CN111417239A - 将pvt调整净空供应到受控电流的电压/电流调节器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及将PVT调整净空供应到受控电流的电压/电流调节器。在本申请的电压/电流调节器的示例中，LED背光驱动器(300)控制ILED串电流(LED 1至LED 4)，并且控制将足够净空电压VHDRM(305)供应到串电压的电压调节器以供应ILED串电流。LED驱动器通过MLED电流控制晶体管(321至324)控制ILED串电流，包括以参考电压VREF为参考的栅极驱动器(311至314)。通过基于VREF用复制电流控制晶体管MLED/RATIO(353)产生复制/参考电流ILED/RATIO(354)(与ILED串电流成比例)，来针对PVT操作条件调整串电压和VHDRM。将ILED/RATIO(354)镜像(358)到第二复制MLED/RATIO晶体管(357)，第二复制MLED/RATIO晶体管(357)在与能够供应所需ILED电流(如由ILED/RATIO复制/参考电流表示)的最小电压相对应的PVT REF参考电压处饱和，从而负责PVT操作条件。

Description

将PVT调整净空供应到受控电流的电压/电流调节器
本申请是申请日为2015年11月16日的名称为“将PVT调整净空供应到受控电流的电压/电流调节器”中国专利申请201580060931.3的分案申请。
技术领域
本发明整体涉及谐振电感传感器和感测，例如可用于感测位置、接近度或物理状态或条件的谐振电感传感器和感测。
背景技术
触摸屏智能手机和平板电脑通常使用白色LED(WELD)背光电源。一个示例是基于电感器的背光驱动器，所述基于电感器的背光驱动器是开关电源的类型。
因为约40％的平板电脑的功耗用于WLED背光驱动器和LED，所以优化系统效率以增加电池寿命是有利的。
WLED驱动器损耗分为三类：外部组件损耗、升压损耗和LED损耗。LED损耗是LED电流和LED净空(headroom)的函数。已付出许多努力来最小化净空电压，同时仍确保LED驱动器具有足够净空来供应预期电流。
发明内容
在控制包括多个LED串的LED背光系统的照明的所描述示例中，方法包括控制电源以调节串电压VOUT，并且包括：(a)通过电流控制晶体管MLED和感测电阻器RSENSE控制ILED串电流，包括基于将参考电压VREF与来自RSENSE的感测电压VSENSE相比较而产生MLED栅极控制信号，使得ILED对应于VREF/RSENSE；以及(b)控制电源来调节VOUT以将受控净空电压VHDRM供应到受控ILED，包括基于参考电压PVT_REF针对PVT操作条件而调整VHDRM。
所述方法进一步包括通过以下操作产生参考电压PVT_REF：(a)使用(i)作为MLED的复制品的复制电流控制晶体管MLED/RATIO和(ii)作为RSENSE的复制品的复制电阻器RSENSE*RATIO，基于将VREF与复制感测电压R_VSENSE相比较而产生与ILED串电流成比例的参考电流ILED/RATIO，使得(iii)由MLED/RATIO提供参考电流ILED/RATIO通过RSENSE*RATIO，从而产生R_VSENSE；以及随后(b)通过(i)经由作为MLED的复制品的PVT_MLED/RATIO晶体管和作为RSENSE的复制品的PVT_RSENSE*RATIO电阻器来镜像ILED/RATIO以及(ii)基于与能够供应ILED串电流的VOUT串电压相对应的PVT_MLED/RATIO的饱和电压而产生PVT_REF，来产生参考电压PVT_REF，从而负责(account for)PVT操作条件。
附图说明
图1示出一种用于控制多个LED串的照明的LED背光系统的示例实施例，所述LED背光系统包括LED驱动器和升压电源，LED驱动器控制ILED串电流和VOUT串电压，包括针对PVT操作条件动态地调整串电压净空。
图2在功能上示出一种LED背光系统，所述LED背光系统包括由LED串表示的LED驱动器以及ILED串驱动器，所述ILED串驱动器包括控制ILED串电流(基于参考电压VREF的栅极驱动放大器)的NMOS电流控制晶体管(MLED)，其中LED驱动器为调节后的串电压VOUT提供升压控制，包括净空电压VHDRM。
