CN111508872B - 光照射装置及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种光照射装置及半导体加工设备。该光照射装置设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其包括：反射器及光源模组；反射器固定于工艺腔体上，反射器内形成有反射腔，反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；反射器的顶部开设有与反射腔连通的光入射口；反射器的底部设有多个与反射腔连通的光出射孔，多个光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；光源模组固定设置于反射器的上方，并且光源模组的光出射面与光入射口对应设置。本申请实施例无需采用旋转机构调节光线分布方式，因此有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。

Description

光照射装置及半导体加工设备

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种光照射装置及半导体加工设备。

背景技术

目前，集成电路的制造工艺进入高端工艺阶段，尤其是进入65或40nm(纳米)节点技术代开始，越来越多的新材料、新技术应用于集成电路制造工艺中，例如包括铜互联技术的采用，low-k(低k)电介质材料的制备，应力工程技术的使用，HKMG(高k电介质绝缘层+金属栅极)及其与新材料相配合使用的技术工艺等等。以上技术演进制造工艺涉及光刻、薄膜沉积、刻蚀、扩散、离子注入、氧化、清洗等，以上工艺为传统集成电路不可缺少的工艺的进化演变，其中，自65或40nm技术节点开始，出现了一种新的工艺-紫外光辅助热处理(或称热辅助紫外固化、紫外固化等)。紫外光辅助热处理是利用紫外光具有高能量的特点来处理已经沉积好的薄膜以对其进行改性处理。由于在印刷、汽车、装潢、平板显示等涉及有机物固化的行业早已有类似的应用，其主要作用是将有机物固化，因而，利用紫外光辅助热处理预沉积薄膜的方法又叫紫外固化(UV cure)。UV Cure目前在集成电路制造中主要应用于在前段工艺(FEOL)处理氮化硅、氧化硅及非晶碳等，以此来改变薄膜应力分布、改变薄膜密度、减少氢元素(H)含量、减少金属硅化物掩模层缺陷等；在后段工艺(BEOL)中固化处理预沉积的low-k薄膜、修复刻蚀或化学机械研磨(CMP)后对low-k薄膜的损伤等；此外UV Cure还可以用来去除水汽、有机物污染、电荷累积等。UV Cure在高端工艺中使用，最重要的就是其工艺的均匀性，均匀性将直接影响到产品的良率，随着线宽的不断减小，对均匀性的要求越来越高，这就要求在UV Cure设备中UV紫外光具有在所需处理的晶圆表面具有非常均匀或者特殊规划的不均匀光照分布。

现有技术中需要将UV Cure设备产生的矩形泛光图形(照射目标位置光的分布图形)转换成与晶圆大小相差不多的圆形泛光图形，为了保证辐照图形的均匀性，需要复杂的旋转结构使UV Cure设备的光源及反射器旋转。由于旋转机构结构复杂，容易在使用过程中产生问题，导致UV Cure设备报错与故障，这会直接影响到UV Cure设备的加工制造能力与处理后的晶圆的性能。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种光照射装置及半导体加工设备，用以解决现有技术中旋转机构复杂及故障率高的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种光照射装置，设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，包括：反射器及光源模组；所述反射器固定于所述工艺腔体上，所述反射器内形成有反射腔，所述反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；所述反射器的顶部开设有与所述反射腔连通的光入射口；所述反射器的底部设有多个与所述反射腔连通的光出射孔，多个所述光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；所述光源模组固定设置于所述反射器的上方，并且所述光源模组的光出射面与所述光入射口对应设置。

于本申请的一实施例中，所述光反射器包括反射板及反射壳体，所述反射板盖合于所述反射壳体上且所述反射板上开设有所述光入射口；所述反射壳体的内表面与所述反射板的下表面形成所述反射腔，所述反射壳体上开设有所述光出射孔。

于本申请的一实施例中，所述光入射口并列排布在所述反射板上，所述光源模组并列设置于所述反射板的上方，且所述光入射口的数量与所述光源模组的数量相同。

于本申请的一实施例中，所述反射壳体包括底板、多个侧板和环形连接板，多个所述侧板排布于所述底板的周向，并且多个所述侧板的底端与所述底板边缘连接，所述环形连接板的内缘与多个所述侧板的顶端连接，并且所述环形连接板与所述工艺腔体的侧壁顶端连接。

