CN111599920B - 柔性温度传感器及其制备方法及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种柔性温度传感器，其包括：柔性衬底；设置在柔性衬底上的有源层；源极；漏极；覆盖有源层上的介电层；以及设置在介电层上的栅极；所述有源层的材料为复合丝基碳纳米纤维；所述复合丝基碳纳米纤维包括丝基碳纳米纤维、以及分布在丝基碳纳米纤维表面的Ag纳米颗粒。上述柔性温度传感器，采用纳米结构的OFET进行传感，尺寸微小，有利于细胞微环境的温度传感；其生物相容性好，不对细胞产生毒性从而影响细胞的存活率；其灵敏度高，更适合对细胞级操作；其采用柔性材料，既保证了在一定应变下温度的传感稳定性和准确性，又避免了在移动中碰撞损坏细胞。本发明还提供了柔性温度传感器的制备方法及其应用。

Description

柔性温度传感器及其制备方法及应用
技术领域
本发明属于温度传感技术领域，涉及一种柔性温度传感器及其制备方法及应用。
背景技术
温度传感器是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。温度传感器是温度测量仪表的核心部分。在电子皮肤、机器人传感器、环境安全和体健康的温度测量方面，通常要求温度传感器件具有操作简单、质量轻巧、生物兼容、高灵敏性和高柔韧性等特点。因此，柔性温度传感器成为了国内外的研究热点之一。
目前的柔性传感器，在面对细胞级操作时微环境的温度检测，其灵敏度不高，不足以在复杂的细胞微环境中稳定的检测温度；另外，生物相容性差，即易对细胞产生伤害；还有目前的柔性温度传感器的器件体积过大，在进行细胞级检测时，不易移动且移动时易损伤细胞，不利于在细胞级微小的环境下进行温度的传感。
发明内容
基于此，有必要提供一种新的柔性温度传感器。
一种柔性温度传感器，包括：
柔性衬底；所述柔性衬底包括中间区、以及分别位于所述中间区两侧的第一区和第二区；
有源层，设置在所述柔性衬底的所述中间区上；所述有源层的材料为复合丝基碳纳米纤维；所述复合丝基碳纳米纤维包括丝基碳纳米纤维、以及分布在所述丝基碳纳米纤维表面的Ag纳米颗粒；
源极，覆盖所述第一区以及部分覆盖所述有源层的一端表面；
漏极，覆盖所述第二区以及部分覆盖所述有源层的另一端表面；
介电层，覆盖所述有源层上；
以及栅极，设置在所述介电层上。
上述柔性温度传感器，采用纳米结构的有机场效应管(OFET)进行传感，其尺寸微小，有利于与微型机器人结构在进行细胞级操作时提供细胞微环境的温度传感；其采用丝基碳纳米纤维，生物相容性好，不对细胞产生毒性从而影响细胞的存活率；其灵敏度高，更适合对细胞级操作时对微小的温度反应进行传感；上述柔性温度传感器，其采用柔性材料，既保证了在一定应变下温度的传感稳定性和准确性，又避免了在移动中碰撞损坏细胞，且本发明的柔性温度传感器的稳定性好，重量轻和响应速度快。
可选地，所述介电层为聚合物层；所述聚合物层的材料为聚乙烯吡咯烷酮。
可选地，所述源极以及所述漏极为金电极；所述栅极为铝电极；所述柔性衬底为聚酰亚胺。
可选地，所述柔性温度传感器还包括柔性封装材料；所述柔性封装材料为聚二甲基硅氧烷。
本发明还提供了上述柔性温度传感器的制备方法。
一种柔性温度传感器的制备方法，包括如下步骤：
提供复合丝基碳纳米纤维；
将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上，形成有源层；
在所述柔性衬底以及所述有源层上形成源极以及漏极；
在所述有源层以及所述源极和漏极上形成介电层；
在所述介电层上形成栅极。
上述柔性温度传感器的制备方法，其所得到的柔性温度传感器，生物相容性好、灵敏度高、稳定性和重复性好，而且器件尺寸微小，能在恶劣的细胞微环境下进行稳定温度传感的优点。
可选地，所述复合丝基碳纳米纤维通过如下步骤获得：
通过静电纺丝制备蚕丝纳米纤维，然后对所述蚕丝纳米纤维进行热处理以形成丝基碳纳米纤维；再通过种子吸附和种子生长方式将Ag纳米颗粒包覆在所述丝基碳纳米纤维表面。
可选地，在将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上的步骤之前，还包括：
将柔性衬底先后用乙醇及水在超声下清洗，然后烘干。
可选地，所述介电层通过旋涂工艺形成。
可选地，所述栅极通过荫罩热蒸发工艺形成；所述源极以及所述漏极通过金属蒸发和剥离工艺形成。
本发明还提供了上述柔性温度传感器在细胞微环境检测中的应用。
附图说明
图1为本发明一实施例的柔性温度传感器的结构示意图。
图2为图1中的有源层的结构示意图。
图中，1-柔性衬底，2-有源层，3-源极，4-漏极，5-介电层，6-栅极，21-丝基碳纳米纤维，22-Ag纳米颗粒。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1-2，一种柔性温度传感器，包括：
柔性衬底1；所述柔性衬底1包括中间区、以及分别位于所述中间区两侧的第一区和第二区；
有源层2，设置在所述柔性衬底1的所述中间区上；所述有源层2的材料为复合丝基碳纳米纤维；所述复合丝基碳纳米纤维包括丝基碳纳米纤维21、以及分布在所述丝基碳纳米纤维表面的Ag纳米颗粒22；
