CN111597989A - 超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置。所述超声波纹路识别组件包括基底、位于所述基底一侧的接收电极层、位于所述接收电极层背离所述基底一侧的压电层、位于所述压电层背离所述基底一侧的种子层、位于所述种子层背离所述基底一侧的绝缘层及位于所述种子层背离所述基底一侧的发射电极层。所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层。所述发射电极层包括多个发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。所述显示装置包括显示模组与所述超声波纹路识别组件。

Description

超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及超声波传感器技术领域，特别涉及一种超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，指纹识别技术的应用越来越广泛。超声波指纹识别技术的识别精度较高，可用于屏下指纹识别。

超声波指纹识别模组一般包括发射电极、接收电极以及位于两者之间的压电材料层。发射电极可包括多个间隔排布的发射电极块。一般采用电镀工艺制备发射电极块，发射电极块在纵向生长的同时横向也会生成。为了避免出现相邻发射电极块接触短路的情况，两个发射电极块之间需预留足够大的间隙，使得发射电极块与压电层的接触面积较小，导致发射的超声波的能量降低，不利于提高指纹识别的精度。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种超声波纹路识别组件，包括：

基底；

位于所述基底一侧的接收电极层；

位于所述接收电极层背离所述基底一侧的压电层；

位于所述压电层背离所述基底一侧的种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的发射电极层，所述发射电极层包括多个发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

在一个实施例中，所述种子层包括多个间隔排布的种子块，所述绝缘层覆盖相邻所述种子块之间的间隙及所述种子块的部分区域，每一所述种子块上形成有至少一个所述发射电极块。

在一个实施例中，多个所述种子块沿第一方向间隔排布；所述种子块上形成有多个发射电极块，所述种子块上形成的多个发射电极块沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交。

在一个实施例中，所述种子层在所述基底上的正投影覆盖所述基底的全部区域。

在一个实施例中，所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分的尺寸满足如下关系式：

式中，d——所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分在横向上的尺寸；

——所述发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率的比值；

x——所述发射电极块在纵向上的尺寸。

在一个实施例中，所述绝缘层的厚度范围为0.1um～1um。

在一个实施例中，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅及树脂中的至少一个。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示模组及上述的超声波纹路识别组件。

在一个实施例中，所述发射电极层到所述显示模组的距离小于所述接收电极层到所述显示模组的距离；或者，所述发射电极层到所述显示模组的距离大于所述接收电极层到所述显示模组的距离。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种超声波纹路识别组件的制备方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成接收电极层；

在所述接收电极层背离所述基底的一侧形成压电层；

在所述压电层背离所述基底的一侧形成种子层；

在所述种子层背离所述基底的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

采用电镀工艺形成发射电极层，所述发射电极层包括多个间隔排布的发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

本申请实施例所达到的主要技术效果是：

本申请实施例提供的超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置，绝缘层的多个裸露部暴露部分种子层，发射电极块自被裸露部暴露的种子层的表面向背离种子层的方向延伸，则种子层的总面积大于各个发射电极块与种子层的接触面的总面积；由于发射电极块通过种子层驱动压电层，因而本申请实施例提供的超声波纹路识别组件可在保证相邻发射电极块不接触的情况下避免发射电极层对压电层的驱动能力降低，有助于提升纹路识别的精度。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的超声波纹路识别组件的局部剖视图；

