CN111403450B - 阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺。阵列基板包含像素定义层以及像素发光材料层，像素发光材料层包含B像素发光材料层、G像素发光材料层和R像素发光材料层，B像素发光材料层与G像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠，G像素发光材料层与R像素发光材料层在像素定义层顶部部分交叠。其中，阵列基板还包含空穴阻挡层。空穴阻挡层设于B像素发光材料层与G像素发光材料层的交叠部分之间，还设于G像素发光材料层与R像素发光材料层的交叠部分之间。

Description

阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺

技术领域

本发明涉及显示模组及其制备工艺技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺。

背景技术

现有阵列基板主要包含阳极110、像素定义层120、空穴传输层和空穴注入层130、像素发光材料层140(包含B像素发光材料层141、G像素发光材料层142和R像素发光材料层143)、电子传输层和电子注入层150、阴极160，具体可参阅图1示出的一种阵列基板的结构示意图。现有阵列基板由于设备工艺能力有限，对于B，G，R三色像素发光材料的蒸镀区域不可避免地会存在交叠区域，更容易因设备工艺波动导致蒸镀区域产生偏移，从而使交叠区域进一步扩大。因此现有阵列基板在通电过程中空穴会通过交叠区域扩散至临近像素，导致信号串扰等不良产生。

发明内容

本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够避免空穴在通电过程中经B，G，R三色像素的交叠区域产生扩散的阵列基板。

本发明的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种具有上述阵列基板的显示设备。

本发明的又一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种阵列基板的制备工艺。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板，包含像素定义层以及像素发光材料层，所述像素发光材料层包含B像素发光材料层、G像素发光材料层和R像素发光材料层，所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层在所述像素定义层顶部部分交叠，所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层在所述像素定义层顶部部分交叠。其中，所述阵列基板还包含空穴阻挡层。所述空穴阻挡层设于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间，还设于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间。

根据本发明的其中一个实施方式，所述空穴阻挡层位于所述像素定义层的顶面上方。

根据本发明的其中一个实施方式，所述空穴阻挡层的材质包含TPBI空穴阻挡材料。

根据本发明的其中一个实施方式，位于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间的所述空穴阻挡层分别向所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层延伸，而部分延伸至所述B像素发光材料层的未与所述G像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的上表面，并部分延伸至所述G像素发光材料层的未与所述B像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的下表面。

根据本发明的其中一个实施方式，位于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间的所述空穴阻挡层分别向所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层延伸，而部分延伸至所述G像素发光材料层的未与所述R像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的上表面，并部分延伸至所述R像素发光材料层的未与所述G像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的下表面。

根据本发明的其中一个实施方式，所述阵列基板还包含阳极、空穴传输层和空穴注入层、电子传输层和电子注入层、阴极。所述阳极设于所述像素定义层下面。所述空穴传输层和空穴注入层设于所述像素定义层与所述像素发光材料层之间。所述电子传输层和电子注入层设于所述像素定义层上面。所述阴极设于所述电子传输层和电子注入层上面。

根据本发明的另一个方面，提供一种显示设备。其中，所述显示设备包含本发明提出的并在上述实施方式中所述的阵列基板。

根据本发明的又一个方面，提供一种阵列基板的制备工艺。其中，所述阵列基板的制备工艺包含以下步骤：

制备像素定义层；

在所述像素定义层上设置空穴传输层和空穴注入层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置B像素发光材料层；

在所述B像素发光材料层上设置第一空穴阻挡层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置G像素发光材料层，所述第一空穴阻挡层位于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间；

在所述G像素发光材料层上设置第二空穴阻挡层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置R像素发光材料层，所述第二空穴阻挡层位于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间；

在像素发光材料层上设置电子注入层和电子传输层；以及

在所述电子注入层和电子传输层上设置阴极。

根据本发明的其中一个实施方式，所述第一空穴阻挡层设置在所述B像素发光材料层的位于所述像素定义层顶面的部分，还设置在所述像素定义层的设有所述B像素发光材料层的顶面的未被所述B像素发光材料层覆盖的部分。

