CN111558929A - 基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人及其运动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人及其运动方法。磁控微型机器人的应用越来越广泛。本发明全磁控机器人的60个非金属球和90根磁棒排布形成C60分子结构磁控模型;C60分子结构磁控模型的结构形式与C60的分子结构形式完全一致:C60分子结构磁控模型的各个顶点位置分别设置一个非金属球,C60分子结构磁控模型的各条边位置分别设置一根磁棒,每个非金属球与相邻的三根磁棒均固定。本发明采用三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈作为外部磁场,实现旋转运动、平移运动或合成运动。本发明为可编程磁控机器人,可在三维空间内实现自由移动;可以加工成亚微米级,适用于靶向给药。
Description
技术领域
本发明属于磁控机器人技术领域,具体涉及一种基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人及其运动方法。
背景技术
磁控机器人的主要研究方向是磁控微型机器人,磁是驱动微小机器人的良好方式,具有响应迅速、容易实施、非接触控制等优势,对于真空高低温环境、控制端和执行端被介质隔离、需要考虑生物安全性的场合尤为适用。因此,磁控微型机器人的应用越来越广泛。
发明内容
本发明受分子空间填充模型的启发而提出,设计一种基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人及其运动方法。本发明是一种整体上仿化学球棍模型的空间立体结构;是一种仿富勒烯的由12个五边形和20个六边形组成的仿生球形机器人;是一种以微磁棒作为连接棒,以60个带孔小球作为连接节点的微磁棒架构机器人,其中小球上的三个小孔的轴线交于圆心,且轴线夹角呈108°、120°、120°分布,用于连接微磁棒;是一种利用空间交叉分布式微磁棒空间合成内磁场与外部磁场相互作用实现驱动的一种新型全磁控机器人;是一种通过改变用于连接的微磁棒的磁极方向,从而影响富勒烯自身内部合成磁场的可编程的磁控机器人;是一种通过施加均匀旋转磁场和均匀梯度磁场从而实现自身旋转和运动的全自由度驱动微型机器人。
本发明基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,包括非金属球和磁棒;60个非金属球和90根磁棒排布形成C60分子结构磁控模型;所述C60分子结构磁控模型的结构形式与C60的分子结构形式完全一致:C60分子结构磁控模型的各个顶点位置分别设置一个非金属球,C60分子结构磁控模型的各条边位置分别设置一根磁棒,每个非金属球与相邻的三根磁棒均固定。
进一步,所述的非金属球开设有三个孔,三个孔的轴线交于非金属球的球心,且三个孔的轴线两两之间的夹角分别为108°、120°和120°;每个非金属球的三个孔与相邻的三根磁棒分别固定。
进一步,所述的磁棒呈底面半径为0.3~1mm、高为0.5~10mm的圆柱形。
进一步,所述非金属球开设的孔为圆柱孔,圆柱孔的底面半径等于磁棒的底面半径,深度为0.2~0.8mm。
进一步,将磁棒视为磁偶极子,则磁偶极子在外磁场中的势能为:
U=-m*B (1)
式中,B为外磁场的磁场强度,m为磁偶极子的磁矩;
应用能量守恒,得磁偶极子所受磁力为:
磁偶极子在外磁场中受到的磁力矩为:
T=m×B (4)
可见,本发明中每一根磁棒矢量位置或者方向的改变,对C60分子结构磁控模型空间磁场环境的建立都具有重要影响。
进一步,采用三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈作为C60分子结构磁控模型外部磁场的产生装置;在笛卡尔坐标系xyz各轴上均设置一个赫姆霍兹线圈和一个麦克斯韦线圈,任一轴上成对的赫姆霍兹线圈和麦克斯韦线圈半径相等,且相对于笛卡尔坐标系原点对称;各轴上赫姆霍兹线圈或麦克斯韦线圈的半径均不相等。
进一步,三轴麦克斯韦线圈的三个线圈和三轴赫姆霍兹线圈的三个线圈所产生的合成磁感应强度即为外磁场的磁场强度B,B的计算公式如下:
式中:
Bx为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在x轴的分量;
By为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在y轴的分量;
Bz为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在z轴的分量;
x为x轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的x轴坐标;
y为y轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的y轴坐标;
z为z轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的z轴坐标。
合成磁感应强度的三维磁场梯度张量如下:
由式(5)和式(6)可见,三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈可以在一定空间内产生均匀旋转磁场和均匀梯度磁场。三轴赫姆霍兹线圈产生的磁感应强度和三轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度都与通入电流成正比,这样可以通过改变通入电流来改变磁场强度和磁感应强度梯度。
进一步,对于本发明使用的三轴赫姆霍兹线圈来说,为了通入相同电流就能使得各轴赫姆霍兹线圈在笛卡尔坐标系xyz原点处产生大小相等的磁感应强度,各轴赫姆霍兹线圈的线圈半径和线圈匝数需要满足:
式中:NHX为x轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
