CN111492460B - 用于干洗半导体基板的等离子体装置 - Google Patents

用于干洗半导体基板的等离子体装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。本发明包括：卡盘，该卡盘设置在腔室下端部，并且在该卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；CCP型RF电极单元，其包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在等离子体产生区域下方的下RF电极；和RF电源单元，其向RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率，其中通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持等离子体，以用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，并且通过具有第二RF频率的第二RF功率供应来控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。

Description

用于干洗半导体基板的等离子体装置
技术领域
本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置。更具体地，本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。
背景技术
氧化硅和氮化硅是代表性地用于半导体器件中的介电化合物，并且作为蚀刻由其形成的薄膜的方法，通常使用湿法蚀刻方法和干法蚀刻方法。
然而，根据半导体器件的电路的高集成度和高精细度，存在如下问题：通过使用常规湿法蚀刻方法难以去除以高纵横比触点存在的天然氧化物膜，并且难以控制以原子水平进行精细蚀刻的选择性。
另外，因为由于离子轰击而在蚀刻之后在晶片上形成损坏层，所以干法蚀刻方法需要随后的工序以去除损坏层。
近来，作为用于解决上述问题的可替选技术，广泛使用了用于通过气体反应或自由基反应形成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)固体层并且通过加热除去由此形成的固体层的干洗技术。
然而，在使用HF和NH3的气体反应的干洗技术的情况下，尽管蚀刻分散性优异且硬件稳定性优异，但是由于蚀刻速率低，所以必须提高生产率。
在另一方面，与气体法相比，使用自由基反应的干洗技术显示出优异的蚀刻速率和优异的选择性，但难以控制晶片内(WIW)和晶片间(WTW)分散性。
图1是作为使用等离子体的常规干法蚀刻装置的感应耦合等离子体(ICP型)干法蚀刻装置的图。
参考图1，根据使用ICP型远程等离子体源的方法，由于高的等离子体密度(N)和电子温度(Te)而过量产生氟自由基，因此异质图案之间的选择性可能降低，并且RF功率值的可变范围受工艺压力的限制。
图2是作为使用等离子体的常规干洗装置的微波型干洗装置的图。
参考图2，根据使用微波型远程等离子体源的方法，尽管电子温度(Te)特性在微波直接流过的介电窗口区域中高并且在晶片区域中逐渐降低，但是如ICP一样，存在易于受颗粒损坏的问题和关于功率变化的限制。
图3是作为使用等离子体的常规干法蚀刻装置的电容耦合等离子体(CCP)型干洗装置的图。
参考图3，根据使用CCP型远程等离子体源的方法，显示出用于抑制氟自由基的过量生成的足够低的电子温度(Te)特性以及在宽的工艺压力范围内的优异的功率变化能力。然而，根据该方法，由于自由基分散受到RF频率的影响，因此不容易根据RF变化来控制分散性。
[现有技术文献]
韩国未审查专利申请公开第10-2016-0007441号(公开日期：2016年1月20日，标题：用于基板的高精度等离子蚀刻的方法)。
发明内容
技术问题
本发明旨在提供一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其可以精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。
技术方案
为了解决上述技术问题，根据本发明的第一方面的用于干洗半导体的等离子体装置包括：卡盘，所述卡盘设置在腔室的下部分，并且在所述卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元，所述电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元设置在所述腔室的上部分，并且包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在所述等离子体产生区域下方的下RF电极；和RF电源，所述RF电源向所述RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于所述第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率。这里，通过具有所述第一RF频率的所述第一RF功率产生并维持用于将所述氧化硅和所述氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，并且通过具有所述第二RF频率的所述第二RF功率来调节构成所述等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。
根据本发明第二方面的用于干洗半导体的等离子体装置包括：卡盘，所述卡盘设置在腔室的下部分，并且在所述卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元，所述电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元设置在所述腔室的上部分，并且包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在所述等离子体产生区域下方的下RF电极；上RF电源，所述上RF电源向所述上RF电极供应具有上RF频率的上RF功率；下RF电源，所述下RF电源向所述下RF电极供应具有与所述上RF频率相同的下RF频率的下RF功率；和相位控制单元，所述相位控制单元用于控制所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差。这里，通过所述上RF功率和所述下RF功率产生并维持用于将所述氧化硅和所述氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，并且通过由所述相位控制单元控制的所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差来控制构成所述等离子体的反应活性物质的密度和分散性。
在根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，施加到所述RF电极单元的所述第一RF功率和所述第二RF功率或者施加到所述上RF电极的所述上RF功率和施加到所述下RF电极的所述下RF功率是正弦波形信号或脉冲调制信号。
在根据本发明的第一方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述第一RF频率在13.56MHz以上且60MHz以下的范围内，并且所述第二RF频率在1kHz以上且小于10MHz的范围内。
在根据本发明的第一方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述第一RF功率和所述第二RF功率被施加到所述上RF电极，所述下RF电极接地，并且由所述上RF电极的鞘电势变化产生的二次电子通过具有所述第二RF频率的所述第二RF功率控制。
根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置还包括离子过滤器，所述离子过滤器安装在所述等离子体产生区域下方，以允许被供应到所述基板的反应活性物质穿过并阻挡离子。
在根据本发明第二方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述上RF频率和所述下RF频率在100kHz以上且60MHz以下的范围内。
在根据本发明第二方面的用于半导体的干洗的等离子体装置中，所述相位控制单元用于将所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差控制在0度以上且360度以下的范围内。
根据本发明第二方面的用于干洗半导体的等离子体装置还包括：第一介电质，所述第一介电质插入在所述上RF电极与所述腔室之间，以使所述上RF电极与所述腔室电绝缘；和第二介电质，所述第二介电质插入在所述下RF电极与所述腔室之间，以使所述下RF电极与所述腔室电绝缘。
根据本发明的第二方面的用于干洗半导体的等离子体装置还包括介电板，所述介电板安装在所述下RF电极和所述离子过滤器之间，以将所述下RF电极与所述离子过滤器电屏蔽。
在根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述卡盘的温度被控制为20℃至120℃，其中注入有气体的喷淋头被加热到100℃至200℃以防止吸附和产生颗粒，并且腔室的内壁被加热到80℃至100℃。
在根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，第一气体被供应到所述等离子体产生区域，从而产生反应活性物质，并且第二气体被供应到所述基板而不经过所述等离子体产生区域。
在根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述第二气体被供应到安装在所述等离子体产生区域下方的离子过滤器的下部分。
在根据本发明的两个方面的用于干洗半导体的等离子体装置中，所述第一气体是含氟气体，并且所述第二气体是含氢气体。
有益效果
根据本发明，可以提供一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，该等离子体装置可以精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。
附图说明
图1是作为使用等离子体的常规干法蚀刻装置的电感耦合等离子体(ICP型)干法蚀刻装置的图。
图2是作为使用等离子体的常规干洗装置的微波型干洗装置的图。
图3是作为使用等离子体的常规干法蚀刻装置的电容耦合等离子体(CCP)型干洗装置的图。
图4是根据本发明的第一示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的图，该等离子体装置精确地控制反应活性物质的密度和分散性。
图5是根据本发明第二示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的图，该等离子体装置精确地控制反应活性物质的密度和分散性。
图6示出了根据本发明第二示例性实施方式的当相位差为0度时反应活性物质的分散性和密度。
图7示出了根据本发明第二示例性实施方式的当相位差为180度时反应活性物质的分散性和密度。
图8示出了根据本发明的应用了脉冲同步技术的示例。
具体实施方式
仅出于描述根据本发明构思的实施方式的目的，例示了针对在说明书中公开的根据本发明构思的实施方式的具体结构或功能描述。根据本发明构思的实施方式可以以各种形式实现，并且本发明不限于说明书中描述的实施方式。
本发明可以各种形式修改和实施，因此，将仅详细描述特定实施方式。然而，本发明不限于特定公开内容，并且应当理解，本发明涵盖包括在本发明的精神和范围内的所有修改、等同方案和可替选方案。
术语“第一”和“第二”可以用于描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件和另一部件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一部件称为第二部件，并且类似地，可以将第二部件称为第一部件。
当提到第一部件“连接到”第二部件或“与第二部件“接触”时，应当理解，第一部件可以直接连接到第二部件或与第二部件接触，或者可以在第一部件和第二部件之间插入第三部件。另一方面，当提到第一部件“直接连接”到第二部件或“与第二部件“直接接触”时，应当理解，在第一部件和第二部件之间没有其它部件。描述部件之间的关系的其它表述，即“在...之间”、“直接在...之间”、“与...相邻”或“与...直接相邻”应根据上述解释。
说明书中使用的术语仅用于描述具体示例，而不是限制本发明。除非上下文中另外明显指出，否则单数表述包括复数表述。在说明书中，应当理解，术语“包括”或“具有”旨在表示存在说明书中所描述的特征、数量、步骤、动作、部件或零件或其组合，但是并不排除存在或添加一个或多个特征、数量、步骤、动作、部件、零件或其组合的可能性。
除非另外定义，否则包括技术术语和科学术语在内的所有术语均具有本领域技术人员通常理解的相同含义。通用术语(例如词典中定义的术语)应根据相关技术的上下文进行解释，除非在本文中明确定义，否则不应以理想或过分正式的含义进行解释。
本发明提供用于精确控制在使用自由基的干洗工序中远程产生的自由基的分散性和密度的装置和方法。作为应用于常规干洗装置的CCP型远程等离子体源的RF频率，使用了单频，如参考图3所述，并且在这种情况下，频率范围是从13.56MHz到60MHz的范围的HF或更高。当如上所述使用单频时，可以通过RF功率的改变来调节反应性活性物质(自由基)的密度。但是，由于反应活性物质(自由基)的分散性也可以改变，因此在现有技术中，难以单独且精确地控制反应活性物质的密度和分散性。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。
图4是根据本发明的第一示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的图。
参考图4，根据本发明的第一示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置包括腔室10、卡盘20、卡盘加热器30、RF电极单元50、RF电源60和离子过滤器。除了在图4中所示的部件外，在等离子装置中还可以包括其它部件，但是应当注意，在图4中省略了与本发明的特征相关性低的部件。
在描述根据本发明的第一示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的具体配置之前，限定第一气体和第二气体。例如，第一气体可以包括诸如NF3的含氟气体和诸如N2、Ar或He的惰性气体，但是本发明不限于此。例如，第二气体可以是诸如H2、NH3或H2O的含氢气体，但是本发明不限于此。
另外，基板40可以由硅材料形成，并且必须在基板40上形成包括氧化硅和氮化硅的异质图案。
基板40布置在腔室10中，腔室10提供空间，在该空间中执行用于通过干洗的等离子体处理以高选择性去除氧化硅和氮化硅中的至少一种的整个工序。
卡盘20是设置在腔室10的下部分中的部件，并且在卡盘20上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种的基板40。
卡盘加热器30是用于加热卡盘20的部件。
电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元50可以设置在腔室10的上部分，并且包括上RF电极51和下RF电极52。
上RF电极51布置在等离子体产生区域上方，下RF电极52布置在等离子体产生区域下方。
RF电源60向RF电极单元50供应具有第一RF频率的第一RF功率61和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率62。
根据本发明的第一示例性实施方式，通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，并且通过具有第二RF频率的第二RF功率来调节构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。
例如，第一RF频率可以是13.56MHz以上且60MHz以下，第二RF频率可以是1kHz以上且小于10MHz，可以将第一RF功率61和第二RF功率62施加于上RF电极51，下RF电极52可以接地，并且可以通过具有第二RF频率的第二RF功率62来控制由上RF电极51的鞘电势变化产生的二次电子。
这将在下面进一步详细描述。
根据被配置为向CCP型远程等离子体源施加双重RF的第一示例性实施方式，作为第一RF频率(f1)，施加13.56MHz以上且60MHz以下的范围内的频率以生成和维持等离子体，第二RF频率(f2)在1kHz以上且10MHz以下的有限范围内，以通过控制上部鞘电势来精确调节反应性活性物质(自由基)的密度。首先，当将第一RF频率施加到上RF电极51时，通过从上RF电极51发射的电子与气体的反应产生并维持等离子体。在此，为了精确地调节等离子体中的反应性活性物质(自由基)的密度，将第二RF频率(f2)同时或以时间差施加到上RF电极51。由离子轰击引起的二次电子数量的增加是通过增加上部鞘电势引起的，从而导致通过二次电子调节气体解离速率，并精确调节了干洗工序所需的反应性活性物质(自由基)的密度。因此，由于可以在不改变第一RF功率61的大小的情况下仅通过改变第二RF功率62的大小来控制反应性活性物质(自由基)的密度，因此可以在不改变分散性的情况下精确地调整反应性活性物质(自由基)。
例如，施加到RF电极单元50的第一RF功率61和第二RF功率62可以是正弦波形信号或脉冲调制信号，如图8所示。即，参考图8，由于在调制之后将施加到每个电极的RF功率信号施加成脉冲波形而不是正弦波形，所以每个脉冲信号的开/关周期被同步以调节等离子体的电子温度，因此，RF功率信号可用作控制干洗工序所需的反应性活性物质(自由基)密度的一个参数。
离子过滤器80被安装在等离子体产生区域的下方，例如下RF电极52的下方，因此，提供给基板40的反应性活性物质通过而离子被阻挡。
例如，可以将卡盘20的温度控制为20℃至120℃，可以将向其中注入气体的喷淋头加热到100℃至200℃以防止吸附和生成颗粒，并且可以将腔室10的内壁加热到80℃至100℃。
例如，第一气体被供应到等离子体产生区域，从而通过第一RF功率61和第二RF功率62产生反应活性物质，并且第二气体可以被供应到基板40而不经过等离子体产生区域，并且被供应到给安装在等离子体产生区域下方的离子过滤器80的下部分。
图5是根据本发明第二示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的图。
参考图5，根据本发明第二示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置包括腔室10、卡盘20、卡盘加热器30、RF电极单元50、上RF电源63、下RF电源64、相位控制单元70、离子过滤器80、第一介电质91、第二介电质92和介电板93。除了图5中示出的部件，等离子装置中可以包括其它部件，但是应当注意，在图5中省略了与本发明的特征相关性低的部件。
在描述根据本发明第二示例性实施方式的用于干洗半导体基板的等离子体装置的具体配置之前，限定第一气体和第二气体。例如，第一气体可以包括诸如NF3的含氟气体和诸如N2、Ar或He的惰性气体，但是本发明不限于此。例如，第二气体可以是诸如H2、NH3或H2O的含氢气体，但是本发明不限于此。
另外，基板40可以由硅材料形成，并且必须在基板40上形成包括氧化硅和氮化硅的异质图案。
基板40布置在腔室10中，腔室10提供空间，在该空间中执行用于通过用于干洗的等离子体处理以高选择性去除氧化硅和氮化硅中的至少一种的整个工序。
卡盘20是设置在腔室10的下部分中的部件，并且在卡盘20上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种的基板40。
卡盘加热器30是用于加热卡盘20的部件。
电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元50可以设置在腔室10的上部分，并且包括上RF电极51和下RF电极52。
上RF电极51布置在等离子体产生区域上方，下RF电极52布置在等离子体产生区域下方。
上RF电源63将具有上RF频率的上RF功率供应至上RF电极51。
下RF电源64将具有与上RF频率相同的下RF频率的下RF功率供应至下RF电极52。
相位控制单元70控制上RF功率和下RF功率之间的相位差。
根据本发明的第二示例性实施方式，通过上RF功率和下RF功率产生并维持用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，构成等离子体的反应活性物质的密度和分散性通过由相位控制单元70控制的上RF功率和下RF功率之间的相位差来控制。
例如，上RF频率和下RF频率可以相等地为100kHz以上且60MHz以下，并且相位控制单元70可以将上RF功率和下RF功率之间的相位差控制在0度以上至360度以下的范围内。
这将进一步详细描述如下。
作为用于精确地控制干洗工序所需的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性的手段，本发明的第二示例性实施方式被设计为控制施加到上RF电极51的上RF功率的相位和施加到下RF电极52的下RF功率的相位，图6和图7是示出根据上RF功率和下RF功率之间的相位差的等离子体密度和分散性的变化的图线。
在100kHz至60MHz的范围内具有相同频率(f＝f上＝f下)的RF功率被施加到上RF电极51和下RF电极52，并且RF功率之间的相位差由相位控制单元70控制。如稍后所述，可以在上RF电极51和下RF电极52与腔室10的壁之间插入介电环以使它们彼此电绝缘，并且腔室10的壁接地。当在上RF电极51和下RF电极52之间的等离子体产生区域中产生的等离子体通过安装在下RF电极52下方的离子过滤器80时，离子被阻挡，并且仅反应性活性物质(自由基)穿过离子过滤器80并与基板40反应。这里，使用施加到上RF电极51和下RF电极52的RF功率之间的相位差来控制反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。
如图6所示，当施加到上RF电极51和下RF电极52的RF功率同相时，这意味着
Figure BDA0002541112930000111
总等离子体密度降低，并且分散性显示为凸型，其中基板40在中心处。
相反地，如图7所示，当施加到上RF电极51和下RF电极52的RF功率是反相时，这意味着
Figure BDA0002541112930000112
总等离子体密度增加，并且分散性显示为凹型，其中基板40在中心处。
例如，施加到上RF电极51的上RF功率和施加到下RF电极52的下RF功率可以是正弦波形信号或脉冲调制信号，如图8所示。即，如图8所示，由于在调制之后将施加到每个电极的RF功率信号施加成脉冲波形而不是正弦波形，所以每个脉冲信号的开/关周期被同步以调节等离子体的电子温度，因此，RF功率信号可用作控制干洗工序所需的反应性活性物质(自由基)密度的一个参数。
离子过滤器80被安装在等离子体产生区域的下方，例如在下RF电极52的下方，因此，提供给基板40的反应性活性物质通过而离子被阻挡。
第一介电质91插入在上RF电极51和腔室10之间，以使上RF电极51与腔室10电绝缘。
第二介电质92插入在下RF电极52和腔室10之间，以使下RF电极52与腔室10电绝缘。
介电板93安装在下RF电极52和离子过滤器80之间，以将下RF电极52与离子过滤器80电屏蔽。
例如，可以将卡盘20的温度控制为20℃至120℃，可以将向其中注入气体的喷淋头加热到100℃至200℃以防止吸附和生成颗粒，并且可以将腔室10的内壁加热到80℃至100℃。
例如，第一气体被供应到等离子体产生区域，从而通过上RF功率和下RF功率产生反应活性物质，并且第二气体可以被供应至基板40而不经过等离子体产生区域，并且被供应至安装在等离子体产生区域下方的离子过滤器80的下部分。
如上所述，根据本发明，可以提供用于干洗半导体基板的等离子体装置，以精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。
[附图标记说明]
10：腔室
20：卡盘
30：卡盘加热器
40：基板
50：RF电极单元
51：上RF电极
52：下RF电极
60：RF电源
61：第一RF功率
62：第二RF功率
63：上RF电源
64：下RF电源
70：相位控制单元
80：离子过滤器
91：第一介电质
92：第二介电质
93：介电板。

Claims (14)

1.一种用于干洗半导体的等离子体装置，包括：
卡盘，所述卡盘设置在腔室的下部分，并且在所述卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；
电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元，所述电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元设置在所述腔室的上部分，并且包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在所述等离子体产生区域下方的下RF电极；和
RF电源，所述RF电源向所述RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于所述第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率，
其中通过具有所述第一RF频率的所述第一RF功率产生并维持用于将所述氧化硅和所述氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，并且
通过具有所述第二RF频率的所述第二RF功率来调节构成所述等离子体的反应性活性物质的密度。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一RF频率在13.56MHz以上且60MHz以下的范围内，并且所述第二RF频率在1kHz以上且小于10MHz的范围内。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一RF功率和所述第二RF功率被施加到所述上RF电极，所述下RF电极接地，并且
由所述上RF电极的鞘电势变化产生的二次电子通过具有所述第二RF频率的所述第二RF功率控制。
4.一种用于干洗半导体的等离子体装置，包括：
卡盘，所述卡盘设置在腔室的下部分，并且在所述卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；
电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元，所述电容耦合等离子体(CCP)型RF电极单元设置在所述腔室的上部分，并且包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在所述等离子体产生区域下方的下RF电极；
上RF电源，所述上RF电源向所述上RF电极供应具有上RF频率的上RF功率；
下RF电源，所述下RF电源向所述下RF电极供应具有与所述上RF频率相同的下RF频率的下RF功率；和
相位控制单元，所述相位控制单元用于控制所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差，
其中通过所述上RF功率和所述下RF功率产生并维持用于将所述氧化硅和所述氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的等离子体，并且
通过由所述相位控制单元控制的所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差来控制构成所述等离子体的反应活性物质的密度和分散性。
5.根据权利要求1或4所述的装置，其中，施加到所述RF电极单元的所述第一RF功率和所述第二RF功率、或者施加到所述上RF电极的上RF功率和施加到下RF电极的所述下RF功率是正弦波形信号或脉冲调制信号。
6.根据权利要求1或4所述的装置，还包括离子过滤器，所述离子过滤器安装在所述等离子体产生区域下方，以允许被供应到所述基板的反应活性物质穿过并阻挡离子。
7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述上RF频率和所述下RF频率在100kHz以上且60MHz以下的范围内。
8.根据权利要求4所述的装置，其中，所述相位控制单元用于将所述上RF功率和所述下RF功率之间的相位差控制在0度以上且360度以下的范围内。
9.根据权利要求4所述的装置，还包括：第一介电质，所述第一介电质插入在所述上RF电极与所述腔室之间，以使所述上RF电极与所述腔室电绝缘；和
第二介电质，所述第二介电质插入在所述下RF电极与所述腔室之间，以使所述下RF电极与所述腔室电绝缘。
10.根据权利要求6所述的装置，还包括介电板，所述介电板安装在所述下RF电极和所述离子过滤器之间，以将所述下RF电极与所述离子过滤器电屏蔽。
11.根据权利要求1或4所述的装置，其中，所述卡盘的温度被控制为20℃至120℃，其中注入有气体的喷淋头被加热到100℃至200℃以防止吸附和产生颗粒，并且腔室的内壁被加热到80℃至100℃。
12.根据权利要求1或4所述的装置，其中，第一气体被供应到所述等离子体产生区域，从而产生反应活性物质，并且第二气体被供应到所述基板而不经过所述等离子体产生区域。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第二气体被供应到安装在所述等离子体产生区域下方的离子过滤器的下部分。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一气体是含氟气体，并且所述第二气体是含氢气体。
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