图3示出一种LED驱动器的示例实施例，所述LED驱动器控制ILED串电流并且并入PVT净空控制，以便基于通过复制MLED/RATIO晶体管(复制ILED电流控制晶体管MLED)产生参考/复制串电流ILED/RATIO而针对PVT操作条件动态地调整串电压净空，所述参考/复制串电流ILED/RATIO通过第二复制MLED/RATIO晶体管镜像，所述第二复制MLED/RATIO晶体管在与能够供应所需ILED串电流(如由参考电流ILED/RATIO表示)的最小电压相对应的参考电压PVT_REF处饱和，从而负责PVT操作条件。
图4示出配置有PMOS复制晶体管的PVT净空电路的一个示例替代实施例。
具体实施方式
示例实施例涉及将受控电流供应到负载的电压/电流调节器，并且整体涉及在供应受控电流时最小化由电压/电流调节器供应的电压净空的问题。一个示例应用是LED背光照明，包括控制串电压以在供应受控ILED串电流时最小化串电压净空。示例实施例包括适用于基于具有针对PVT操作条件调整的净空的调整电压而供应受控电流的装置和方法。
示例实施例和系统应用示出将PVT调整净空供应到受控电流的电压/电流调节器的各种特征和优点。针对PVT操作条件动态地调整净空。
示例实施例被实施为适用于LED背光系统中的LED驱动电路，其控制通过多个LED串的ILED电流，包括控制串电压VOUT以将电压净空VHDRM供应到ILED。
简而言之，对于示例应用，LED背光驱动器控制ILED串电流并且控制电源(升压调节器)以调节VOUT串电压，从而将针对PVT操作条件调整的足够净空电压VHDRM供应到ILED串电流。LED驱动器包括产生复制/参考电流ILED/RATIO(与ILED串电流成比例)的PVT净空电路，所述复制/参考电流ILED/RATIO被镜像到复制MLED/RATIO晶体管(复制用于控制ILED的MLED电流控制晶体管)，所述复制MLED/RATIO晶体管在与能够供应所需ILED电流的最小电压相对应的PVT_REF参考电压处饱和，从而负责PVT操作条件。
在示例实施例中，LED驱动器控制ILED电流通过LED串，包括控制电源以调节串电压VOUT。LED驱动器包括：(a)ILED控制电路，其被配置成控制ILED串电流；以及(b)PVT净空电路，其被配置成产生参考电压PVT_REF以针对PVT操作条件调整VHDRM。VOUT控制电路被配置成将VOUT_control提供到电源以调节VOUT，从而将受控净空电压VHDRM供应到受控ILED，包括针对PVT操作条件调整NHDRM。
在示例实施例中，ILED控制电路被配置成控制ILED串电流，并且能够包括：(a)电流控制晶体管MLED，其基于MLED栅极控制信号而控制ILED；(b)感测电阻器RSENSE，其通过电流控制晶体管基于ILED而产生感测电压VSENSE；以及(c)MLED栅极控制放大器，其将参考电压VREF与VSENSE相比较并且产生MLED栅极控制信号，使得ILED对应于VREF/RSENSE。
在示例实施例中，PVT净空电路被配置成产生参考电压PVT_REF，并且能够包括：(a)ILED参考电路，其产生ILED参考电流ILED/RATIO；以及(b)PVT参考电路，其被配置成产生参考电压PVT_REF。ILED参考电路能够包括：(i)作为MLED的复制品的复制电流控制晶体管MLED/RATIO；(ii)作为RSENSE的复制品的复制电阻器RSENSE*RATIO；(iii)复制栅极控制放大器，其被配置成通过将VREF与来自RSENSE*RATIO的复制感测电压R_VSENSE相比较来产生复制栅极控制信号；以及(iv)响应于复制栅极控制信号，复制MLED/RATIO提供与ILED串电流成比例的参考电流ILED/RATIO通过RSENSE*RATIO，从而产生R_VSENSE。PVT参考电路能够包括：(i)作为MLED的复制品的PVT_MLED/RATIO晶体管；(ii)作为RSENSE的复制品的PVT_RSENSE*RATIO电阻器；以及(iii)电流镜，其通过PVT_MLED/RATIO和PVT_RSENSE*RATIO来镜像ILED/RATIO电流。配置PVT参考电路，使得PVT_MLED/RATIO在与能够供应ILED串电流的VOUT串电压相对应的参考电压PVT_REF处饱和，从而负责PVT操作条件。
图1示出LED背光系统10的一个示例实施例，所述LED背光系统10包括升压电源50和LED背光驱动器100。LED驱动器100控制通过LED串150的ILED串电流，包括提供用于串电压VOUT的升压控制。
