CN111498792A - 一种mems器件的刚度调节方法 - Google Patents
一种mems器件的刚度调节方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111498792A CN111498792A CN202010323520.1A CN202010323520A CN111498792A CN 111498792 A CN111498792 A CN 111498792A CN 202010323520 A CN202010323520 A CN 202010323520A CN 111498792 A CN111498792 A CN 111498792A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- structural layer
- rigidity
- layer
- mems
- mems device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/0065—Mechanical properties
- B81C1/00658—Treatments for improving the stiffness of a vibrating element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于材料热失配的MEMS器件刚度调节方法,属于微机电系统领域。所述MEMS器件包括结构层1和基底层2;结构层1为材料I,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αI;基底层2为材料II,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αII,且满足αI<αII;所述结构层1与基底层2在温度TB时键合,然后降温至工作温度TA,且满足TB>TA;所述结构层1上设计有悬浮结构3,键合后结构层1固定在基底层2上,改变工作温度TA即可实现悬浮结构3的刚度调节,且依据本专利提出的设计准则可使MEMS器件的刚度达到负值。本发明提出的方法可通过调节MEMS器件的工作温度来改变其刚度,与现有技术相比,无需装配步骤且可更精准地对刚度进行动态调节。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于材料热失配的MEMS器件刚度调节方法,属于微机电系统领域。
背景技术
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,简称MEMS)是指采用微加工技术制造微型机械电子系统,在国民经济、军事国防等领域有广泛的应用。MEMS器件种类繁多,结构多样。重力计、振动计等MEMS惯性器件是其中一类,其典型结构包括敏感质量和支撑结构两部分,敏感质量通过支撑结构悬浮,主要工作原理为:外界重力、振动等信号对敏感质量施加外力,引起敏感质量的位移发生变化,通过检测敏感质量的位移量即可获取外界的输入信号。重力计、振动计等对外界信号的敏感度正比于传感器的敏感质量m与固支梁刚度k的比值,因此提升敏感质量和降低刚度成为提升其性能的两个基本途径。由公知可知,梁、膜片等结构在轴向力作用下呈现刚度硬化现象:当结构受到轴向压力时,刚度降低;当受到拉力时,刚度增大。因此可以利用刚度硬化现象来调节MEMS器件的刚度。
2016年格拉斯哥大学在Nature上发表题为“Measurement of the Earth tideswith a MEMS gravimeter”的文章,首次借助重力装配的方法使重力计的支撑梁承受轴向压力,大幅降低重力计的刚度。2017年荷兰国家亚原子物理研究所在MEMS2017国际会议上发表题为“Nano-G accelerometer using geometric anti-springs”的文章,成功通过棘齿装配技术对支撑梁施加轴向压力,使支撑梁失稳处于负刚度状态。在上述两种方法中,器件加工完成后需要装配工序,流程繁琐;且由于装配压力恒定,器件的刚度无法动态调节。
发明内容
本发明的解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提出一种基于材料热失配的MEMS器件刚度调节方法,即利用不同材料热胀冷缩的差异,对支撑结构施加轴向压力,实现器件的刚度调节。该技术中无需装配工序且刚度可动态调节,为MEMS器件的刚度调节提供新的技术方案。
本发明提出的一种MEMS器件的刚度调节方法,依赖于不同热膨胀系数的异质材料,参见图2,其特征在于:所述MEMS器件包括结构层1和基底层2;结构层1为材料I,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αI;基底层2为材料II,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αII,且满足αI<αII;所述结构层1与基底层2在温度TB时键合,然后降温至工作温度TA,且满足TB>TA;所述结构层1上设计有悬浮结构3,键合后结构层1固定在基底层2上,改变工作温度TA即可实现悬浮结构3的刚度调节,且依据本专利提出的设计准则可使MEMS器件的刚度达到负值。
参见图1,本发明提出的MEMS器件刚度调节方法的原理如下:首先,热膨胀系数不同的异质材料键合;而后,异质材料键合后降温,产生热胀冷缩;热胀冷缩变形量的差异使结构受力;结构受力刚度硬化,导致MEMS器件刚度变化。
参见图2,本发明提出的MEMS器件刚度调节方法的实现过程如下:
在温度TB环境下将结构层1和基底层2进行键合,形成键合体4;此时结构层1与基底层2形成刚性连接,两者之间无应力约束。然后将键合体4由键合温度TB降至工作温度TA。由公知可知,当温度由TB降低至TA时,长度为l的结构层1和基底层2的自由收缩量ΔlI和ΔlII为分别为:
ΔlI=αI(TB-TA)l \*MERGEFORMAT(1)
ΔlII=αII(TB-TA)l \*MERGEFORMAT(2)
由于结构层1和基底层2的热膨胀系数满足αI<αII,在自由状态下,结构层1和基底层2收缩量满足关系:ΔlI<ΔlII。键合后的结构层1和基底层2刚性连接,迫使结构层1的最终长度l′I和基底层2的最终长度l′n保持一致,导致结构层1承受压力FI,基底层2承受拉力FII,满足关系:
l′I=l′II \*MERGEFORMAT(3)
FI=-FII \*MERGEFORMAT(4)
由胡克定理可知,在力FI、FII作用下,结构层1的变形量Δl′I和基底层2的变形量Δl′II分别为:
其中,EI、EII分别为材料I和材料II的杨氏模量,AI、AII分别为结构层1和基底层2的有效横截面积。
在热胀冷缩效应和外力的作用下,结构层1的最终长度l′I和基底层2的最终长度l′II长度变为:
l′I=l-ΔlI-Δl′I \*MERGEFORMAT(7)
l′II=l-ΔlII-Δl′II \*MERGEFORMAT(8)
联立公式(1)-(8)可得:
由式(9)易知,当材料I和材料II的杨氏模量(EI、EII)、热膨胀系数(αI、αII),结构层1和基底层2的有效横截面积(AI、AII)及键合温度(TB)已知后,FI为工作温度TA的函数,在(0,TB)范围内单调递减,且FI>0。由刚度硬化现象可知,在压力FI作用下悬浮结构3的刚度将降低,且其刚度变化与键合温度TA相关,因此改变键合体4的工作温度TA即可调节MEMS器件的刚度。当压力超过悬浮结构的屈曲压力时,其刚度变为负值。
特别地,当悬浮结构3为双端固支直梁时,在轴向压力FI作用下,梁的刚度K为:
其中,I为梁的惯性矩,L为梁长。
将(9)代入(10)可得双端固支直梁刚度K与工作温度TA的关系为:
由以上证明可知,本专利所提出的一种MEMS器件刚度调节方法可通过改变MEM器件的工作温度来动态调节其刚度,且可使刚度达到负值。
本发明的有益效果是:本发明提出的一种基于材热失配的刚度调节方法可通过调节MEMS器件的工作温度来改变其刚度,与现有技术相比,无需装配步骤且可更精准地对刚度进行动态调节。
附图说明
图1为本发明提出的一种MEMS器件刚度调节方法的原理图。
图2为本发明提出的一种MEMS器件刚度调节方法的实现过程示意图。
图中,1-结构层,2-基底层,3-悬浮结构,4-键合体。
图3为具体实施例中悬浮结构为双端固支直梁形式的MEMS器件示意图。
图中,1-结构层,2-基底层,5-双端固支直梁,4-键合体。
具体实施方式
本实施例中给出一种悬浮结构为双端固支直梁形式的MEMS器件刚度与工作温度的函数关系。参见图3,实施例中结构层1为硅材料,杨氏模量EI为169GPa,平均热膨胀系数αI为3.3ppm/K;基底层2为肖特D263玻璃,杨氏模量EII为73GPa,平均热膨胀系数αII为7.2ppm/K;结构层1的有效横截面积AI等于双端固支直梁5宽度与高度的乘积20μm×50μm;基底层2的有效横截面积AII为其本身宽度与高度的乘积50μm×400μm;位于结构层1上的双端固支直梁5长度L为540μm,惯性矩I为(20μm)3×50μm/12;本实施例中硅和肖特D263在350℃温度下进行阳极键合,形成键合体4。由公式(11)可推出所述双端固支直梁5的刚度K与工作温度TA的关系为:
K≈1.33TA-36.2 \*MERGEFORMAT(12)
由式(12)可知,双端固支直梁5的刚度K与工作温度TA成正比。当工作温度大于27℃时,双端固支直梁5的刚度为正值;当工作温度为27℃时,双端固支直梁5的刚度为零;当工作温度小于27℃时,双端固支直梁5的刚度为负值。以上证明本专利所提出的MEMS器件刚度调节方法可通过控制工作温度来动态调节MEMS器件的刚度。
本专利中的材料类型、结构层数、键合方法、悬浮结构等不局限于以上实施例中的形式,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (1)
1.一种MEMS器件的刚度调节方法,其特征在于:所述MEMS器件包括结构层1和基底层2;结构层1为材料I,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αI;基底层2为材料II,其在[TA,TB]温度范围的平均热膨胀系数为αII,且满足αI<αII;所述结构层1与基底层2在温度TB时键合,然后降温至工作温度TA,且满足TB>TA;所述结构层1上设计有悬浮结构3,键合后结构层1固定在基底层2上,改变工作温度TA实现悬浮结构3的刚度调节;所述刚度可调节达到负刚度值。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010323520.1A CN111498792A (zh) | 2020-04-22 | 2020-04-22 | 一种mems器件的刚度调节方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010323520.1A CN111498792A (zh) | 2020-04-22 | 2020-04-22 | 一种mems器件的刚度调节方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111498792A true CN111498792A (zh) | 2020-08-07 |
Family
ID=71867638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010323520.1A Pending CN111498792A (zh) | 2020-04-22 | 2020-04-22 | 一种mems器件的刚度调节方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111498792A (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1768475A (zh) * | 2003-04-16 | 2006-05-03 | 罗伯特·博世有限公司 | 硅微型机电系统谐振器的温度补偿 |
CN102040188A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-05-04 | 东南大学 | 消除微电子机械系统悬空结构粘附现象的方法 |
CN102374909A (zh) * | 2010-08-11 | 2012-03-14 | 中国科学院电子学研究所 | 基于微机械的电磁激励谐振式压力传感器 |
CN109061226A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-21 | 苏州感测通信息科技有限公司 | 静电负刚度式加速度计的设计方法 |
US20190164760A1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-05-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Multilayer composite bonding materials and power electronics assemblies incorporating the same |