源极3，覆盖所述第一区以及部分覆盖所述有源层2的一端表面；
漏极4，覆盖所述第二区以及部分覆盖所述有源层2的另一端表面；
介电层5，覆盖所述有源层2上；
以及栅极6，设置在所述介电层5上。
本申请的柔性温度传感器工作原理为：有源层2的材料为复合丝基碳纳米纤维，复合丝基碳纳米纤维作为温度敏感层。电荷传输机制是通过每根复合丝基碳纳米纤维在纤维内传输，当环境温度升高时，复合丝基碳纳米纤维的载流子跳跃增加，从而导致每根复合丝基碳纳米纤维内的电导增加，进而增加了有机场效应管(OFET)的输出电流ID。
其中，柔性衬底的主要作用是，为其它各层提供支撑。优选地，柔性衬底1的材料采用聚酰亚胺(PI)。这样可以使柔性温度传感器的性能更优。当然，可以理解的是，本申请的柔性衬底并不局限于聚酰亚胺，还可以由本领域技术人员认为合适的其它材料制成。
为了便于说明，将柔性衬底划分为中间区、以及分别中间区两侧的第一区和第二区。其中，中间区与有源层对应；第一区与源极对应；第二区与漏极对应。
其中，有源层是柔性温度传感器的核心部件。有源层2的材料为复合丝基碳纳米纤维。丝基碳纳米纤维由于局部具有石墨结构而具有导电性，而Ag纳米颗粒可以进一步增加丝基碳纳米纤维的导电性。
复合丝基碳纳米纤维是一维材料。一维的复合丝基碳纳米纤维作为有源层，在结晶度、电学性能和灵活性方面比基于二维的场效应管具有更好的性能；在面对细胞微环境的检测时，采用一维的复合材料提供了OFET更高的灵敏度和更小的器件尺寸，有利于与微型机器人结构，在进行细胞级操作时提供细胞微环境的温度传感。
其中，可选地，所述源极以及所述漏极为金电极；这样可以进一步提高器件的性能。
其中，可选地，所述介电层为聚合物层；更优选地，所述聚合物层的材料为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为有源层的纳米结构提供保形覆盖，而且PVP的介电系数高且粗糙度小，制备的半导体/电介质界面较为平整，降低了电荷陷阱密度，进一步提高了器件的性能。
其中，通过改变栅极的电压，可以有效的放大信号，有利于提高器件的灵敏度；同时顶栅结构，还可以提高器件在恶劣细胞环境的稳定性。
可选地，所述栅极为铝电极；这样可以进一步提高器件的性能。
可选地，所述柔性温度传感器还包括柔性封装材料；即采用柔性封装材料对器件进行封装。进一步可选地，所述柔性封装材料为聚二甲基硅氧烷(PDMS)。这样可以进一步增强器件稳定性，以及延长器件在恶劣环境下的使用寿命。
上述柔性温度传感器，采用纳米结构的有机场效应管(OFET)进行传感，其尺寸微小，有利于与微型机器人结构在进行细胞级操作时提供细胞微环境的温度传感；其复合丝基碳纳米纤维，生物相容性好，不对细胞产生毒性从而影响细胞的存活率；其灵敏度高，更适合对细胞级操作时对微小的温度反应进行传感；上述柔性温度传感器，其采用柔性材料，既保证了在一定应变下温度的传感稳定性和准确性，又避免了在移动中碰撞损坏细胞，且本发明的柔性温度传感器的稳定性好，重量轻和响应速度快。
本发明还提供了上述柔性温度传感器的制备方法。
一种柔性温度传感器的制备方法，包括如下步骤：
提供复合丝基碳纳米纤维；
将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上，形成有源层；
在所述柔性衬底以及所述有源层上形成源极以及漏极；
在所述有源层以及所述源极和漏极上形成介电层；
在所述介电层上形成栅极。
可选地，为了使柔性衬底更清洁，避免其它杂物的影响，在将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上的步骤之前，还包括：
将柔性衬底先后用乙醇及水在超声下清洗，然后烘干。
其中，可选地，所述复合丝基碳纳米纤维通过如下步骤获得：
通过静电纺丝制备蚕丝纳米纤维，然后对所述蚕丝纳米纤维进行热处理以形成丝基碳纳米纤维；再通过种子吸附和种子生长方式将Ag纳米颗粒包覆在所述丝基碳纳米纤维表面。通过上述方式，Ag纳米颗粒随机分布在丝基碳纳米纤维的表面。采用蚕丝纳米纤维，做成的器件，其生物相容性更加优。
其中，可选地，通过SEM探针将复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上，多个复合丝基纳米纤维的取向一致。这种适合少量或单个复合丝基碳纳米纤维的转移。
当然，本发明并不局限于此，当数量较多时，还可通过流体导向组装法在柔性衬底上制备有序的复合丝基碳纳米纤维阵列。
可选地，所述介电层通过旋涂工艺形成。
可选地，所述栅极通过荫罩热蒸发工艺形成；所述源极以及所述漏极通过金属蒸发和剥离工艺形成。
上述柔性温度传感器的制备方法，其所得到的柔性温度传感器，生物相容性好、灵敏度高、稳定性和重复性好，而且器件尺寸微小，能在恶劣的细胞微环境下进行稳定温度传感的优点。
本发明还提供了上述柔性温度传感器在细胞微环境检测中的应用。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种柔性温度传感器，其特征在于，包括：
柔性衬底；所述柔性衬底包括中间区、以及分别位于所述中间区两侧的第一区和第二区；
有源层，设置在所述柔性衬底的所述中间区上；所述有源层的材料为复合丝基碳纳米纤维；所述复合丝基碳纳米纤维包括丝基碳纳米纤维、以及分布在所述丝基碳纳米纤维表面的Ag纳米颗粒；