如结合图3所描述，示例LED背光驱动器100并入净空控制以针对PVT操作条件动态地调整串电压净空。
通过针对六个LED串(LED 1至LED 6)的六个LED驱动器通道来说明LED背光系统10。例如，每个LED串能够具有八个LED，每个具有约3V的正向电压，从而导致约25V的VOUT串电压。
背光系统10使用升压转换器50来提供LED串电压VOUT。如图所示，升压转换器50包括外部升压电感器L1和反激(flyback)二极管D1。升压转换器50通过输出滤波电容器Cout耦合到LED串负载150。
LED驱动器100并入升压控制器，所述升压控制器控制升压转换器50中的功率传输开关节点SW。LED驱动器100控制升压VOUT以确保LED驱动器(ILED串驱动电路)具有足够净空来供应所需ILED串电流。升压控制器包括监视/感测LED通道引脚LED 1至LED 6中的每个上的LED串净空电压VHDRM的升压净空控制。升压控制器控制VOUT以将所需VHDRM保持在内部参考以上。
图2示出示例LED背光系统10的元件，其中所述LED背光系统由LED串251表示。对于每个LED串(包括LED串251)，LED驱动器(图1，100)包括ILED串驱动器201。ILED串驱动器201在相关联LED通道引脚201_1处耦合到LED串251的底部。
ILED串驱动器201包括控制电流控制晶体管(MLED)221(NMOS)的栅极驱动放大器211以及感测电阻器Rsense。控制升压转换器50以供应串电压VOUT，所述串电压VOUT足以在LED通道引脚201_1处将足够净空电压VHDRM供应到通过LED串251的受控串电流ILED。
栅极驱动放大器211和MLED 221被配置为源极跟随器，从而通过将Rsense顶部处的电压Vsense与参考电压VREF相比较来通过MLED 221调节ILED串电流。因此，通过LED的ILED是VREF/Rsense。
当Rsense上的电压增加时，ILED变得更易于准确地调节，但是需要LED串/通道引脚上的更高净空电压(VHDRM)来确保正确的ILED串电流。典型的ILED串电流范围是0.1mA至25mA。
还参考图1，LED驱动器100(图1)中的升压控制器监视LED串/通道引脚处的VHDRM电压，并且调节升压电压VOUT以保持LED引脚电压高于VREF(基于栅极控制放大器将VREF与Vsense相比较)。能够选择参考电压VREF以确保对用于所需ILED串电流(例如，800mV)的操作过程、电压和温度(PVT)的正确净空要求。
净空控制可用于基于ILED串电流要求而调整VHDRM(通过调节VOUT)。例如，最大净空(例如，800mV)能够基于缓慢过程、低电压和高温度而指定用于最大ILED电流，并且然后能够将净空调整为较低，以用于较低ILED操作电流。最大净空方法使得背光驱动器100能够在指定温度和电压范围内以及在过程变化内操作，使得LED串净空设定成较高以负责这些变化。然而，在“标称”PVT条件下，所需净空能够显著小于最大最糟情况设计限制(例如，<300mV)。
图3示出LED驱动器300的一个示例实施例，所述LED驱动器300控制通过LED串LED1至LED 4的ILED串电流，并且并入PVT净空电路350以针对PVT操作条件动态地调整串电压净空(LED串的底部)。
对于LED 1至LED 4串中的每个，ILED串驱动器控制ILED串电流。ILED串驱动器包括相应栅极控制放大器311至314和串电流控制晶体管(MLED)321至324(NMOS)以及相关联感测电阻器，并且如结合图2所描述用于控制ILED串电流(基于参考电压VREF)。
PVT净空电路350实际上复制ILED串驱动器，包括产生参考电流ILED/RATIO(基于VREF)，并且输出PVT_REF电压(基于ILED/RATIO)，升压控制器在调节VOUT时使用所述PVT_REF电压来调整串电压净空VHDRM，从而负责PVT操作条件。
PVT净空电路350包括复制栅极控制放大器311至314的复制栅极控制放大器351，并且以VREF参考电压为参考。PVT净空电路350包括：ILED参考电路352，其通过RATIO参数产生与串ILED电流成比例的参考/复制电流ILED/RATIO(基于VREF)；以及PVT参考电路356，其产生(基于ILED/RATIO)追踪PVT的PVT_REF参考电压。
