CN111403869A - 通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法 - Google Patents
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- CN111403869A CN111403869A CN202010342310.7A CN202010342310A CN111403869A CN 111403869 A CN111403869 A CN 111403869A CN 202010342310 A CN202010342310 A CN 202010342310A CN 111403869 A CN111403869 A CN 111403869A
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Abstract
本发明涉及一种通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法,窄带宽的介质波导滤波器包括介质块及包覆于介质块外表面的金属层。介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构。容性耦合孔为金属化盲孔,感性耦合结构为金属化盲孔或金属化盲槽。由于介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构,可以将容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D设计得足够大,使容性耦合孔的容性耦合较大,但由于感性耦合结构的感性耦合能抵消容性耦合孔的一部分容性耦合,容性耦合孔的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D足够大,生产制造容易,提高产品的烧结合格率。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域,特别是涉及一种通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法。
背景技术
滤波器是一种选频器件,是通信设备不可或缺的一部分。随着通信系统的高速发展进入到5G时代,器件的小型化是其通信设备发展的关键,而小型化、高性能、低功耗滤波器又是5G设备小型化的关键,介质波导滤波器同时具有5G设备小型化的所有特点,因此在5G通信设备中具有广泛的应用前景。介质波导滤波器将传统波导滤波器的空气填充形式改进成高介电常数陶瓷材料填充,陶瓷介质材料通过压铸成型,起到传输信号和结构支撑的作用,金属材料附着在瓷介质材料表面,作为电壁,起到电磁屏蔽作用,这种结构能明显的减小滤波器的尺寸和重量。
为达到容性耦合的目的,传统的介质波导滤波器有如下两种结构形式,容性耦合孔为单盲孔形式或双盲孔形式:
请参阅图1至图3,图1示意出了单盲孔形式的介质波导滤波器的俯视图,图2示意出了图1在A-A处的剖视图,图3则示意出了单盲孔形式的介质波导滤波器的仰视图。容性耦合孔为单盲孔11,通过调节单盲孔11的底壁与介质波导滤波器表面的间距H1来控制耦合带宽,间距H1越小,单盲孔11的孔深越深,耦合带宽越窄,由此,要实现窄耦合带宽的介质波导滤波器,由于间距H1会相当小,甚至只能在0.5mm以内,设计生产较为困难,产品烧结的合格率较低。
请再参阅图4至图7,图4示意出了双盲孔形式的介质波导滤波器的俯视图,图5为图4在A-A处的剖视图,图6示意出了双盲孔形式的介质波导滤波器的仰视图,图7为图6在B-B处的剖视图。对于双盲孔形式的介质波导滤波器,在介质波导滤波器的上表面设置有盲孔12与下表面设置有盲孔13。当要调整容性耦合带宽时,通过调节上盲孔12的底壁与下表面的间距W1,调节下盲孔13的底壁与上表面的间距W2,调节上盲孔12与下盲孔13之间介质块的厚度W3,调节上盲孔12的孔壁远离于下盲孔13的一侧与其邻近的介质块的侧壁之间的间距W4,以及调节下盲孔13的孔壁远离于上盲孔12的一侧与其邻近的介质块的侧壁之间的间距W5,在W1~W5均很小时,才能实现窄带宽,设计生产较为困难,产品烧结的合格率较低。
发明内容
基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法,它能够实现窄带宽设计,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
其技术方案如下:一种窄带宽的介质波导滤波器,所述窄带宽的介质波导滤波器包括:介质块及包覆于所述介质块外表面的金属层,所述介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构,所述容性耦合孔为金属化盲孔,所述感性耦合结构为金属化盲孔或金属化盲槽。
上述的窄带宽的介质波导滤波器,由于介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构,则可以将容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D设计得足够大,将使得容性耦合孔的容性耦合较大,但由于感性耦合结构的感性耦合能抵消容性耦合孔的一部分容性耦合,容性耦合孔的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
在其中一个实施例中,所述介质块设有两个介质谐振腔,所述耦合窗口部位为两个所述介质谐振腔之间的部位。
在其中一个实施例中,所述介质块的外表面包括相对设置的第一表面与第二表面;所述容性耦合孔与所述感性耦合结构均位于所述第一表面上;或者,所述容性耦合孔与所述感性耦合结构均位于所述第二表面上;或者,所述感性耦合孔与所述容性耦合结构分别位于所述第一表面上和所述第二表面上。