源极，覆盖所述第一区以及部分覆盖所述有源层的一端表面；
漏极，覆盖所述第二区以及部分覆盖所述有源层的另一端表面；
介电层，覆盖所述有源层上；
以及栅极，设置在所述介电层上。
2.根据权利要求1所述的柔性温度传感器，其特征在于，所述介电层为聚合物层；所述聚合物层的材料为聚乙烯吡咯烷酮。
3.根据权利要求1所述的柔性温度传感器，其特征在于，所述源极以及所述漏极为金电极；所述栅极为铝电极；所述柔性衬底为聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的柔性温度传感器，其特征在于，所述柔性温度传感器还包括柔性封装材料；所述柔性封装材料为聚二甲基硅氧烷。
5.一种权利要求1所述的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供复合丝基碳纳米纤维；
将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上，形成有源层；
在所述柔性衬底以及所述有源层上形成源极以及漏极；
在所述有源层以及所述源极和漏极上形成介电层；
在所述介电层上形成栅极。
6.根据权利要求5所述的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于，所述复合丝基碳纳米纤维通过如下步骤获得：
通过静电纺丝制备蚕丝纳米纤维，然后对所述蚕丝纳米纤维进行热处理以形成丝基碳纳米纤维；再通过种子吸附和种子生长方式将Ag纳米颗粒包覆在所述丝基碳纳米纤维表面。
7.根据权利要求5所述的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于，在将所述复合丝基碳纳米纤维转移到柔性衬底上的步骤之前，还包括：
将柔性衬底先后用乙醇及水在超声下清洗，然后烘干。
8.根据权利要求5所述的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于，所述介电层通过旋涂工艺形成。
9.根据权利要求5所述的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于，所述栅极通过荫罩热蒸发工艺形成；所述源极以及所述漏极通过金属蒸发和剥离工艺形成。
10.权利要求1的柔性温度传感器在细胞微环境检测中的应用。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113176319B (zh) * 2021-04-27 2024-02-09 苏州大学 一种ph传感器及其制备方法
CN114427883A (zh) * 2021-12-28 2022-05-03 荣成歌尔微电子有限公司 温湿度传感器及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101287986A (zh) * 2005-06-14 2008-10-15 三美电机株式会社 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
KR20140118286A (ko) * 2013-03-28 2014-10-08 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 환원된 그래핀 산화물을 이용한 온도 감지 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101287986A (zh) * 2005-06-14 2008-10-15 三美电机株式会社 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
KR20140118286A (ko) * 2013-03-28 2014-10-08 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 환원된 그래핀 산화물을 이용한 온도 감지 소자 및 그 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Seung-Woo Kim等.Stretchable and electrically conductive polyurethane- silver/graphene composite fibers prepared by wet-spinning process.《Composites Part B》.2019,第573-581页. *
Takao Someya等.Conformable, flexible, large-area networks of pressure and thermal sensors with organic transistor active matrixes.《PANS》.2005,第12321-12325页. *

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