CN111601493B - 一种射频链路强电磁脉冲防护方法及装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及电磁脉冲防护的技术领域，尤其是涉及一种射频链路强电磁脉冲防护方法及装置，该方法提供金属本体，且在所述金属本体的腔体中设置基板，所述基板两个面的相对位置分别设置第一平板电容铜箔和第二平板电容铜箔，其中，所述第一平板电容铜箔、第二平板电容铜箔与所述基板之间构成射频等效电容。所述第一平板电容铜箔、第二平板电容相连传输导体上设有强电磁脉冲抑制器件。本申请具有良好的射频信号传输能力和强电磁脉冲防护能力。

Description

一种射频链路强电磁脉冲防护方法及装置

技术领域

本申请涉及电磁脉冲防护的技术领域，尤其是涉及一种射频链路强电磁脉冲防护方法及装置。

背景技术

随着各类无线装备和设施被广泛地应用到工农业生产、科学研究、外空探测、国防建设、国土安全防御等工程应用领域中，各类无线装备和设施的收发系统就被置于复杂的电磁环境里。无线收发设备，尤其是暴露在设备的外面的天线和同轴馈线，极易遭受各类瞬态强电磁脉冲的侵扰，并通过天线或馈线将各类瞬态强电磁脉冲引入到无线收发设备内部，造成关键敏感设备的损坏，从而影响无线收发设备的正常工作。

当前，在强电磁脉冲防护技术领域中，微秒级慢速前沿强电磁脉冲防护的技术相对成熟，而对于其他类的纳秒级及以下的快速前沿强电磁脉冲防护技术还处于起步阶段，如何对射频链路上的关键设备提供一种有效的强电磁脉冲防护，是当前射频链路强瞬态电磁脉冲防护领域急需解决的技术问题和应用需求。

发明内容

本发明目的一是提供一种射频链路强电磁脉冲防护方法，能在复杂和恶劣的电磁环境里为无线射频电子、电气装备和设施的射频链路提供强电磁脉冲防护。

本申请提供的一种射频链路强电磁脉冲防护方法，采用如下的技术方案来实现：

一种射频链路强电磁脉冲防护方法，提供金属本体，且在所述金属本体的腔体中设置基板，所述基板两个面的相对位置分别设置第一平板电容铜箔和第二平板电容铜箔，其中，所述第一平板电容铜箔、第二平板电容铜箔与所述基板之间构成射频等效电容。

本发明目的二是提供一种射频链路强电磁脉冲防护装置，具有良好的射频信号传输能力和强电磁脉冲防护能力。

本申请提供的一种射频链路强电磁脉冲防护装置，采用如下的技术方案来实现：

一种射频链路强电磁脉冲防护装置，包括金属本体和设置于所述金属本体两端的射频输入端口和射频输出端口，所述金属本体开设有腔体，所述腔体内设置有射频电路板，所述射频电路板包括基板、设置于所述基板一面的第一铜箔和设置于所述基板另一面的第二铜箔，所述第一铜箔包括用于与所述射频输入端口连接的输入铜箔和设置于所述基板一面中部的第一平板电容铜箔，所述第二铜箔包括用于与所述射频输出端口连接的输出铜箔和设置于所述基板另一面中部的第二平板电容铜箔。

通过采用上述技术方案，从等效电容的概念出发，以射频电路板制造为突破口，充分利用射频电路板的特性，设计等效射频电容；能在复杂和恶劣的电磁环境里为无线射频电子、电气装备和设施的射频链路提供强电磁脉冲防护，简化了线路，节省了成本，且满足工程应用实践的要求。

优选的，所述输入铜箔上开设有第一金属化过孔，所述第一金属化过孔上设置有第一脉冲防护器件，其中，所述第一脉冲防护器件一端穿设于所述第一金属化过孔中并与所述输入铜箔电连接，另一端通过波浪垫圈与所述金属本体的腔底电连接。

