CN111541468B - 5g通讯电缆基站抗干扰传输系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压，以补偿信号导通损耗，电容C3为旁路电容，运用电感L2滤除高频杂波分量，电容C5、电容C6滤除低频杂波分量，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端。
Description
技术领域
本发明涉及5G通讯技术领域，特别是涉及5G通讯电缆基站抗干扰传输系统。
背景技术
当前世界各地对于5G技术的研发热度很高，国内外各主流标准化机构都已经认识到现阶段5G技术发展的迫切性，并制定了相关的5G研发计划,随着从4G到5G的发展，用户需求不断提高，室内外数据业务大幅度拓展，载波频率也将大幅度提升,在载波频率提升的基础上，对于5G通讯电缆的要求也越来越高；5G通讯电缆承载的数据更多，传输效率更快，同时5G通讯电缆经常出现低温开裂、高温变形现象，并且由于电缆之间间距很近，存在串扰现象，严重影响5G通讯电缆基站抗干扰传输系统使用效果。
发明内容
针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明之目的在于提供5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，能够对5G通讯电缆基站信号采样校准，转换为5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端的触发信号。
其解决的技术方案是， 5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块输出信号经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；
所述反馈降噪模块包括三极管Q1，三极管Q1的基极接电阻R3的一端和信号采样模块输出端口，三极管Q1的集电极接电阻R4、电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R5、电容C3的一端和三极管Q2的发射极，电阻R3、电阻R5、电容C3的另一端接地，电阻R4的另一端接电源+5V，电容C2的另一端接电感L1、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接电阻R7的一端、电感L1的另一端和三极管Q3的集电极、三极管Q2的基极，电阻R7的另一端接电容C4的一端和运放器AR1 的同相输入端，电容C4的另一端接地，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，运放器AR1的输出端接电阻R9的另一端和电感L2、电容C5的一端，电感L2的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C6的一端和电容C5的另一端，电阻R13的另一端接电容C6的另一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R14的另一端接MOS管Q4的栅极、可变电阻RW1的滑动端、三极管Q3的发射极，MOS管Q4的源极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接运放器AR3的同相输入端和二极管D3的负极、电阻R10的一端，运放器AR3的反相输入端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接地，运放器AR3的输出端接二极管D3的正极、二极管D2的负极，二极管D2的正极接电阻R10的另一端和三极管Q3的基极、三极管Q2的集电极，运放器AR2的反相输入端接电阻R15、电阻R16的一端，电阻R15的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R16的另一端、电阻R17的一端和可变电阻RW1的一端，可变电阻RW1的另一端接MOS管Q4的漏极，电阻R17的另一端接信号发射器E1。
由于以上技术方案的采用，本发明与现有技术相比具有如下优点；
1.电容C3为旁路电容， 然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同时运用运放器AR1、电容C4组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，具有很大的推广价值；
2.为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端，5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端能够及时对5G通讯电缆做出响应。
附图说明
图1为本发明5G通讯电缆基站抗干扰传输系统的补偿反馈模块图。
图2为本发明5G通讯电缆基站抗干扰传输系统的信号采样模块图。
具体实施方式
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图1至图2对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。
实施例一， 5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块输出信号经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；
所述反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压，以补偿信号导通损耗，电容C3为旁路电容， 然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同时运用运放器AR1、电容C4组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，运用电感L2滤除高频杂波分量，电容C5、电容C6滤除低频杂波分量，从而实现稳定信号频率的作用，为了保证信号振幅强度，进一步运用运放器AR2进一步放大信号，同时为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；
所述反馈降噪模块具体结构，三极管Q1的基极接电阻R3的一端和信号采样模块输出端口，三极管Q1的集电极接电阻R4、电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R5、电容C3的一端和三极管Q2的发射极，电阻R3、电阻R5、电容C3的另一端接地，电阻R4的另一端接电源+5V，电容C2的另一端接电感L1、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接电阻R7的一端、电感L1的另一端和三极管Q3的集电极、三极管Q2的基极，电阻R7的另一端接电容C4的一端和运放器AR1的同相输入端，电容C4的另一端接地，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，运放器AR1的输出端接电阻R9的另一端和电感L2、电容C5的一端，电感L2的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C6的一端和电容C5的另一端，电阻R13的另一端接电容C6的另一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R14的另一端接MOS管Q4的栅极、可变电阻RW1的滑动端、三极管Q3的发射极，MOS管Q4的源极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接运放器AR3的同相输入端和二极管D3的负极、电阻R10的一端，运放器AR3的反相输入端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接地，运放器AR3的输出端接二极管D3的正极、二极管D2的负极，二极管D2的正极接电阻R10的另一端和三极管Q3的基极、三极管Q2的集电极，运放器AR2的反相输入端接电阻R15、电阻R16的一端，电阻R15的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R16的另一端、电阻R17的一端和可变电阻RW1的一端，可变电阻RW1的另一端接MOS管Q4的漏极，电阻R17的另一端接信号发射器E1。
实施例二，在实施例一的基础上，所述信号采样模块选用型号为DAM-3056AH的信号采样器J1对5G通讯电缆基站信号采样，稳压管D1稳压，信号采样器J1的电源端接电源+5V，信号采样器J1的接地端接地，信号采样器J1的输出端接稳压管D1的负极和电阻R1的一端，稳压管D1的正极接地，电阻R1的另一端接电容C1的一端，电容C1的另一端接电阻R2的一端和反馈降噪模块信号输入端口，电阻R2的另一端接地。
本发明具体使用时，5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，所述反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压，以补偿信号导通损耗，电容C3为旁路电容，然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同时运用运放器AR1、电容C4组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，运用电感L2滤除高频杂波分量，电容C5、电容C6滤除低频杂波分量，从而实现稳定信号频率的作用，为了保证信号振幅强度，进一步运用运放器AR2进一步放大信号，同时为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端。
以上所述是结合具体实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明具体实施仅局限于此；对于本发明所属及相关技术领域的技术人员来说，在基于本发明技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本发明保护范围之内。
Claims (2)
1.5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，其特征在于，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块输出信号经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；
所述反馈降噪模块包括三极管Q1，三极管Q1的基极接电阻R3的一端和信号采样模块输出端口，三极管Q1的集电极接电阻R4、电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R5、电容C3的一端和三极管Q2的发射极，电阻R3、电阻R5、电容C3的另一端接地，电阻R4的另一端接电源+5V，电容C2的另一端接电感L1、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接电阻R7的一端、电感L1的另一端和三极管Q3的集电极、三极管Q2的基极，电阻R7的另一端接电容C4的一端和运放器AR1 的同相输入端，电容C4的另一端接地，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，运放器AR1的输出端接电阻R9的另一端和电感L2、电容C5的一端，电感L2的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C6的一端和电容C5的另一端，电阻R13的另一端接电容C6的另一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R14的另一端接MOS管Q4的栅极、可变电阻RW1的滑动端、三极管Q3的发射极，MOS管Q4的源极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接运放器AR3的同相输入端和二极管D3的负极、电阻R10的一端，运放器AR3的反相输入端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接地，运放器AR3的输出端接二极管D3的正极、二极管D2的负极，二极管D2的正极接电阻R10的另一端和三极管Q3的基极、三极管Q2的集电极，运放器AR2的反相输入端接电阻R15、电阻R16的一端，电阻R15的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R16的另一端、电阻R17的一端和可变电阻RW1的一端，可变电阻RW1的另一端接MOS管Q4的漏极，电阻R17的另一端接信号发射器E1。
2.如权利要求1所述5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，其特征在于，所述信号采样模块包括型号为DAM-3056AH的信号采样器J1，信号采样器J1的电源端接电源+5V，信号采样器J1的接地端接地，信号采样器J1的输出端接稳压管D1的负极和电阻R1的一端，稳压管D1的正极接地，电阻R1的另一端接电容C1的一端，电容C1的另一端接电阻R2的一端和反馈降噪模块信号输入端口，电阻R2的另一端接地。
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