CN111551348B - gamma调试方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种gamma调试方法和装置，该方法通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而，根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题，而且，本申请实施例调试过程简单，低灰阶绑点采用上述方法调试，高灰阶绑点采用现有光学设备自动调节，无需变更gamma调试架构，可以有效提高产线直通率，缩减tact time，满足显示及大规模量产需求。

Description

gamma调试方法和装置
技术领域
本发明涉及OLED模组检测技术领域，尤其涉及一种gamma调试方法和装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。OLED显示技术广泛的运用于手机、数码摄像机、DVD机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、汽车音响和电视。gamma源于CRT(显示器/电视机)的响应曲线，即其亮度与输入电压的非线性关系。gamma曲线是一种特殊的色调曲线，当gamma值等于1的时候，曲线为与坐标轴成45°的直线，这个时候表示输入和输出密度相同。高于1的gamma值将会造成输出暗化，低于1的gamma值将会造成输出亮化。
gamma调试是指更改gamma值以匹配OLED模组的中间灰度。OLED出厂时必须经过gamma调试，使得输出的灰阶亮度曲线与人眼感觉一致，即符合gamma指数曲线。
现有gamma调试方案中，针对低灰阶绑点调试，均采用固定赋值(目前为1或0)方式，由于屏体差异固定赋值过低，灰阶跨压较大，配合调光时，会导致低灰阶断层问题。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题，本申请提供一种gamma调试方法和装置。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
第一方面，本申请实施例提供一种gamma调试方法，该方法可以由处理器执行，该方法包括如下步骤：首先，根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点，其中，上述预设gamma曲线可以为G2.2曲线，待调试OLED模组可以根据实际情况确定，本申请实施例对此不做特别限制。其次，根据上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定上述目标绑点对应的RGB调整值，进而根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定上述目标绑点的电压，根据上述目标绑点的电压，对上述待调试OLED模组进行gamma调试。这里，上述处理器可以获取上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，即上述目标绑点的前一绑点的RGB实测值，从而基于该RGB实测值确定目标绑点对应的RGB调整值，以便后续根据目标绑点对应的RGB调整值，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题。
在一种可能的实现方式中，上述根据上述目标绑点的前一绑点的红绿蓝(redgreen blue，RGB)测量值，确定上述目标绑点对应的RGB调整值，包括：
根据上述RGB测量值，确定上述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和上述前一绑点的电压，确定上述目标绑点对应的电压调整值；
根据上述电压调整值，确定所述RGB调整值。
其中，上述预设电压可以根据实际情况确定，例如，关闭OLED模组所需的最大电压，本申请实施例对此不做特别限制。
示例性的，根据预设电压和上述前一绑点的电压，确定上述目标绑点对应的电压调整值可以包括：
根据预设电压和上述目标绑点的前一绑点的电压的差值，确定上述目标绑点对应的电压调整值。
本申请实施例，通过目标绑点的前一绑点的RGB测量值和预设电压，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而，根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题。
在一种可能的实现方式中，上述根据上述RGB测量值和上述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压，包括：
计算上述RGB测量值与上述RGB调整值的差值；
根据上述差值，确定上述目标绑点的RGB值；
根据上述目标绑点的RGB值，确定上述目标绑点的电压。
其中，这里的差值不限于使用线性、非线性、指数、函数等差值方式，本申请实施例可根据屏体实际特性曲线以及后续模组调试gamma实际曲线表现能力进行选择使用不同的差值方式。
本申请实施例，采用的差值方式，基于上述RGB测量值和RGB调整值，确定上述目标绑点的电压，其中，上述差值方式可根据情况进行选择，满足多种应用需要。
在一种可能的实现方式中，在上述根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，还包括：
获取上述待调试OLED模组的亮度数据；
将上述亮度数据转换为像素数据。
在本申请实施例中，上述处理器可以通过相机采集待调试OLED模组的亮度数据，从而获取待调试OLED模组的亮度数据，除此之外，上述处理器还可以通过外界输入来获取待调试OLED模组的亮度数据，具体的获取方式可以根据实际需要确定，本申请实施例对此不做特别限制。
