CN111579969A - 一种激光能量转换芯片的测试装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种激光能量转换芯片的测试装置及方法，该装置包括：半导体激光器模块，用于发出第一测试激光；分光镜，用于将第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；功率探测器，用于测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；电性参数测试装置，用于测试待测激光能量转换芯片的电性参数；效率测试装置，用于根据激光功率及电性参数计算待测激光能量转换芯片的转换效率。该装置可以实时、在线、精确地测量得到多结激光能量转换芯片的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种激光能量转换芯片的测试装置及方法。
背景技术
激光能量传输是以激光作为媒介，将电能从空间某一点(电源)传输到另一点(负载)。激光能量传输具有方向性好，转换效率高，能量集中等特点而被广泛应用。在激光能量传输系统中最核心的部分是激光能量转换芯片。近几年激光能量转换芯片逐渐转向隧道结连接的垂直多结芯片方向发展，因为垂直多结芯片可以有效的降低内部热阻，极大的提高芯片的光电转换效率，并且实现在单芯片上电压提升，极大的提升激光能量转换芯片与负载的集成度。
激光能量转换芯片的光电转换效率的高低极大地影响激光能量传输的效率，因此，需要准确的测量装置和方法以测试激光能量转换芯片的光电转换效率。目前在激光能量转换芯片的光电转换效率测试方法中，普遍采用短路电流来表征入射激光辐照强度，但由于多结芯片的发光耦合(luminescence coupling)问题，会出现多结芯片的短路电流与入射激光辐照强度并不是呈现线性变化，使得得到的入射激光辐照强度不准确，从而导致计算得到的激光能量转换芯片的光电转换效率不准确。因此，需要采用一种新的方法来测试激光能量转换芯片表面的激光辐照强度。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种激光能量转换芯片的测试装置及方法，以解决目前的激光能量转换芯片的光电转换效率的测试方法中得到的入射激光辐照强度不准确，从而导致计算得到的激光能量转换芯片的光电转换效率不准确的问题。
根据第一方面，本发明实施例提供了一种激光能量转换芯片的测试装置，包括：半导体激光器模块，用于发出第一测试激光；分光镜，用于将第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；功率探测器，用于测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；电性参数测试装置，用于测试待测激光能量转换芯片的电性参数；效率测试装置，用于根据激光功率及电性参数计算待测激光能量转换芯片的转换效率。
可选地，激光能量转换芯片的测试装置还包括：准直匀化透镜系统，设置在半导体激光器模块与分光镜之间，用于将第一测试激光进行整形、匀化，并输出光斑与待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
可选地，准直匀化透镜系统包括：光束整形模块，用于将第一测试激光进行整形，形成平行光束；扩束模块，用于扩大平行光束的直径；微透镜阵列，用于将扩大直径的平行光束进行匀化；傅里叶透镜，用于将匀化后的平行光束进行傅里叶变换；光阑，用于控制傅里叶变换后的平行光束的形状、面积与待测激光能量转换芯片的第一表面的形状、面积一致。
可选地，激光能量转换芯片的测试装置还包括：温度控制平台，用于承载待测试激光能量转换芯片并进行调温。
可选地，分光镜为50％透射率的分光镜。
根据第二方面，本发明实施例提供了一种激光能量转换芯片的测试方法，包括：发出第一测试激光；将第一测试激光按照预设透射率分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；测试待测激光能量转换芯片的电流值和电压值；根据第一激光光束的激光功率、待测激光能量转换芯片的电流值、电压值和预设透射率计算待测激光能量转换芯片的光电转换效率。
可选地，在发出第一测试激光之后，激光能量转换芯片的测试方法还包括：将第一测试激光进行整形、匀化，并输出与待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
可选地，预设透过率为50％，通过如下公式计算待测激光能量转换芯片的光电转换效率：
其中，η为光电转换效率，Pm为待激光能量转换芯片的最大转换功率，Pin为第一激光光束的激光功率，Im为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电流值，Vm为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电压值。
可选地，测试待测激光能量转换芯片的电流值和电压值，包括：通过四探针测试法测试待测激光能量转换芯片的电流值和电压值。