通过采用上述技术方案，所述第一脉冲防护器件为瞬态抑制二极管或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，第一脉冲防护器件的响应速度在亚纳秒级，且开启电压低，能吸收抑制强电磁脉冲90%的能量，采用波浪垫圈能够保证有效接触面积及良好接地。

优选的，所述基板上设置有接地铜箔，所述接地铜箔上开设有第一焊盘，所述输入铜箔上开设有第一金属化过孔，所述第一金属化过孔上设置有第一脉冲防护器件，其中，所述第一脉冲防护器件一端穿设于所述第一金属化过孔中并与所述输入铜箔电连接，另一端固定连接于所述第一焊盘上。

通过采用上述技术方案，所述第一脉冲防护器件为瞬态抑制二极管或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，第一脉冲防护器件的响应速度在亚纳秒级，且开启电压低，能吸收抑制强电磁脉冲90%的能量。

优选的，所述输出铜箔上开设有第二金属化过孔，所述第二金属化过孔上设置有第二脉冲防护器件，其中，所述第二脉冲防护器件一端穿设于所述第二金属化过孔中并与所述输出铜箔电连接，另一端通过波浪垫圈与所述金属本体的腔底电连接。

通过采用上述技术方案，所述第二脉冲防护器件为瞬态抑制二极管或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，强电磁脉冲能量沿射频等效电容耦合到射频输出端口时，第二脉冲防护器件立即动作，将强电磁脉冲的能量吸收并抑制；采用波浪垫圈能够保证有效接触面积及良好接地。

优选的，所述基板上设置有接地铜箔，所述接地铜箔上开设有第二焊盘，所述输出铜箔上开设有第二金属化过孔，所述第二金属化过孔上设置有第二脉冲防护器件，其中，所述第二脉冲防护器件一端穿设于所述第二金属化过孔中并与所述输出铜箔电连接，另一端固定连接于所述第二焊盘上。

通过采用上述技术方案，所述第二脉冲防护器件为瞬态抑制二极管或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，强电磁脉冲能量沿射频等效电容耦合到射频输出端口时，第二脉冲防护器件立即动作，将强电磁脉冲的能量吸收并抑制。

优选的，所述第二脉冲防护器件为二极管管堆。

通过采用上述技术方案，所述第二脉冲防护器件为瞬态抑制二极管或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，强电磁脉冲能量沿射频等效电容耦合到射频输出端口时，二极管管堆立即动作，将强电磁脉冲的能量吸收并抑制；采用波浪垫圈能够保证有效接触面积及良好接地。

优选的，所述二极管管堆包括复数个PIN二极管、设置于所述复数个PIN二极管阴极的上电极和设置于所述复数个PIN二极管阳极的下电极，所述上电极和下电极之间还设置有绝缘介质。

通过采用上述技术方案，二极管管堆是将几只PIN二极管装配在上电极和下电极之间，实现多个PIN二极管的并联，从而实现较大的瞬态强电磁脉冲抑制能力和射频功率耐受能力；上电极和下电极之间使用绝缘介质隔开，能抑制寄生参数对射频性能的影响。

优选的，所述基板上设置有接地铜箔，所述输入铜箔侧边设置有第一开路臂，所述第一开路臂上设置有第三脉冲防护器件，其中，所述第三脉冲防护器件一端连接所述第一开路臂，另一端连接所述接地铜箔。

通过采用上述技术方案，第一开路臂是一段开路传输线，用于引导强电磁脉冲通过第三脉冲防护器件到达接地铜箔进行泄放。

优选的，所述基板上设置有接地铜箔，所述输出铜箔侧边设置有第二开路臂，所述第二开路臂上设置有第四脉冲防护器件，其中，所述第四脉冲防护器件一端连接所述第二开路臂，另一端连接所述接地铜箔。