在一种可能的实现方式中，上述根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点，包括：
基于上述像素数据，根据上述gamma曲线确定上述待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值；
根据上述亮度值，确定上述目标绑点。
这里，以上述gamma曲线为G2.2曲线为例，处理器根据G2.2曲线确定待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值，进而根据该亮度值，确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。其中，绑点的具体数量可以根据实际情况确定，例如27个绑点，本申请实施例对此不做特别限制。
第二方面，本申请实施例提供一种gamma调试装置，包括：
第一确定模块，用于根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点；
第二确定模块，用于根据所述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值；
第三确定模块，用于根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压；
调试模块，用于根据所述目标绑点的电压，对所述待调试OLED模组进行gamma调试。
在一种可能的实现方式中，所述第二确定模块具体用于：
根据所述RGB测量值，确定所述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和所述前一绑点的电压，确定所述目标绑点对应的电压调整值；
根据所述电压调整值，确定所述RGB调整值。
在一种可能的实现方式中，所述第三确定模块具体用于：
计算所述RGB测量值与所述RGB调整值的差值；
根据所述差值，确定所述目标绑点的RGB值；
根据所述目标绑点的RGB值，确定所述目标绑点的电压。
在一种可能的实现方式中，还包括获取模块，用于在所述第一确定模块根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，获取所述待调试OLED模组的亮度数据；将所述亮度数据转换为像素数据。
在一种可能的实现方式中，所述第一确定模块具体用于：
基于所述像素数据，根据所述gamma曲线确定所述待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值；
根据所述亮度值，确定所述目标绑点。
第三方面，本申请实施例提供另一种gamma调试装置，包括：
存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器执行所述计算机指令时实现如第一方面或者第一方面的各种可能设计提供的所述的方法。
第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，当处理器执行所述计算机指令时，实现如第一方面或者第一方面的各种可能设计提供的所述的方法。
本申请实施例提供的gamma调试方法和装置，该方法通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题，而且，本申请实施例调试过程简单，低灰阶绑点采用上述方法调试，高灰阶绑点采用现有光学设备自动调节，无需变更gamma调试架构，可以有效提高产线直通率，缩减tact time，满足显示及大规模量产需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的低灰阶断层示意图；
图2为本申请实施例提供的gamma调试系统架构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种gamma调试方法的流程示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种gamma调试方法的流程示意图；
图5为本申请实施例提供的再一种gamma调试方法的流程示意图；
图6为本申请实施例提供的一种gamma调试装置的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的另一种gamma调试装置的结构示意图；
图8A为本申请提供的一种gamma调试装置的基本硬件架构示意图；
图8B为本申请提供的另一种gamma调试装置的基本硬件架构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”及“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
现有gamma调试方案中，针对低灰阶绑点调试，由于调试光学设备精度低，无法满足调节要求，从而采用固定赋值方式(目前为1或0)，但是屏体差异固定赋值过低，灰阶跨压较大，配合调光时，会导致低灰阶断层问题。示例性的，低灰阶断层如图1所示，图中箭头所指位置出现断层，其中，图1中横坐标表示绑点，纵坐标表示亮度。
因此，本申请实施例提出一种gamma调试方法，通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点的电压，从而，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，解决现有针对低灰阶绑点调试，导致的低灰阶断层问题。
本申请实施例提供的gamma调试方法及装置可应用在液晶模组中，进一步，该液晶模组可以用于手机、数码摄像机、DVD机、PDA、笔记本电脑、汽车音响和电视等，本申请实施例对此不做特别限制。