本发明实施例提供的激光能量转换芯片的测试装置及方法，通过采用分光镜使得半导体激光器模块发出的第一测试激光分成两束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上，以及采用功率探测器测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等，从而保证进入功率探测器和激光能量转换芯片上的激光功率保持一定比例，从而根据第一激光光束的激光功率值就可以算出第二激光光束的激光功率值，从而可以对测试激光能量转换芯片表面的激光辐照强度进行表征，再根据电性参数测试装置测试得到的待测激光能量转换芯片的电性参数，就可以计算待测激光能量转换芯片的转换效率，从而可以实时、在线、精确地测量得到多结激光能量转换芯片的光电转换效率，从而解决多结激光能量转换芯片短路电流与激光辐照强度非线性关系，使得得到的入射激光辐照强度不准确，导致计算得到的激光能量转换芯片的光电转换效率不准确的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例的激光能量转换芯片的测试装置的结构示意图；
图2示出了本发明实施例通过电性测试装置测试得到的I－V曲线图；
图3示出了本发明实施例的电性参数测试装置加电方式示意图；
图4示出了本发明实施例的另一激光能量转换芯片的测试装置的结构示意图；
图5示出了本发明实施例的准直匀化透镜系统的结构示意图；
图6示出了本发明实施例的另一激光能量转换芯片的测试装置的结构示意图；
图7示出了本发明实施例的激光能量转换芯片的测试方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种激光能量转换芯片的测试装置，如图1所示，包括：半导体激光器模块11，用于发出第一测试激光；分光镜12，用于将第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；功率探测器13，用于测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器13的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片14的第一表面的距离相等；电性参数测试装置15，用于测试待测激光能量转换芯片14的电性参数；效率测试装置16，用于根据激光功率及电性参数计算待测激光能量转换芯片14的转换效率。
具体地，待测激光能量转换芯片14的电性参数包括待测激光能量转换芯片14的电流值和电压值。待测激光能量转换芯片14的第一表面为待测激光能量转换芯片13的光敏面。功率探测器13可以直接接收照射到功率探测器表面的第一激光光束，并准确计算得到第一激光光束的功率。使第一激光光束到达功率探测器13的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片14的第一表面的距离相等，是控制第一激光光束和第二激光光束的传输距离相等，从而使得测得的第一激光光束与第二激光光束的功率比只与分光镜12的透射率相关，根据分光镜12的透射率，就可以得到到达功率探测器13的第一激光光束与到达待测激光能量转换芯片14第一表面的第二激光光束的激光功率比，从而根据功率比以及第一激光光束的功率，就可以计算得到第二激光光束的功率，从而可以对测试激光能量转换芯片表面的激光辐照强度进行表征。
本发明实施例提供的激光能量转换芯片的测试装置，通过采用分光镜使得半导体激光器模块发出的第一测试激光分成两束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上，以及采用功率探测器测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等，从而保证进入功率探测器和激光能量转换芯片上的激光功率保持一定比例，从而根据第一激光光束的激光功率值就可以算出第二激光光束的激光功率值，从而可以对测试激光能量转换芯片表面的激光辐照强度进行表征，再根据电性参数测试装置测试得到的待测激光能量转换芯片的电性参数，就可以计算待测激光能量转换芯片的转换效率，从而可以实时、在线、精确地测量得到多结激光能量转换芯片的光电转换效率，从而解决多结激光能量转换芯片短路电流与激光辐照强度非线性关系，使得得到的入射激光辐照强度不准确，导致计算得到的激光能量转换芯片的光电转换效率不准确的问题。
在可选的实施例中，电性测试装置15可以为数字源表，具体可以为Keithley 2400系列数字源表，Keithley 2400系列数字源表主要用于测试待测激光能量转换芯片14的电流值以及电压值，并得到电流值与电压值的相关I－V曲线，如图2所示。根据待测激光能量转换芯片14上的激光功率值以及I－V曲线上最大功率点对应的电流值和电压值可以计算得到待测激光能量转换芯片14的光电转换效率。
具体地，可以采用Keithley 2400四探针测试法测试待测激光能量转换芯片的电性参数，如图3所示，测试时，电流采用两根探针(探针1和探针4)，探针1连接待测激光能量转换芯片14的正极(待测激光能量转换芯片P面)，探针4连接待测激光能量转换芯片14的负极(待测激光能量转换芯片N面)；电压采用另外两根探针(探针2和探针3)，探针3连接待测激光能量转换芯片14的正极(待测激光能量转换芯片P面)，探针2连接待测激光能量转换芯片14的负极(待测激光能量转换芯片N面)。四探针测试时，尽管电压表测量的电压包含了导线电压和接触电压，但是由于电压表内阻极大，通过电压表的电流忽略不计，因此导线电压与接触电压可以忽略，测量的电压值基本可以认为是电阻设备的电压值。采用四探针测试法可以准确测试得到待测激光能量转换芯片的电流值和电压值，并且四探针测试不需要校准。
