CN111478614A - 低电磁干扰高可靠射流点火电源 - Google Patents

低电磁干扰高可靠射流点火电源 Download PDF

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Abstract

本发明公开了低电磁干扰高可靠射流点火电源,涉及发动机点火技术领域,包括滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块、高压引弧模块、使能控制模块;滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块、高压引弧模块依次连接;高压引弧模块与高频逆变及其控制模块连接;使能控制模块与高频逆变及其控制模块连接;滤波整流模块外接交流电源;使能控制模块外接低压直流电源;稳弧模块外接高压电缆。本发明公开的低电磁干扰高可靠射流点火电源具有电磁干扰小、可靠性高、寿命长等优点。

Description

低电磁干扰高可靠射流点火电源
技术领域
本发明涉及发动机点火设备技术领域,具体涉及一种低电磁干扰高可靠射流点火电源。
背景技术
点火系统是燃气轮机、航空发动机等设备起动系统中的关键部分。点火电源是点火系统的重要组成部件,其功能性能的优劣直接影响到发动机乃至飞机的安全可靠运行。
目前,燃气轮机一般采用电火花点火,脉冲式等离子点火等方式。电火花点火存在点火能量及面积小、点火延迟时间长、可靠性较低等问题;脉冲式等离子点火受放电频率的限制,持续能量不足,也存在点火延迟时间长的问题。航空发动机普遍采用电火花点火方式,其点火能量及面积小、点火延时长、可靠性较低,高空再起动点火困难,无法满足武器装备对飞行高度、飞行速度等方面的提升需求。
射流点火是近年来提出的一种新型等离子点火技术,其可产生持续高温的等离子流快速点燃燃料,具有点火能量及面积大、点火延迟时间短、可靠性高、强化燃烧、节约成本、环保等优点。但是,传统的射流点火电源主要应用于电站锅炉点火、危废弃物处理等领域,存在电磁干扰严重,可靠性较低,寿命较短等问题,不能满足燃气轮机及航空发动机对点火系统的要求。
发明内容
本发明针对现有技术,提供了低电磁干扰高可靠射流点火电源,其具有电磁干扰小、可靠性高、寿命长等优点。
本发明通过下述技术方案实现:所述低电磁干扰高可靠射流点火电源,包括滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块、高压引弧模块、使能控制模块;所述滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块依次连接;所述使能控制模块与高频逆变及其控制模块连接;所述滤波整流模块外接交流电源;所述使能控制模块外接低压直流电源;所述稳弧模块外接高压电缆;所述高压引弧模块包括单脉冲高压引弧主电路和输出电流控制电路;所述单脉冲高压引弧主电路连接稳弧模块,所述输出电流控制;所述单脉冲高压引弧主电路连接稳弧模块,所述输出电流控制电路连接高频逆变及其控制模块和稳弧模块。
在上述技术方案中,滤波整流模块电连接于交流电源输入与高频逆变及其控制模块之间;高频逆变及其控制模块电连接于滤波整流模块与稳弧模块之间,高频逆变及其控制模块的输出端与稳弧模块输入端连接,稳弧模块输出端分别与高频逆变及其控制模块、高压引弧模块连接,高压引弧模块输出端分别与稳弧模块、高频逆变及其控制模块连接,使能控制模块输入端连接低压直流电源,使能控制模块的输出端连接高频逆变及其控制模块,稳弧模块输出终端的“+”端接高压电缆的外壳,“-”端接高压电缆的芯线。交流电源输入经滤波整流模块进行滤波整流后,顺次通过高频逆变及其控制模块和稳弧模块产生直流电压,经高压引弧模块升压后产生脉冲高电压用于引弧,引弧成功后,稳弧模块维持等离子弧稳定燃烧。
进一步地,所述高频逆变及其控制模块包括高频逆变电路和PWM控制驱动电路;所述高频逆变电路的输入端连接所述滤波整流模块,输出端连接所述稳弧模块;所述PWM控制驱动电路的输入端连接所述使能控制模块、稳弧模块和输出电流控制电路,输出端连接所述高频逆变电路。
在上述技术方案中,所述高频逆变电路将输入交流电经滤波整流后输出的直流电逆变为高频交变方波脉冲;所述PWM控制驱动电路通过PWM控制芯片U1产生两路波形幅值相等、相位差为180°的PWM信号,控制高频逆变电路中的半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的通断。
进一步地,所述高频逆变电路包括滤波均压电容C8、滤波均压电容C9、关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11、隔直电容C12、谐波吸收电容C13、半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2、逆变变压器B1、吸收电阻R2;其中,滤波均压电容C8、滤波均压电容C9串联后并联在整流桥D1的两个输出端;关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11串联后并联在整流桥D1的两个输出端;半导体高频开关MOS管Q1的源极S和半导体高频开关MOS管Q2的漏极D连接,半导体高频开关MOS管Q1的漏极D和半导体高频开关MOS管Q2的源极S分别连接整流桥D1的两个输出端,半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的栅极G分别连接PWM控制驱动电路;谐波吸收电容C13和吸收电阻R2串联形成谐波吸收回路,谐波吸收回路并联在逆变变压器B1的初级绕组的两端;逆变变压器B1的初级绕组一端连接滤波均压电容C8与滤波均压电容C9的串联节点,另一端与隔直电容C12、关断电压尖峰吸收电容C10和关断电压尖峰吸收电容C11的串联节点依次连接;逆变变压器B1的次级绕组连接稳弧模块。
上述技术方案中,所述高频逆变电路为半桥逆变拓扑电路,其中关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11可吸收半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2关断瞬间的尖峰电压,从源头减少干扰。
进一步地,所述PWM控制驱动电路包括PWM控制芯片U1、外围辅助电路和驱动电路;所述外围辅助电路包括分别电性连接所述PWM控制芯片U1的输出电压反馈回路、基准电压设定回路、PWM补偿回路、死区设置电路、振荡器定时电路以及其他辅助电路;所述驱动电路一端连接所述高频逆变电路,另一端连接所述PWM控制芯片U1。
进一步地,所述驱动电路包括脉冲变压器B2、驱动电阻R5、驱动电阻R6、保护电阻R3、保护电阻R4;所述脉冲变压器B2的初级绕组的一端连接电阻R7后连接PWM控制芯片U1的引脚14,所述脉冲变压器B2的初级绕组的另一端连接电容C22后连接PWM控制芯片U1的引脚11;脉冲变压器B2的次级绕组包括第一绕组和第二绕组;所述第一绕组的一端连接驱动电阻R5后连接半导体高频开关MOS管Q1的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q1的源极S;所述保护电阻R3连接在半导体高频开关MOS管Q1的栅极G和半导体高频开关MOS管Q1的源极S之间;所述第二绕组的一端连接驱动电阻R6后连接半导体高频开关MOS管Q2的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q2的源极S;所述保护电阻R4连接在半导体高频开关MOS管Q2的栅极G和半导体高频开关MOS管Q2的源极S之间。
上述技术方案中,电阻R7位于PWM控制芯片U1的引脚14与脉冲变压器B2初级绕组之间,能从源头抑制半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2开关时产生的巨大di/dt和dv/dt,大大减少电磁干扰,还可以防止PWM控制芯片U1过流;同时连接于PWM控制芯片U1的引脚11和脉冲变压器B2初级绕组之间的电容C22可以滤除PWM信号中的干扰。
进一步地,所述其他辅助电路包括滤波电感L3、滤波电容C14、滤波电容C15、滤波电容C16、滤波电容C17、滤波电容C18、软启动电容C20;其中,滤波电感L3两端连接PWM控制芯片U1引脚15和引脚13;滤波电容C14一端连接PWM控制芯片U1引脚16,一端接地;滤波电容C15两端连接PWM控制芯片U1引脚13和引脚12;滤波电容C16一端连接PWM控制芯片U1引脚9,一端接地;滤波电容C17一端连接PWM控制芯片U1引脚2,另一端接地;滤波电容C18一端连接PWM控制芯片U1引脚1,另一端接地;软启动电容C20一端连接PWM控制芯片U1引脚8,另一端接地;同时,使能控制模块连接PWM控制芯片U1引脚8;PWM控制芯片U1的引脚10、引脚12、引脚3分别直接接地;PWM控制芯片U1的引脚15连接电源Vcc1;PWM控制芯片U1的引脚4悬空。
上述技术方案中,其他辅助电路中的滤波电感L3和滤波电容C15组成了用于滤除电源Vcc1中的干扰的滤波器,减少辐射。
进一步地,所述稳弧模块包括全波整流电路、稳弧滤波电路和浪涌吸收电路;所述全波整流电路的输入端连接所述高频逆变电路,所述全波整流电路的输出端连接稳弧滤波电路;所述稳弧滤波电路包括电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电感L4、共模滤波电感L5;电容C32、电容C37为差模滤波电容,电容C33、电容C34、电容C35、电容C36为共模滤波电容。电容C34、电容C32、电容C33依次串联后两端分别接地;电容C35、电容C37、电容C36依次串联后两端分别接地;电感L4的一端连接全波整流电路整流二极管D3的阴极,另一端依次连接电容C31后接地;共模滤波电感L5包括第一绕组和第二绕组,共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输入端并联在电容C32两端;共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输出端并联在电容C37两端;电容C31和电容C32并联;所述浪涌吸收电路并联在所述全波整流电路的整流二极管的两端。
上述技术方案中,稳弧模块采用差模共模滤波电路滤波,减少电磁干扰。
进一步地,所述单脉冲高压引弧主电路包括引弧驱动三极管Q3、控制固态继电器SSR、限流电阻R33、储能电容C38、充电电阻R28和升压变压器B3;所述引弧驱动三极管Q3的集电极经所述限流电阻R33外接电源Vcc2,所述引弧驱动三极管Q3的发射极接所述控制固态继电器SSR的1端;所述控制固态继电器SSR的2端和4端接地,所述控制固态继电器SSR的3端接所述升压变压器B3初级绕组的1端;所述充电电阻R28一端接稳弧模块中共模滤波电感L5的第一绕组的输入端,另一端接所述升压变压器B3初级绕组1端;所述储能电容C38一端接地,另一端接所述升压变压器B3初级绕组2端;所述升压变压器B3次级绕组串连连接稳弧模块。
进一步地,所述输出电流控制电路包括四路电压比较器芯片U2及其外围电路;所述外围电路连接在所述四路电压比较器芯片U2的各个引脚上;所述四路电压比较器芯片U2包括第一电压比较器、第二电压比较器、第三电压比较器和第四电压比较器;所述第四电压比较器的引脚悬空;所述第三电压比较器的外围电路连接所述PWM控制驱动电路和所述稳弧模块;所述第一电压比较器和所述第二电压比较器及其引脚连接的外围电路组成引弧控制电路;所述第一电压比较器及其引脚连接的外围电路组成低频振荡器;所述低频振荡器包括:第一电压比较器、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R32、电阻R36、电容C26;脚2和脚4之间连接电阻R22;脚2和脚5之间连接电阻R23;脚2连接电阻R21,电阻R21的另一端连接所述单脉冲高压引弧主电路;脚2连接电阻R36后接电源Vcc2;脚4连接电容C26后接地;脚5连接电阻R24后接地;脚5连接电阻R32后接电源Vcc2
在上述技术方案中,所述第一电压比较器及其引脚连接的外围电路组成低频振荡器,低频振荡器能防止出现一次未引弧成功而导致输出一直开路故障的情况,能保证可靠引燃等离子弧,提高了电源可靠性。
进一步地,所述滤波整流模块为双向两级滤波器,连接于交流电源输入与高频逆变电路之间,起到滤波整流的作用。
本发明与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
(1)本发明所提供的低电磁干扰高可靠射流点火电源,采用单脉冲高压引弧代替传统的高频高压引弧,其只有单个瞬时高压干扰,相比高频高压脉冲串产生的电磁干扰大大减小。单脉冲高压引弧主电路采用固态继电器控制引弧,相比传统的火花放电器,因固态继电器不含触点,无火花,对外辐射干扰显著减小。
(2)本发明所提供的低电磁干扰高可靠射流点火电源通过在高频逆变电路中增加开关管开关干扰抑制电容,在PWM控制驱动电路中增加脉冲信号干扰抑制电容和吸收电阻,从源头抑制开关管开关时产生的巨大di/dt和dv/dt,大大减小电磁干扰。
(3)本发明所提供的低电磁干扰高可靠射流点火电源在稳弧模块采用差模共模滤波电路滤波,进一步减少电磁干扰。
(4)本发明所提供的低电磁干扰高可靠射流点火电源采用的单脉冲高压引弧主电路采用一级升压,电路简洁,电磁干扰小,可靠性高。同时,输出电流控制电路中采用的低频振荡器可防止出现一次未引弧成功而导致输出一直开路故障的情况,能保证可靠引燃等离子弧,提高点火电源可靠性。此外,单脉冲高压引弧主电路中采用固态继电器作为引弧控制开关,可靠性远远优于火花放电器或电磁继电器。
(5)本发明所提供的低电磁干扰高可靠射流点火电源采用的单脉冲高压引弧主电路采用固态继电器控制引弧,一次引弧固态继电器接通一次,因为固态继电器的寿命较火花放电器或电磁继电器长很多,故点火电源寿命显著增加。
附图说明
图1为本发明的一些实施例的结构示意图;
图2为本发明的一些实施例的电路图;
其中:1—滤波整流模块,2—高频逆变及其控制模块,3—稳弧模块,4—高压引弧模块,6—使能控制模块。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
传统的射流点火电源普遍采用高频高压引弧电路,产生的高频宽频带谐波会引起严重的电磁干扰,易干扰电源内部其他控制电路正常工作,还可能干扰电源周围的其他电器设备。此外,高频高压引弧电路大多含有火花放电器高频放电,造成较严重的对外辐射干扰。
基于上述问题,本申请文件公开了一种低电磁干扰高可靠射流点火电源,采用单脉冲高压引弧代替高频高压引弧,大大的减少了引弧过程中产生的电磁干扰。
本申请文件公开的一种低电磁干扰高可靠射流点火电源,其具体包括滤波整流模块1、高频逆变及其控制模块2、稳弧模块3、高压引弧模块4、使能控制模块6;所述滤波整流模块1、高频逆变及其控制模块2、稳弧模块3依次连接;所述使能控制模块6与高频逆变及其控制模块2连接;所述滤波整流模块1外接交流电源;所述使能控制模块6外接低压直流电源;所述稳弧模块3外接高压电缆;所述高压引弧模块4包括单脉冲高压引弧主电路和输出电流控制电路;所述单脉冲高压引弧主电路连接稳弧模块3,所述输出电流控制电路连接高频逆变及其控制模块2和稳弧模块3。
高频逆变及其控制模块包括高频逆变电路和PWM控制驱动电路。高频逆变电路的输入端连接滤波整流模块1,输出端连接稳弧模块3;PWM控制驱动电路的输入端连接使能控制模块6、稳弧模块3和输出电流控制电路,输出端连接高频逆变电路。
其中,高频逆变电路将输入交流电整流后输出的直流电逆变为高频交变方波脉冲,其具体采用半桥逆变拓扑电路,包括:滤波均压电容C8、滤波均压电容C9、关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11、隔直电容C12、谐波吸收电容C13、半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2、逆变变压器B1、吸收电阻R2;其中,滤波均压电容C8、滤波均压电容C9串联后并联在整流桥D1的两个输出端;关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11串联后并联在整流桥D1的两个输出端;半导体高频开关MOS管Q1的源极S和半导体高频开关MOS管Q2的漏极D连接,半导体高频开关MOS管Q1的漏极D和半导体高频开关MOS管Q2的源极S分别连接整流桥D1的两个输出端,半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的栅极G分别连接PWM控制驱动电路;谐波吸收电容C13和吸收电阻R2串联形成谐波吸收回路,谐波吸收回路并联在逆变变压器B1的初级绕组的两端;逆变变压器B1的初级绕组一端连接滤波均压电容C8与滤波均压电容C9的串联节点,另一端与隔直电容C12、关断电压尖峰吸收电容C10和关断电压尖峰吸收电容C11的串联节点依次连接;逆变变压器B1的次级绕组连接稳弧模块3。
在一些实施例中,PWM控制驱动电路包括PWM控制芯片U1、外围辅助电路和驱动电路,其具体通过PWM控制芯片U1产生两路波形幅值相等、相位差为180°的PWM信号,控制半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的通断。
在一些实施例中,外围辅助电路包括输出电压反馈回路、基准电压设定回路、PWM补偿回路、死区设置电路、振荡器定时电路以及其他辅助电路。
其中,输出电压反馈回路包括电阻R13和电阻R14;其中电阻R13的一端连接PWM控制芯片U1引脚1,另一端连接稳弧模块3;电阻R14一端连接PWM控制芯片U1引脚1,另一端接地。
其中,基准电压设定回路包括电阻R8和电阻R9;电阻R8一端连接PWM控制芯片U1引脚16,另一端连接PWM控制芯片U1引脚2;电阻R9一端连接PWM控制芯片U1引脚2,另一端接地。
其中,PWM补偿回路包括两端分别连接PWM控制芯片U1引脚1和引脚9且串联的电阻R12和电容C21。
其中,死区设置电路包括两端分别连接PWM控制芯片U1引脚5和引脚7的电阻R11。
其中,振荡器定时电路包括定时电阻R10和定时电容C19;定时电阻R10一端连接PWM控制芯片U1引脚6,一端接地;定时电容C19一端连接PWM控制芯片U1引脚5,一端接地。
其中,其他辅助电路包括滤波电感L3、滤波电容C14、滤波电容C15、滤波电容C16、滤波电容C17、滤波电容C18、软启动电容C20;其中,滤波电感L3两端连接PWM控制芯片U1引脚15和引脚13;滤波电容C14一端连接PWM控制芯片U1引脚16,另一端接地;滤波电容C15两端连接PWM控制芯片U1引脚13和引脚12;滤波电容C16一端连接PWM控制芯片U1引脚9,另一端接地;滤波电容C17一端连接PWM控制芯片U1引脚2,另一端接地;滤波电容C18一端连接PWM控制芯片U1引脚1,另一端接地;软启动电容C20一端连接PWM控制芯片U1引脚8,另一端接地;同时,使能控制模块连接PWM控制芯片U1引脚8;PWM控制芯片U1的引脚10、引脚12、引脚3分别直接接地;PWM控制芯片U1的引脚15连接电源Vcc1;PWM控制芯片U1的引脚4悬空。
其中,所述驱动电路包括脉冲变压器B2、驱动电阻R5、驱动电阻R6、保护电阻R3、保护电阻R4;所述脉冲变压器B2的初级绕组的一端连接电阻R7后连接PWM控制芯片U1的引脚14,所述脉冲变压器B2的初级绕组的另一端连接电容C22后连接PWM控制芯片U1的引脚11;脉冲变压器B2的次级绕组包括第一绕组和第二绕组;所述第一绕组的一端连接驱动电阻R5后连接半导体高频开关MOS管Q1的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q1的源极S;所述保护电阻R3连接在半导体高频开关MOS管Q1的栅极G和半导体高频开关MOS管Q1的源极S之间;所述第二绕组的一端连接驱动电阻R6后连接半导体高频开关MOS管Q2的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q2的源极S;所述保护电阻R4连接在半导体高频开关MOS管Q2的栅极G和半导体高频开关MOS管Q2的源极S之间。
上述一些实施例中,连接于PWM控制芯片U1的引脚14和脉冲变压器B2初级绕组一端的电阻R7能从源头抑制半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2开关时产生的巨大di/dt和dv/dt,大大减小电磁干扰,还可以防止PWM控制芯片U1过流;连接于PWM控制芯片U1的引脚11和脉冲变压器B2的初级绕组另一端的电容C22可滤除PWM控制芯片U1产生的PWM信号中的干扰。滤波电感L3和滤波电容C15组成滤波器,可以用于滤除电源Vcc1中的干扰,减少辐射。
在一些实施例中,稳弧模块3一端连接高频逆变电路,另一端连接高压引弧模块4,用于产生低压直流电维持等离子弧稳定。
需要说明的是,逆变变压器B1的次级绕组包括串联的第一次绕组和第二次绕组,第一次绕组和第二次绕组的连接端设置有连接端子。
在一些实施例中,稳弧模块3包括全波整流电路、稳弧滤波电路和浪涌吸收电路。
其中,全波整流电路包括整流二极管D2、整流二极管D3;其中整流二极管D2的阴极和整流二极管D3的阴极相连,整流二极管D2的阳极连接逆变变压器B1的次级绕组的4端,整流二极管D3的阳极连接逆变变压器B1的次级绕组的3端。
其中,稳弧滤波电路包括电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电感L4、共模滤波电感L5;电容C32、电容C37为差模滤波电容,电容C33、电容C34、电容C35、电容C36为共模滤波电容。电容C34、电容C32、电容C33依次串联后两端分别接地;电容C35、电容C37、电容C36依次串联后两端分别接地;电感L4的一端连接全波整流电路整流二极管D2的阴极,另一端依次连接电容C31后接地;共模滤波电感L5包括第一绕组和第二绕组,共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输入端并联在电容C32两端;共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输出端并联在电容C37两端;电容C31和电容C32并联。
其中,浪涌吸收电路包括电容C29、电阻R29、电容C30、电阻R30;其中电容C29和电阻R29串联后两端分别连接在整流二极管D2的两端;电容C30和电阻R30串联后两端分别连接在整流二极管D3的两端。
在一些实施例中,高压引弧模块4包括单脉冲高压引弧主电路和输出电流控制电路。
单脉冲高压引弧主电路产生引弧脉冲高电压,用于击穿等离子发生器的阴、阳极,产生等离子弧,其包括引弧驱动三极管Q3、控制固态继电器SSR、限流电阻R33、储能电容C38、充电电阻R28和升压变压器B3。引弧驱动三极管Q3的集电极经限流电阻R33外接电源Vcc2,引弧驱动三极管Q3的发射极接控制固态继电器SSR的1端;控制固态继电器SSR的2端和4端接地,控制固态继电器SSR的3端接升压变压器B3初级绕组的1端;充电电阻R28一端接稳弧模块3中共模滤波电感L5的第一线圈的输入端,另一端接升压变压器B3初级绕组1端;储能电容C38一端接地,另一端接升压变压器B3初级绕组2端;升压变压器B3次级绕组串连连接稳弧模块3。主要工作原理为:当引弧驱动三极管Q3截止时,控制固态继电器SSR截止,V+通过充电电阻R28给储能电容C38充电;当引弧驱动三极管Q3导通时,控制固态继电器SSR接通,储能电容C38通过控制固态继电器SSR和升压变压器B3初级绕组组成的回路放电,经过升压变压器B3升压,在升压变压器B3的次级绕组两端产生脉冲高电压。
其中,输出电流控制电路主要用于控制引弧以及控制稳弧模块3的输出电流使其稳定,其具体包括四路电压比较器芯片U2及其外围电路。
可选地,四路电压比较器芯片U2可采用LMx39系列四路电压比较器。
其中,四路电压比较器芯片U2包括第一电压比较器、第二电压比较器、第三电压比较器和第四电压比较器;其中第一电压比较器的引脚分别为脚2、脚4和脚5;第二电压比较器的引脚分别为脚1、脚6和脚7;第三电压比较器的引脚分别为脚8、脚9和脚14;第四电压比较器的引脚分别为脚10、脚11、脚13。
四路电压比较器芯片U2的外围电路具体包括:第一电压比较器的脚2和脚4之间连接电阻R22;脚2和脚5之间连接电阻R23;脚2连接电阻R21,电阻R21的另一端连接引弧驱动三极管Q3的基极;脚2连接电阻R36后接电源Vcc2;脚4连接电容C26后接地;脚5连接电阻R24后接地;脚5连接电阻R32后接电源Vcc2;第二电压比较器的脚1和脚7之间连接电阻R25,电阻R25为防抖动电阻;脚1连接引弧驱动三极管Q3的基极;脚7连接电阻R26后接地,脚7连接电容C28后接地,脚7连接电阻R27后接电源Vcc2;脚6连接电容C27后接地;电阻R26和电阻R27组成电流设定回路;脚6连接电阻R20,电阻R20的另一端连接稳弧模块3的电流采样电阻R31,引弧控制电路通过控制电流采样电阻R31的电流控制引弧;第三电压比较器的脚8连接电容C23后接地;脚8连接电阻R19,电阻R19的另一端连接电流采样电阻R31;脚9连接电容C24后接地,脚9连接电阻R15后接地,脚9连接电阻R16后接电源Vcc2;脚14连接电阻R18后接PWM控制芯片U1的引脚8;脚14与脚8之间连接有串联的电阻R17和电容C25;第四电压比较器的引脚全部悬空。
四路电压比较器芯片U2的引脚3外接电源Vcc2,四路电压比较器芯片U2的引脚12接地。
第一电压比较器和第二电压比较器及其引脚连接的外围电路组成引弧控制电路,第一电压比较器及其引脚连接的外围电路组成低频振荡器。引弧控制电路的主要工作原理为:通过电流采样电阻R31,当检测到iw大于参考值时,第二电压比较器脚1输出低电平,不引弧;当检测到iw小于参考值时,第二电压比较器脚1悬空,由低频振荡器控制引弧。低频振荡器产生的脉冲方波控制引弧驱动三极管Q3的通断,当第一电压比较器脚2输出高电平时,引弧驱动三极管Q3导通,引弧;当第一电压比较器脚2输出低电平时,引弧驱动三极管Q3截止,不引弧。
低频振荡器能防止出现一次未引弧成功而导致输出一直开路故障的情况,能保证可靠引燃等离子弧,提高了电源可靠性。
第三电压比较器及其引脚连接的外围电路组成电流稳定控制电路。
需要说明的是,所述电源Vcc1和电源Vcc2的电压不同;优选地,所述电源Vcc1为+12V直流电源;所述电源Vcc2为+15V直流电源。
滤波整流模块1电连接于交流电源输入与高频逆变电路之间,主要起滤波整流的功能。
在一些实施例中,滤波整流模块1为双向两级滤波器,由电容和电感组成,既能抑制从交流电源线上引入的外部电磁干扰,还可以避免本身设备向外部发出噪声干扰;其具体包括:电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、共模滤波电感L1、共模滤波电感L2、整流桥D1、热敏电阻RT1、泄放电阻R1。其中,电容C1、电容C2、电容C3作为差模滤波电容;电容C4、电容C5、电容C6、电容C7为共模滤波电容。所述共模滤波电感L1的第一绕组和第二绕组输入端连接交流电源,所述共模滤波电感L1的第一绕组和第二绕组输出端分别连接共模滤波电感L2的第一绕组和第二绕组输入端;共模滤波电感L2的第一绕组和第二绕组的输出端分别连接整流桥D1的两个输入端;电容C1并联在共模滤波电感L1的第一绕组和第二绕组的输入端;电容C7、电容C2、电容C5依次串联后两端分别接大地;电容C6、电容C3、电容C4依次串联后两端分别接大地;电容C2并联在共模滤波电感L1的第一绕组和第二绕组输出端;电容C3并联在共模滤波电感L2的第一绕组和第二绕组输出端;热敏电阻RT1设置在共模扼流圈L2的第二绕组输出端与整流桥D1的一个输入端之间,用于启动瞬间吸收浪涌电流;泄放电阻R1并联在整流桥D1的两个输出端。滤波整流模块1的输入端还设置有保险丝,起到电流保护作用。
在一些实施例中,使能控制模块6与低压直流电源连接,用于控制射流点火电源工作状态;其具体包括光耦隔离器U3、限流电阻R35、抗干扰电阻R34;光耦隔离器U3的1脚连接PWM控制芯片U1的引脚8;光耦隔离器U3的2脚接地;光耦隔离器U3的3脚连接低压直流电源的负极;光耦隔离器U3的4脚与限流电阻R35、低压直流电源的正极依次连接;抗干扰电阻R34并联在低压直流电源的正极和负极之间。
上述一些实施例中,采用光耦隔离器U3控制低压直流电源的开关:当低压直流电源接通时,点火电源无输出;当低压直流电源断开时,点火电源有输出。使能控制模块6采用光耦隔离低压直流电源,输入输出不共地,使点火电源更加安全可靠。
以上,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明做任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化,均落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:包括滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块、高压引弧模块、使能控制模块;所述滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块依次连接;所述使能控制模块与高频逆变及其控制模块连接;所述滤波整流模块外接交流电源;所述使能控制模块外接低压直流电源;所述稳弧模块外接高压电缆;所述高压引弧模块包括单脉冲高压引弧主电路和输出电流控制电路;所述单脉冲高压引弧主电路连接稳弧模块;所述输出电流控制电路输入端连接稳弧模块,输出端连接高频逆变及其控制模块。
2.根据权利要求1所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述高频逆变及其控制模块包括高频逆变电路和PWM控制驱动电路;所述高频逆变电路的输入端连接所述滤波整流模块,输出端连接所述稳弧模块;所述PWM控制驱动电路的输入端连接所述使能控制模块、稳弧模块和输出电流控制电路,所述PWM控制驱动电路的输出端连接所述高频逆变电路。
3.根据权利要求2所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述输出电流控制电路包括四路电压比较器芯片U2及其外围电路;所述外围电路连接在所述四路电压比较器芯片U2的各个引脚上;所述四路电压比较器芯片U2包括第一电压比较器、第二电压比较器、第三电压比较器和第四电压比较器;所述第四电压比较器的引脚悬空;所述第三电压比较器的外围电路连接所述PWM控制驱动电路和所述稳弧模块;所述第一电压比较器和所述第二电压比较器及其引脚连接的外围电路组成引弧控制电路;所述第一电压比较器及其引脚连接的外围电路组成低频振荡器;所述低频振荡器包括:第一电压比较器、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R32、电阻R36、电容C26;脚2和脚4之间连接电阻R22;脚2和脚5之间连接电阻R23;脚2连接电阻R21,电阻R21的另一端连接所述单脉冲高压引弧主电路;脚2连接电阻R36后接电源Vcc2;脚4连接电容C26后接地;脚5连接电阻R24后接地;脚5连接电阻R32后接电源Vcc2
4.根据权利要求3所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述单脉冲高压引弧主电路包括引弧驱动三极管Q3、控制固态继电器SSR、限流电阻R33、储能电容C38、充电电阻R28和升压变压器B3;所述引弧驱动三极管Q3的集电极经所述限流电阻R33外接电源Vcc2,所述引弧驱动三极管Q3的发射极接所述控制固态继电器SSR的1端;所述控制固态继电器SSR的2端和4端接地,所述控制固态继电器SSR的3端接所述升压变压器B3初级绕组的1端;所述充电电阻R28一端接稳弧模块中共模滤波电感L5的第一绕组的输入端,另一端连接所述升压变压器B3初级绕组1端;所述储能电容C38一端接地,另一端连接所述升压变压器B3初级绕组2端;所述升压变压器B3次级绕组串连稳弧模块。
5.根据权利要求2所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述高频逆变电路为半桥逆变拓扑电路,具体包括滤波均压电容C8、滤波均压电容C9、关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11、隔直电容C12、谐波吸收电容C13、半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2、逆变变压器B1、吸收电阻R2;其中,滤波均压电容C8、滤波均压电容C9串联后并联在整流桥D1的两个输出端;关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11串联后并联在整流桥D1的两个输出端;半导体高频开关MOS管Q1的源极S和半导体高频开关MOS管Q2的漏极D连接,半导体高频开关MOS管Q1的漏极D和半导体高频开关MOS管Q2的源极S分别连接整流桥D1的两个输出端,半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的栅极G分别连接PWM控制驱动电路;谐波吸收电容C13和吸收电阻R2串联形成谐波吸收回路,谐波吸收回路并联在逆变变压器B1的初级绕组的两端;逆变变压器B1的初级绕组一端连接滤波均压电容C8与滤波均压电容C9的串联节点,另一端与隔直电容C12、关断电压尖峰吸收电容C10和关断电压尖峰吸收电容C11的串联节点依次连接;逆变变压器B1的次级绕组连接稳弧模块。
6.根据权利要求5所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述PWM控制驱动电路包括PWM控制芯片U1、外围辅助电路和驱动电路;所述外围辅助电路包括分别连接所述PWM控制芯片U1的输出电压反馈回路、基准电压设定回路、PWM补偿回路、死区设置电路、振荡器定时电路以及其他辅助电路;所述驱动电路一端连接所述高频逆变电路,另一端连接所述PWM控制芯片U1。
7.根据权利要求6所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述驱动电路包括脉冲变压器B2、驱动电阻R5、驱动电阻R6、保护电阻R3、保护电阻R4;所述脉冲变压器B2的初级绕组的一端连接电阻R7后连接PWM控制芯片U1的引脚14,所述脉冲变压器B2的初级绕组的另一端连接电容C22后连接PWM控制芯片U1的引脚11;脉冲变压器B2的次级绕组包括第一绕组和第二绕组;所述第一绕组的一端连接驱动电阻R5后连接半导体高频开关MOS管Q1的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q1的源极S;所述保护电阻R3连接在半导体高频开关MOS管Q1的栅极G和半导体高频开关MOS管Q1的源极S之间;所述第二绕组的一端连接驱动电阻R6后连接半导体高频开关MOS管Q2的栅极G,另一端连接半导体高频开关MOS管Q2的源极S;所述保护电阻R4连接在半导体高频开关MOS管Q2的栅极G和半导体高频开关MOS管Q2的源极S之间。
8.根据权利要求5所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述其他辅助电路包括滤波电感L3、滤波电容C14、滤波电容C15、滤波电容C16、滤波电容C17、滤波电容C18、软启动电容C20;其中,滤波电感L3两端分别连接PWM控制芯片U1引脚15和引脚13;滤波电容C14一端连接PWM控制芯片U1引脚16,另一端接地;滤波电容C15两端连接PWM控制芯片U1引脚13和引脚12;滤波电容C16一端连接PWM控制芯片U1引脚9,另一端接地;滤波电容C17一端连接PWM控制芯片U1引脚2,另一端接地;滤波电容C18一端连接PWM控制芯片U1引脚1,另一端接地;软启动电容C20一端连接PWM控制芯片U1引脚8,另一端接地;PWM控制芯片U1的引脚10、引脚12、引脚3分别直接接地;PWM控制芯片U1的引脚15连接电源Vcc1;PWM控制芯片U1的引脚4悬空。
9.根据权利要求2所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述稳弧模块包括全波整流电路、稳弧滤波电路和浪涌吸收电路;所述全波整流电路的输入端连接所述高频逆变电路,所述全波整流电路的输出端连接稳弧滤波电路;所述稳弧滤波电路包括电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电感L4、共模滤波电感L5;电容C32、电容C37为差模滤波电容,电容C33、电容C34、电容C35、电容C36为共模滤波电容;电容C34、电容C32、电容C33依次串联后两端分别接地;电容C35、电容C37、电容C36依次串联后两端分别接地;电感L4的一端连接全波整流电路整流二极管D3的阴极,另一端依次连接电容C31后接地;共模滤波电感L5包括第一绕组和第二绕组,共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输入端并联在电容C32两端;共模滤波电感L5的第一绕组和第二绕组的输出端并联在电容C37两端;电容C31和电容C32并联;所述浪涌吸收电路并联在所述全波整流电路的整流二极管的两端。
10.根据权利要求1~9任一项所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源,其特征在于:所述滤波整流模块为双向两级滤波器。
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