和所述第二导体图案呈平面线圈形状；形成过孔导体，所述过孔导体设置在所述凹槽部中以将所述第一导体图案和所述第二导体图案彼此连接，并且具有与所述凹槽部的内壁接触的一侧表面以及不与所述凹槽部的所述内壁接触的另一侧表面；形成过孔垫，所述过孔垫设置在所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个的端部中，以将所述第一导体图案和所述第二导体图案连接到所述过孔导体，所述过孔垫具有比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大的线宽；以及去除所述第一分隔壁和所述第二分隔壁。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体部，包括磁性材料；支撑构件，设置在所述主体部中；以及第一导体图案和第二导体图案，设置在所述支撑构件的彼此背对的两侧上，其中，所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个在其内端部处包括过孔垫，所述过孔垫的线宽比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大，所述第一导体图案和所述第二导体图案的各自的过孔垫通过过孔导体彼此连接，所述过孔导体贯穿所述支撑构件的一部分，并且所述过孔导体在与所述第一导体图案和所述第二导体图案的堆叠方向垂直的平面中的截面形状是半圆形。
通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的线圈组件的示意性透视图；
图2是示出沿着图1的线圈组件的线I-I’截取的截面的示意图；
图3A和图3B是示出图1的线圈组件的制造工艺的示意图；
图4是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示意性平面图；
图5是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示意性平面图；以及
图6是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示意性平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的各种示例性实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于它们之间的其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。
将显而易见的是，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面论述的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”、“下面”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件(另一些元件)的关系。将理解的是，空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在另一元件的“上方”或“上面”的元件于是将被定位在所述另一元件的“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据附图的具体方位可包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以除此之外的方式(旋转90度或者处于其他方位)定位，并且可相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅描述具体实施例，并且本公开不限于此。如在此使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所陈述的特征、数量、步骤、操作、构件、元件或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。
在下文中，本公开的各种示例性实施例将参照示出本公开的实施例的示意图来描述。例如，在附图中，由于制造技术和/或公差，可预测示出的形状的修改。因此，本公开的实施例不应被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而是例如，包括在制造中导致的形状的改变。以下实施例还可通过它们中的一个或它们的组合来构成。