NHY为y轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
NHz为z轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
aHX为x轴赫姆霍兹线圈的线圈半径;
aHY为y轴赫姆霍兹线圈的线圈半径;
aHZ为z轴赫姆霍兹线圈的线圈半径。
同理对于三轴麦克斯韦线圈,各轴麦克斯韦线圈的线圈半径和线圈匝数需要满足:
式中:NMX为x轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
NMY为y轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
NMZ为z轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
aMX为x轴麦克斯韦线圈的线圈半径;
aMY为y轴麦克斯韦线圈的线圈半径;
aMz为z轴麦克斯韦线圈的线圈半径。
采用三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈作为外部磁场时,该基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人的运动方法,具体如下:
若做旋转运动,则通过赫姆霍兹线圈在工作区域内产生均匀旋转磁场,使得基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人在均匀旋转磁场中受磁力矩的作用绕轴线旋转;其中,若绕x轴旋转,则x轴赫姆霍兹线圈通电;若绕y轴旋转,则y轴赫姆霍兹线圈通电;若绕z轴旋转,则z轴赫姆霍兹线圈通电;若改变旋转方向,只要改变电流方向即可。
若做平移运动,则通过麦克斯韦线圈在工作区域内形成均匀梯度磁场,实现基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人在均匀梯度磁场中受磁力作用作平移运动;其中,若沿x轴平移运动,则x轴麦克斯韦线圈通电;若沿y轴平移运动,则y轴麦克斯韦线圈通电;若沿z轴平移运动,则z轴麦克斯韦线圈通电;若改变平移方向,只要改变电流方向即可。
若做平移运动和旋转运动的合运动,则麦克斯韦线圈和赫姆霍兹线圈同时通电,同时形成均匀梯度磁场和均匀旋转磁场。
本发明具有的有益效果:
1、本发明以富勒烯中最普遍的C60为对象,按照其任一五边形均有六边形环绕的特殊布局逐步形成一个有12个五边形面、20个六边形面的球形,其中五边形和六边形均等边且边长相等,即每一根磁棒的几何参数均一致,且所有磁棒在空间架构时均按照各化学键之间特定方向和角度而确定位置,在三维空间系统中赋予磁棒矢量性,在自身内部和周围形成了特定的磁场环境。
2、本发明为可编程磁控机器人:本发明在进行磁棒架构时拥有较大的自由空间,可按照任何需要实现的功能动作改变单个磁棒磁极方向或重新组合各磁棒磁极方向,进而在整体上影响整个机器的自身空间磁场环境。
3、本发明在外部三维均匀旋转磁场和均匀梯度磁场的作用下,磁场间的相互作用赋予本发明前进动力,使得本发明可以在可控条件下进行自由移动。
4、本发明利用每对线圈产生的磁感应强度与通入线圈的电流成正比的特性,可通入恒定电流获得均匀磁场,通入正余弦电流获得均匀旋转磁场,通入恒增或恒减电流获得均匀梯度磁场。对于控制机器人运动的任意磁场需求,均可以先矢量分解到对每对线圈工作时的磁场需求,然后对各个线圈所需电流强度编程,最终获得满足机器人运动的外界磁场。
5、若制造加工技术允许,本发明完全可以加工成亚微米级,适用于靶向给药。
附图说明
图1为本发明的整体结构立体图;
图2为本发明在外部磁场中的示意图;
图3a为本发明在外部磁场中的静止状态示意图;
图3b为本发明在外部磁场中旋转的示意图;
图3c为本发明在外部磁场中旋转与平移合成运动的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
如图1所示,基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,包括非金属球和磁棒。60个非金属球和90根磁棒排布形成C60分子结构磁控模型;C60分子结构磁控模型的结构形式与C60的分子结构形式完全一致:C60分子结构磁控模型的各个顶点位置分别设置一个非金属球,C60分子结构磁控模型的各条边位置分别设置一根磁棒,每个非金属球与相邻的三根磁棒均固定。可根据实际情况改变单个磁棒磁极方向或重新组合各磁棒磁极方向。
非金属球的直径为1mm,开设有三个底面半径为0.5mm、深度为0.7mm且轴线(三条轴线两两之间的夹角分别为108°、120°、120°)交于球心的圆柱孔。
磁棒呈底面半径为0.5mm、高为10mm的圆柱形。
如图2所示,采用三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈作为C60分子结构磁控模型外部磁场的产生装置;在笛卡尔坐标系各轴上均设置独立的赫姆霍兹线圈和麦克斯韦线圈,任一轴上成对的赫姆霍兹线圈和麦克斯韦线圈半径相等,且相对于笛卡尔坐标系原点对称;各轴上赫姆霍兹线圈或麦克斯韦线圈的半径均不相等。在各赫姆霍兹线圈和麦克斯韦线圈对应的交集空间内,赫姆霍兹线圈可以产生均匀旋转磁场,而麦克斯韦线圈可以产生均匀梯度磁场,从而可以控制磁控机器人在该交集空间内自由运动。
该基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人的运动方法,具体如下:
如图3a、3b和3c所示,本发明基于空间填充模型的磁棒架构的全磁控机器人在外部磁场中的运动过程如下:三轴相互独立的赫姆霍兹线圈产生磁场的强度与通入的电流的强度成正比,利用赫姆霍兹线圈能够在中间工作区域产生均匀旋转磁场的特性,磁控机器人在均匀旋转磁场中受磁力矩的作用可绕某一轴以对应方向旋转,图3a至图3b过程即为磁控机器人顺时针旋转运动的过程;同时三轴麦克斯韦线圈可以在工作区域内形成任意矢量大小的均匀梯度磁场,实现磁控机器人在磁场中受磁力作用作平移运动;同样也能实现旋转运动和平移运动的合运动,图3b至图3c过程即为磁控机器人在均匀旋转磁场和均匀梯度磁场作用下做的逆时针旋转与向右上方的平移运动的合运动。
Claims (9)
1.基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,包括非金属球和磁棒,其特征在于:60个非金属球和90根磁棒排布形成C60分子结构磁控模型;所述C60分子结构磁控模型的结构形式与C60的分子结构形式完全一致:C60分子结构磁控模型的各个顶点位置分别设置一个非金属球,C60分子结构磁控模型的各条边位置分别设置一根磁棒,每个非金属球与相邻的三根磁棒均固定。
2.根据权利要求1所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:所述的非金属球开设有三个孔,三个孔的轴线交于非金属球的球心,且三个孔的轴线两两之间的夹角分别为108°、120°和120°;每个非金属球的三个孔与相邻的三根磁棒分别固定。
3.根据权利要求1所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:所述的磁棒呈底面半径为0.3~1mm、高为0.5~10mm的圆柱形。
4.根据权利要求2所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:所述非金属球开设的孔为圆柱孔,圆柱孔的底面半径等于磁棒的底面半径,深度为0.2~0.8mm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:采用三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈作为C60分子结构磁控模型外部磁场的产生装置;在笛卡尔坐标系xyz各轴上均设置一个赫姆霍兹线圈和一个麦克斯韦线圈,任一轴上成对的赫姆霍兹线圈和麦克斯韦线圈半径相等,且相对于笛卡尔坐标系原点对称;各轴上赫姆霍兹线圈或麦克斯韦线圈的半径均不相等。
7.根据权利要求6所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度即为外磁场的磁场强度B,B的计算公式如下:
式中:
Bx为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在x轴的分量;
By为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在y轴的分量;
Bz为三轴麦克斯韦线圈和三轴赫姆霍兹线圈所产生的合成磁感应强度在z轴的分量;
x为x轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的x轴坐标;
y为y轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的y轴坐标;
z为z轴麦克斯韦线圈产生的磁感应强度梯度值对应的z轴坐标;
合成磁感应强度的三维磁场梯度张量如下:
8.根据权利要求6所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人,其特征在于:各轴赫姆霍兹线圈的线圈半径和线圈匝数满足:
式中:NHX为x轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
NHY为y轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
NHZ为z轴赫姆霍兹线圈的线圈匝数;
aHX为x轴赫姆霍兹线圈的线圈半径;
aHY为y轴赫姆霍兹线圈的线圈半径;
aHZ为z轴赫姆霍兹线圈的线圈半径;
各轴麦克斯韦线圈的线圈半径和线圈匝数满足:
式中:NMX为x轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
NMY为y轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
NMZ为z轴麦克斯韦线圈的线圈匝数;
aMX为x轴麦克斯韦线圈的线圈半径;
aMY为y轴麦克斯韦线圈的线圈半径;
aMZ为z轴麦克斯韦线圈的线圈半径。
9.根据权利要求8所述基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人的运动方法,其特征在于:该方法具体如下:
若做旋转运动,则通过赫姆霍兹线圈在工作区域内产生均匀旋转磁场,使得基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人在均匀旋转磁场中受磁力矩的作用绕轴线旋转;其中,若绕x轴旋转,则x轴赫姆霍兹线圈通电;若绕y轴旋转,则y轴赫姆霍兹线圈通电;若绕z轴旋转,则z轴赫姆霍兹线圈通电;若改变旋转方向,只要改变电流方向即可;
若做平移运动,则通过麦克斯韦线圈在工作区域内形成均匀梯度磁场,实现基于空间填充模型的磁棒架构全磁控机器人在均匀梯度磁场中受磁力作用作平移运动;其中,若沿x轴平移运动,则x轴麦克斯韦线圈通电;若沿y轴平移运动,则y轴麦克斯韦线圈通电;若沿z轴平移运动,则z轴麦克斯韦线圈通电;若改变平移方向,只要改变电流方向即可;
若做平移运动和旋转运动的合运动,则麦克斯韦线圈和赫姆霍兹线圈同时通电,同时形成均匀梯度磁场和均匀旋转磁场。
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CN111558929B (zh) | 2022-02-18 |
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