图2是图1所示的超声波纹路识别组件的种子层的局部示意图；

图3是图1所示的超声波纹路识别组件的种子层与绝缘层一个实施例的局部示意图；

图4是图1所示的超声波纹路识别组件的种子层、绝缘层及发射电极层一个实施例的局部示意图；

图5是图1所示的超声波纹路识别组件的种子层与绝缘层另一个实施例的局部示意图；

图6是图1所示的超声波纹路识别组件的种子层、绝缘层及发射电极层另一个实施例的局部示意图；

图7是本申请另一示例性实施例提供的超声波纹路识别组件的局部示意图；

图8是本申请再一示例性实施例提供的超声波纹路识别组件的局部示意图；

图9是图7或图8所示的超声波纹路识别组件的种子层的局部示意图；

图10是图7或图8所示的超声波纹路识别组件的种子层及绝缘层一个实施例的局部示意图；

图11是图7或图8所示的超声波纹路识别组件的种子层、绝缘层及发射电极层另一个实施例的局部示意图；

图12是本申请又一示例性实施例提供的超声波纹路识别组件的局部示意图；

图13是本申请一示例性实施例提供的超声波纹路识别组件的制备方法的流程图；

图14是本申请一示例性实施例提供的显示装置的结构示意图；

图15是本申请另一示例性实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

超声波纹路识别组件包括发射电极层、接收电极层及位于二者之间的压电层，为了使超声波纹路识别组件达到一定的谐振频率，发射电极层的厚度设置得较大。金属电极厚度较大时，若采用曝光显影工艺进行刻蚀，刻蚀时间较长，效率较低。如背景技术中所述，一般采用电镀工艺制备发射电极块。采用电镀工艺形成发射电极块时，发射电极块在横向上和纵向上同时生长，为了避免相邻的发射电极块不接触，需要在相邻发射电极块之间靠近压电层的一侧预留较大的间隙，导致发射电极块靠近压电层的表面的面积较小，进而导致发射电极块对压电层的驱动能力降低，不利于提高指纹识别的精度。

本申请实施例提供了一种超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置，可解决上述问题。下面结合附图，对本申请实施例中的超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种超声波纹路识别组件。参见图1至图12，所述超声波纹路识别组件100包括基底10、接收电极层、压电层30、种子层40、绝缘层50及发射电极层。

其中，接收电极层、压电层30、种子层40、绝缘层50及发射电极层位于基底10上。接收电极层位于基底10的一侧。压电层30位于接收电极层背离基底10的一侧。种子层40位于压电层30背离基底10的一侧。绝缘层50位于种子层40背离基底10的一侧，绝缘层50上设有多个裸露部，裸露部暴露部分种子层40。发射电极层位于种子层40背离基底10的一侧，发射电极层包括多个间隔排布的发射电极块60，发射电极块60自被裸露部暴露的种子层40的表面向背离种子层40的方向延伸。

本申请实施例提供的超声波纹路识别组件100，绝缘层50的多个裸露部暴露部分种子层40，发射电极块60自被裸露部暴露的种子层40的表面向背离种子层40的方向延伸，则种子层40的总面积大于各个发射电极块60与种子层40的接触面的总面积；由于发射电极块60通过种子层40驱动压电层30，因而本申请实施例提供的超声波纹路识别组件可在保证相邻发射电极块不接触的情况下避免发射电极层60对压电层30的驱动能力降低，有助于提升纹路识别的精度。

超声波纹路识别组件在工作时，对发射电极层加载驱动电压，接收电极接地，压电层30在驱动电压的激发下产生超声波。本申请实施例中，可通过种子层40给发射电极层加载驱动电压。压电层30产生的超声波传播至待识别的纹路后被纹路反射，被反射的超声波传播至压电层30，压电层30将被反射的超声波转换为电信号，接收电极层将电信号输出至芯片，进而芯片可根据接收的电信号生成纹路图像并进行纹路识别。其中，纹路包括指纹、掌纹、趾纹等。

超声波纹路识别组件可包括功能区和绑定区，其中基底10、接收电极层、压电层30、种子层40、绝缘层50及发射电极层可位于功能区，绑定区可设有走线，走线的一端用于与种子层及发射电极层电连接，另一端用于连接至芯片。

在一个实施例中，基底10可以是柔性基底，也可以是刚性基底。柔性基底的材质可以是PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)及PC(聚碳酸酯)中的一种或多种。刚性基底的材料可以是玻璃、金属等。

在一个实施例中，接收电极层可包括多个间隔排布的接收电极块20。每一接收电极块20在基底10上的正投影与种子层40在基底10上的正投影至少部分重叠，从而在向种子层与接收电极层加载电压时，可产生电场，从而压电层可产生超声波。

超声波纹路识别组件还可包括位于边缘的绑定区，绑定区设有多个走线。每一接收电极块20分别通过绑定区的不同走线连接至芯片。芯片可向接收电极块20加载电压，也可通过走线接收电极块20输出的电信号。接收电极块20的数量与发射电极块60的数量可相同，多个接收电极块20分别接收被待识别纹路的不同位置反射的超声波转换得到的电信号，并将电信号输出。

在一个实施例中，压电层30在基底10上的正投影覆盖基底10的全部区域。压电层的材料为压电材料，压电材料可将超声波转换为电信号，也可将电信号转换为超声波。

在一个实施例中，种子层40的材料可为金属钼、金属铜、金属钛、金属铝等导电性较好的材料。

在一个实施例中，所述绝缘层50的厚度范围为0.1um～1um。如此设置，既可避免绝缘层50的厚度太小而导致工艺不易实现，也可避免绝缘层的厚度太大而影响发射电极块60生长。绝缘层50的厚度例如可以是0.1um、0.3um、0.5um、0.8um、1um等。

