CN111651126A - 存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质 - Google Patents

存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质，其中存储器的写操作方法包括以下步骤：获取若干存储块的写次数的离散系数；如果离散系数大于预设阈值，则以写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。本发明能够合理控制存储块的写入次数，延长存储器的使用寿命。

Description

存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质
技术领域
本发明属于存储器读写技术领域，尤其涉及一种存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质。
背景技术
现行的嵌入式设备大多以flash memory(闪存存储器)作为主要的非易失存储设备，以保存掉电后不丢失的代码和数据。为提高上层应用的灵活性，大多数嵌入式系统引入了文件系统，通过文件的形式来读写flash memory上存储的数据。主流的嵌入式文件系统均对flash memory按照逻辑顺序进行文件的保存。由于文件的位置相对固定，嵌入式软件通过文件系统读写常用的文件时，通常都是操作固定的区域的flash memory，从而导致部分区域的flash读写非常频繁，很快达到flash设备的写操作上限，从而出现坏块，导致整个flash设备无法使用，整个设备都面临报废的可能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中的文件系统的读写容易造成存储器损坏的缺陷，提供一种存储器的写操作方法、系统、电子设备和介质。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
本发明提供一种存储器的写操作方法，存储器包括若干存储块，写操作方法包括以下步骤：
获取若干存储块的写次数的离散系数；
如果离散系数大于预设阈值，则以写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。
较佳地，获取若干存储块的写次数的离散系数的步骤包括：
读取存储块的块信息表，块信息表包括存储块的块序号、写次数；
根据写次数得到离散系数，离散系数
Figure BDA0002524768990000021
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000022
为全部存储块的写次数的均值。
较佳地，如果离散系数小于等于预设阈值，则按照存储块的物理顺序确定目标存储块以进行写入操作。
较佳地，写操作方法还包括以下步骤：
将若干存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换。
本发明还提供一种存储器的写操作系统，存储器包括若干存储块，写操作系统包括离散系数获取单元、写操作单元；
离散系数获取单元用于获取若干存储块的写次数的离散系数；
如果离散系数大于预设阈值，则写操作单元用于以写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。
较佳地，离散系数获取单元还用于读取存储块的块信息表，块信息表包括存储块的块序号、写次数；
离散系数获取单元还用于根据写次数得到离散系数，离散系数
Figure BDA0002524768990000023
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000024
为全部存储块的写次数的均值。
较佳地，如果离散系数小于等于预设阈值，则写操作单元还用于按照存储块的物理顺序确定目标存储块以进行写入操作。
较佳地，写操作系统还包括互换单元；
互换单元用于将若干存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本发明的存储器的写操作方法。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本发明的存储器的写操作方法的步骤。
本发明的积极进步效果在于：本发明能够合理控制存储块的写入次数，延长存储器的使用寿命。
附图说明
图1为本发明是实施例1的存储器的写操作方法的流程图。
图2为本发明是实施例2的存储器的写操作方法的步骤S11的流程图。
图3为本发明是实施例3的存储器的写操作方法的流程图。
图4为本发明是实施例4的存储器的写操作系统的结构示意图。
图5为本发明是实施例6的存储器的写操作系统的结构示意图。
图6为本发明是实施例7的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
本实施例提供一种存储器的写操作方法。存储器包括若干存储块。参照图1，该存储器的写操作方法包括以下步骤：
步骤S11、获取若干存储块的写次数的离散系数。
步骤S12、判断离散系数是否大于预设阈值，如果离散系数大于预设阈值，则执行步骤S13；如果离散系数小于等于预设阈值，则执行步骤S14。预设阈值可以根据实际需要合理设置。
步骤S13、以写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。
步骤S14、按照存储块的物理顺序确定目标存储块以进行写入操作。