在可选的实施例中，半导体激光器模块11可以包括半导体激光器芯片、光学模块、光纤及用于调节半导体激光器芯片的温度控制装置。
在可选的实施例中，如图4所示，激光能量转换芯片的测试装置还包括：准直匀化透镜系统17，设置在半导体激光器模块11与分光镜12之间，用于将第一测试激光进行整形、匀化，并输出光斑与待测激光能量转换芯片14的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
通过在半导体激光器模块11与分光镜12之间设置准直匀化透镜系统17，可以使得在待测激光能量转换芯片14的第一表面上形成均匀的光斑，并且光斑与待测激光能量转换芯片14的第一表面形状、面积一致，可以使得第二激光光束被充分转化，从而不会造成因为非均匀辐照导致待测激光能量转换芯片14的串联电阻变大，而导致计算得到的光电转换效率降低，不能准确的测试出待测激光能量转换芯片14的光电转换效率的问题。
在可选的实施例中，准直匀化透镜系统17，如图5所示，包括：光束整形模块171，用于将第一测试激光进行整形，形成平行光束；扩束模块172，用于扩大平行光束的直径；微透镜阵列173，用于将扩大直径的平行光束进行匀化；傅里叶透镜174，用于将匀化后的平行光束进行傅里叶变换；光阑175，用于控制傅里叶变换后的平行光束的形状、面积与待测激光能量转换芯片14的第一表面的形状、面积一致。
具体地，光束整形模块171可以为准直透镜，微透镜阵列173可以包括1阶微透镜阵列和2阶微透镜阵列。准直匀化透镜系统17还可以包括光纤入口176，用于接入半导体激光器模块11的光纤。准直匀化透镜系统17的匀光原理为：第一测试激光通过光纤准直匀化透镜系统，通过准直透镜进行光束准直处理，再入射到扩束装置，进行第一次匀化。入射光束入射到一阶和二阶微透镜阵列，和透过傅里叶透镜后，经过分光镜12后会在待测激光能量转换芯片14的第一表面上成像，多个成像在待测激光能量转换芯片14的第一表面的重叠会极大的减小光斑的不均匀性。最终在待测激光能量转换芯片14的第一表面上形成均匀的光斑。
在可选的实施例中，激光能量转换芯片的测试装置，如图6所示，还包括：温度控制平台18，用于承载待测试激光能量转换芯片14并进行调温。具体地，温度控制平台18采用水冷散热的方式，保证待测激光能量转换芯片14始终在正常工作温度范围，同时也可以采用温度控制平台18探究温度变化对待测激光能量转换芯片14的性能影响。
在可选的实施例中，为了减少第一激光光束与第一激光光束的功率计算时的繁琐，分光镜优选设置为50％透射率的分光镜。分光镜12的透射率为50％，则到达功率探测器13的第一激光光束与到达待测激光能量转换芯片14的第一表面的第二激光光束的功率比为1：1，从而第一激光光束的功率等于第二激光光束的功率。也即进入到功率探测器13和待测激光能量转换芯片14上的激光功率随时都保持一致，则待测激光能量转换芯片14上的激光功率等于功率探测器13测试得到激光功率。第一测试激光经过分光镜12后一部分透射，一部分反射，当然，具体第一激光光束和第二激光光束中的哪束光为反射光或透射光，在本发明实施例中，不做具体的限定。本发明实施例仅以透射的光为第一激光光束，反射的光可以为第二激光光束为例进行说明。并且在其他实施例中，分光镜12可以为30％透射率分光镜、50％透射率分光镜、70％透射率分光镜等。
本发明实施例提供了一种激光能量转换芯片的测试方法，如图7所示，该测试方法包括：
S101.发出第一测试激光；具体地，可以通过半导体激光器模块发出第一测试激光。
S102.将第一测试激光按照预设透射率分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；具体地，可以采用分光镜将第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束。分光镜可以为30％透射率分光镜、50％透射率分光镜、70％透射率分光镜等。第一测试激光经过分光镜后一部分透射，一部分反射，当然，具体第一激光光束和第二激光光束中的哪束光为反射光或透射光，在本发明实施例中，不做具体的限定。本发明实施例仅以透射的光为第一激光光束，反射的光可以为第二激光光束为例进行说明。在本发明实施例中，待测激光能量转换芯片的第一表面为待测激光能量转换芯片的光敏面。
S103.测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；具体地，可以采用功率探测器测试第一激光光束的激光功率。功率探测器可以直接接收照射到功率探测器表面的第一激光光束，并准确计算得到第一激光光束的功率。使第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等，是控制第一激光光束和第二激光光束的传输距离相等，从而使得测得的第一激光光束与第二激光光束的功率比只与分光镜的透射率相关，根据分光镜的透射率，就可以得到到达功率探测器的第一激光光束与到达待测激光能量转换芯片第一表面的第二激光光束的激光功率比，从而根据功率比以及第一激光光束的功率，就可以计算得到第二激光光束的功率。例如，分光镜的透射率为50％，则到达功率探测器的第一激光光束与到达待测激光能量转换芯片的第一表面的第二激光光束的功率比为1：1，也即进入到功率探测器和待测激光能量转换芯片上的激光功率随时都保持一致，则待测激光能量转换芯片上的激光功率等于功率探测器测试得到激光功率。