下面描述的本公开的内容可具有各种构造，并且在此仅提出所需的构造，但不限于此。
在附图中，X方向可被定义为第一方向或长度方向，Y方向可被定义为第二方向或宽度方向，并且Z方向可被定义为第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施例的线圈组件。参照附图，相同或相应的组件由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。
在电子装置中使用各种类型的电子组件。在此，各种类型的线圈组件可适用于这些电子组件中的噪声去除等目的。
换句话说，电子装置中的线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。
线圈组件
第一实施例
图1是示出根据本公开的示例性实施例的线圈组件的示例的示意性透视图。
图2是示出沿着图1的线圈组件的线I-I’截取的截面的示例的示意图。
图4是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示例的示意性平面图。
参照图1、图2和图4，根据示例的线圈组件100包括主体部10、支撑构件20、导体图案31和32、凹槽部35h、过孔导体35和过孔垫36，并且还可包括通孔25。
主体部10可形成线圈组件100的外观，并且可包括在第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此背对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此背对的第五表面和第六表面。主体部10可以是六面体，但不限于此。主体部10包括具有磁特性的磁性材料。例如，主体部10可通过用铁氧体或金属磁性颗粒填充树脂而形成。铁氧体可以是例如Mn-Zn基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体、Ni-Zn-Cu基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Ba基铁氧体、Li基铁氧体等的材料。金属磁性颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、铝(Al)和镍(Ni)组成的组中选择的至少一种。例如，金属磁性颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶金属，但不必局限于此。金属磁性颗粒的直径可以是约0.1μm至30μm。主体部10可具有铁氧体或金属磁性颗粒分散在诸如环氧树脂或聚酰亚胺树脂的热固性树脂中的形式。
主体部10的磁性材料可利用其中混合有金属磁性粉末和树脂混合物的磁性树脂复合物形成。金属磁性粉末可包括铁(Fe)、铬(Cr)或硅(Si)作为主要成分，并且可包括例如铁(Fe)-镍(Ni)、铁(Fe)、铁(Fe)-铬(Cr)-硅(Si)等，但不限于此。树脂混合物可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等，但不限于此。可用具有至少两种平均粒径的金属磁性粉末填充磁性树脂复合物。在这种情况下，使用并压制具有不同尺寸的双峰(bimodal)金属磁性粉末，因此磁性树脂复合物可被充分地填充，因而可增大填充率。
支撑构件20可以是利用绝缘树脂形成的绝缘基板。在这种情况下，绝缘树脂可包括热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺)或者浸渍有诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料的树脂(诸如，半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂或感光介电(PID)树脂)。当支撑构件20包括玻璃纤维时，支撑构件的刚性可更优秀。在一些情况下，铁氧体基板、金属软磁性基板等可用作支撑构件20。