可选地，本申请实施例提供的gamma调试方法及装置可以应用于如图2所示的应用场景中。图2只是以示例的方式描述了本申请实施例提供的gamma调试方法的一种可能的应用场景，本申请实施例提供的gamma调试方法的应用场景不限于图2所示的应用场景。
图2为gamma调试系统架构示意图。在图2中，以出厂时对液晶模组进行gamma调试为例。上述架构包括接收装置201、处理器202和显示装置203中至少一种。
可以理解的是，本申请实施例示意的结构并不构成对gamma调试架构的具体限定。在本申请另一些可行的实施方式中，上述架构可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置，具体可根据实际应用场景确定，在此不做限制。图2所示的部件可以以硬件，软件，或软件与硬件的组合实现。
在具体实现过程中，接收装置201可以是输入/输出接口，也可以是通信接口，可以用于接收预设gamma曲线、待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值等信息。
处理器202可以在出厂时，通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试。
显示装置203可以用于对上述RGB测量值、调试结果等进行显示。
显示装置还可以是触摸显示屏，用于在显示上述内容的同时接收用户指令，以实现与用户的交互。
应理解，上述处理器可以通过处理器读取存储器中的指令并执行指令的方式实现，也可以通过芯片电路实现。
另外，本申请实施例描述的网络架构以及业务场景是为了更加清楚的说明本申请实施例的技术方案，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的限定，本领域普通技术人员可知，随着网络架构的演变和新业务场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。
下面结合附图详细介绍本申请实施例提供的gamma调试方法。该方法的执行主体可以为图2中的处理器202。处理器202的工作流程主要包括确定阶段和调试阶段。在确定阶段，处理器202通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点的电压。在调试阶段，处理器202根据上述目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题。
下面以几个实施例为例对本申请的技术方案进行描述，对于相同或相似的概念或过程在某些实施例不再赘述。
图3为本申请实施例提供的一种gamma调试方法的流程示意图，本实施例的执行主体可以为图2中的处理器202，具体执行主体可以根据实际应用场景确定。如图3所示，在图2所示应用场景的基础上，本申请实施例提供的gamma调试方法包括如下步骤：
S301：根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
其中，上述预设gamma曲线可以为G2.2曲线，待调试OLED模组可以根据实际情况确定，本申请实施例对此不做特别限制。
这里，在上述根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，还包括：
获取上述待调试OLED模组的亮度数据；
将上述亮度数据转换为像素数据。
其中，上述亮度数据可以理解为待调试模组的单位面积所发出的光强度。
在本申请实施例中，以执行主体为图2中的处理器202为例进行说明。上述处理器可以通过相机采集待调试OLED模组的亮度数据，从而获取待调试OLED模组的亮度数据，除此之外，上述处理器还可以通过外界输入来获取待调试OLED模组的亮度数据，具体的获取方式可以根据实际需要确定，本申请实施例对此不做特别限制。
在上述获取待调试OLED模组的亮度数据之后，上述处理器可以将获取的亮度信息输入给DDIC，由DDIC内部转换为像素数据。
进一步地，在将上述获取的亮度转换为像素数据之后，上述处理器还可以基于该像素数据，根据上述gamma曲线确定待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值，进而，根据该亮度值，确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
这里，以上述gamma曲线为G2.2曲线为例，处理器根据G2.2曲线确定待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值，其中，绑点的具体数量可以根据实际情况确定，例如27个绑点，本申请实施例对此不做特别限制。
S302：根据上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定上述目标绑点对应的RGB调整值。
S303：根据上述RGB测量值和上述RGB调整值，确定目标绑点的电压。
这里，上述处理器可以获取上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，即上述目标绑点的前一绑点的RGB实测值，从而，基于该RGB实测值确定目标绑点对应的RGB调整值，以便后续根据目标绑点对应的RGB调整值，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题。
S304：根据目标绑点的电压，对上述待调试OLED模组进行gamma调试。
示例性的，上述处理器可以将以上电压分别存储在相应绑点，由DDIC内部进行Source DAC运算，调整对应绑点的Data电压，输出给屏体完成显示。