S104.测试待测激光能量转换芯片的电流值和电压值；具体地，可以采用电性测试装置通过四探针测试法测试待测激光能量转换芯片的电流值和电压值，并得到电流值与电压值的相关I－V曲线。I－V曲线上最大功率点对应的电流值和电压值即为计算所需的电流值和电压值。
S105.根据第一激光光束的激光功率、待测激光能量转换芯片的电流值、电压值和预设透射率计算待测激光能量转换芯片的光电转换效率。具体地，根据待测激光能量转换芯片上的激光功率值以及I－V曲线上最大功率点对应的电流值和电压值可以计算得到待测激光能量转换芯片的光电转换效率。
本发明实施例提供的激光能量转换芯片的测试方法，通过采用分光镜使得半导体激光器模块发出的第一测试激光分成两束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上，以及采用功率探测器测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等，从而保证进入功率探测器和激光能量转换芯片上的激光功率保持一定比例，从而根据第一激光光束的激光功率值就可以算出第二激光光束的激光功率值，再根据电性参数测试装置测试得到的待测激光能量转换芯片的电性参数，就可以计算待测激光能量转换芯片的转换效率，从而可以实时、在线、精确地测量得到多结激光能量转换芯片的光电转换效率，从而解决多结激光能量转换芯片短路电流与激光辐照强度非线性关系，使得得到的入射激光辐照强度不准确，导致计算得到的激光能量转换芯片的光电转换效率不准确的问题。
在可选的实施例中，在步骤S101，发出第一测试激光之后，激光能量转换芯片的测试方法还包括：将第一测试激光进行整形、匀化，并输出与待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
通过将第一测试激光进行整形、匀化，并输出与待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光，可以使得在待测激光能量转换芯片的第一表面上形成均匀的光斑，从而不会造成因为非均匀辐照导致待测激光能量转换芯片的串联电阻变大，而导致计算得到的光电转换效率降低，不能准确的测试出待测激光能量转换芯片的光电转换效率的问题。
在可选的实施例中，预设透过率为50％，通过如下公式计算待测激光能量转换芯片的光电转换效率：
其中，η为光电转换效率，Pm为待激光能量转换芯片的最大转换功率，Pin为第一激光光束的激光功率，im为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电流值，Vm为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电压值。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (9)
1.一种激光能量转换芯片的测试装置，其特征在于，包括：
半导体激光器模块，用于发出第一测试激光；
分光镜，用于将所述第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束，并将所述第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；
功率探测器，用于测试所述第一激光光束的激光功率，其中，所述第一激光光束到达所述功率探测器的距离与所述第二激光光束到达所述待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；
电性参数测试装置，用于测试所述待测激光能量转换芯片的电性参数；
效率测试装置，用于根据所述激光功率及电性参数计算所述待测激光能量转换芯片的转换效率。
2.根据权利要求1所述的激光能量转换芯片的测试装置，其特征在于，还包括：
准直匀化透镜系统，设置在所述半导体激光器模块与分光镜之间，用于将所述第一测试激光进行整形、匀化，并输出光斑与所述待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
3.根据权利要求2所述的激光能量转换芯片的测试装置，其特征在于，所述准直匀化透镜系统包括：
光束整形模块，用于将所述第一测试激光进行整形，形成平行光束；
扩束模块，用于扩大所述平行光束的直径；
微透镜阵列，用于将扩大直径的所述平行光束进行匀化；
傅里叶透镜，用于将匀化后的所述平行光束进行傅里叶变换；
光阑，用于控制傅里叶变换后的所述平行光束的形状、面积与所述待测激光能量转换芯片的第一表面的形状、面积一致。
4.根据权利要求1－3任一项所述的激光能量转换芯片的测试装置，其特征在于，还包括：
温度控制平台，用于承载所述待测试激光能量转换芯片并进行调温。
5.根据权利要求1所述的激光能量转换芯片的测试装置，其特征在于，所述分光镜为50％透射率的分光镜。
6.一种激光能量转换芯片的测试方法，其特征在于，包括：
发出第一测试激光；
将所述第一测试激光按照预设透射率分成第一激光光束和第二激光光束，并将所述第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；
测试所述第一激光光束的激光功率，其中，所述第一激光光束到达所述功率探测器的距离与所述第二激光光束到达所述待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；
测试所述待测激光能量转换芯片的电流值和电压值；