在一个实施例中，所述绝缘层50的材料包括氧化硅、氮化硅及树脂中的至少一个。如此设置，绝缘层50的杨氏模量较大，被待识别的纹路反射的超声波在经过绝缘层50时衰减量较小，则压电层30接收的被反射的超声波的能量较高，进而转换得到的电信号的信号强度较强，有助于提升纹路识别的精度。

在一个实施例中，发射电极块60的材质可以是金属铜、金属钼、金属钛等导电性较好的材质。

在一个实施例中，发射电极块60采用电镀工艺形成，发射电极块60在生长的过程中，发射电极块60在横向和纵向上同时生长，得到的发射电极块60在纵向上的截面大致呈倒梯形。绝缘层50位于相邻两个发射电极块60之间的部分的尺寸满足如下关系式：

式中，d——所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分在横向上的尺寸；

——所述发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率的比值；

x——所述发射电极块在纵向上的尺寸。

如此，可避免相邻两个发射电极块60背离压电层30的一侧接触，而导致被纹路反射的超声波经过发射电极块60发生信号串扰的问题。

在一个示例性实施例中，发射电极块在纵向上的尺寸为20um，发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率

等于3：4，采用上述公式可计算出绝缘层50位于相邻两个发射电极块60之间的部分的尺寸d＞30um。

在一些实施例中，参见图12，采用电镀工艺制备发射电极块60时，得到的发射电极块60也可大致呈蘑菇型，发射电极块60包括第一部61及位于第一部61背离压电层30一侧的第二部62，第一部61在基底10上的正投影的边缘位于第二部62在基底10上的正投影的边缘内。绝缘层50位于相连的两个第一部61之间，且与第二部62靠近压电层30的表面相抵。如此，绝缘层50的设置可避免第二部62与压电层30之间存在空气，而导致超声波经过时衰减幅度较大。

在一个实施例中，参见图1至图6，所述种子层40包括多个间隔排布的种子块41，所述绝缘层50覆盖相邻所述种子块之间的间隙及所述种子块41的部分区域，每一所述种子块41上形成有至少一个所述发射电极块60。每一种子块41分别连接至绑定区70的不同走线，绑定区70的不同走线与芯片的不同控制端口连接，从而芯片可控制加载在每一种子块41上的驱动电压。种子块41上加载电压时，压电层与该种子块41对应的区域产生超声波。在每一种子块41上加载驱动电压的时间不同，可使得压电层30与不同种子块41对应的区域产生超声波的时间不同。通过控制在各个种子块41上加载驱动电压的时间，可实现压电层30不同区域产生的超声波在纹路的某一位置叠加，从而该位置处的超声波能量较高，则被该位置的纹路反射的超声波能量也较高，进而压电层30产生的电信号的信号强度较大，有利于提升指纹识别的精度。

图3和图4所示的实施例中，每一种子块41上形成有一个所述发射电极块60，发射电极块60的延伸方向与对应的种子块41的延伸方向相同。绝缘层50包括多个条状的绝缘结构，绝缘层50的裸露部为位于相邻两个条状的绝缘结构之间的间隙。每一个条状的绝缘结构覆盖相邻两个种子块41之间的间隙、及种子块41与间隙邻接的边缘部分。其中，为了更清楚地示意种子块41、绝缘层50及发射电极块60的结构，图4的区域A中绝缘层50和发射电极块60均缺失了一部分，实际中区域A的结构与其他区域的结构相同。

图5和图6所示的实施例中，每一种子块41上形成有多个所述发射电极块60，绝缘层50的多个裸露部51为多个间隔排布的通孔，绝缘层50与每一种子块41对应的区域上设置有多个通孔，每一通孔暴露种子层40的一部分表面。

在一个实施例中，参见图5和图6，多个所述种子块41沿第一方向间隔排布，每一所述种子块41形成有多个发射电极块60，每一所述种子块41上对应设置的多个发射电极块40沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交。如此设置，压电层30与种子块41对应的区域产生的超声波被纹路的不同位置反射后向压电层30传播时，被不同位置反射的超声波通过该种子块41上设置的不同发射电极块60传播。由于相邻的两个发射电极块60之间的区域的声阻抗与发射电极块60的声阻抗不同，可阻止被反射的超声波经过发射电极块60时横波传播至相邻的发射电极块，避免被纹路不同位置反射的超声波发生串扰，而影响纹路识别的精确度。也即是，通过设置多个种子块41沿第一方向间隔排布，每一种子块41上的多个发射电极块40沿第二方向间隔排布，既可实现压电层30不同区域产生的超声波在第一方向上叠加，又可避免被纹路的不同位置反射的超声波在传播时发生串扰，可进一步提升纹路识别的精度。为了更清楚地示意种子层40、绝缘层50及发射电极块60的结构，图6的区域B中绝缘层50和发射电极块60均缺失了一部分，实际中区域B的结构与其他区域的结构相同。