因此，参考电压PVT_REF追踪过程、电压和温度的变化，并且追踪ILED变化。PVT参考电路356基于PVT操作条件测量确保准确ILED电流调节所需的最小净空电压。
ILED参考电路352包括复制电流控制MLED 321至324的复制电流控制晶体管(MLED/RATIO)353，以及复制感测电阻器(RSENSE*RATIO)。复制栅极控制放大器351基于VREF和来自RSENSE*RATIO的感测电压R_VSENSE的比较而对MLED/RATIO 353提供栅极控制，从而提供由电流源354表示的参考/复制电流ILED/RATIO。参考/复制电流ILED/RATIO被镜像到PVT参考电路356。
PVT参考电压电路356包括复制电流控制MLED 321至324的复制电流控制晶体管MLED/RATIO 357，以及复制感测电阻器RSENSE*RATIO。来自复制ILED电路352的参考电流ILED/RATIO被镜像到PVT参考电路356，如由电流源358表示。镜像的ILED/RATIO参考/复制电流通过复制MLED/RATIO 357和RSENSE*RATIO提供，并且产生参考电压PVT_REF。
设计MLED/RATIO 357和RSENSE*RATIO，使得MLED/RATIO 357在能够供应所需ILED电流(如通过参考/复制电流ILED/RATIO表示)的最小电压(PVT_REF)处饱和，从而负责PVT操作条件。因此，通过PVT参考电压电路356产生的PVT_REF(饱和)电压追踪PVT。
将来自PVT参考电路356(PVT净空电路350)的与MLED/RATIO 357的饱和电压相对应的PVT_REF参考电压提供到净空检测电路305。净空检测电路305从LED串LED 1至LED 4接收VHDRM净空电压，从而将净空信息供应到升压控制器(图1，LED驱动器100)。基于来自PVT净空电路350的PVT_REF参考电压，升压转换器(图1，50)调节VOUT以供应针对PVT操作条件调整的所需VHDRM。因此，VHDRM响应于用于追踪PVT的PVT_REF来调整，但保持足够高以用于所需ILED串电流。
图4示出配置有PMOS复制晶体管的PVT净空电路450的一个示例实施例。PVT净空电路450包括具有PMOS MLED/RATIO 453的ILED参考电路452以及具有PMOS MLED/RATIO 457的PVT参考电路456。和图3的NMOS实施例一样，PVT净空电路输出与MLED/RATIO 457的饱和电压相对应的PVT_REF参考电压(基于通过PMOS MLED/RATIO 453产生且镜像到PVT参考电路456的参考电流ILED/RATIO)。
具有PVT调整的LED串净空电压(针对PVT操作条件调整)的LED驱动器的优点包括改进的系统效率和较低的功率损耗，从而导致更长的电池寿命。净空控制适用于针对过程、供应电压和温度。负责PVT变化能够导致在500mV的范围中的额外净空调整，这能够导致在2％的范围中的系统节能(在16％至20+％的范围中的损耗减少)。用于通过PVT调整净空控制的电压/电流调节的额外实施例/应用包括电池充电。
在权利要求书的范围内，在所描述实施例中修改是可能的并且其它实施例是可能的。

Claims (17)

1.一种适用于控制通过LED串的串电流的LED驱动电路，控制通过LED串的串电流包括控制电源以调节串电压，所述LED驱动电路包括：
串电流控制电路，其被配置成基于所述串电流以及感测电阻器产生感测电压，并且基于参考电压与所述感测电压之差控制通过电流控制晶体管的所述串电流，使得所述串电流对应于所述参考电压与所述感测电阻器的电阻的比；
PVT净空电路，其包括：
串电流参考电路，其用于提供参考串电流，所述参考串电流与所述串电流成比例并且通过复制电流控制晶体管以及复制感测电阻器，基于所述参考电压与所述复制感测电阻器产生复制感测电压；以及
PVT参考电路，其被配置成通过作为所述感测电阻器的复制品的PVT感测电阻器和作为所述电流控制晶体管的复制品的PVT电流控制晶体管来镜像所述参考电流，并且产生PVT参考电压，使得所述PVT电流控制晶体管在与能够供应所述串电流的所述串电压相对应的所述PVT参考电压处饱和，负责PVT操作条件；以及
串电压控制电路，其被配置成将串电压控制提供到所述电源以调节所述串电压来供应具有受控净空电压的受控串电流，包括基于所述PVT参考电压而针对过程、电压和温度操作条件即PVT操作条件调整净空电压。