于本申请的一实施例中，所述底板为圆形结构，多个所述光出射孔在所述底板上的排布形状为圆形；多个所述侧板的内表面为凸弧面、凹弧面的任一或组合。

于本申请的一实施例中，所述反射腔的内壁上涂覆有光处理涂层，所述光处理涂层为介质膜、金属膜的任一或组合。

于本申请的一实施例中，所述反射腔内为真空状态或者为透明介质填充状态。

于本申请的一实施例中，所述透明介质为空气、惰性气体、玻璃、树脂、塑料、光纤、透明晶体、透明无机化合物的任一或组合。

于本申请的一实施例中，多个所述光出射孔为均匀排布，以及所述辐照区域为矩形、圆形、椭圆形或者三角形。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体加工设备，包括工艺腔体和位于所述工艺腔体内的介质窗以及如第一个方面提供的光照射装置，所述光照射装置设置于所述介质窗的上方，用于透过介质窗对所述工艺腔体内的工件进行光照处理。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例，由于无需采用旋转机构调节光线分布方式，使得本申请实施例结构简单，可以有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。另外，由于光源模组发出的光线在反射腔内经多次反射、折射或吸收后最终投射到辐照区域上，最大限度的减少所需光线的损耗，由此可以节省光源能量的消耗，从而能节省工艺时间。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种光照装置的使用状态的结构示意图；

图2A为本申请实施例提供的一种反射器的俯视示意图；

图2B为本申请实施例提供的一种反射器的剖视示意图；

图3为本申请实施例提供的一种反射壳体的俯视示意图；

图4为本申请实施例提供的一种半导体加工设备的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种光照射装置，设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，该光照射装置的结构示意图如图1所示，包括：反射器1及光源模组2；反射器1固定于工艺腔体上，反射器1内形成有反射腔11，反射腔11用于对光线进行反射并调节光线状态；反射器1顶部开设有与反射腔11连通的光入射口12；反射器1的底部设多个与反射腔11连通的光出射孔13，多个光出射孔13的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；光源模组2固定设置于反射器1的上方，并且光源模组2的光出射面与光入射口12对应设置。

如图1所示，半导体加工设备具体为对工件执行紫外固化工艺的设备，而工件具体可以为晶圆，但是本申请实施例并不以此为限，其也可以是其它类型的包含有紫外固化功能的设备；进一步的，半导体加工设备还可以是其它光照处理设备，因此本申请实施例并不以此为限。该光照射装置可以设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，以用于对工艺腔体内的晶圆进行光照处理。光照射装置包括有反射器1及光源模组2，该反射器1在使用时位于光源模组2的下方，光源模组2可以由线性光源21与光罩22组成，且位于介质窗200及晶圆300的上方。反射器1内部具有反射腔11，并且其顶部开设有与反射腔11连通的光入射口12，该光入射口12用于与光源模组2的光出射面对应设置；反射器1底部开设有与反射腔11连通的多个光出射孔13，多个光出射孔13排布形状与其所辐照区域的形状对应设置，例如该辐照区域可以是与晶圆300对应的直径为180-460mm(毫米)的圆形区域，具体来说本申请实施例主要以紫外光线均匀的分布在直径为315mm的圆形辐照区域为例说明。在实际使用过程中，光源模组2产生的光线经其光罩22内部反射后(光线经一次或多次反射)由光入射口12进入反射腔11内，光源模组2产生的光线在反射腔11内反射并调节光线状态后由光出射孔13射出，使紫外光线均匀地辐照到辐照区域上，使辐照区域上的物质得到均匀的光照处理或光化学反应(光激反应)。

需要说明的是，本申请实施例并不限定紫外光线必须均匀的辐照到辐照区域内，其也可以根据需求以非均匀的方式辐照到辐照区域上；另外本申请实施例不限定辐照区域必须为圆形，例如其可以根据需求为矩形或其它形状。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

在本申请实施例中，光源模组的光线由光入射口进入反射腔，然后经由反射腔反射后由光出射孔射出到预设辐照区域上，从而使得辐照区域内的物质得到均匀的光照处理或光激反应。

本申请实施例，由于无需采用旋转机构调节光线分布方式，使得本申请实施例结构简单，可以有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。另外，由于光源模组发出的光线在反射腔内经多次反射、折射或吸收后最终投射到辐照区域上，最大限度的减少所需光线的损耗，由此可以节省光源能量的消耗，从而能节省工艺时间。

于本申请的一实施例中，光反射器1包括反射板14及反射壳体15，反射板14盖合于反射壳体15上且反射板14上开设有光入射口12；反射壳体15的内表面与反射板14的下表面形成反射腔11，反射壳体15上开设有光出射孔13。

如图1至图2B所示，反射板14具体可以采用金属铝材质制成的板状结构，反射板14盖合于反射壳体15上，光入射口12开设于光反射板14上。反射壳体15具体也可以采用金属铝材质制成的壳状结构，并且反射壳体15上可以开设有多个光出射孔13，用于光线射出。进一步的，反射壳体15的内表面与反射板14的下表面共同配合以合围成反射腔11。采用上述设计，光反射器1采用分体式设置能使得本申请实施例结构简单且便于加工，不仅能有效降低制造成本，而且还能有效降低应用及维护成本，并且还能有效降低故障率。需要说明的是，本申请实施例并不限定反射器1的具体实施方式，例如光反射器1的材质也可以采用其它金属材质或者非金属材质制成，当然其也可以采用无机材质、有机材质或者复合材质制成；同时该反射器1可以采用一体成型方式制成，同样能达到相同效果。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，光入射口12并列排布在反射板14上，光源模组2并列设置于反射板14的上方，且光入射口12的数量与光源模组2的数量相同。

如图1至图2B所示，反射板14上开设有并列排布的两个光入射口12，两个光源模组2并列设置于反射板14上。采用上述设计，由于设置有两个光源模组2并列的设置于反射板14上，并且两个光源模组2的光出射面分别与两个光入射口12对应设置，因此能有效扩大辐照区域的面积，并且还能有效提高辐照区域的均匀性，从而能有效提高本申请实施例的适用范围。需要说明的是，本申请实施例并不限定反射板14上光入射口12的具体数量以及排列方式，例如也可以为两个以上或者一个，本领域技术人员可以根据工艺需求、光源模组2的类型以及反射板14的形状自行调整设置。

于本申请的一实施例中，反射壳体15包括底板151、多个侧板152和环形连接板153，多个侧板152排布于底板151的周向，并且多个侧板152的底端与底板151边缘连接，环形连接板153的内缘与多个侧板152的顶端连接，并且环形连接板153与工艺腔体400的侧壁顶端连接。

如图2A至图3所示，反射壳体15主要由多个侧板152，多个侧板152的底端与底板151的边缘连接以合围成凹槽。具体地，多个侧板152及底板151所采用的形状可以是规则形状，也可以是非规则的形状。反射壳体15具体采用一体成型结构，也可以是多块板状结构拼装而成，其连接方式采用螺丝固定、焊接、铆接、胶合等方式的任一或组合。进一步的，反射壳体15具体是金属结构件，但是其也可以采用陶瓷或玻璃等材质，因此本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，不仅使得本申请实施例结构简单，而且能有效提高适用范围及降低制造和维护成本。

进一步的，如图3及图4所示，反射壳体15还包括有环形连接板153，环形连接板153的内缘与多个侧板152的顶端连接，并且环形连接板153与工艺腔体400的侧壁顶端连接，具体可参照如图4所示。环形连接板153具体采用金属铝材质制成的圆角矩形结构，并且其整体可以为环状结构。环形连接板153的内缘与多个侧板152的顶端采用焊接方式连接，并且环形连接板153上设置多个连接孔，以用于与工艺腔体的侧壁顶端采用螺栓连接。采用上述设计，能使得本申请实施例结构简单且便于拆装维护。需要说明的是，本申请实施例并不限定环形连接板153的具体实施方式，例如环形连接板153与侧板152和底板151可以采用一体成型结构，也可以是焊接装配体，还可以由螺钉或其他方式链接固定在一起。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，底板151为圆形结构，多个光出射孔13在底板151上的排布形状为圆形；多个侧板152的内表面可以为平面、凸弧面、凹弧面的任一或组合。