通过采用上述技术方案，第二开路臂是一段开路传输线，用于引导强电磁脉冲通过第四脉冲防护器件到达接地铜箔进行泄放。

综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

1.从等效电容的概念出发，以射频电路板制造为突破口，充分利用射频电路板的特性，设计等效射频电容；

2.利用机械结构的优化，减小接地的寄生杂散参数对电路性能的影响；

3.利用第一脉冲防护器件实现对强电磁脉冲的第一级初级防护，利用第二脉冲防护器件实现对强电磁脉冲的第二级精细防护，充分利用大功率瞬态抑制二极管TVS与PIN二极管管堆的能量吸收配合，实现对强电磁脉冲的防护功能；

4.能在复杂和恶劣的电磁环境里为无线射频电子、电气装备和设施的射频链路提供强电磁脉冲防护，简化了线路，节省了成本，且满足工程应用实践的要求。

附图说明

图1是本申请防护装置一实施例的内部结构示意图。

图2是本申请射频电路板另一面的结构示意图。

图3是本申请射频电路板的等效射频电容截面示意图。

图4是本申请防护装置的外部结构示意图。

图5是本申请防护装置另一实施例的内部结构截面示意图。

图6是本申请防护装置又一实施例的内部结构示意图。

图7是本申请二极管管堆的结构示意图。

附图标记说明：1、金属本体，11、射频输入端口，12、射频输出端口，13、金属盖板，14、接地螺孔，2、射频电路板，21、基板，22、第一铜箔，221、输入铜箔，222、第一平板电容铜箔，223、第一金属化过孔，224、第一焊盘，225、第一开路臂，23、第二铜箔，231、输出铜箔，232、第二平板电容铜箔，233、第二金属化过孔，234、第二焊盘，235第二开路臂，24、接地铜箔，3、第一脉冲防护器件，4、第二脉冲防护器件，41、上电极，42、下电极，43、PIN二极管，44、绝缘介质，5、第三脉冲防护器件，6、第四脉冲防护器件，7、波浪垫圈。

具体实施方式

以下结合附图1-7对本申请作进一步详细说明。

射频链路强电磁脉冲防护装置，除了要能有效地抑制强电磁脉冲外还需要保证有用射频信号能有效传输通过且对系统功能没有任何影响。这类装置不但需要独特的强电磁脉冲防护技术和射频信号传输技术，还需要合适的射频元器件，强电磁脉冲抑制器件在具备脉冲抑制性能的同时也还要有很好的射频特征参数。在这些器件当中，射频信号传输耦合用的电容不但要求有良好的射频特征参数而且还要能承受强电磁脉冲防护冲击。当前用于射频强电磁脉冲防护的射频电容基本上是依赖进口，尤其是用于某些特殊无线装备上的强电磁脉冲防护装置，对可靠性要求很高，这其中的射频电容是关键。本申请从等效电容的概念出发，从射频电路板制造的工艺为突破口，充分利用射频电路板的特性设计等效射频电容，解决国内用于强电磁脉冲防护的射频电容供应能力不足的问题，消除制约行业发展的基础短板。

本申请公开一种射频链路强电磁脉冲防护方法，提供金属本体1，且在所述金属本体1的腔体中设置基板21，所述基板21两个面的相对位置分别设置第一平板电容铜箔222和第二平板电容铜箔232，其中，所述第一平板电容铜箔222、第二平板电容铜箔232与所述基板21之间构成射频等效电容，用于隔断直流信号并耦合传输射频信号；调整第一平板电容铜箔222和第二平板电容铜箔232的平行重叠面积就可以调整等效射频电容的容量大小，从而构成对应工作频段所需的等效射频电容。

本申请从等效电容的概念出发，以射频电路板制造为突破口，充分利用射频电路板的特性，设计等效射频电容；能在复杂和恶劣的电磁环境里为无线射频电子、电气装备和设施射频链路提供强电磁脉冲防护，简化了线路，节省了成本，且满足工程应用实践的要求。