第一导体图案31可具有平面线圈形状。第一导体图案可以是使用根据现有技术的镀覆方法而形成的镀覆图案，但不限于此。第一导体图案可具有至少两匝，因此第一导体图案可在具有高电感的同时是纤薄的。第一导体图案可包括种子层和镀层。种子层可利用多个层形成。在此，种子层可包括：粘合层，包括例如钛(Ti)、钛(Ti)-钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)和镍(Ni)-铬(Cr)中的一种或更多种；以及基础镀层，设置在粘合层上，并且包括与镀层相同的材料(例如，铜(Cu))，但不限于此。镀层可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)或它们的合金的导电材料，并且通常可包括铜(Cu)，但不限于此。
高宽比(第一导体图案的高度与宽度的比)可以约为3到9。以诸如电感器为例的线圈组件的主要特性之一是DC电阻(Rdc)特性，当线圈的截面面积变大时，DC电阻(Rdc)降低。此外，随着主体中的磁通穿过的磁性区域的面积增大，电感增大。因此，为了在降低DC电阻(Rdc)的同时改善电感，有必要在增大线圈的截面面积的同时增大磁性区域的面积。为了增大线圈的截面面积，存在两种方法：一种用于增大导体图案的宽度的方法和一种用于增大导体图案的厚度的方法。然而，当简单地增大导体图案的宽度时，线圈图案之间可能发生短路。此外，对于要实现的导体图案的匝数存在限制，导致磁性区域占据的面积减小。因此，效率降低，并且在实现高容量产品方面可能存在限制。另一方面，当通过增大导体图案的厚度来增大线圈的截面面积而不是增大导体图案的宽度时，可解决上述问题。此外，如稍后在本公开中描述的，首先在抗蚀剂中形成开口图案，并且开口图案用作镀覆生长引导件。在这方面，可容易地调整线圈导体的形状。然而，如果高宽比非常高，则可能难以实现。此外，设置在第一导体图案上的磁性材料的体积减少，因此可能不利地影响电感。
第二导体图案32可具有平面线圈形状。第二导体图案可以是使用根据现有技术的镀覆方法而形成的镀覆图案，但不限于此。第二导体图案可具有至少两匝，因此第二导体图案可在具有高电感的同时是纤薄的。第二导体图案可包括种子层和镀层。种子层可利用多个层形成。在此，种子层可包括：粘合层，包括例如钛(Ti)、钛(Ti)-钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)和镍(Ni)-铬(Cr)中的一种或更多种；以及基础镀层，设置在粘合层上，并且包括与镀层相同的材料(例如，铜(Cu))，但不限于此。镀层可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)或它们的合金的导电材料，并且通常可包括铜(Cu)，但不限于此。
高宽比(第二导体图案的高度与宽度的比)可以约是3到9。以诸如电感器为例的线圈组件的主要特性之一是DC电阻(Rdc)特性，当线圈的截面面积变大时，DC电阻(Rdc)降低。此外，随着主体中的磁通穿过的磁性区域的面积增大，电感增大。因此，为了在降低DC电阻(Rdc)的同时改善电感，有必要在增大线圈的截面面积的同时增大磁性区域的面积。为了增大线圈的截面面积，存在两种方法：一种用于增大导体图案的宽度的方法和一种用于增大导体图案的厚度的方法。然而，当简单地增大导体图案的宽度时，线圈图案之间可能发生短路。此外，对于要实现的导体图案的匝数存在限制，导致磁性区域占据的面积减小。因此，效率降低，并且在实现高容量产品方面可能存在限制。另一方面，当通过增大导体图案的厚度来增大线圈的截面面积而不是增大导体图案的宽度时，可解决上述问题。此外，如稍后在本公开的示例性实施例中描述的，首先在抗蚀剂中形成开口图案，并且开口图案用作镀覆生长引导件。在这方面，可容易地调整线圈导体的形状。然而，如果高宽比非常高，则可能难以实现。此外，设置在第二导体图案上的磁性材料的体积减少，因此可能不利地影响电感。
凹槽部35h的横截面可具有圆形形状，并且可设置在第一导体图案31的最内周部分的端部31t和第二导体图案32的最内周部分的端部32t中。凹槽部35h可穿过支撑构件20，并且凹槽部35h的侧表面的至少一部分可以是敞开的。凹槽部35h可具有在第一导体图案31的最内周部分的端部31t和第二导体图案32的最内周部分的端部32t中延伸的结构，并且凹槽部35h的侧表面的一部分可穿过过孔垫36(稍后将描述)的内壁。
凹槽部35h可穿过支撑构件20与过孔垫36部分地叠置的区域，并因而可具有圆形形状的横截面。然而，如稍后将描述的，用过孔垫36修整凹槽部。因此，在线圈组件的最终结构中，凹槽部35h可具有切割的球形形状，但不限于此。凹槽部35h被形成为穿过支撑构件20。在此，在最终结构中，通孔25和凹槽部35h彼此连通以形成单个孔。