在一个实施例中，第一方向与第二方向可互相垂直。第一方向可以是行方向，第二方向可以是列方向。或者，第一方向可以是列方向，第二方向可以是行方向。在其他实施例中，第一方向与第二方向之间的夹角也可不等于90°。

在另一个实施例中，参见图7至图11，所述种子层40在所述基底10上的正投影覆盖所述基底10的全部区域，绝缘层50的多个裸露部51为多个间隔排布的通孔。种子层40通过绑定区70的走线连接至芯片。如此设置，对种子层40和接收电极块20加载驱动电压时，压电层30的各个区域同时产生超声波，产生的超声波同时到达待识别的纹路的不同位置后被反射，被反射的超声波同时达到压电层30后被转换为电信号，因而芯片可同时采集到待识别的纹路不同位置的纹路信息，可提升纹路识别的效率，并且有助于降低功耗。

如图10和图11所示，绝缘层50的多个裸露部51为多个间隔排布的通孔。为了更清楚地示意种子层40、绝缘层50及发射电极块60的结构，图11的区域C中绝缘层50和发射电极块60均缺失了一部分，实际中区域C的结构与其他区域的结构相同。

在一个实施例中，多个发射电极块60与多个接收电极块20可一一对应。在一些实施例中，如图7所示，发射电极块60与对应的接收电极块20在纵向上大致相对，发射电极块60在基底10上的正投影与接收电极块20在基底10上的正投影大部分重合。在另一些实施例中，如图8所示，发射电极块60与对应的接收电极块20在纵向上位置不对应，发射电极块60在基底10上的正投影与接收电极块20在基底10上的正投影几乎不重合或重合面积较小，接收电极块20在基底10上的正投影与绝缘层50在基底10上的正投影大部分重合。

本申请实施例还提供了一种超声波纹路识别组件的制备方法。参见图13，所述制备方法包括如下步骤210至步骤260。

在步骤210中，提供基底。

在一个实施例中，在一个实施例中，基底可以是柔性基底，也可以是刚性基底。柔性基底的材质可以是PET、PI及PC中的一种或多种。刚性基底的材料可以是玻璃、金属等。

在步骤220中，在所述基底上形成接收电极层。

在一个实施例中，接收电极层位于功能区。接收电极层包括多个间隔排布的接收电极块。可采用溅射工艺形成导电层，导电层在基底上的正投影覆盖基底的全部区域，之后对导电层进行图案化处理，得到多个接收电极块。

超声波纹路识别组件可包括功能区和绑定区。其中，接收电极层形成于功能区，绑定区形成有走线，每一接收电极块分别连接至绑定区的不同走线，走线的一端连接至芯片，从而芯片可向接收电极块加载电压。

在步骤230中，在所述接收电极层背离所述基底的一侧形成压电层。

压电层位于功能区。在一个实施例中，压电层在基底上的投影覆盖基底的全部区域。

在步骤240中，在所述压电层背离所述基底的一侧形成种子层。

种子层位于功能区。在一个实施例中，可通过溅射工艺在压电层背离基底的一侧形成导电层。在一些实施例中，种子层可以包括多个种子块，则在形成导电层后对导电层进行图案化处理以得到多个种子块。在一些实施例中，种子层在基底上的投影覆盖基底的全部区域，则形成的导电层即为种子层。

种子层包括多个种子块时，每一种子块分别通过绑定区的不同走线连接至芯片。种子层在基底上的投影覆盖基底的全部区域时，种子层通过绑定区的一个走线连接至芯片。

在步骤250中，在所述种子层背离所述基底的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层。

绝缘层位于功能区。在一个实施例中，首先在种子层上形成绝缘膜层，绝缘膜层在基底上的正投影覆盖基底的全部区域。之后对绝缘膜层进行图案化处理，在绝缘膜层上形成多个裸露部，从而得到绝缘层。