在其中一个实施例中,所述第一表面上设置有间隔的两个频率调试孔,所述耦合窗口部位设于两个所述频率调试孔之间,所述频率调试孔为金属化盲孔。
在其中一个实施例中,所述感性耦合结构为金属化盲槽,两个所述频率调试孔通过所述金属化盲槽相连通。
在其中一个实施例中,所述感性耦合结构为金属化盲槽,所述容性耦合孔与所述金属化盲槽均位于所述第一表面上,所述容性耦合孔由所述金属化盲槽的底壁朝向所述第二表面延伸。
在其中一个实施例中,所述感性耦合结构为金属化盲槽,所述容性耦合孔与所述金属化盲槽均位于所述第二表面上,所述容性耦合孔由所述金属化盲槽的底壁朝向所述第一表面延伸。
在其中一个实施例中,所述第一表面与所述第二表面之间的间距为S,所述感性耦合结构的深度为H,所述H与所述S满足关系为H≤1/2S。
在其中一个实施例中,所述介质块为陶瓷介质块;所述金属层为镀设、喷涂或粘设于所述介质块上的金属银层、金属铜层、金属铂层或金属金层。
一种通信装置,包括所述的窄带宽的介质波导滤波器。
上述的通信装置,由于介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构,则可以将容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D设计得足够大,将使得容性耦合孔的容性耦合较大,但由于感性耦合结构的感性耦合能抵消容性耦合孔的一部分容性耦合,容性耦合孔的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
一种所述的窄带宽的介质波导滤波器的设计方法,包括如下步骤:当窄带宽的大小不变,需要调整容性耦合孔的底壁部位介质块的厚度D时,调整感性耦合结构的尺寸大小。
上述窄带宽的介质波导滤波器的设计方法,由于感性耦合结构的感性耦合能抵消容性耦合孔的一部分容性耦合,容性耦合孔的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统的单盲孔形式的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图2为图1在A-A处的剖视图;
图3为传统的单盲孔形式的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图4为传统的双盲孔形式的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图5为图4在A-A处的剖视图;
图6为传统的双盲孔形式的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图7为图6在B-B处的剖视图;
图8为本发明第一实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图9为图8在A-A处的剖视图;
图10为本发明第一实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图11为本发明第二实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图12为图11在A-A处的剖视图;
图13为本发明第二实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图14为本发明第三实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图15为图14在A-A处的剖视图;
图16为本发明第三实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图17为本发明第四实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图18为图17在A-A处的剖视图;
图19为本发明第四实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图20为本发明第五实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图21为图20在A-A处的剖视图;
图22为本发明第五实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图23为本发明第六实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的俯视图;
图24为图23在A-A处的剖视图;
图25为本发明第六实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的仰视图;
图26为本发明一实施例所述的窄带宽的介质波导滤波器的S参数图。
20、介质块;21、耦合窗口部位;22、容性耦合孔;23、感性耦合结构;24、介质谐振腔;25、频率调试孔;30、金属层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
参阅图8至图10,图8示出了本发明第一实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的俯视结构示意图,图9示出了图8在A-A处的剖视图,图10示出了本发明第一实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的仰视结构示意图。本发明一实施例提供的一种窄带宽的介质波导滤波器,窄带宽的介质波导滤波器包括介质块20及包覆于介质块20外表面的金属层30。介质块20的耦合窗口部位21设有容性耦合孔22与感性耦合结构23。容性耦合孔22为金属化盲孔,感性耦合结构23为金属化盲孔或金属化盲槽。
需要说明的是,对于容性耦合孔22而言,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D越大时,容性耦合越大,容性耦合带宽越宽;反之,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D越小时,容性耦合越小,容性耦合带宽越窄。此外,当感性耦合结构23例如为金属化盲孔,感性耦合结构23的尺寸通过孔深与孔径来表征,感性耦合结构23的孔深和/或孔径越大,感性耦合越大,反之,感性耦合结构23的孔深和/或孔径越小,感性耦合越小;当感性耦合结构23例如为金属化盲槽,感性耦合结构23的尺寸通过槽长、槽宽及槽深H来表征,感性耦合结构23的槽长、槽宽及槽深H中的任一参数个变大时,感性耦合越大,反之,感性耦合结构23的槽长、槽宽及槽深H中的任一参数个变小时,感性耦合变小。
上述的窄带宽的介质波导滤波器,由于介质块20的耦合窗口部位21设有容性耦合孔22与感性耦合结构23,则可以将容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D设计得足够大,将使得容性耦合孔22的容性耦合较大,但由于感性耦合结构23的感性耦合能抵消容性耦合孔22的一部分容性耦合,容性耦合孔22的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
请再参阅图8至图10,需要说明的是,介质块20设有两个介质谐振腔24,耦合窗口部位21为两个介质谐振腔24之间的部位。
请再参阅图8至图10,在一个实施例中,介质块20的外表面包括相对设置的第一表面与第二表面。第一表面对应于图8示意出的表面,以及图9示意出的上表面;第二表面对应于图10示意出的表面,以及图9示意出的下表面。容性耦合孔22与感性耦合结构23均位于第一表面上。此时,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D指的是容性耦合孔22的底壁与下表面之间的间距。
需要说明的是,容性耦合孔22与感性耦合结构23在第一表面上的具体设置位置不进行限定,容性耦合孔22与感性耦合结构23既可以重叠在一起,也就是容性耦合孔22是由感性耦合结构23的底壁朝向第二表面的方向延伸而成(如图8至图10所示);容性耦合孔22与感性耦合结构23也可以相互独立设置,也就是容性耦合孔22与感性耦合结构23位于第一表面上的两个不同位置(如图11至图13所示)。
请参阅图11至图13,图11示出了本发明第二实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的俯视结构示意图,图12示出了图11在A-A处的剖视图,图13示出了本发明第二实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的仰视结构示意图。图11至图13示意出的窄带宽的介质波导滤波器与图8至图10示意出的窄带宽的介质波导滤波器相比,区别在于,图11至图13示意出的容性耦合孔22与感性耦合结构23位于第一表面上的两个不同位置。此时,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D指的是容性耦合孔22底壁与介质块20下表面之间的间距。
还需要说明的是,容性耦合孔22与感性耦合结构23可以不设置在第一表面上,而是均设置于第二表面上,在此不进行限定。
请参阅图14至图16,以及参阅图17至图19,图14示出了本发明第三实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的俯视结构示意图,图15示出了图14在A-A处的剖视图,图16示出了本发明第三实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的仰视结构示意图。图17示出了本发明第四实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的俯视结构示意图,图18示出了图17在A-A处的剖视图,图19示出了本发明第四实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的仰视结构示意图。在另一个实施例中,容性耦合孔22与感性耦合结构23均位于第二表面上。参阅图15或图18,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D指的是容性耦合孔22底壁与介质块20上表面之间的间距。
请参阅图20至图22,图20至图22示意出了本发明第五实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的结构示意图,图23至图25示意出了本发明第六实施例中的窄带宽的介质波导滤波器的结构示意图。在一个实施例中,感性耦合孔与容性耦合结构分别位于第一表面上和第二表面上。需要说明的是,感性耦合孔与容性耦合结构分别位于第一表面上与第二表面上指的是,当感性耦合孔位于第一表面上时,容性耦合结构位于第二表面上(如图23至图25所示)。当感性耦合孔位于第二表面上时,容性耦合结构位于第一表面上(如图20至图22所示)。
参阅图21或图24,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D指的是容性耦合孔22底壁与感性耦合结构23底壁之间的间距。
在一个实施例中,请再参阅图8至图10,第一表面上设置有间隔的两个频率调试孔25,频率调试孔25为金属化盲孔。具体而言,耦合窗口部位21设于两个频率调试孔25之间。
具体地,频率调试孔25可以是圆孔、方形孔或者异形孔。频率调试孔25可对介质滤波器的频率造成影响,频率调试孔25的尺寸越小(具体例如减小频率调试孔25的孔深h2)则介质波导滤波器的频率越高。因此,通过改变频率调试孔25的尺寸,可对介质波导滤波器实现频率的调节。
需要指出的是,在其他实施例中,当频率符合于设定值时,频率无需进行调节,频率调试孔25并非必须的。
进一步地,频率调试孔25为圆形盲孔或正多边形盲孔。圆形及正多边形盲孔形状规则易于加工,故可使得介质波导滤波器的生产过程更加方便。而且,由于圆形盲孔的尺寸可通过孔径与孔深进行精确的表征,正多变形盲孔的尺寸可通过边长与孔深表示。因此,在利用频率调试孔25实现频率调节时,频率调试孔25的尺寸更容易确定并被加工出来。
请参阅图9或图21,在一个实施例中,感性耦合结构23为金属化盲槽,两个频率调试孔25通过金属化盲槽相连通。需要说明的是,金属化盲槽的形状不进行限定,例如可以是长条形、S形、Z字形等等。金属化盲槽能将两个频率调试孔25相连通是一个可行的方案,当然,金属化盲槽不与两个频率调试孔25相连通也是可行的方案,在此不进行限定。本实施例中,金属化盲槽的形状为长条形,长条形的长边方向与两个频率调试孔25中心连线方向一致。如此介质块20能便于进行生产制造。
请参阅图8至图10,或者,参阅图14至图16,参阅图20至图22,或者图23与图24,具体而言,容性耦合孔22与金属化盲槽位于两个频率调试孔25中心连线的位置,也就是说容性耦合孔22与金属化盲槽设置于耦合窗口部位21的中部部位,具体地说,容性耦合孔22的中心、金属化盲槽的中心均位于两个频率调试孔25中心连线的位置。这样容性耦合孔22与金属化盲槽的壁厚均较厚,结构更加稳定,生产质量较高。此外,产品性能更好。参阅图11至图13,或者,图17至图19,当然,容性耦合孔22与金属化盲槽偏离于两个频率调试孔25中心连线的位置,也是可行的方案,在此不进行限定。
请参阅图9,在一个实施例中,感性耦合结构23为金属化盲槽,容性耦合孔22与金属化盲槽均位于第一表面上,容性耦合孔22由金属化盲槽的底壁朝向第二表面延伸。
请参阅图15,在一个实施例中,感性耦合结构23为金属化盲槽,容性耦合孔22与金属化盲槽均位于第二表面上,容性耦合孔22由金属化盲槽的底壁朝向第一表面延伸。
请再参阅图9,在一个实施例中,第一表面与第二表面之间的间距为S,感性耦合结构23的深度为H,H与S满足关系为H≤1/2S。
需要说明的是,当感性耦合结构23为金属化盲槽时,深度H为金属化盲槽的槽深H;当感性耦合结构23为感性耦合孔时,深度H为感性耦合孔的孔深。
在一个实施例中,介质块20为陶瓷介质块。此外,金属层30为镀设、喷涂或粘设于介质块20上的金属银层、金属铜层、金属铂层或金属金层。
在一个实施例中,一种通信装置,包括上述任一实施例的窄带宽的介质波导滤波器。
上述的通信装置,由于介质块20的耦合窗口部位21设有容性耦合孔22与感性耦合结构23,则可以将容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D设计得足够大,将使得容性耦合孔22的容性耦合较大,但由于感性耦合结构23的感性耦合能抵消容性耦合孔22的一部分容性耦合,容性耦合孔22的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
在一个实施例中,一种上述任一实施例的窄带宽的介质波导滤波器的设计方法,包括如下步骤:当窄带宽的大小不变,需要调整容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D时,调整感性耦合结构23的尺寸大小。
具体而言,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D越大时,容性耦合越大,容性耦合带宽越宽;反之,容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D越小时,容性耦合越小,容性耦合带宽越窄。
此外,当感性耦合结构23例如为金属化盲孔,感性耦合结构23的尺寸通过孔深与孔径来表征,感性耦合结构23的孔深和/或孔径越大,感性耦合越大,反之,感性耦合结构23的孔深和/或孔径越小,感性耦合越小;当感性耦合结构23例如为金属化盲槽,感性耦合结构23的尺寸通过槽长、槽宽及槽深H来表征,感性耦合结构23的槽长、槽宽及槽深H中的任一参数个变大时,感性耦合越大,反之,感性耦合结构23的槽长、槽宽及槽深H中的任一参数个变小时,感性耦合变小。
上述窄带宽的介质波导滤波器的设计方法,由于感性耦合结构23的感性耦合能抵消容性耦合孔22的一部分容性耦合,容性耦合孔22的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合,也就是能实现窄带宽设计。同时,由于容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D足够大,生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率。
进一步地,当需要增大容性耦合孔22的底壁部位介质块20的厚度D时,使感性耦合结构23的槽长、槽宽及槽深H中的任一参数个变大。如此,也就是通过增大感性耦合来抵销增大的容性耦合,使得窄带宽维持于预设范围。
请参阅图26,图26示出了本发明一实施例的窄带宽的介质波导滤波器的S参数图,介质波导滤波器具体例如为八腔二零点介质波导滤波器,容性耦合带宽具体要求为81MHZ。
为满足容性耦合带宽符合于预设要求,介质波导滤波器的设计要求如下:
感性耦合结构23具体为金属化盲槽,当金属化盲槽的槽深H为1mm时,容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D为0.96mm;
当金属化盲槽的槽深H为1.5mm时,容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D为1.23mm;
当金属化盲槽的槽深H为1.8mm时,容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D为1.86mm。
如此,通过增大金属化盲槽的槽深H时,能相应增大容性耦合孔22底壁部位介质块20的厚度D,使得生产制造较为容易,提高产品的烧结合格率,能实现产品量产化。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出当干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述窄带宽的介质波导滤波器包括:介质块及包覆于所述介质块外表面的金属层,所述介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构,所述容性耦合孔为金属化盲孔,所述感性耦合结构为金属化盲孔或金属化盲槽。
2.根据权利要求1所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述介质块设有两个介质谐振腔,所述耦合窗口部位为两个所述介质谐振腔之间的部位。
3.根据权利要求1所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述介质块的外表面包括相对设置的第一表面与第二表面;所述容性耦合孔与所述感性耦合结构均位于所述第一表面上;或者,所述容性耦合孔与所述感性耦合结构均位于所述第二表面上;或者,所述感性耦合孔与所述容性耦合结构分别位于所述第一表面上和所述第二表面上。
4.根据权利要求3所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述第一表面上设置有间隔的两个频率调试孔,所述耦合窗口部位设于两个所述频率调试孔之间,所述频率调试孔为金属化盲孔。
5.根据权利要求4所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述感性耦合结构为金属化盲槽,两个所述频率调试孔通过所述金属化盲槽相连通。
6.根据权利要求3所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述感性耦合结构为金属化盲槽,所述容性耦合孔与所述金属化盲槽均位于所述第一表面上,所述容性耦合孔由所述金属化盲槽的底壁朝向所述第二表面延伸。
7.根据权利要求3所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述感性耦合结构为金属化盲槽,所述容性耦合孔与所述金属化盲槽均位于所述第二表面上,所述容性耦合孔由所述金属化盲槽的底壁朝向所述第一表面延伸。
8.根据权利要求3至7任意一项所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述第一表面与所述第二表面之间的间距为S,所述感性耦合结构的深度为H,所述H与所述S满足关系为H≤1/2S。
9.根据权利要求3至7任意一项所述的窄带宽的介质波导滤波器,其特征在于,所述介质块为陶瓷介质块;所述金属层为镀设、喷涂或粘设于所述介质块上的金属银层、金属铜层、金属铂层或金属金层。
10.一种通信装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任意一项所述的窄带宽的介质波导滤波器。
11.一种如权利要求1~9任意一项所述的窄带宽的介质波导滤波器的设计方法,其特征在于,包括如下步骤:当窄带宽的大小不变,需要调整容性耦合孔的底壁部位介质块的厚度D时,调整感性耦合结构的尺寸大小。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010342310.7A CN111403869A (zh) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法 |
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CN202010342310.7A CN111403869A (zh) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法 |
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CN (1) | CN111403869A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11081774B1 (en) * | 2020-03-25 | 2021-08-03 | Universal Microwave Technology, Inc. | Negative coupling structure applied in a dielectric waveguide filter |
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2020
- 2020-04-27 CN CN202010342310.7A patent/CN111403869A/zh active Pending
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