如稍后将描述的，过孔导体35沿着凹槽部35h的壁设置，以填充过孔垫36的凹槽部35h。过孔导体35连接到第一导体图案的端部31t和第二导体图案的端部32t。因此，由于导体图案与过孔导体之间的接触面积增大，因此可改善层间导电的可靠性。此外，由于层间导电面积增大，因此电流路径增大以降低DC电阻(Rdc)，从而可改善线圈特性。
过孔导体35可将第一导体图案31和第二导体图案32彼此电连接，从而形成沿相同方向旋转的单个线圈。过孔导体35可通过沿着穿过支撑构件20的凹槽部35h的壁进行镀覆来形成。过孔导体35可一体地填充支撑构件20的凹槽部35h和过孔垫36的凹槽部35h。过孔导体35可设置在凹槽部35h中并将第一导体图案31和第二导体图案32彼此连接，并且可包括与凹槽部35h的内壁接触的一侧表面以及不与凹槽部35h的内壁接触的另一侧表面。第一导体图案31和第二导体图案32以及过孔导体35可同时形成，从而使它们一体化。过孔导体35也可利用过孔种子层和过孔镀层形成。过孔种子层可利用多个层形成。在此，过孔种子层可包括：过孔粘合层，包括例如钛(Ti)、钛(Ti)-钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)和镍(Ni)-铬(Cr)中的一种或更多种；以及过孔基础镀层，设置在过孔粘合层上，并且包括与过孔镀层相同的材料(例如，铜(Cu))，但不限于此。过孔镀层可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)或它们的合金的导电材料，并且通常可包括铜(Cu)，但不限于此。
过孔导体35沿着凹槽部35h的壁设置，以连接到第一导体图案的端部31t和第二导体图案的端部32t。因此，由于导体图案与过孔导体之间的接触面积增大，因此可改善层间导电的可靠性。此外，由于层间导电面积增大，因此电流路径增大以降低DC电阻(Rdc)，从而可改善线圈特性。
如稍后将描述的，朝向芯部71的内部设置的过孔垫36和嵌在过孔垫36中的过孔导体35可通过修整工艺被处理为各种形状。过孔垫36的突出到芯部71的内部的部分可被处理。在此，当从过孔垫36的顶表面观看时，过孔导体35可具有半圆形状，但不限于此。
过孔垫36可设置在连接到第一导体图案31和第二导体图案32的端部31t和32t中，以将第一导体图案31和第二导体图案32连接到过孔导体35。凹槽部35h可被设置为穿过过孔垫36的内壁，使得凹槽部的侧表面的一部分是敞开的。过孔垫36的线宽W2可比第一导体图案31和第二导体图案32中的每个的最内周图案的线宽W1大。换句话说，第一导体图案31和第二导体图案32包括具有比过孔导体35的面积大的面积的过孔垫36。作为示例，过孔垫36的截面面积可以是凹槽部35h的由过孔导体35占据的截面面积的4倍到5倍。
根据线圈组件的小型化，线圈的芯部71的由过孔垫36占据的面积可变得相对大。例如，在导体图案的匝数为13.5的线圈组件的情况下，过孔垫36的面积占据芯部71的面积的约6％。随着由过孔垫36占据的面积相对地增大，可能发生过度镀覆，并且可能增大镀覆分散。然而，为了制造小的线圈组件，形成在其中的过孔垫36的尺寸需要减小。在这方面，如稍后将描述的，处理支撑构件20的突出到芯部71的内部的部分和过孔垫36的突出到芯部71的内部的部分，以减小过孔垫36的尺寸。通过处理过孔垫36，在过孔垫36的线宽W2比第一导体图案的端部31t的线宽W1和第二导体图案的端部32t的线宽W1大的线圈组件中，可显著地减小由过孔垫占据的面积。修整后的过孔垫36的形状不受限制，但是可根据修整区域将过孔垫的形状处理为具有直线部分的四边形形状。
由于过孔垫36使第一导体图案31和第二导体图案32连接到过孔导体35，因此过孔垫可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)或它们的合金的导电材料，并且通常可包括铜(Cu)，但不限于此。
第二实施例
图5是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示例的示意性平面图。
图6是示出图1的线圈组件的在修整之前的线圈部的示例的示意性平面图。
参照图1至图4，与根据第一实施例的线圈组件100相比，根据本公开的示例性实施例的线圈组件100可具有上表面的形状不同的过孔垫36。因此，在描述实施例时，将仅描述与第一实施例的过孔垫36的上表面的形状不同的过孔垫36的上表面的形状。第一实施例的描述可按照原样应用于实施例的其他构造。
参照图5和图6，过孔垫36可设置在连接到第一导体图案31和第二导体图案32的端部31t和32t中，以将第一导体图案31和第二导体图案32连接到过孔导体35。过孔垫36的线宽W2可比第一导体图案31和第二导体图案32中的每个的最内周图案的线宽W1大。换句话说，第一导体图案31和第二导体图案32包括具有比过孔导体35的面积大的面积的过孔垫36。作为示例，过孔垫36的截面面积可以是凹槽部35h的由过孔导体35占据的截面面积的4倍到5倍。根据线圈组件的小型化，线圈的芯部71的由过孔垫36占据的面积可变得相对大。例如，在导体图案的匝数为13.5的线圈组件的情况下，过孔垫36的面积占据芯部71的面积的约6％。随着由过孔垫36占据的面积相对地增大，可能发生过度镀覆，并且可能增大镀覆分散。然而，为了制造小的线圈组件，形成在其中的过孔垫36的尺寸需要减小。在这方面，如稍后将描述的，处理支撑构件20的突出到芯部71的内部的部分和过孔垫36的突出到芯部71的内部的部分，以减小过孔垫36的尺寸。通过处理过孔垫36，在过孔垫36的线宽W2比第一导体图案的端部31t的线宽W1和第二导体图案的端部32t的线宽W1大的线圈组件中，可显著地减小由过孔垫占据的面积。
如稍后将描述的，朝向芯部71的内部设置的过孔垫36和嵌在过孔垫36中的过孔导体35可通过修整工艺被处理为各种形状。支撑构件20的突出到芯部71的内部的部分和过孔垫36的突出到芯部71的内部的部分可被处理，并且过孔导体35可具有半圆形状，但不限于此。作为示例，过孔垫36的上表面可被处理为具有利用圆弧形成的角部和连接角部的直线部分。此外，形成在过孔垫36中的多个角部可具有相同的曲率半径R1和R2。
由于过孔垫36使第一导体图案31和第二导体图案32连接到过孔导体35，因此过孔垫可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)或它们的合金的导电材料，并且通常可包括铜(Cu)，但不限于此。
用于制造线圈组件的方法
图3A和图3B是示出图1的线圈组件的制造工艺的示意图。
参照图3A，首先制备支撑构件20。支撑构件20可以是根据现有技术的覆铜层压板(CCL)等。在这种情况下，可在支撑构件20的上表面和下表面上形成薄铜箔21。然后，在支撑构件20中形成贯穿支撑构件20的凹槽部35h。可使用机械打孔和/或激光打孔来形成凹槽部35h。然后，在支撑构件20的上表面和下表面以及凹槽部35h的壁上形成种子层22。可使用已知的方法形成种子层。例如，可使用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射等使用干膜形成种子层，但不限于此。然后，分别在支撑构件20的上表面和下表面上形成第一分隔壁61和第二分隔壁62。第一分隔壁61和第二分隔壁62中的每个可以是抗蚀膜，并且可使用层叠然后固化抗蚀膜的方法或者使用涂覆并硬化抗蚀膜材料的方法来形成，但不限于此。层叠方法可包括例如热压前体、使用冷压冷却被热压的前体以及将工具与冷却的前体分开等的方法，热压包括在高温下对前体加压一段特定时间、使加压的前体减压并将减压的前体冷却至室温。例如，可使用利用刮墨刀(squeegee)涂覆油墨(ink)的丝网印刷方法、涂覆雾形式的油墨的喷涂印刷方法等作为涂覆材料的方法。作为后处理的硬化工艺可以是使材料干燥为使其不完全固化以使用光刻方法等的处理。第一分隔壁61和第二分隔壁62分别具有第一开口61h和第二开口62h，第一开口61h和第二开口62h具有平面线圈形状。可使用已知的光刻方法(即，已知的曝光和显影方法)处理第一开口61h和第二开口62h，可顺序地使第一开口61h和第二开口62h图案化，或者可同时使第一开口61h和第二开口62h图案化。曝光机器或显影机不受具体限制，并且可根据要使用的感光材料选择合适的曝光机器或显影机。
参照图3B，然后，第一分隔壁61的开口61h和第二分隔壁62的开口62h用作镀覆生长引导件，并在种子层22上形成第一线圈层31和第二线圈层32以及过孔导体35。过孔导体35可设置在凹槽部35h中，并且将第一导体图案31和第二导体图案32彼此连接，并且可具有与凹槽部35h的内壁接触的一侧表面以及不与凹槽部35h的内壁接触的另一侧表面。如上所述，首先在绝缘体中形成开口图案，然后开口图案用作用于执行镀覆的引导件。在这方面，以与根据现有技术的各向异性镀覆技术不同的方式，容易调整线圈导体的形状。换句话说，要形成的第一导体图案31和第二导体图案32具有分别与第一分隔壁61和第二分隔壁62接触的平坦的侧表面。在此，平坦的含义不仅是完全平坦，而且也是基本上平坦。换句话说，考虑到开口图案的壁由于光刻而部分地不均匀。镀覆方法没有具体限制，并且可以是电解镀覆、无电镀覆等，但不限于此。形成第一导体图案31和第二导体图案32以及过孔导体35，然后去除第一分隔壁61和第二分隔壁62。可使用已知的去膜溶液(stripping solution)去除第一分隔壁61和第二分隔壁62。可在第一导体图案31的端部31t和第二导体图案32的端部32t中的每个中设置过孔垫36，以将第一导体图案31和第二导体图案32连接到过孔导体35。过孔垫36的线宽W2可比第一导体图案31和第二导体图案32中的每个的线宽W1大。然后，通过修整工艺，形成穿过支撑构件20的通孔25。可通过修整工艺将朝向芯部71的内部设置的过孔垫36和嵌在过孔垫36中的过孔导体35处理为各种形状。可使用修整工艺来处理过孔垫36的突出到芯部71的内部的部分，并且过孔导体35可具有半圆形状，但不限于此。作为示例，可将过孔垫36的上表面处理为具有利用圆弧形成的角部和连接角部的直线形状。此外，形成在过孔垫36中的多个角部可具有相同的曲率半径R1和R2。
通过激光修整来去除通孔25的被分隔壁61和62阻挡的部分，也使用机械打孔和/或激光打孔来形成通孔25。通孔25可连接到凹槽部35h，以形成单个孔。在修整工艺中，通孔25不仅可形成在支撑构件20的中央部中，而且可形成在支撑构件20的外部中。换句话说，在修整工艺中，通孔25可形成在支撑构件20的中央部和外部中，以使支撑构件20具有与第一导体图案31和第二导体图案32的平面形状对应的形状。可用磁性材料填充这样的通孔25，因此可实现更优秀的线圈特性。然后，形成绝缘膜(未示出)。可使用化学气相沉积(CVD)来执行绝缘膜(未示出)涂覆。然后，在已制造的线圈部70的上部和下部上堆叠磁性片，以形成主体部分10。然后，在已形成的主体部10上形成电极部80。
如上所述，根据本公开中的示例性实施例，提供一种线圈组件及用于有效地制造该线圈组件的方法，所述线圈组件能够通过在具有减小的尺寸的线圈组件中增大芯部的体积而实现更高容量的线圈组件，从而改善DC电阻特性(Rdc)。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。
Claims (19)
1.一种线圈组件，包括：
主体部，包括磁性材料；
支撑构件，设置在所述主体部中；以及
第一导体图案和第二导体图案，设置在所述支撑构件的彼此背对的两侧上，
其中，所述支撑构件具有从所述支撑构件的侧表面突出的突出部以及设置在所述突出部中的凹槽部，
过孔导体设置在所述支撑构件的所述凹槽部中，并将所述第一导体图案和所述第二导体图案彼此连接，并且
所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个包括设置在其端部中的过孔垫，所述过孔垫具有凹槽部，所述过孔导体还设置在所述过孔垫的凹槽部中，以将所述第一导体图案和所述第二导体图案连接到所述过孔导体，所述过孔垫具有比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大的线宽。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述过孔垫的凹槽部的侧表面的一部分是敞开的。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述过孔导体作为一体式单件设置在所述支撑构件的凹槽部和所述过孔垫的凹槽部中。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述过孔导体具有与所述支撑构件的凹槽部的内壁接触的一侧表面以及不与所述支撑构件的凹槽部的所述内壁接触的另一侧表面。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述突出部的一个侧表面与所述过孔导体的一个侧表面共面。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述过孔垫的截面面积为所述过孔导体的截面面积的4倍到5倍。