本申请实施例通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题，而且，本申请实施例调试过程简单，低灰阶绑点采用上述方法调试，高灰阶绑点采用现有光学设备自动调节，无需变更gamma调试架构，可以有效提高产线直通率，缩减tact time，满足显示及大规模量产需求。
另外，本申请实施例在确定上述目标绑点对应的RGB调整值时，不仅考虑目标绑点的前一绑点的RGB测量值，还利用预设电压。图4为本申请实施例提出的另一种gamma调试方法的流程示意图。如图4所示，该方法包括：
S401：根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
其中，步骤S401与上述步骤S301的实现方式相同，此处不再赘述。
S402：根据上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定上述目标绑点的前一绑点的电压。
这里，上述处理器可以将上述目标绑点的前一绑点的RGB实测值，分别转换成电压信号，得到上述目标绑点的前一绑点的电压UR、UG、UB。
S403：根据预设电压和上述前一绑点的电压，确定上述目标绑点对应的电压调整值。
其中，上述预设电压可以根据实际情况确定，例如，关闭OLED模组所需的最大电压，本申请实施例对此不做特别限制。
示例性的，根据预设电压和上述前一绑点的电压，确定上述目标绑点对应的电压调整值可以包括：
根据预设电压和上述目标绑点的前一绑点的电压UR、UG、UB的差值，确定上述目标绑点对应的电压调整值Roffset、Goffset、Boffset。
具体的，可以根据表达式：
Roffset＝(U预设电压-UR)/step
Goffset＝(U预设电压-UG)/step
Boffset＝(U预设电压-UB)/step
确定上述目标绑点对应的电压调整值Roffset、Goffset、Boffset，其中，step表示灰阶步进。
S404：根据上述电压调整值，确定上述目标绑点对应的RGB调整值。
在本申请实施例中，上述处理器可以将上述电压调整值Boffset、Goffset、Boffset，分别转换成RGB值，从而得到上述目标绑点对应的RGB调整值。
S405：根据上述RGB测量值和上述RGB调整值，确定上述目标绑点的电压。
S406：根据上述目标绑点的电压，对上述待调试OLED模组进行gamma调试。
其中，步骤S405-S406与上述步骤S303-S304的实现方式相同，此处不再赘述。
本申请实施例，通过目标绑点的前一绑点的RGB测量值和预设电压，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题，而且，本申请实施例调试过程简单，低灰阶绑点采用上述方法调试，高灰阶绑点采用现有光学设备自动调节，无需变更gamma调试架构，可以有效提高产线直通率，缩减tact time，满足显示及大规模量产需求。
另外，本申请实施例采用的差值方式，基于上述RGB测量值和RGB调整值，确定上述目标绑点的电压。图5为本申请实施例提出的再一种gamma调试方法的流程示意图。如图5所示，该方法包括：
S501：根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
S502：根据上述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定上述目标绑点对应的RGB调整值。
其中，步骤S501-S502与上述步骤S301-S302的实现方式相同，此处不再赘述。
S503：计算上述RGB测量值与上述RGB调整值的差值。
这里，上述处理器计算上述RGB测量值与上述目标绑点对应的电压调整值Roffset、Goffset、Boffset的差值。
其中，这里的差值不限于使用线性、非线性、指数、函数等差值方式，本申请实施例可根据屏体实际特性曲线以及后续模组调试gamma实际曲线表现能力选择使用不同的差值方式。
S504：根据上述差值，确定上述目标绑点的RGB值。
示例性的，上述处理器可以将上述RGB测量值与上述目标绑点对应的电压调整值Roffset、Goffset、Boffset的差值，作为上述目标绑点的RGB值。
具体的，上述目标绑点的RGB值Rn、Gn、Bn可以通过以下表达式确定：
Rn＝Rn+1(上一绑点测量值)-Roffset
Gn＝Gn+1(上一绑点测量值)-Goffset
Bn＝Bn+1(上一绑点测量值)-Boffset
S505：根据上述目标绑点的RGB值，确定上述目标绑点的电压。
这里，上述处理器可以将上述目标绑点的RGB值，分别转换成电压信号，得到上述目标绑点的电压。
S506：根据上述目标绑点的电压，对上述待调试OLED模组进行gamma调试。
其中，步骤S506与上述步骤S304的实现方式相同，此处不再赘述。
本申请实施例采用的差值方式，基于上述RGB测量值和RGB调整值，确定上述目标绑点的电压，其中，上述差值方式可根据屏体实际特性曲线以及后续模组调试gamma实际曲线表现能力进行选择，满足多种应用需要。另外，本申请实施例通过待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定目标绑点对应的RGB调整值，进而，根据上述RGB测量值和RGB调整值，确定目标绑点的电压，根据该目标绑点的电压，对待调试OLED模组进行gamma调试，从而解决现有针对低灰阶绑点调试产生的低灰阶断层问题，而且，本申请实施例调试过程简单，低灰阶绑点采用上述方法调试，高灰阶绑点采用现有光学设备自动调节，无需变更gamma调试架构，可以有效提高产线直通率，缩减tact time，满足显示及大规模量产需求。
对应于上文实施例的gamma调试方法，图6为本申请实施例提供的gamma调试装置的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分。图6为本申请实施例提供的一种gamma调试装置的结构示意图，该gamma调试装置包括：第一确定模块601、第二确定模块602、第三确定模块603以及调试模块604。这里的gamma调试装置可以是上述处理器本身，或者是实现处理器的功能的芯片或者集成电路。这里需要说明的是，第一确定模块、第二确定模块、第三确定模块以及调试模块的划分只是一种逻辑功能的划分，物理上两者可以是集成的，也可以是独立的。
其中，第一确定模块601，用于根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
第二确定模块602，用于根据所述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值。
第三确定模块603，用于根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压。
调试模块604，用于根据所述目标绑点的电压，对所述待调试OLED模组进行gamma调试。
本申请实施例提供的装置，可用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，本申请实施例此处不再赘述。
图7为本申请实施例提供的另一种gamma调试装置的结构示意图。如图7所示，在上述图6基础上，上述gamma调试装置还包括：获取模块605。
在一种可能的实现方式中，所述第二确定模块602具体用于：
根据所述RGB测量值，确定所述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和所述前一绑点的电压，确定所述目标绑点对应的电压调整值；
根据所述电压调整值，确定所述RGB调整值。
在一种可能的实现方式中，所述第三确定模块603，具体用于：
计算所述RGB测量值与所述RGB调整值的差值；
根据所述差值，确定所述目标绑点的RGB值；
根据所述目标绑点的RGB值，确定所述目标绑点的电压。
在一种可能的实现方式中，上述获取模块605，用于在所述第一确定模块601根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，获取所述待调试OLED模组的亮度数据；将所述亮度数据转换为像素数据。
在一种可能的实现方式中，所述第一确定模块601，具体用于：
基于所述像素数据，根据所述gamma曲线确定所述待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值；
根据所述亮度值，确定所述目标绑点。
本申请实施例提供的装置，可用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，本申请实施例此处不再赘述。
可选地，图8A和8B示意性地提供本申请所述gamma调试装置的一种可能的基本硬件架构。
参见图8A和8B，gamma调试装置800包括至少一个处理器801以及通信接口803。进一步可选的，还可以包括存储器802和总线804。
其中，gamma调试装置800可以是计算机或服务器，本申请对此不作特别限制。gamma调试装置800中，处理器801的数量可以是一个或多个，图8A和8B仅示意了其中一个处理器801。可选地，处理器801，可以是中央处理器(central processing unit，CPU)、图形处理器(graphics processing unit，GPU)或者数字信号处理器(digital signalprocessor，DSP)。如果gamma调试装置800具有多个处理器801，多个处理器801的类型可以不同，或者可以相同。可选地，gamma调试装置800的多个处理器801还可以集成为多核处理器。
存储器802存储计算机指令和数据；存储器802可以存储实现本申请提供的上述gamma调试方法所需的计算机指令和数据，例如，存储器802存储用于实现上述gamma调试方法的步骤的指令。存储器802可以是以下存储介质的任一种或任几种组合：非易失性存储器(例如只读存储器(ROM)、固态硬盘(SSD)、硬盘(HDD)、光盘)，易失性存储器。
通信接口803可以为所述至少一个处理器提供信息输入/输出。也可以包括以下器件的任一种或任几种组合：网络接口(例如以太网接口)、无线网卡等具有网络接入功能的器件。
可选的，通信接口803还可以用于gamma调试装置800与其它计算设备或者终端进行数据通信。
进一步可选的，图8A和8B用一条粗线表示总线804。总线804可以将处理器801与存储器802和通信接口803连接。这样，通过总线804，处理器801可以访问存储器802，还可以利用通信接口803与其它计算设备或者终端进行数据交互。
在本申请中，gamma调试装置800执行存储器802中的计算机指令，使得gamma调试装置800实现本申请提供的上述gamma调试方法，或者使得gamma调试装置800部署上述的gamma调试装置。
从逻辑功能划分来看，示例性的，如图8A所示，存储器802中可以包括第一确定模块601、第二确定模块602、第三确定模块603以及调试模块604。这里的存储器中所存储的指令被执行时可以分别实现获取模块和确定模块的功能，而不限定是物理上的结构。
其中，第一确定模块601，用于根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点。
第二确定模块602，用于根据所述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值。
第三确定模块603，用于根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压。
调试模块604，用于根据所述目标绑点的电压，对所述待调试OLED模组进行gamma调试。