如图3所示，底板151具体的形状可以采用圆形结构，而多个光出射孔13的排布形状与底板151对应的设置为圆形，多个侧板152的内表面具体可以采用平面状态。采用上述设计，使得本申请实施例可以应用于晶圆300的光照处理，并且侧板152的内表面采用平面设置还能有效提高光线的利用率，进而有效降低光源模组2的能耗以及提高工艺效率。但是需要说明的是，本申请实施例并不限定底板151的形状，具体来说可以通过调节底板151的形状与光出射孔13的分布来调整辐照区域的形状与光线的分布特性，例如，可以通过调节底板151上光出射孔13的大小、数量、分布规则等方式来调整辐照区域的形状与光线的均匀分布。另一方面，根据不同光线辐照区域的分布需求，还可以设计加工不同形状的侧板152，例如包括侧板152的外形、侧板152的内表面状况等，反射板14及底板151的内表面均为平面结构，而侧板152为凹弧面与凸弧面相配合的弧形面。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据需求自行调整设置。

于本申请的一实施例中，反射腔11的内壁上涂覆有光处理涂层，光处理涂层为介质膜、金属膜的任一或组合，光处理涂层用于对光线的处理包括折射、吸收、增透、增反的任一或组合。可选地，光源模组2出射的光线类型为紫外光线、红外光线或者可见光线。

结合参照如图1至图3所示，反射壳体15的多个侧板152及底板151的内表面，以及反射板14的内表面为反射腔11的内壁，并且为了便于反射腔11对于光线的处理可以在反射腔11的内壁上涂覆有光处理涂层(图中未示出)。光处理涂层为一层或多层用于处理光线的薄膜，该薄膜可以是采用物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等方法涂覆或沉积的金属薄膜、介质薄膜、分布式布拉格反射镜(DBR)等一种或多种复合薄膜。该薄膜用于最大限度的对光行进行反射、吸收、增透、增反等处理的任一或组合。例如可以是消去红外光线与可见光线，例如分布红外辐照，则该薄膜将选择最大限度反射红外光线的薄膜。光处理涂层可以采用SiO2/HfO2、SiO2/TiO2等多层调制而成薄膜，又或者采用Al/MgF2、Al/SiO2等多层调制而成金属膜和/或介质膜。

于本申请的一具体实施方式中，反射器1可以用于紫外光线的分布，也可以用于可见光线、红外光线或者某一特定波段的光线等，也就是说光源模组2具体可以采用多种类型的光源模组，但是本申请实施例并不以此为限。在此以180nm～420nm波段的紫外光线为例进行描述，该反射腔11的内壁(面向反射腔11内)镀有一层分布式布拉格反射镜(DBR)或可以将光源模组2的光线最大限度的反射的薄膜。在此以紫外光线为例，一种实现方法是反射器1采用金属铝，表面抛光后镀上一层金属铝薄膜，然后沉积上一层介质薄膜(SiO2或MgF2)以形成光处理涂层，光处理涂层用以保护金属铝不被氧化且增大紫外光线的反射效率。另一种实现方法是反射器1采用金属铝，其表面直接沉积上SiO2/HfO2或SiO2/TiO2等用于反射或吸收的光处理涂层，或者该光处理涂层可以实现滤波及对紫外光线高反射率的分布式布拉格反射镜(分布式布拉格反射镜，可以实现吸收或透过不需要的波段，反射所需要的光线的波段)，在此处所要反射的是波长在180～420nm波段的紫外光线，从而提高紫外固化效率及良品率。但是本申请实施例并不以此为限，以上涉及的具体数据及材质均为说明本申请实施例之用，并非用于限定本申请。

于本申请的一实施例中，反射腔11内为真空状态或者为透明介质填充状态。可选地，透明介质可以为空气、惰性气体、玻璃、树脂、塑料、光纤、透明晶体、透明无机化合物的任一或组合。

结合参照如图1至图3所示，反射腔11内部在使用时可以是真空状态，从而有效提高光线传播的效率。但是本申请实施例并不以此为限，例如反射腔11也可以根据工艺需求或者光源模组2的类型，在使用过程中采用透明介质填充状态(图中未示出透明介质)。具体来说，透明介质可以为空气、惰性气体、玻璃、树脂、塑料、光纤、透明晶体、透明无机化合物的任一或组合。采用上述设计，不仅能有效提高本申请实施例的适用范围，而且可以根据不同需求降低制造及应用成本。

于本申请的一实施例中，多个光出射孔13为均匀排布，以及辐照区域为矩形、圆形、椭圆形或者三角形。

如图1至图3所示，底板151的形状可以与辐照区域的形状对应的设置，而多个光出射孔13的排布形状可以与底板151及辐照区域形状对应设置。通过调整多个光出射孔13的分布状态能调节光线的分布情况，例如包括多个光出射孔13的分布形状与分布均匀性，以及多个光出射孔13的排布形状与辐照区域相对应的矩形、圆形、椭圆形或者三角形等形状，或者也可以是其他规则或不规则的形状，另外也可以按要求将光线以某种方式非均匀的分布到指定辐照区域。采用上述设计，由于具有多种光线分布情况，能有效提高本申请实施例的适用范围。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体加工设备，其包括工艺腔体400和位于工艺腔体400内的介质窗200以及如上述各实施例提供的光照射装置100,光照射装置100设置于介质窗200的上方，用于透过介质窗200对工艺腔体400内的工件进行光照处理。如图1及图4所示，反射器1设置于工艺腔体400的顶部，两个光源模组2并列的设置于反射器1上，各部件之间均可以采螺栓连接固定，但是本申请实施例并不以此为限。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例，由于无需采用旋转机构调节光线分布方式，使得本申请实施例结构简单，可以有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。另外，由于光源模组发出的光线在反射腔内经多次反射、折射或吸收后最终投射到辐照区域上，最大限度的减少所需光线的损耗，由此可以节省光源能量的消耗，从而能节省工艺时间。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (7)

1.一种光照射装置，设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其特征在于，包括：反射器及光源模组；

所述反射器固定于所述工艺腔体上，所述反射器内形成有反射腔，所述反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；所述反射器的顶部开设有与所述反射腔连通的光入射口；所述反射器的底部设有多个与所述反射腔连通的光出射孔，多个所述光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；

所述光源模组固定设置于所述反射器的上方，并且所述光源模组的光出射面与所述光入射口对应设置；

所述反射器包括反射板及反射壳体，所述反射板盖合于所述反射壳体上且所述反射板上开设有所述光入射口；所述反射壳体的内表面与所述反射板的下表面形成所述反射腔，所述反射壳体上开设有所述光出射孔；

所述光入射口并列排布在所述反射板上，所述光源模组并列设置于所述反射板的上方，且所述光入射口的数量与所述光源模组的数量相同；

所述反射壳体包括底板、多个侧板和环形连接板，多个所述侧板排布于所述底板的周向，并且多个所述侧板的底端与所述底板边缘连接，所述环形连接板的内缘与多个所述侧板的顶端连接，并且所述环形连接板与所述工艺腔体的侧壁顶端连接。

2.如权利要求1所述的光照射装置，其特征在于，所述底板为圆形结构，多个所述光出射孔在所述底板上的排布形状为圆形；多个所述侧板的内表面为凸弧面、凹弧面的任一或组合。

3.如权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于，所述反射腔的内壁上涂覆有光处理涂层，所述光处理涂层为介质膜、金属膜的任一或组合。

4.如权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于，所述反射腔内为真空状态或者为透明介质填充状态。

5.如权利要求4所述的光照射装置，其特征在于，所述透明介质为空气、惰性气体、玻璃、树脂、塑料、光纤、透明晶体、透明无机化合物的任一或组合。

6.如权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于，多个所述光出射孔为均匀排布，以及所述辐照区域为矩形、圆形、椭圆形或者三角形。

7.一种半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔体和位于所述工艺腔体内的介质窗以及如权利要求1至6的任一所述的光照射装置，所述光照射装置设置于所述介质窗的上方，用于透过介质窗对所述工艺腔体内的工件进行光照处理。