根据所述第一激光光束的激光功率、所述待测激光能量转换芯片的电流值、电压值和所述预设透射率计算所述待测激光能量转换芯片的光电转换效率。
7.根据权利要求6所述的激光能量转换芯片的测试方法，其特征在于，在发出第一测试激光之后，还包括：
将所述第一测试激光进行整形、匀化，并输出与所述待测激光能量转换芯片的第一表面形状、面积一致的第二测试激光。
8.根据权利要求6所述的激光能量转换芯片的测试方法，其特征在于，所述预设透过率为50％，通过如下公式计算所述待测激光能量转换芯片的光电转换效率：
其中，η为光电转换效率，Pm为待激光能量转换芯片的最大转换功率，Pin为第一激光光束的激光功率，Im为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电流值，Vm为待测激光能量转换芯片最大转换功率对应的电压值。
9.根据权利要求6所述的激光能量转换芯片的测试方法，其特征在于，所述测试所述待测激光能量转换芯片的电流值和电压值，包括：
通过四探针测试法测试所述待测激光能量转换芯片的电流值和电压值。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299477A (zh) * | 2011-07-19 | 2011-12-28 | 维林光电(苏州)有限公司 | 低相干半导体激光器及其制备方法 |
| CN103389453A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光电转换芯片测试装置及其测试方法 |
| CN107976632A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-05-01 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种光电转换效率测试装置及方法 |
| CN108493764A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-09-04 | 西安必盛激光科技有限公司 | 激光输出功率稳定输出光斑可调装置及其激光器 |
| CN109450562A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-08 | 长春理工大学 | 离轴双波段激光通信综合性能测试系统及方法 |
| KR102040775B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2019-11-05 | 주식회사 엔티에스 | 다축 구동 테스트 소켓 |
-
2020
- 2020-05-29 CN CN202010481876.8A patent/CN111579969A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299477A (zh) * | 2011-07-19 | 2011-12-28 | 维林光电(苏州)有限公司 | 低相干半导体激光器及其制备方法 |
| CN103389453A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光电转换芯片测试装置及其测试方法 |
| CN107976632A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-05-01 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种光电转换效率测试装置及方法 |
| CN108493764A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-09-04 | 西安必盛激光科技有限公司 | 激光输出功率稳定输出光斑可调装置及其激光器 |
| KR102040775B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2019-11-05 | 주식회사 엔티에스 | 다축 구동 테스트 소켓 |
| CN109450562A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-08 | 长春理工大学 | 离轴双波段激光通信综合性能测试系统及方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
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| KATARZYNA PYDZINSKA: "Solar cells sensitized with near-infrared absorbing dye: Problems with sunlight conversion efficiency revealed in ultrafast laser spectroscopy studies", 《DYES AND PIGMENTS》 * |
| 乔良: "激光无线能量传输效率的实验研究", 《激光技术》 * |
| 李巍: "半导体激光无线传能中光伏电池转换效率", 《强激光与离子束》 * |
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