实施例1

本申请实施例公开一种射频链路强电磁脉冲防护装置，参照图1和图2，包括金属本体1和设置于所述金属本体1两端的射频输入端口11和射频输出端口12，所述金属本体1开设有腔体，所述腔体内设置有射频电路板2，所述射频电路板2包括基板21、设置于所述基板21一面的第一铜箔22和设置于所述基板21另一面的第二铜箔23，所述第一铜箔22包括用于与所述射频输入端口11尾部延长线连接的输入铜箔221和设置于所述基板21一面中部的第一平板电容铜箔222，所述第二铜箔23包括用于与所述射频输出端口12尾部延长线连接的输出铜箔231和设置于所述基板21另一面中部的第二平板电容铜箔232。其中，所述输出铜箔231可以设置于所述基板21一面并连接到另一面的第二平板电容铜箔232，也可以设置于所述基板21另一面。

参照图3，所述第一铜箔22上的第一平板电容铜箔222、基板21和第二铜箔23上的第二平板电容铜箔232构成稳定的等效射频电容，用于隔断直流信号并耦合传输射频信号；调整第一平板电容铜箔222和第二平板电容铜箔232的平行重叠面积就可以调整等效射频电容的容量大小，从而构成对应工作频段所需的等效射频电容。

参照图4，所述防护装置还包括金属盖板13和接地螺孔14，所述金属盖板13覆盖所述腔体形成密封结构，能提高所述防护装置的电磁屏蔽性能与接地性能，所述接地螺孔14开设于所述金属本体1或金属盖板13上，方便所述防护装置接地。所述射频输入端口11和射频输出端口12均内置有50欧姆传输线，且通过该传输线与所述输入铜箔221和所述输出铜箔231电连接。所述射频输入端口11和射频输出端口12与所述金属本体1结合面固定位置设计有防水槽用于安放O型防水导电胶圈，可以采用法兰盘固定、挤压紧配合压接或螺纹配合工艺与金属腔体固定，且所述射频输入端口11和射频输出端口12与所述金属本体1之间绝缘，金属本体1与金属盖板13之间也是采用防水设计。这种整体金属腔体一体化设计使得所述防护装置结构紧凑、密封性好、屏蔽性能好且方便使用。

所述腔体内壁（侧面与底面）光洁且圆弧过渡，腔体侧面与底面垂直，腔体侧面是圆弧形侧壁，圆弧形侧壁可以是圆弧形、直角圆弧形、卵形或椭圆形等，从机械加工的难易、成本及可制造性方面看，直角圆弧和圆弧型腔体好加工，方便本装置射频参数调试。本申请利用机械结构的优化达到了减少接地的寄生杂散参数对电路性能的影响的目的。

金属本体1、射频电路板2及金属盖板13一起构成射频选频谐振网络，他们之间的分布参数与等效射频电容决定所述防护装置的基本工作频带、带宽和射频性能。所述防护装置的射频性能参数可以达到工作频带宽（BW≥2GHz）、驻波系数（VSWR≦1.5:1）、损耗小（≦0.5dB）。

实施例2

参照图5，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述输入铜箔221上开设有第一金属化过孔223，所述第一金属化过孔223上设置有第一脉冲防护器件3，其中，所述第一脉冲防护器件3一端穿设于所述第一金属化过孔223中并与所述输入铜箔221电连接，另一端通过波浪垫圈7与所述金属本体1的腔体底部电连接。所述第一脉冲防护器件3为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，本实施例中为瞬态抑制二极管TVS。

实施例3

参照图6，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述基板21上设置有接地铜箔24，所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接，所述接地铜箔24上开设有第一焊盘224，所述输入铜箔221上开设有第一金属化过孔223，所述第一金属化过孔223上设置有第一脉冲防护器件3，其中，所述第一脉冲防护器件3一端通过导线穿设于所述第一金属化过孔223中并与所述输入铜箔221电连接，另一端焊接固定连接于所述第一焊盘224上，而所述第一焊盘224通过所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接。所述第一脉冲防护器件3为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，本实施例中为瞬态抑制二极管TVS。

实施例4

参照图5，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述输出铜箔231上开设有第二金属化过孔233，所述第二金属化过孔233上设置有第二脉冲防护器件4，其中，所述第二脉冲防护器件4一端穿设于所述第二金属化过孔233中并与所述输出铜箔231电连接，另一端通过波浪垫圈7与所述金属本体1的腔体底部电连接。

所述第二脉冲防护器件4为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件；参照图7，本实施例中，所述第二脉冲防护器件4为二极管管堆，所述二极管管堆包括复数个PIN二极管43、设置于所述复数个PIN二极管43阴极的上电极41和设置于所述复数个PIN二极管43阳极的下电极42，所述上电极41和下电极42之间还设置有绝缘介质44。二极管管堆是将几只PIN二极管装配在上电极和下电极之间，实现多个PIN二极管的并联，从而实现较大的瞬态强电磁脉冲抑制能力和射频功率耐受能力；上电极和下电极之间使用绝缘介质隔开，能抑制寄生参数对射频性能的影响。

实施例5

参照图6，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述基板21上设置有接地铜箔24，所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接，所述接地铜箔24上开设有第二焊盘234，所述输出铜箔231上开设有第二金属化过孔233，所述第二金属化过孔233上设置有第二脉冲防护器件4，其中，所述第二脉冲防护器件4一端通过导线穿设于所述第二金属化过孔233中并与所述输出铜箔231电连接，另一端焊接固定连接于所述第二焊盘234上，而所述第二焊盘234通过所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接。

所述第二脉冲防护器件4为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件；参照图7，本实施例中，所述第二脉冲防护器件4为二极管管堆，所述二极管管堆包括复数个PIN二极管43、设置于所述复数个PIN二极管43阴极的上电极41和设置于所述复数个PIN二极管43阳极的下电极42，所述上电极41和下电极42之间还设置有绝缘介质44。二极管管堆是将几只PIN二极管装配在上电极和下电极之间，实现多个PIN二极管的并联，从而实现较大的瞬态强电磁脉冲抑制能力和射频功率耐受能力；上电极和下电极之间使用绝缘介质隔开，能抑制寄生参数对射频性能的影响。

实施例6

参照图6，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述基板21上设置有接地铜箔24，所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接，所述输入铜箔221侧边设置有第一开路臂225，所述第一开路臂225上设置有第三脉冲防护器件5，其中，所述第三脉冲防护器件5一端连接所述第一开路臂225，另一端连接所述接地铜箔24。所述第三脉冲防护器件5为半导体PIN二极管，所述第一开路臂225是一段开路传输线，用于引导强电磁脉冲通过PIN二极管到达接地铜箔24进行泄放。

实施例7

参照图6，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述基板21上设置有接地铜箔24，所述接地铜箔24与所述金属本体1的腔体电连接，所述输出铜箔231侧边设置有第二开路臂235，所述第二开路臂235上设置有第四脉冲防护器件6，其中，所述第四脉冲防护器件6一端连接所述第二开路臂235，另一端连接所述接地铜箔24。所述第四脉冲防护器件6为半导体PIN二极管，所述第二开路臂235是一段开路传输线，用于引导强电磁脉冲通过PIN二极管到达接地铜箔24进行泄放。

实施例8

参照图5，本实施例与实施例1的不同之处在于，所述输入铜箔221上开设有第一金属化过孔223，所述第一金属化过孔223上设置有第一脉冲防护器件3，其中，所述第一脉冲防护器件3一端穿设于所述第一金属化过孔223中并与所述输入铜箔221电连接，另一端通过波浪垫圈7与所述金属本体1的腔体底部电连接。所述输出铜箔231上开设有第二金属化过孔233，所述第二金属化过孔233上设置有第二脉冲防护器件4，其中，所述第二脉冲防护器件4一端穿设于所述第二金属化过孔233中并与所述输出铜箔231电连接，另一端通过波浪垫圈7与所述金属本体1的腔体底部电连接。