-
2020
- 2020-04-22 CN CN202010323520.1A patent/CN111498792A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1768475A (zh) * | 2003-04-16 | 2006-05-03 | 罗伯特·博世有限公司 | 硅微型机电系统谐振器的温度补偿 |
CN102374909A (zh) * | 2010-08-11 | 2012-03-14 | 中国科学院电子学研究所 | 基于微机械的电磁激励谐振式压力传感器 |
CN102040188A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-05-04 | 东南大学 | 消除微电子机械系统悬空结构粘附现象的方法 |
US20190164760A1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-05-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Multilayer composite bonding materials and power electronics assemblies incorporating the same |
CN109061226A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-21 | 苏州感测通信息科技有限公司 | 静电负刚度式加速度计的设计方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
郝永存: ""SOI基微机械陀螺制造关键技术研究"", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)工程科技Ⅱ辑》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4805456A (en) | Resonant accelerometer | |
Hsieh et al. | A novel stress isolation guard-ring design for the improvement of a three-axis piezoresistive accelerometer | |
EP0623825B1 (en) | Accelerometer sense element | |
CN108931321B (zh) | 梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法 | |
US8528405B2 (en) | Flexure assemblies and methods for manufacturing and using the same | |
US9686864B2 (en) | Device including interposer between semiconductor and substrate | |
JPH0875784A (ja) | マイクロマシン構造体のための懸架装置並びにマイクロマシン・加速度センサ | |
CN111929469B (zh) | 一种可调低刚度微机械加速度计 | |
Tang et al. | Process development of an all-silicon capacitive accelerometer with a highly symmetrical spring-mass structure etched in TMAH+ Triton-X-100 | |
CN101271124A (zh) | L形梁压阻式微加速度计及其制作方法 | |
CN105021846A (zh) | 一种六轴一体式微加速度传感器及其制作方法 | |
Li et al. | A novel sandwich capacitive accelerometer with a double-sided 16-beam-mass structure | |
CN106932263A (zh) | 基于谐振频率的双端固支梁力学参数测量方法及装置 | |
CN115078767B (zh) | 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构 | |
Lüdtke et al. | Laterally driven accelerometer fabricated in single crystalline silicon | |
CN111498792A (zh) | 一种mems器件的刚度调节方法 | |
CN117129710A (zh) | Mems加速度计去耦结构、mems加速度计及制备方法 | |
CN111812355B (zh) | 一种低应力敏感度硅微谐振式加速度计结构 | |
Dao et al. | Noise and frequency analyses of a miniaturized 3-DOF accelerometer utilizing silicon nanowire piezoresistors | |
Dao et al. | Simulation and fabrication of a convective gyroscope | |
Peng et al. | A study of partial layout of adhesive on the thermal drift of MEMS capacitive accelerometers | |
CN107328954B (zh) | 一种多级台阶高过载谐振式加速度计芯片 | |
CN2503487Y (zh) | 一种量程可达20万m/s2的微机械加速度传感器 | |
CN116609550B (zh) | Mems加速度计及其制备方法 | |
Yusof et al. | Effect of beams structures on dynamic behavior of piezoresistive accelerometer sensors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200807 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |