CN111462664B - 有机发光二极管驱动装置的感测电路及采样保持电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种感测电路，用于一有机发光二极管的驱动装置，该感测电路包括一采样保持电路及一增益放大器。该采样保持电路可用来对通过一输入端接收的一感测信号进行采样。该增益放大器耦接于该采样保持电路。其中，该采样保持电路包括一第一电容、一第二电容、一第一开关器、一第二开关器、一第三开关器及一第四开关器。该第一电容耦接于该输入端及该增益放大器之间。该第二电容耦接于一参考端及该增益放大器之间。该第一开关器连接于该第一电容及该输入端之间。该第二开关器连接于该第二电容及该参考端之间。该第三开关器连接于该第一电容及该增益放大器之间。该第四开关器连接于该第二电容及该增益放大器之间。

Description

有机发光二极管驱动装置的感测电路及采样保持电路
技术领域
本发明涉及一种可用于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)驱动装置的感测电路及采样保持电路，尤其涉及一种可用来感测有机发光二极管驱动装置中像素组件的参数的感测电路及采样保持电路。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)为发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)的一种，其电致发光层是由有机化合物所构成，该有机化合物可因接收到电流而发光。有机发光二极管广泛应用于电子装置的显示设备，例如电视屏幕、计算机显示器、便携设备如移动电话、手持式游戏主机及个人数字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)等。其中，主动矩阵式有机发光二极管(Active Matrix OLED，AMOLED)为目前有机发光二极管显示器的主流，主动矩阵式有机发光二极管可由薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)来进行驱动，并包括存储电容用来维持像素的状态，以应用于大尺寸及高分辨率的显示器。
在一般有机发光二极管面板中，每一像素单元都包括三个子像素，其中每一子像素具有可产生三原色其中之一的有机发光二极管，用来组成欲在该像素单元上进行显示的目标颜色。一子像素可从一驱动集成电路(Driver Integrated Circuit，Driver IC)接收一电压信号。接着，薄膜晶体管可将电压信号转换为一驱动电流，以驱动有机发光二极管发光。有机发光二极管发光的亮度则由其通过的驱动电流来决定。然而，在有机发光二极管面板中，不同子像素中的薄膜晶体管可能存在组件参数的误差或不匹配，导致电压/电流转换效率产生差异，此外，有机发光二极管的发光效率也可能存在误差。当有机发光二极管面板经过一段长时间的运作之后，可能面临电压/电流转换及发光效率的衰减。在此情形下，由于有机发光二极管面板上各个位置可能存在不同程度的衰减，有机发光二极管面板的画面一致性往往因此而下降。
为了改善有机发光二极管面板的画面一致性，源极驱动装置通常配备有一感测电路，负责针对例如有机发光二极管的发光效率及/或薄膜晶体管组件参数等参数的衰减程度进行感测。请参考图1，图1为常见的有机发光二极管控制系统10的示意图。有机发光二极管控制系统10包括一图像处理器102、一源极驱动装置104及一有机发光二极管面板106。图像处理器102可由一系统芯片(System on a Chip，SOC)实现，用来输出显示数据并针对有机发光二极管面板106执行感测操作。源极驱动装置104包括一驱动电路110及一感测电路120。驱动电路110包括多个信道，其中每一信道具有可用来输出驱动信号的一运算放大器或缓冲器。感测电路120也包括多个信道，其中每一信道具有一采样电路。其感测机制为，驱动电路110通过驱动线传送驱动信号至有机发光二极管面板106上的目标子像素，并由感测电路120通过感测线从该子像素对应接收感测信号。
有机发光二极管面板106及其相关的源极驱动装置104经常被要求操作在例如不同温度或不同环境等任何情况下。因此，感测电路120应能够在不同温度及工艺变异之下维持原有效率。除此之外，感测电路120的各信道也应具备相同效率且变异量小，以实现感测操作的一致性。因此，如何提升感测电路的一致性已成为本领域亟欲解决的重要课题。
发明内容
因此，本发明的主要目的即在于提供一种新颖的采样保持电路结构，以降低寄生电容对感测电路上的输出信号的影响，从而改善有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板上感测操作的一致性。
本发明一实施例公开了一种感测电路，用于一有机发光二极管的驱动装置。该感测电路包括一采样保持电路及一增益放大器。该采样保持电路用来对通过一输入端接收的一感测信号进行采样。该增益放大器耦接于该采样保持电路。其中，该采样保持电路包括一第一电容、一第二电容、一第一开关器、一第二开关器、一第三开关器及一第四开关器。该第一电容耦接于该输入端及该增益放大器之间。该第二电容耦接于一参考端及该增益放大器之间。该第一开关器连接于该第一电容及该输入端之间。该第二开关器连接于该第二电容及该参考端之间。该第三开关器连接于该第一电容及该增益放大器之间。该第四开关器连接于该第二电容及该增益放大器之间。
本发明另一实施例公开了一种用于感测电路的采样保持电路，用于一有机发光二极管的驱动装置。该采样保持电路用来对通过一输入端接收的一感测信号进行采样，且该采样保持电路包括一第一电容、一第二电容、一第一开关器、一第二开关器、一第三开关器及一第四开关器。该第一电容耦接于该输入端及该感测电路的一增益放大器之间。该第二电容耦接于一参考端及该增益放大器之间。该第一开关器连接于该第一电容及该输入端之间。该第二开关器连接于该第二电容及该参考端之间。该第三开关器连接于该第一电容及该增益放大器之间。该第四开关器连接于该第二电容及该增益放大器之间。
附图说明
图1为常见的有机发光二极管控制系统的示意图。
图2为一感测电路的示意图。
图3A～3D为图2中感测电路的开关器操作的示意图。
图4为本发明实施例一感测电路的示意图。
图5A～5D为图4中感测电路的开关器操作的示意图。
图6为本发明实施例另一感测电路的示意图。
图7为切换信号的波形图。
其中，附图标记说明如下：
10 有机发光二极管控制系统
102 图像处理器
104 源极驱动装置
106 有机发光二极管面板
110 驱动电路
120、20、40、60 感测电路
202、402 采样保持电路
204、404 增益放大器
206 运算放大器
SIO 感测信号
S1、S2 采样信号
C1_1、C1_2、C2_1、C2_2、C3_1、 电容
C3_2、C2_1’、C2_2’
SW1_1～SW1_5、SW2_1～SW2_3、 开关器
SW3_1～SW3_6、SW4_0～SW4_6、
SW1_1’～SW1_4’
Φ1～Φ4 切换信号
VREF 参考电压
Cp1、Cp2、Cp3 寄生电容
Von、Vop 输出信号
Vos 偏移电压
Cos 偏移电容
CL 负载电容
Vn、Vp 偏置电压
602 电平移位器
Φ4H 高电平切换信号
Φ4B 反相切换信号
VDDA 电源供应电压
VCCA 正常工作电压
具体实施方式
请参考图2，图2为一感测电路20的示意图，感测电路20可实现于一有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的驱动装置中，用来对有机发光二极管驱动装置中的像素组件参数进行感测，感测电路20包括一采样保持电路202及一增益放大器204。需注意的是，感测电路20可包括多个信道，其中每一信道是由一采样保持电路及一增益放大器所组成，为求简化，图2中仅示出单一信道的结构。
详细来说，采样保持电路202可用来对通过有机发光二极管驱动装置的感测线接收的一感测信号SIO进行采样，并据此输出采样信号S1及S2。采样保持电路202包括电容C1_1、C1_2、C2_1及C2_2以及开关器SW1_1、SW1_2、SW1_3、SW1_4、SW1_5、SW2_1、SW2_2、SW2_3、SW4_1及SW4_2。开关器SW1_1～SW1_5受控于一切换信号Φ1，开关器SW2_1～SW2_3受控于一切换信号Φ2，而开关器SW4_1及SW4_2受控于一切换信号Φ4。感测信号SIO的信息可在被采样之后存储在电容C1_1，随后转传至电容C2_1。采样保持电路202还可接收一参考电压VREF作为参考值，其可被采样并存储在电容C1_2，随后转传至电容C2_2。采样保持电路202中存在寄生电容Cp1及Cp2，其分别耦接于电容C1_1、C1_2、C2_1及C2_2。多数的寄生电容可能来自于例如用来构成采样保持电路202中开关器的金氧半场效晶体管(Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistors，MOSFET)的接面电容(junctioncapacitance)，而接面电容的数值相当容易受到温度及工艺变异的影响而变化。
增益放大器204可接收采样信号S1及S2并据此产生输出信号Von及Vop。增益放大器204包括电容C3_1及C3_2、开关器SW3_1、SW3_2、SW3_3、SW3_4、SW3_5、SW3_6、SW4_3、SW4_4、SW4_5及SW4_6、以及一运算放大器206。开关器SW3_1～SW3_6受控于一切换信号Φ3，且开关器SW4_3～SW4_6受控于切换信号Φ4。增益放大器204的输入端存在寄生电容Cp3，其中，寄生电容Cp3主要也来自于金氧半场效晶体管的接面电容。图2还示出了运算放大器206的偏移电压Vos及偏移电容Cos，用来显示增益放大器204的运作需要消除输入端的偏移误差(offset)。除此之外，增益放大器204的输出端还耦接于负载电容CL，其可代表位于感测电路20输出端的各种电容性负载。
感测电路20的详细运作可分为数个阶段，如下所述。
在阶段1中，开关器SW1_1～SW1_5由切换信号Φ1开启(导通)，同时其它开关器都关闭(断开)，如图3A所示。采样保持电路202可开始接收感测信号SIO，感测信号SIO被采样而通过开关器SW1_1传送到电容C1_1的顶板。参考电压VREF也被接收并采样而通过开关器SW1_2及SW1_3传送到电容C1_1及C1_2的底板，作为产生差分输出的参考值。同时，开关器SW1_4及SW1_5被导通，将电容C2_1及C2_2的顶板和底板相连，以对电容C2_1及C2_2进行重置，从而消除先前存储在电容C2_1及C2_2的电荷。当阶段1完成之后，感测信号SIO的信息可被采样并存储在电容C1_1中。
在阶段2中，开关器SW2_1～SW2_3由切换信号Φ2开启，同时其它开关器都关闭，如图3B所示。电容C1_1及C2_1之间可進行电荷分享(charge sharing)，使得感测信号SIO被采样而传送到电容C2_1的顶板。同時，电荷分享也在电容C1_2及C2_2之间进行，使得参考电压VREF被采样而传送到电容C2_1及C2_2的底板。当阶段2完成之后，感测信号SIO的信息即可存储在电容C2_1中。
在阶段3中，增益放大器204开始运作，其中，开关器SW3_1～SW3_6由切换信号Φ3开启，同时其它开关器都关闭，如图3C所示。阶段3是增益放大器204的重置阶段。在此阶段中，电容C3_1的其中一端接收一偏置电压Vn而另一端接收另一偏置电压Vp，而电容C3_2的两端都接收偏置电压Vn。偏置电压Vn及Vp提供了一直流偏移(DC shift)，以将输出信号Von及Vop转移至预定的电压电平。
在阶段4中，开关器SW4_1～SW4_6由切换信号Φ4开启，同时其它开关器都关闭，如图3D所示。开启的开关器SW4_1～SW4_2使得采样信号S1及S2可从采样保持电路202输出至增益放大器204。开启的开关器SW4_3～SW4_6以及电容C3_1及C3_2形成了增益放大器204的闭合环路(closed loop)，以对采样信号S1及S2进行放大而产生输出信号Von及Vop。在此阶段中，由偏置电压Vn及Vp提供的直流偏移也同时被采样而传送至增益放大器204的输出端。
值得注意的是，增益放大器204的偏移电压Vos是运算放大器206的两输入端之间额外的电压差，应將其消除而取得正确的输出信号Von及Vop。搭配增益放大器204的切换运作，偏移电压Vos可在阶段3被采样之后，在阶段4传送至并存储在电容C3_1及C3_2中。因此，当阶段4完成之后，偏移电压Vos可从输出信号Von及Vop中消除。
感测电路20可接收感测信号SIO并输出输出信号Von及Vop，以下为感测电路20的传递函数(transfer function)：
其中，Vod1为感测电路20的差分输出信号，其等于Vop减去Von，C1是电容C1_1及C1_2的电容值，C2是电容C2_1及C2_2的电容值，C3是电容C3_1及C3_2的电容值，且A是运算放大器206的开环增益(open loop gain)。在此传递函数中，第一项(SIO-VREF项)为增益因子，第二项(Vp-Vn项)有关于直流偏移，第三项(Vos项)则有关于输入偏移的消除。需注意的是，增益因子代表增益放大器204的差分增益，其大幅受到寄生电容Cp1、Cp2及Cp3的影响。如上所述，多数寄生电容Cp1、Cp2及Cp3来自于金氧半场效晶体管的接面电容，其数值相当容易受到温度和工艺变异的影响。因此，温度及/或工艺变异将严重影响增益放大器204的差分增益，导致感测电路20上不同信道的放大操作的一致性下降。
本发明提供了一种新颖的采样保持电路结构，可改善感测电路的一致性。请参考图4，图4为本发明实施例一感测电路40的示意图。感测电路40可实现于一有机发光二极管的驱动装置中，用来对有机发光二极管驱动装置中的像素组件参数进行感测，感测电路40包括一采样保持电路402及一增益放大器404。需注意的是，感测电路40可包括多个信道，其中每一信道是由一采样保持电路及一增益放大器所组成，为求简化，图4中仅示出单一信道的结构。感测电路40的详细运作方式类似于感测电路20，故功能相似的组件或信号都以相同符号表示。
详细来说，采样保持电路402可用来对通过有机发光二极管驱动装置的感测线接收的一感测信号SIO进行采样，并据此输出采样信号S1及S2。采样保持电路402包括电容C2_1’及C2_2’以及开关器SW1_1’、SW1_2’、SW1_3’、SW1_4’、SW4_0、SW4_1及SW4_2。开关器SW1_1’、SW1_2’、SW1_3’及SW1_4’受控于一切换信号Φ1，而开关器SW4_0、SW4_1及SW4_2受控于一切换信号Φ4。电容C2_1’耦接于用来接收感测信号SIO的输入端及增益放大器404之间，用来将感测信号SIO从输入端耦合至增益放大器404。电容C2_2’耦接于一参考端及增益放大器404之间，用来将参考电压VREF从参考端耦合至增益放大器404。开关器SW1_1’耦接于电容C2_1’及输入端之间，用来传送感测信号SIO至电容C2_1’。开关器SW1_2’耦接于电容C2_2’及参考端之间，用来传送参考电压VREF至电容C2_2’。开关器SW1_3’耦接于电容C2_1’及一偏置端之间，开关器SW1_4’耦接于电容C2_2’及该偏置端之间，开关器SW1_3’及SW1_4’分别用来提供偏置电压Vn给电容C2_1’及C2_2’。开关器SW4_0耦接于电容C2_1’及C2_2’之间，用来执行电荷分享或对电容C2_1’及C2_2’进行重置。开关器SW4_1耦接于电容C2_1’及增益放大器404之间，开关器SW4_2耦接于电容C2_2’及增益放大器404之间，开关器SW4_1及SW4_2的操作方式与感测电路20中的开关器SW4_1及SW4_2类似，都是在导通时用来输出采样信号S1及S2至增益放大器404。除此之外，采样保持电路402中存在寄生电容Cp2，其耦接于电容C2_1’及C2_2’的一端，如上所述，寄生电容Cp2可能来自于金氧半场效晶体管的接面电容。
增益放大器404可接收采样信号S1及S2并据此产生输出信号Von及Vop，关于增益放大器404的详细实现方式及运作方式都相同于增益放大器204，在此不赘述。需注意的是，感测电路40与感测电路20的不同之处在于采样保持电路的结构，其中，感测电路40中采样保持电路402的结构较为简化，其更能够避免温度及工艺变异的影响。
感测电路40的详细运作也可分为数个阶段，如下所述。
在阶段1中，开关器SW1_1’～SW1_4’由切换信号Φ1开启，同时其它开关器都关闭，如图5A所示。采样保持电路402可接收感测信号SIO，以对感测信号SIO进行采样并通过开关器SW1_1’传送到电容C2_1’以进行存储。参考电压VREF也被接收及采样，并通过开关器SW1_2’传送到电容C2_2’以进行存储，作为产生差分输出的参考值。一偏置电压Vn可分别通过开关器SW1_3’及SW1_4’提供给电容C2_1’及C2_2’。参考电压VREF及/或偏置电压Vn可由系统电路提供，其可预设在适当的电压电平，使得感测电路40能够从有机发光二极管面板接收任何可能的感测信号SIO。当阶段1完成之后，感测信号SIO的信息可被采样并存储在电容C2_1’中。
阶段2为感测电路40中所有开关器都关闭的阶段或步骤，如图5B所示。由于采样保持电路402的结构较为简单，其仅包括用来采样感测信号SIO的电容C2_1’以及用来采样参考电压VREF的电容C2_2’，因此，无须通过一电容对感测信号SIO采样再传送至采样保持电路402中的另一电容，其简化了采样保持电路402的操作。
在感测电路40的操作中，阶段3及阶段4有关于增益放大器404的操作，其相同于前述段落所描述的增益放大器204的操作。关于阶段3及阶段4的详细实现方式可分别参考图5C及5D，在此不赘述。
搭配简化后的感测电路40结构可得到以下传递函数：
其中，Vod2为感测电路40的差分输出信号，其等于Vop减去Von，C2是电容C2_1’及C2_2’的电容值，C3是电容C3_1及C3_2的电容值，且A是运算放大器206的开环增益。在此传递函数中，第二项(Vp-Vn项)有关于直流偏移，第三项(Vos项)有关于输入偏移的消除，这两项和感测电路20的传递函数完全相同，这是因为增益放大器404的结构及运作方式与感测电路20中的增益放大器204相同。
在感测电路20的传递函数中，差分输入信号SIO-VREF被乘上包括寄生电容Cp1、Cp2及Cp3的差分增益，其中，寄生电容Cp1及Cp2结合(C1+Cp1)/(C1+Cp1+C2+Cp2)及(C2+Cp2)/C3的因式使得差分增益受到严重影响。相较之下，在感测电路40的传递函数中，寄生电容的因式仅剩下(C2+Cp2+C3+Cp3)/A×C3，其中，寄生电容Cp1完全省略，且寄生电容Cp2及Cp3被除以数值较大的开环增益A，使得寄生电容Cp2及Cp3对差分增益的影响大幅下降。因此，在感测电路40中，根据其传递函数可知，由于差分增益变化对感测电路40中整体寄生电容的变化较不灵敏，且感测电路40的采样保持电路402中的寄生电容数量较少，因此，感测电路40的差分增益更能够免除寄生电容的影响。如上所述，寄生电容的数值容易受到温度和工艺变异的影响，因此，采样保持电路402的结构较能够免于受到温度及工艺变异的影响，从而使感测电路40各信道之间的一致性较佳。
值得注意的是，本发明的目的在于提供一种采样保持电路的结构，可用来实现感测电路的一致性。本领域技术人员当可据此进行修饰或变化，而不限于此。举例来说，采样保持电路的结构可进行修改或结合电平移位机制，使得感测电路能够接收高于其正常操作电压的高电压。不同类型的有机发光二极管面板可能产生不同电压范围的感测信号，为使感测电路能够适用于更多的有机发光二极管面板，可通过一电平移位器来产生具有较高电平的切换信号，用来控制采样保持电路中的开关器。
请参考图6，图6为本发明实施例另一感测电路60的示意图。感测电路60的结构类似于感测电路40的结构，故功能相似的组件或信号都以相同符号表示。感测电路60与感测电路40的不同之处在于，感测电路60还包括一电平移位器602，并且耦接于输入端及参考端之间的开关器SW4_0是接收高电平切换信号Φ4H而不是一般切换信号Φ4，其中，此高电平切换信号Φ4H是由电平移位器602产生。更明确来说，若感测电路60所接收的感测信号可能高于其正常操作电压时，可采用电平移位器602来产生高电平的切换信号Φ4H。
在此例中，电平移位器602耦接于开关器SW4_0，用来移位欲输出至开关器SW4_0的切换信号。详细来说，电平移位器602可接收切换信号Φ4及一反相切换信号Φ4B，并据此产生高电平切换信号Φ4H。电平移位器602可通过接收一电源供应电压VDDA来进行运作，此电源供应电压VDDA高于感测电路60的正常工作电压VCCA。如图6所示，开关器SW4_0可由一高耐压金氧半场效晶体管(high-voltage MOSFET，HV MOSFET)来实现，其可用来接收较高的电压。高耐压金氧半场效晶体管可以是具有较厚的栅极氧化层的金氧半场效晶体管，使得该金氧半场效晶体管可承受较高的栅极对源极电压和栅极对漏极电压。优选地，电平移位器602的高侧晶体管也可由高耐压金氧半场效晶体管来实现。在一实施例中，感测电路60的正常工作电压VCCA等于1.8V，而来自于有机发光二极管面板的感测信号SIO可高达18V。电平移位器602所接收的切换信号Φ4及Φ4B其电压振幅等于VCCA＝1.8V，所输出的高电平切换信号Φ4H其电压振幅等于VDDA＝18V。关于切换信号Φ4、Φ4B及Φ4H的一种波形范例示于图7。
在此例中，感测电路60中大多数的开关器都可由符合1.8V正常工作电压的低耐压金氧半场效晶体管(low-voltage MOSFET，LV MOSFET)来实现，除了位于输入端的开关器SW1_1’、SW1_2’及SW4_0需采用能够接收感测信号SIO的高耐压金氧半场效晶体管。用来控制开关器SW1_1’及SW1_2’的切换信号Φ1也可以是一高电平切换信号，其具有适用于输入感测信号SIO的较高电压振幅。
综上所述，本发明提供了一种具有新颖采样保持电路结构的感测电路，以实现感测电路的一致性。采样保持电路可包括较少的寄生电容，且根据传递函数，差分增益的变化对感测电路中整体寄生电容的变化较不灵敏，因此，感测电路的差分增益更能够免除寄生电容的影响，使得具有新颖结构的采样保持电路较能够免于受到温度及工艺变异的影响，从而使感测电路各信道之间的一致性较佳。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种感测电路，用于一有机发光二极管的驱动装置，该感测电路包括：一采样保持电路，用来对通过一输入端接收的一感测信号进行采样，以产生一采样信号；以及
一增益放大器，耦接于该采样保持电路的输出端，该增益放大器用来放大该采样信号以产生一输出信号，且包括多个重置开关器；
其中，该采样保持电路包括：
一第一电容，耦接于该输入端及该增益放大器之间，其中，该第一电容的一第一端耦接于该输入端，该第一电容的一第二端耦接于该增益放大器；
一第二电容，耦接于一参考端及该增益放大器之间；
一第一开关器，连接于该第一电容及该输入端之间；
一第二开关器，连接于该第二电容及该参考端之间；
一第三开关器，连接于该第一电容及该增益放大器之间，其中，该第三开关器的一第一端连接于该第一电容，该第三开关器的一第二端连接于该增益放大器；以及
一第四开关器，连接于该第二电容及该增益放大器之间，其中，该第四开关器的一第一端连接于该第二电容，该第四开关器的一第二端连接于该增益放大器；
其中，在一第一阶段中，该第三开关器、该第四开关器及该多个重置开关器关闭，该第一开关器及该第二开关器开启，以采样该感测信号并将其存储在该第一电容中；
其中，在一第二阶段中，该第一开关器、该第二开关器、该第三开关器、该第四开关器及该多个重置开关器关闭；
其中，在一第三阶段中，该第一开关器、该第二开关器、该第三开关器及该第四开关器关闭，该多个重置开关器开启，使该第一电容及该第二电容接收一偏置电压，该偏置电压提供一直流偏移，以将该输出信号转移至预定的电压电平；
其中，在一第四阶段中，该第一开关器、该第二开关器及该多个重置开关器关闭，该第三开关器及该第四开关器开启，使得该采样信号从该采样保持电路输出至该增益放大器。
2.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，该采样保持电路还包括：一第五开关器，耦接于该第一电容及该第二电容之间；
一第六开关器，耦接于该第一电容及一偏置端之间；以及
一第七开关器，耦接于该第二电容及该偏置端之间。
3.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，该第一电容用来对来自于该输入端的该感测信号进行采样。
4.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，该第二电容用来对来自于该参考端的一参考电压进行采样。
5.如权利要求2所述的感测电路，其特征在于，还包括：
一电平移位器，耦接于该第五开关器，用来输出一切换信号至该第五开关器。
6.一种用于感测电路的采样保持电路，用于一有机发光二极管的驱动装置，该采样保持电路用来对通过一输入端接收的一感测信号进行采样，以产生一采样信号，该采样保持电路耦接于一增益放大器，该增益放大器用来放大该采样信号以产生一输出信号，且包括多个重置开关器，且该采样保持电路包括：
一第一电容，耦接于该输入端及该增益放大器之间，其中，该第一电容的一第一端耦接于该输入端，该第一电容的一第二端耦接于该增益放大器；
一第二电容，耦接于一参考端及该增益放大器之间；
一第一开关器，连接于该第一电容及该输入端之间；
一第二开关器，连接于该第二电容及该参考端之间；
一第三开关器，连接于该第一电容及该增益放大器之间，其中，该第三开关器的一第一端连接于该第一电容，该第三开关器的一第二端连接于该增益放大器；以及
一第四开关器，连接于该第二电容及该增益放大器之间，其中，该第四开关器的一第一端连接于该第二电容，该第四开关器的一第二端连接于该增益放大器；
其中，在一第一阶段中，该第三开关器、该第四开关器及该多个重置开关器关闭，该第一开关器及该第二开关器开启，以采样该感测信号并将其存储在该第一电容中；
其中，在一第二阶段中，该第一开关器、该第二开关器、该第三开关器、该第四开关器及该多个重置开关器关闭；
其中，在一第三阶段中，该第一开关器、该第二开关器、该第三开关器及该第四开关器关闭，该多个重置开关器开启，使该第一电容及该第二电容接收一偏置电压，该偏置电压提供一直流偏移，以将该输出信号转移至预定的电压电平；
其中，在一第四阶段中，该第一开关器、该第二开关器及该多个重置开关器关闭，该第三开关器及该第四开关器开启，使得该采样信号从该采样保持电路输出至该增益放大器。
7.如权利要求6所述的采样保持电路，其特征在于，还包括：
一第五开关器，耦接于该第一电容及该第二电容之间；
一第六开关器，耦接于该第一电容及一偏置端之间；以及
一第七开关器，耦接于该第二电容及该偏置端之间。
8.如权利要求6所述的采样保持电路，其特征在于，该第一电容用来对来自于该输入端的该感测信号进行采样。
9.如权利要求6所述的采样保持电路，其特征在于，该第二电容用来对来自于该参考端的一参考电压进行采样。
10.如权利要求7所述的采样保持电路，其特征在于，该感测电路还包括：一电平移位器，耦接于该第五开关器，用来输出一切换信号至该第五开关器。
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