根据存储块的写次数的离散系数合理设置目标存储块，可以合理控制存储块的写入次数，避免有的存储块写入频繁、而有的存储块写入较少的状况，有利于延长存储器的使用寿命。
本实施例的存储器的写操作方法在进行读写操作的过程中，通过计算筛选出目标存储块，从而达到全部存储模块的写平衡，避免出现个别存储块写次数过多引起损坏。如果单纯以写入次数作为写操作的指引，也即，单纯根据写入次数作为评价，将写入次数最少的存储块作为下一次写操作的对象，那么，会因为存储块的写操作次数的变化，频繁发生调整写操作的对象的情况。例如，写入次数最少的两个存储块的写入次数相差1时，此时，如果仅仅将写入次数最少的存储块作为下一次写操作的对象，那么，将发生交替写入这两个存储块的情况。这意味着，需要频繁改变写操作的目标地址，需要占用较多的资源，并需要消耗进行评估和更新写地址的操作周期。尤其在高频读写操作时，会影响写操作的速度。而本实施例的存储器的写操作方法引入了对存储块的写次数的离散系数的评估，并基于离散系数设置写操作策略。离散系数体现出若干存储块的写次数的离散程度。当离散系数小于等于预设阈值时，说明存储器的各个存储块的写次数呈现相对较为均衡的状态。那么，虽然各个存储块的写次数之间存在差异，但仍然采用默认的写操作顺序确定目标存储块以进行写入操作。这样，可以避免写操作目标的频繁变化，节省资源，减少时间消耗，提高写操作的速率。当离散系数大于预设阈值时，说明存储器的各个存储块的写次数已经不均衡、差异较大，此时，再写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。所以，本实施例的存储器的写操作方法实现了存储器寿命的延长，并提高了写操作的速率。实施例2
在实施例1的基础上，本实施例提供一种存储器的写操作方法。参照图2，步骤S11包括以下步骤：
步骤S111、读取存储块的块信息表。块信息表包括存储块的块序号、写次数。
步骤S112、根据写次数得到离散系数。离散系数
Figure BDA0002524768990000041
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000042
为全部存储块的写次数的均值。其中，标准差
Figure BDA0002524768990000051
均值
Figure BDA0002524768990000052
其中，n为该存储器所包含的全部存储块的数量，xi为第i个存储块的写入的次数，i∈[1,n]。
作为一种可选的实施方式，本实施例以闪存存储器为写操作的对象，以通过文件系统对该闪存存储器进行写操作为例进行说明。闪存存储器包括多个存储块。首先，在该闪存存储器中建立存储块的管理信息，该管理信息被称为块头信息，存于每个存储块开头的几个字节中，具体所需的字节数可根据闪存写操作的最大操作次数合理设置。建立闪存存储器所有存储块的顺序表，简称为块顺序表。块顺序表保存在闪存存储器。块顺序表用于保存存储块的操作顺序，在初始状态下以物理顺序作为默认顺序。
在设备启动后，初始化闪存存储器的过程中，在步骤S111中，将闪存存储器每个存储块的管理信息读取出来，并汇总为一个闪存存储器的存储块的写次数的信息表，称为块信息表。块信息表包含：存储块的块序号、对应写次数、空闲存储块写次数的排序(由少到多)。
在步骤S112中，根据所有存储块的写次数得到离散系数。离散系数
Figure BDA0002524768990000053
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000054
为全部存储块的写次数的均值。将块顺序表读取并保存到内存中。
接下来，在执行闪存存储器写操作时，获取块信息表中的所有块写次数的离散系数，如果离散系数小于等于预设阈值，则数据写入块顺序表中指定的目标块(设为块A)；否则，如果离散系数大于预设阈值，则数据写入块信息表中的写次数最少的空闲块(设为块B)。然后，更新块顺序表、块信息表和块头信息，并同步闪存存储器和内存中的信息。
作为一种可选的实施方式，离散系数的预设阈值为0.1。在其他可选的实施方式中，离散系数的预设阈值可根据实际应用进行合理配置。
实施例3
在实施例2的基础上，本实施例提供一种存储器的写操作方法。参照图3，该存储器的写操作方法还包括以下步骤：
步骤S21、将若干存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换。具体实施时，将写入次数最多的第j个存储块中的数据与写入次数最少的第j个存储块中的数据对应进行互换，j∈[1,m]，
Figure BDA0002524768990000061
即m为30％*n的整数部分，n为该存储器所包含的全部存储块的数量。
在其他可选的实施方式中，步骤S21在S11之前执行。
在其他可选的实施方式中，当需要进行存储区整理时，步骤S21在合适的时间启动执行。
在其他可选的实施方式中，闪存存储器的存储区整理可以由用户触发，或者，在读写次数达到预设阈值(如10000次读写)后，自动触发，或询问用户后触发。
本实施例的存储器的写操作方法在进行读写操作的过程中，通过计算筛选出目标存储块，从而达到全部存储模块的写平衡，避免出现个别存储块写次数过多引起损坏。经过多次读写后，可能会导致存储块的逻辑顺序和物理顺序差别较大，从而导致目标块的计算效率变低，引起读写效率低下。本实施例的存储器的写操作方法通过将存储块中写次数最多和最少的30％的存储块中的数据进行互换，可有效解决长期使用后导致的效率低下的问题。具体地说，本实施方式中，文件当前存储的物理顺序(该文件已写入的存储块的实际顺序)与其待写入的逻辑顺序(根据计算后的最优存储顺序)是不同的。通过将存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换，能将最常写的数据置换到写次数较少的存储块，从而再次写数据时，不会进行重新计算并更换目标块，从而在延长存储器寿命的同时，提高写效率。