2.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其中
所述串电流控制电路包括：
电流控制晶体管，其被配置成基于其栅极控制信号而控制所述串电流；
感测电阻器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成基于通过所述电流控制晶体管的所述串电流而产生所述感测电压；以及
栅极控制放大器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成将所述参考电压与所述感测电压相比较并且产生所述栅极控制信号；所述串电流参考电路包括：
所述复制电流控制晶体管；
耦合到所述复制电流控制晶体管的所述复制感测电阻器；以及
复制栅极控制放大器，其耦合到所述复制电流控制晶体管并且被配置成通过将所述参考电压与来自所述复制感测电阻器的复制感测电压相比较来产生复制栅极控制信号；其中，响应于所述复制栅极控制信号，所述复制电流控制晶体管被配置成提供所述参考电流；以及
所述PVT参考电路包括：
被配置成镜像所述参考电流的电流镜，
耦合到所述电流镜的所述PVT电流控制晶体管，以及
耦合到所述PVT电流控制晶体管的所述PVT感测电阻器。
3.根据权利要求2所述的LED驱动电路，其中所述电流控制晶体管是低侧NMOS源极跟随器，源极连接到在所述感测电压的节点处的所述感测电阻器并且连接到所述栅极控制放大器。
4.根据权利要求3所述的LED驱动电路，其中所述复制电流控制晶体管和所述PVT电流控制晶体管是NMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述电源包括升压转换器，并且所述串电压控制电路包括升压控制器。
6.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其中所述LED驱动电路是具有多个LED串的LED背光系统的组件，并且所述LED驱动电路包括每个LED串的LED驱动器通道并且包括每个LED驱动器通道的相应串电流控制电路和PVT净空电路。
7.根据权利要求6所述的LED驱动电路，其中所述LED驱动电路是配置有多个LED驱动器通道/引脚的集成电路，每个所述LED驱动器通道/引脚被配置成连接到相应LED串，并且所述LED驱动电路进一步包括：多个串电流控制电路，每个所述串电流控制电路被配置成针对连接到相应LED驱动器通道/引脚的相应LED串控制相应串电流；以及每个串电流控制电路的PVT净空电路，所述PVT净空电路被配置成产生相应PVT参考电压；
所述串电压控制电路被配置成将串电压控制提供到所述电源以调节所述多个LED串的串电压，包括基于来自相应PVT净空电路的多个PVT参考电压而针对PVT操作条件调整所述净空电压。
8.一种用于LED背光照明的系统，其包括：
多个LED串；
电源，其被配置成将调节后的串电压和串电流供应到每个LED串；
LED驱动器，其对于每个LED串包括：
连接到相应LED串的LED通道/引脚；以及
被配置成基于所述串电流以及感测电阻器产生感测电压，并且基于参考电压与所述感测电压之差控制通过电流控制晶体管的所述串电流，使得所述串电流对应于所述参考电压与所述感测电阻器的电阻的比；
PVT净空电路，其包括：
串电流参考电路，其用于提供参考串电流，所述参考串电流与所述串电流成比例并且通过复制电流控制晶体管以及复制感测电阻器，基于所述参考电压与所述复制感测电阻器产生复制感测电压；以及
PVT参考电路，其被配置成通过作为所述感测电阻器的复制品的PVT感测电阻器和作为所述电流控制晶体管的复制品的PVT电流控制晶体管来镜像所述参考电流，并且产生PVT参考电压，使得所述PVT电流控制晶体管在与能够供应所述串电流的所述串电压相对应的所述PVT参考电压处饱和，负责PVT操作条件；以及
串电压控制电路，其被配置成将串电压控制提供到所述电源以调节所述串电压来供应具有受控净空电压的受控串电流，包括基于所述PVT参考电压而针对过程、电压和温度操作条件即PVT操作条件调整净空电压。
9.根据权利要求8所述的系统，其中
所述串电流控制电路包括：
电流控制晶体管，其被配置成基于其栅极控制信号而控制所述串电流；
感测电阻器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成基于通过所述电流控制晶体管的所述串电流而产生所述感测电压；以及
栅极控制放大器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成将所述参考电压与所述感测电压相比较并且产生所述栅极控制信号；
所述串电流参考电路包括：
所述复制电流控制晶体管；
耦合到所述复制电流控制晶体管的所述复制感测电阻器；以及
复制栅极控制放大器，其耦合到所述复制电流控制晶体管并且被配置成通过将所述参考电压与来自所述复制感测电阻器的复制感测电压相比较来产生复制栅极控制信号；其中，响应于所述复制栅极控制信号，所述复制电流控制晶体管被配置成提供所述参考电流；以及
所述PVT参考电路包括：
被配置成镜像所述参考电流的电流镜，
耦合到所述电流镜的所述PVT电流控制晶体管，以及
耦合到所述PVT电流控制晶体管的所述PVT感测电阻器。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述电流控制晶体管是低侧NMOS源极跟随器，源极连接到在所述感测电压的节点处的所述感测电阻器并且连接到所述栅极控制放大器。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述复制电流控制晶体管和所述PVT电流控制晶体管是NMOS晶体管。
12.根据权利要求8所述的系统，其中所述电源包括升压转换器，并且所述串电压控制电路包括升压控制器。
13.根据权利要求8所述的系统，其中所述LED驱动电路是配置有多个LED驱动器通道/引脚的集成电路，每个所述LED驱动器通道/引脚被配置成连接到相应LED串，并且所述系统进一步包括：多个串电流控制电路，每个所述串电流控制电路被配置成控制针对连接到相应LED驱动器通道/引脚的相应LED串的相应串电流；以及每个串电流控制电路的PVT净空电路，所述PVT净空电路被配置成产生相应PVT参考电压；
所述串电压控制电路被配置成将串电压控制提供到所述电源以调节所述多个LED串的串电压，包括基于来自相应PVT净空电路的多个PVT参考电压而针对PVT操作条件调整所述净空电压。
14.一种用于LED系统的电路，所述电路包括：
串电流控制电路，其被配置成基于通过所述LED系统的LED串的串电流以及感测电阻器产生感测电压，并且基于参考电压与所述感测电压之差控制通过电流控制晶体管的所述串电流，使得所述串电流对应于所述参考电压与所述感测电阻器的电阻的比；
PVT净空电路，其包括：
串电流参考电路，其用于提供参考串电流，所述参考串电流与所述串电流成比例并且通过复制电流控制晶体管以及复制感测电阻器，基于所述参考电压与所述复制感测电阻器产生复制感测电压；以及
PVT参考电路，其被配置成通过作为所述感测电阻器的复制品的PVT感测电阻器和作为所述电流控制晶体管的复制品的PVT电流控制晶体管来镜像所述参考电流，并且产生PVT参考电压，使得所述PVT电流控制晶体管在与能够供应所述串电流的所述串电压相对应的所述PVT参考电压处饱和，负责PVT操作条件。
15.根据权利要求14所述的电路，其中
所述串电流控制电路包括：
电流控制晶体管，其被配置成基于其栅极控制信号而控制所述串电流；
感测电阻器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成基于通过所述电流控制晶体管的所述串电流而产生所述感测电压；以及
栅极控制放大器，其耦合到所述电流控制晶体管并且被配置成将所述参考电压与所述感测电压相比较并且产生所述栅极控制信号；所述串电流参考电路包括：
所述复制电流控制晶体管；
耦合到所述复制电流控制晶体管的所述复制感测电阻器；以及
复制栅极控制放大器，其耦合到所述复制电流控制晶体管并且被配置成通过将所述参考电压与来自所述复制感测电阻器的复制感测电压相比较来产生复制栅极控制信号；其中，响应于所述复制栅极控制信号，所述复制电流控制晶体管被配置成提供所述参考电流；以及
所述PVT参考电路包括：
被配置成镜像所述参考电流的电流镜，
耦合到所述电流镜的所述PVT电流控制晶体管，以及
耦合到所述PVT电流控制晶体管的所述PVT感测电阻器。
16.根据权利要求15所述的电路，其中所述电流控制晶体管是低侧NMOS源极跟随器，源极连接到在所述感测电压的节点处的所述感测电阻器并且连接到所述栅极控制放大器。
17.根据权利要求16所述的电路，其中所述复制电流控制晶体管和所述PVT电流控制晶体管是NMOS晶体管。
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