在一些实施例中，种子层包括多个条状的种子块。绝缘层包括多个条状的绝缘结构，绝缘层的裸露部包括位于相邻两个条状的绝缘结构之间的间隙。每一个条状的绝缘结构覆盖相邻两个种子块之间的间隙、及种子块与间隙邻接的边缘部分。或者，绝缘层的多个裸露部为多个通孔，每一种子块上对应设有多个通孔。

在另一个实施例中，种子层在基底上的正投影覆盖基底的全部区域，绝缘层上的多个裸露部为多个间隔排布的通孔。

在步骤260中，采用电镀工艺形成发射电极层，所述发射电极层包括多个间隔排布的发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

在一个实施例中，多个发射电极块与多个接收电极块可一一对应。其中，发射电极块与对应的接收电极块在纵向上大致相对，发射电极块在基底上的正投影与接收电极块在基底上的正投影大部分重合。或者，发射电极块与接收电极块在纵向上位置不对应，发射电极块在基底上的正投影与接收电极块在基底上的正投影几乎不重合或重合面积较小，发射电极块在基底上的正投影与绝缘层在基底上的正投影大部分重合。

在一个实施例中，绝缘层位于相邻两个发射电极块之间的部分的尺寸满足如下关系式：

式中，d——所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分在横向上的尺寸；

——所述发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率的比值；

x——所述发射电极块在纵向上的尺寸。

对于方法实施例而言，由于其基本对应于产品的实施例，所以相关细节及有益效果的描述参见产品实施例的部分说明即可，不再进行赘述。

本申请实施例提供的超声波纹路识别组件的制备方法，绝缘层的多个裸露部暴露部分种子层，发射电极块自被裸露部暴露的种子层的表面向背离种子层的方向延伸，则种子层的总面积大于各个发射电极块与种子层的接触面的总面积；由于发射电极层通过种子层驱动压电层，因而本申请实施例提供的超声波纹路识别组件可在保证相邻发射电极块不接触的情况下避免发射电极层对压电层的驱动能力降低，有助于提升纹路识别的精度。

本申请实施例还提供了一种显示装置。参见图14或图15，所述显示装置包括显示模组200及上述任一实施例所述的超声波纹路识别组件100。

在一个实施例中，所述发射电极层到所述显示模组200的距离小于所述接收电极层到所述显示模组200的距离；或者，所述发射电极层到所述显示模组200的距离大于所述接收电极层到所述显示模组200的距离。

图14所示的显示装置中，超声波纹路识别组件100的发射电极层到显示模组200的距离小于接收电极层到显示模组200的距离，显示模组200与发射电极块60直接接触。超声波纹路识别组件进行超声波识别的过程中，待识别的纹路置于显示模组背离超声波纹路识别组件的一侧。被纹路反射的超声波传播至压电层30的过程中经过发射电极块60，发射电极块60可避免超声波发生串扰，有助于提升纹路识别的精确度。

图15所示的显示装置中，超声波纹路识别组件100的发射电极层到显示模组200的距离大于接收电极层到显示模组200的距离，显示模组200与基底10直接接触。

本申请实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑等任何具有显示功能的设备。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种超声波纹路识别组件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一侧的接收电极层；

位于所述接收电极层背离所述基底一侧的压电层；

位于所述压电层背离所述基底一侧的种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的发射电极层，所述发射电极层包括多个发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述种子层包括多个间隔排布的种子块，所述绝缘层覆盖相邻所述种子块之间的间隙及所述种子块的部分区域，每一所述种子块上形成有至少一个所述发射电极块。

3.根据权利要求2所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，多个所述种子块沿第一方向间隔排布；所述种子块上形成有多个发射电极块，所述种子块上形成的多个发射电极块沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交。

4.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述种子层在所述基底上的正投影覆盖所述基底的全部区域。

5.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分的尺寸满足如下关系式：

式中，d——所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分在横向上的尺寸；

——所述发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率的比值；

x——所述发射电极块在纵向上的尺寸。

6.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为0.1um～1um。

7.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅及树脂中的至少一个。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示模组及权利要求1-7任一项所述的超声波纹路识别组件。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述发射电极层到所述显示模组的距离小于所述接收电极层到所述显示模组的距离；或者，所述发射电极层到所述显示模组的距离大于所述接收电极层到所述显示模组的距离。

10.一种超声波纹路识别组件的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成接收电极层；

在所述接收电极层背离所述基底的一侧形成压电层；

在所述压电层背离所述基底的一侧形成种子层；

在所述种子层背离所述基底的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

采用电镀工艺形成发射电极层，所述发射电极层包括多个间隔排布的发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

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