所述第一脉冲防护器件3为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件，本实施例中为瞬态抑制二极管TVS；所述第二脉冲防护器件4为瞬态抑制二极管TVS或半导体PIN二极管管堆等快速响应半导体限压型器件；参照图7，本实施例中，所述第二脉冲防护器件4为二极管管堆，所述二极管管堆包括复数个PIN二极管43、设置于所述复数个PIN二极管43阴极的上电极41和设置于所述复数个PIN二极管43阳极的下电极42，所述上电极41和下电极42之间还设置有绝缘介质44。二极管管堆是将几只PIN二极管装配在上电极和下电极之间，实现多个PIN二极管的并联，从而实现较大的瞬态强电磁脉冲抑制能力和射频功率耐受能力；上电极和下电极之间使用绝缘介质隔开，能抑制寄生参数对射频性能的影响。

大功率瞬态抑制二极管TVS（第一脉冲防护器件3）的响应速度在亚纳秒级，且开启电压低，能吸收抑制强电磁脉冲90%的能量，剩余能量沿射频等效电容耦合到射频输出端口时，PIN二极管管堆（第二脉冲防护器件4）立即动作，将强电磁脉冲的剩余能量吸收并抑制，从而实现第二级的精细防护。本申请充分利用瞬态抑制二极管TVS与PIN二极管管堆的能量吸收配合，实现对强电磁脉冲的防护功能，这种配合能起到各类强电磁脉冲的综合防护。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种射频链路强电磁脉冲防护方法，其特征在于，提供金属本体（1），所述金属本体（1）开设有腔体，所述腔体内设置有射频电路板（2），所述射频电路板（2）包括基板（21）、设置于所述基板（21）一面的第一铜箔（22）和设置于所述基板（21）另一面的第二铜箔（23），所述第一铜箔（22）包括用于与射频输入端口（11）连接的输入铜箔（221）和设置于所述基板（21）一面中部的第一平板电容铜箔（222），所述第二铜箔（23）包括用于与射频输出端口（12）连接的输出铜箔（231）和设置于所述基板（21）另一面中部的第二平板电容铜箔（232），其中，所述第一平板电容铜箔（222）、第二平板电容铜箔（232）与所述基板（21）之间构成射频等效电容，调整第一平板电容铜箔（222）和第二平板电容铜箔（232）的平行重叠面积就可以调整等效射频电容的容量大小；

所述输入铜箔（221）上开设有第一金属化过孔（223），所述第一金属化过孔（223）上设置有第一脉冲防护器件（3），其中，所述第一脉冲防护器件（3）一端穿设于所述第一金属化过孔（223）中并与所述输入铜箔（221）电连接，另一端通过波浪垫圈（7）与所述金属本体（1）的腔底电连接；

所述输出铜箔（231）上开设有第二金属化过孔（233），所述第二金属化过孔（233）上设置有第二脉冲防护器件（4），其中，所述第二脉冲防护器件（4）一端穿设于所述第二金属化过孔（233）中并与所述输出铜箔（231）电连接，另一端通过波浪垫圈（7）与所述金属本体（1）的腔底电连接；

所述基板（21）上设置有接地铜箔（24），所述输入铜箔（221）侧边设置有第一开路臂（225），所述第一开路臂（225）上设置有第三脉冲防护器件（5），其中，所述第三脉冲防护器件（5）一端连接所述第一开路臂（225），另一端连接所述接地铜箔（24）；

所述输出铜箔（231）侧边设置有第二开路臂（235），所述第二开路臂（235）上设置有第四脉冲防护器件（6），其中，所述第四脉冲防护器件（6）一端连接所述第二开路臂（235），另一端连接所述接地铜箔（24）。