作为一种可选的实施方式，用户定期进行互换操作，执行频率与用户对存储使用的频率及存储设备大小有关。作为一种较佳的实施方式，在10000次读写后进行一次互换操作。
实施例4
本实施例提供一种存储器的写操作系统。参照图4存储器包括若干存储块，写操作系统包括离散系数获取单元201、写操作单元202。
离散系数获取单元201用于获取若干存储块的写次数的离散系数。如果离散系数大于预设阈值，则写操作单元202用于以写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。如果离散系数小于等于预设阈值，则写操作单元202还用于按照存储块的物理顺序确定目标存储块以进行写入操作。
根据存储块的写次数的离散系数合理设置目标存储块，可以合理控制存储块的写入次数，避免有的存储块写入频繁、而有的存储块写入较少的状况，有利于延长存储器的使用寿命。
本实施例的存储器的写操作系统在进行读写操作的过程中，通过计算筛选出目标存储块，从而达到全部存储模块的写平衡，避免出现个别存储块写次数过多引起损坏。
如果单纯以写入次数作为写操作的指引，也即，单纯根据写入次数作为评价，将写入次数最少的存储块作为下一次写操作的对象，那么，会因为存储块的写操作次数的变化，频繁发生调整写操作的对象的情况。例如，写入次数最少的两个存储块的写入次数相差1时，此时，如果仅仅将写入次数最少的存储块作为下一次写操作的对象，那么，将发生交替写入这两个存储块的情况。这意味着，需要频繁改变写操作的目标地址，需要占用较多的资源，并需要消耗进行评估和更新写地址的操作周期。尤其在高频读写操作时，会影响写操作的速度。而本实施例的存储器的写操作系统引入了对存储块的写次数的离散系数的评估，并基于离散系数设置写操作策略。离散系数体现出若干存储块的写次数的离散程度。当离散系数小于等于预设阈值时，说明存储器的各个存储块的写次数呈现相对较为均衡的状态。那么，虽然各个存储块的写次数之间存在差异，但仍然采用默认的写操作顺序确定目标存储块以进行写入操作。这样，可以避免写操作目标的频繁变化，节省资源，减少时间消耗，提高写操作的速率。当离散系数大于预设阈值时，说明存储器的各个存储块的写次数已经不均衡、差异较大，此时，再写次数最少的存储块作为目标存储块进行写操作。所以，本实施例的存储器的写操作系统实现了存储器寿命的延长，并提高了写操作的速率。
实施例5
在实施例1的基础上，本实施例提供一种存储器的写操作系统。在本实施例中，离散系数获取单元201读取存储块的块信息表。块信息表包括存储块的块序号、写次数。然后，离散系数获取单元201根据写次数得到离散系数。离散系数
Figure BDA0002524768990000081
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000082
为全部存储块的写次数的均值。其中，标准差
Figure BDA0002524768990000083
均值
Figure BDA0002524768990000084
其中，n为该存储器所包含的全部存储块的数量，xi为第i个存储块的写入的次数，i∈[1,n]。
作为一种可选的实施方式，本实施例以闪存存储器为写操作的对象，以通过文件系统对该闪存存储器进行写操作为例进行说明。闪存存储器包括多个存储块。首先，在该闪存存储器中建立存储块的管理信息，该管理信息被称为块头信息，存于每个存储块开头的几个字节中，具体所需的字节数可根据闪存写操作的最大操作次数合理设置。建立闪存存储器所有存储块的顺序表，简称为块顺序表。块顺序表保存在闪存存储器。块顺序表用于保存存储块的操作顺序，在初始状态下以物理顺序作为默认顺序。
在设备启动后，初始化闪存存储器的过程中，离散系数获取单元201将闪存存储器每个存储块的管理信息读取出来，并汇总为一个闪存存储器的存储块的写次数的信息表，称为块信息表。块信息表包含：存储块的块序号、对应写次数、空闲存储块写次数的排序(由少到多)。
然后，离散系数获取单元201根据所有存储块的写次数得到离散系数。离散系数
Figure BDA0002524768990000091
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000092
为全部存储块的写次数的均值。将块顺序表读取并保存到内存中。
接下来，在执行闪存存储器写操作时，获取块信息表中的所有块写次数的离散系数，如果离散系数小于等于预设阈值，则写操作单元202将数据写入块顺序表中指定的目标块(设为块A)；否则，如果离散系数大于预设阈值，则写操作单元202将数据写入块信息表中的写次数最少的空闲块(设为块B)。然后，写操作单元202更新块顺序表、块信息表和块头信息，并同步闪存存储器和内存中的信息。
作为一种可选的实施方式，离散系数的预设阈值为0.1。在其他可选的实施方式中，离散系数的预设阈值可根据实际应用进行合理配置。
实施例6
在实施例5的基础上，本实施例提供一种存储器的写操作系统。参照图5，该存储器的写操作系统还包括互换单元203。互换单元203用于将若干存储块中写次数最多的30％与写次数最少的30％进行位置互换。
在本实施例中，离散系数获取单元201读取存储块的块信息表。块信息表包括存储块的块序号、写次数。然后，离散系数获取单元201根据写次数得到离散系数。离散系数
Figure BDA0002524768990000093