7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述过孔垫的上表面包括具有圆弧的角部和连接所述角部的直线部。
8.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述过孔垫包括各自具有圆弧的形状的多个角部，并且所述圆弧中的任意点具有恒定的曲率半径。
9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述支撑构件的中央部具有贯穿所述支撑构件的通孔。
10.根据权利要求9所述的线圈组件，其中，所述通孔被所述磁性材料填充。
11.根据权利要求9所述的线圈组件，其中，所述通孔连接到所述凹槽部，以形成单个孔。
12.一种用于制造线圈组件的方法，包括：
形成线圈部，形成嵌有所述线圈部的主体部以及在所述主体部上形成电极部，
其中，形成线圈部的步骤包括：
制备支撑构件，所述支撑构件具有从所述支撑构件的侧表面突出的突出部；
在所述突出部中形成贯穿所述支撑构件的凹槽部；
分别在所述支撑构件的第一表面和第二表面上形成第一分隔壁和第二分隔壁，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个具有呈平面线圈形状的开口；
通过用导体填充所述第一分隔壁的开口而在所述支撑构件的所述第一表面上形成具有第一导体图案的第一线圈层，通过用导体填充所述第二分隔壁的开口而在所述支撑构件的所述第二表面上形成具有第二导体图案的第二线圈层，所述第一导体图案和所述第二导体图案呈平面线圈形状；
形成过孔导体，所述过孔导体设置在所述支撑构件的凹槽部中以将所述第一导体图案和所述第二导体图案彼此连接，并且具有与所述支撑构件的凹槽部的内壁接触的一侧表面以及不与所述凹槽部的所述支撑构件的内壁接触的另一侧表面；
形成过孔垫，所述过孔垫设置在所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个的端部中，所述过孔垫具有凹槽部，所述过孔导体还设置在所述过孔垫的凹槽部中，以将所述第一导体图案和所述第二导体图案连接到所述过孔导体，所述过孔垫具有比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大的线宽；以及
去除所述第一分隔壁和所述第二分隔壁。
13.根据权利要求12所述的用于制造线圈组件的方法，其中，所述过孔垫的截面面积为所述过孔导体的截面面积的4倍到5倍。
14.根据权利要求12所述的用于制造线圈组件的方法，其中，所述过孔垫的上表面包括具有圆弧的角部和连接所述角部的直线部。
15.根据权利要求14所述的用于制造线圈组件的方法，其中，所述过孔垫包括各自具有圆弧的形状的多个角部，所述圆弧中的任意部分具有恒定的曲率半径。
16.根据权利要求12所述的用于制造线圈组件的方法，其中，形成线圈部的步骤还包括：
在所述支撑构件的中央部中形成贯穿所述支撑构件的通孔。
17.根据权利要求16所述的用于制造线圈组件的方法，其中，用磁性材料填充所述通孔。
18.根据权利要求16所述的用于制造线圈组件的方法，其中，所述通孔连接到所述凹槽部以形成单个孔。
19.一种线圈组件，包括：
主体部，包括磁性材料；
支撑构件，设置在所述主体部中；以及
第一导体图案和第二导体图案，设置在所述支撑构件的彼此背对的两侧上，
其中，所述第一导体图案和所述第二导体图案中的每个在其内端部处包括过孔垫，所述过孔垫的线宽比所述第一导体图案的其他部分的线宽和所述第二导体图案的其他部分的线宽大，
所述第一导体图案的过孔垫和所述第二导体图案的过孔垫通过过孔导体彼此连接，所述过孔导体贯穿所述支撑构件的一部分，并且
所述过孔导体在与所述第一导体图案和所述第二导体图案的堆叠方向垂直的平面中的截面形状是半圆形，
所述支撑构件包括从所述支撑构件的侧表面突出的突出部以及设置在所述突出部中的凹槽部，所述支撑构件的凹槽部具有半圆形状，并且容纳所述过孔导体的一部分，并且所述过孔垫具有凹槽部，所述过孔垫的凹槽部具有半圆形状，并且容纳所述过孔导体的另一部分。
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