2.一种射频链路强电磁脉冲防护装置，包括金属本体（1）和设置于所述金属本体（1）两端的射频输入端口（11）和射频输出端口（12），其特征在于，所述金属本体（1）开设有腔体，所述腔体内设置有射频电路板（2），所述射频电路板（2）包括基板（21）、设置于所述基板（21）一面的第一铜箔（22）和设置于所述基板（21）另一面的第二铜箔（23），所述第一铜箔（22）包括用于与所述射频输入端口（11）连接的输入铜箔（221）和设置于所述基板（21）一面中部的第一平板电容铜箔（222），所述第二铜箔（23）包括用于与所述射频输出端口（12）连接的输出铜箔（231）和设置于所述基板（21）另一面中部的第二平板电容铜箔（232），其中，所述第一平板电容铜箔（222）、第二平板电容铜箔（232）与所述基板（21）之间构成射频等效电容，调整第一平板电容铜箔（222）和第二平板电容铜箔（232）的平行重叠面积就可以调整等效射频电容的容量大小；

所述输入铜箔（221）上开设有第一金属化过孔（223），所述第一金属化过孔（223）上设置有第一脉冲防护器件（3），其中，所述第一脉冲防护器件（3）一端穿设于所述第一金属化过孔（223）中并与所述输入铜箔（221）电连接，另一端通过波浪垫圈（7）与所述金属本体（1）的腔底电连接；

所述输出铜箔（231）上开设有第二金属化过孔（233），所述第二金属化过孔（233）上设置有第二脉冲防护器件（4），其中，所述第二脉冲防护器件（4）一端穿设于所述第二金属化过孔（233）中并与所述输出铜箔（231）电连接，另一端通过波浪垫圈（7）与所述金属本体（1）的腔底电连接；

所述基板（21）上设置有接地铜箔（24），所述输入铜箔（221）侧边设置有第一开路臂（225），所述第一开路臂（225）上设置有第三脉冲防护器件（5），其中，所述第三脉冲防护器件（5）一端连接所述第一开路臂（225），另一端连接所述接地铜箔（24）；

所述输出铜箔（231）侧边设置有第二开路臂（235），所述第二开路臂（235）上设置有第四脉冲防护器件（6），其中，所述第四脉冲防护器件（6）一端连接所述第二开路臂（235），另一端连接所述接地铜箔（24）。

3.根据权利要求2所述的射频链路强电磁脉冲防护装置，其特征在于，所述基板（21）上设置有接地铜箔（24），所述接地铜箔（24）上开设有第一焊盘（224），所述输入铜箔（221）上开设有第一金属化过孔（223），所述第一金属化过孔（223）上设置有第一脉冲防护器件（3），其中，所述第一脉冲防护器件（3）一端穿设于所述第一金属化过孔（223）中并与所述输入铜箔（221）电连接，另一端固定连接于所述第一焊盘（224）上。

4.根据权利要求2所述的射频链路强电磁脉冲防护装置，其特征在于，所述基板（21）上设置有接地铜箔（24），所述接地铜箔（24）上开设有第二焊盘（234），所述输出铜箔（231）上开设有第二金属化过孔（233），所述第二金属化过孔（233）上设置有第二脉冲防护器件（4），其中，所述第二脉冲防护器件（4）一端穿设于所述第二金属化过孔（233）中并与所述输出铜箔（231）电连接，另一端固定连接于所述第二焊盘（234）上。

5.根据权利要求2或4所述的射频链路强电磁脉冲防护装置，其特征在于，所述第二脉冲防护器件（4）为二极管管堆。

6.根据权利要求5所述的射频链路强电磁脉冲防护装置，其特征在于，所述二极管管堆包括复数个PIN二极管（43）、设置于所述复数个PIN二极管（43）阴极的上电极（41）和设置于所述复数个PIN二极管（43）阳极的下电极（42），所述上电极（41）和下电极（42）之间还设置有绝缘介质（44）。

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