其中，s为全部存储块的写次数的标准差，
Figure BDA0002524768990000094
为全部存储块的写次数的均值。
写操作单元202执行完相应的写操作之后，互换单元203将若干存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换。具体实施时，将写入次数最多的第j个存储块中的数据与写入次数最少的第j个存储块中的数据对应进行互换，j∈[1,m]，
Figure BDA0002524768990000095
即m为30％*n的整数部分，n为该存储器所包含的全部存储块的数量。
在其他可选的实施方式中，当需要进行存储区整理时，互换单元203在合适的时间将若干存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换。
本实施例的存储器的写操作系统在进行读写操作的过程中，通过计算筛选出目标存储块，从而达到全部存储模块的写平衡，避免出现个别存储块写次数过多引起损坏。经过多次读写后，可能会导致存储块的逻辑顺序和物理顺序差别较大，从而导致目标块的计算效率变低，引起读写效率低下。本实施例的存储器的写操作系统通过将存储块中写次数最多和最少的30％的存储块中的数据进行互换，可有效解决长期使用后导致的效率低下的问题。具体地说，本实施方式中，文件当前存储的物理顺序(该文件已写入的存储块的实际顺序)与其待写入的逻辑顺序(根据计算后的最优存储顺序)是不同的。通过将存储块中写次数最多的30％的存储块中的数据与写次数最少的30％的存储块中的数据进行互换，能将最常写的数据置换到写次数较少的存储块，从而再次写数据时，不会进行重新计算并更换目标块，从而在延长存储器寿命的同时，提高写效率。
作为一种可选的实施方式，用户定期进行互换操作，执行频率与用户对存储使用的频率及存储设备大小有关。作为一种较佳的实施方式，在10000次读写后进行一次互换操作。
实施例7
图6为本实施例提供的一种电子设备的结构示意图。所述电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序。在一种可选的实施方式中，所述处理器执行所述程序时实现实施例1-实施例3中任意一个实施例的存储器的写操作方法。图6显示的电子设备30仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示，电子设备30可以以通用计算设备的形式表现，例如其可以为服务器设备。电子设备30的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理器31、上述至少一个存储器32、连接不同系统组件(包括存储器32和处理器31)的总线33。
总线33包括数据总线、地址总线和控制总线。
存储器32可以包括易失性存储器，例如随机存取存储器(RAM)321和/或高速缓存存储器322，还可以进一步包括只读存储器(ROM)323。
存储器32还可以包括具有一组(至少一个)程序模块324的程序/实用工具325，这样的程序模块324包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
处理器31通过运行存储在存储器32中的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如本发明实施例1的存储器的写操作方法。
电子设备30也可以与一个或多个外部设备34(例如键盘、指向设备等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口35进行。并且，模型生成的设备30还可以通过网络适配器36与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器36通过总线33与模型生成的设备30的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合模型生成的设备30使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理器、外部磁盘驱动阵列、RAID(磁盘阵列)系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了电子设备的若干单元/模块或子单元/模块，但是这种划分仅仅是示例性的并非强制性的。实际上，根据本发明的实施方式，上文描述的两个或更多单元/模块的特征和功能可以在一个单元/模块中具体化。反之，上文描述的一个单元/模块的特征和功能可以进一步划分为由多个单元/模块来具体化。
实施例8
本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现实施例1-实施例3中任意一个实施例的存储器的写操作方法的步骤。
其中，可读存储介质可以采用的更具体可以包括但不限于：便携式盘、硬盘、随机存取存储器、只读存储器、可擦拭可编程只读存储器、光存储器件、磁存储器件或上述的任意合适的组合。
在可能的实施方式中，本发明还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行实现实施例1-实施例3中任意一个实施例的存储器的写操作方法的步骤。
其中，可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明的程序代码，所述程序代码可以完全地在用户设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户设备上部分在远程设备上执行或完全在远程设备上执行。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种存储器的写操作方法，其特征在于，所述存储器包括若干存储块，所述写操作方法包括以下步骤：
获取若干所述存储块的写次数的离散系数；
如果所述离散系数大于预设阈值，则以写次数最少的所述存储块作为目标存储块进行写操作。
2.如权利要求1所述的存储器的写操作方法，其特征在于，所述获取若干所述存储块的写次数的离散系数的步骤包括：
读取所述存储块的块信息表，所述块信息表包括所述存储块的块序号、写次数；
根据所述写次数得到所述离散系数，所述离散系数
Figure FDA0002524768980000011
其中，s为全部所述存储块的所述写次数的标准差，
Figure FDA0002524768980000012
为全部所述存储块的所述写次数的均值。
3.如权利要求1所述的存储器的写操作方法，其特征在于，如果所述离散系数小于等于所述预设阈值，则按照所述存储块的物理顺序确定所述目标存储块以进行写入操作。
4.如权利要求1所述的存储器的写操作方法，其特征在于，所述写操作方法还包括以下步骤：
将若干所述存储块中写次数最多的30％的所述存储块中的数据与写次数最少的30％的所述存储块中的数据进行互换。
5.一种存储器的写操作系统，其特征在于，所述存储器包括若干存储块，所述写操作系统包括离散系数获取单元、写操作单元；
所述离散系数获取单元用于获取若干所述存储块的写次数的离散系数；
如果所述离散系数大于预设阈值，则所述写操作单元用于以写次数最少的所述存储块作为目标存储块进行写操作。
6.如权利要求5所述的存储器的写操作系统，其特征在于，所述离散系数获取单元还用于读取所述存储块的块信息表，所述块信息表包括所述存储块的块序号、写次数；
所述离散系数获取单元还用于根据所述写次数得到所述离散系数，所述离散系数
Figure FDA0002524768980000021
其中，s为全部所述存储块的所述写次数的标准差，
Figure FDA0002524768980000022
为全部所述存储块的所述写次数的均值。
7.如权利要求5所述的存储器的写操作系统，其特征在于，如果所述离散系数小于等于所述预设阈值，则所述写操作单元还用于按照所述存储块的物理顺序确定所述目标存储块以进行写入操作。
8.如权利要求5所述的存储器的写操作系统，其特征在于，所述写操作系统还包括互换单元；
所述互换单元用于将若干所述存储块中写次数最多的30％的所述存储块中的数据与写次数最少的30％的所述存储块中的数据进行互换。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1-4中任一项所述的存储器的写操作方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-4中任一项所述的存储器的写操作方法的步骤。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112162934A (zh) * 2020-09-29 2021-01-01 深圳市时创意电子有限公司 存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质
CN112631637A (zh) * 2020-12-30 2021-04-09 重庆芯讯通无线科技有限公司 基于rtos的ota升级方法、系统、设备及存储介质

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436431A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质的数据存储方法
JP2010198368A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Hitachi Information & Communication Engineering Ltd 補助記憶装置用フィルタドライバ手段を備えた電子計算機、補助記憶装置用フィルタドライバプログラム、及び、補助記憶装置用フィルタドライバプログラムの記録媒体
US20110029808A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Stec, Inc. System and method of wear-leveling in flash storage
WO2012167642A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Tsinghua University Wear leveling method and apparatus
CN103092766A (zh) * 2012-12-28 2013-05-08 北京时代民芯科技有限公司 一种用于nand flash的均衡损耗实现方法
US20140372681A1 (en) * 2011-12-23 2014-12-18 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Apparatus and method for indicating flash memory life
CN104731515A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 华为技术有限公司 控制存储设备机群磨损均衡的方法及设备
US20160062676A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 International Business Machines Corporation Thermally sensitive wear leveling for a flash memory device that includes a plurality of flash memory modules
CN109343800A (zh) * 2018-09-30 2019-02-15 深圳市得微电子有限责任公司 存储设备管理方法、装置及可读存储介质
CN109753443A (zh) * 2019-01-12 2019-05-14 湖南国科微电子股份有限公司 一种数据处理方法、装置及电子设备
CN109947353A (zh) * 2017-12-20 2019-06-28 浙江宇视科技有限公司 存储管理方法、固态硬盘及可读存储介质
CN110109621A (zh) * 2019-04-28 2019-08-09 南威软件股份有限公司 一种提升固态硬盘阵列系统性能和寿命的方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436431A (zh) * 2007-11-14 2009-05-20 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质的数据存储方法
JP2010198368A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Hitachi Information & Communication Engineering Ltd 補助記憶装置用フィルタドライバ手段を備えた電子計算機、補助記憶装置用フィルタドライバプログラム、及び、補助記憶装置用フィルタドライバプログラムの記録媒体
US20110029808A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Stec, Inc. System and method of wear-leveling in flash storage
WO2012167642A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Tsinghua University Wear leveling method and apparatus
US20140372681A1 (en) * 2011-12-23 2014-12-18 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Apparatus and method for indicating flash memory life
CN103092766A (zh) * 2012-12-28 2013-05-08 北京时代民芯科技有限公司 一种用于nand flash的均衡损耗实现方法
CN104731515A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 华为技术有限公司 控制存储设备机群磨损均衡的方法及设备
US20160062676A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 International Business Machines Corporation Thermally sensitive wear leveling for a flash memory device that includes a plurality of flash memory modules
CN109947353A (zh) * 2017-12-20 2019-06-28 浙江宇视科技有限公司 存储管理方法、固态硬盘及可读存储介质
CN109343800A (zh) * 2018-09-30 2019-02-15 深圳市得微电子有限责任公司 存储设备管理方法、装置及可读存储介质
CN109753443A (zh) * 2019-01-12 2019-05-14 湖南国科微电子股份有限公司 一种数据处理方法、装置及电子设备
CN110109621A (zh) * 2019-04-28 2019-08-09 南威软件股份有限公司 一种提升固态硬盘阵列系统性能和寿命的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
赵峰;刘博妍;朱戈;: "关于NAND闪存损耗均衡算法的优化" *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112162934A (zh) * 2020-09-29 2021-01-01 深圳市时创意电子有限公司 存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质
CN112631637A (zh) * 2020-12-30 2021-04-09 重庆芯讯通无线科技有限公司 基于rtos的ota升级方法、系统、设备及存储介质
CN112631637B (zh) * 2020-12-30 2024-04-02 重庆芯讯通无线科技有限公司 基于rtos的ota升级方法、系统、设备及存储介质

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