一种可能的实现方式中，如图8B所示，存储器802中还包括获取模块605。
一种可能的实现方式中，所述第二确定模块602具体用于：
根据所述RGB测量值，确定所述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和所述前一绑点的电压，确定所述目标绑点对应的电压调整值；
根据所述电压调整值，确定所述RGB调整值。
一种可能的实现方式中，所述第三确定模块603具体用于：
计算所述RGB测量值与所述RGB调整值的差值；
根据所述差值，确定所述目标绑点的RGB值；
根据所述目标绑点的RGB值，确定所述目标绑点的电压。
一种可能的实现方式中，上述获取模块605用于在所述第一确定模块601根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，获取所述待调试OLED模组的亮度数据；将所述亮度数据转换为像素数据。
一种可能的实现方式中，所述第一确定模块601具体用于：
基于所述像素数据，根据所述gamma曲线确定所述待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值；
根据所述亮度值，确定所述目标绑点。
另外，上述的gamma调试装置除了可以像上述图8A和8B通过软件实现外，也可以作为硬件模块，或者作为电路单元，通过硬件实现。
本申请提供一种计算机可读存储介质，所述计算机程序产品包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行本申请提供的上述gamma调试方法。
本申请提供一种芯片，包括至少一个处理器和通信接口，所述通信接口为所述至少一个处理器提供信息输入和/或输出。进一步，所述芯片还可以包含至少一个存储器，所述存储器用于存储计算机指令。所述至少一个处理器用于调用并运行该计算机指令，以执行本申请提供的上述gamma调试方法。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

Claims (8)

1.一种gamma调试方法，其特征在于，包括：
根据预设gamma曲线确定待调试有机发光二极管OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点；
根据所述目标绑点的前一绑点的红绿蓝RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值；
根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压；
根据所述目标绑点的电压，对所述待调试OLED模组进行gamma调试；
所述根据所述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值，包括：
根据所述RGB测量值，确定所述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和所述前一绑点的电压，确定所述目标绑点对应的电压调整值；
根据所述电压调整值，确定所述RGB调整值。
2.根据权利要求1所述的gamma调试方法，其特征在于，所述根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压，包括：
计算所述RGB测量值与所述RGB调整值的差值；
根据所述差值，确定所述目标绑点的RGB值；
根据所述目标绑点的RGB值，确定所述目标绑点的电压。
3.根据权利要求1所述的gamma调试方法，其特征在于，在所述根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点之前，还包括：
获取所述待调试OLED模组的亮度数据；
将所述亮度数据转换为像素数据。
4.根据权利要求3所述的gamma调试方法，其特征在于，所述根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点，包括：
基于所述像素数据，根据所述gamma曲线确定所述待调试OLED模组对应的多个绑点的亮度值；
根据所述亮度值，确定所述目标绑点。
5.一种gamma调试装置，其特征在于，包括：
第一确定模块，用于根据预设gamma曲线确定待调试OLED模组的低灰阶断层处对应的目标绑点；
第二确定模块，用于根据所述目标绑点的前一绑点的RGB测量值，确定所述目标绑点对应的RGB调整值；
第三确定模块，用于根据所述RGB测量值和所述RGB调整值，确定所述目标绑点的电压；
调试模块，用于根据所述目标绑点的电压，对所述待调试OLED模组进行gamma调试；
所述第二确定模块具体用于：
根据所述RGB测量值，确定所述目标绑点的前一绑点的电压；
根据预设电压和所述前一绑点的电压，确定所述目标绑点对应的电压调整值；
根据所述电压调整值，确定所述RGB调整值。
6.根据权利要求5所述的gamma调试装置，其特征在于，所述第三确定模块具体用于：
计算所述RGB测量值与所述RGB调整值的差值；
根据所述差值，确定所述目标绑点的RGB值；
根据所述目标绑点的RGB值，确定所述目标绑点的电压。
7.一种gamma调试装置，其特征在于，所述装置包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器执行所述计算机指令时实现权利要求1至4任一项所述的gamma调试方法。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，当处理器执行所述计算机指令时，实现如权利要求1至4任一项所述的gamma调试方法。
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