根据本发明的其中一个实施方式，所述第二空穴阻挡层设置在所述G像素发光材料层的位于所述像素定义层顶面的部分，还设置在所述像素定义层的设有所述R像素发光材料层的顶面的未被所述R像素发光材料层覆盖的部分。

由上述技术方案可知，本发明提出的阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺的优点和积极效果在于：

本发明提出的阵列基板包含空穴阻挡层。空穴阻挡层设置在B像素发光材料层与G像素发光材料层的交叠部分之间，还设置在G像素发光材料层与R像素发光材料层的交叠部分之间。通过上述设计，本发明提出的阵列基板能够通过空穴阻挡层来减少因R，G，B三色发光材料交叠而产生的信号串扰不良，增强显示产品在低亮度下的色彩表现。

附图说明

通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施方式的详细说明，本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：

图1是一种现有阵列基板的结构示意图；

图2是根据一示例性实施方式示出的一种阵列基板的结构示意图；

图3是图2示出的阵列基板的俯视图；

图4是图2示出的阵列基板的B，G，R三色发光材料的交叠状态示意图；

图5是根据一示例性实施方式示出的一种阵列基板的制备工艺的流程图。

附图标记说明如下：

110.阳极；

120.像素定义层；

130.空穴传输层和空穴注入层；

140.像素发光材料层；

141.B像素发光材料层；

142.G像素发光材料层；

143.R像素发光材料层；

150.电子传输层和电子注入层；

160.阴极；

210.阳极；

220.像素定义层；

230.空穴传输层和空穴注入层；

240.像素发光材料层；

241.B像素发光材料层；

242.G像素发光材料层；

243.R像素发光材料层；

244.B像素蒸镀区；

245.G像素蒸镀区；

246.R像素蒸镀区；

250.电子传输层和电子注入层；

260.阴极；

270.空穴阻挡层；

271.第一空穴阻挡层；

272.第二空穴阻挡层；

273.空穴阻挡层蒸镀区。

具体实施方式

体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本发明。

在对本发明的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本发明的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本发明的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本发明范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本发明的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本发明的范围内。

参阅图2，其代表性地示出了本发明提出的阵列基板的结构示意图。在该示例性实施方式中，本发明提出的阵列基板是以应用于AMOLED显示器件为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，为将本发明的相关设计应用于其他类型的显示器件或其他设备和工艺中，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本发明提出的阵列基板的原理的范围内。

如图2所示，在本实施方式中，本发明提出的阵列基板主要包含像素定义层220以及像素发光材料层240。其中，像素发光材料层240具体包含三色发光材料层，即B像素发光材料层241、G像素发光材料层242和R像素发光材料层243。B像素发光材料层241与G像素发光材料层242在像素定义层220的顶部部分交叠，G像素发光材料层242与R像素发光材料层243在像素定义层220的顶部部分交叠。配合参阅图3至图5，图2中代表性地示出了能够体现本发明原理的；图3中代表性地示出了阵列基板的俯视图；图4中代表性地示出了阵列基板的B，G，R三色发光材料的交叠状态示意图；图5中代表性地示出了阵列基板的制备工艺的流程图。以下结合上述附图，对本发明提出的阵列基板的各主要组成部分的结构、连接方式和功能关系进行详细说明。

如图2所示，在本实施方式中，本发明提出的阵列基板还包含空穴阻挡层270。具体而言，该空穴阻挡层270设置在B像素发光材料层241与G像素发光材料层242的交叠部分之间，并且，该空穴阻挡层270还设置在G像素发光材料层242与R像素发光材料层243的交叠部分之间。为了便于理解和说明，在以下内容的部分描述中，定义空穴阻挡层270的设置在B像素发光材料层241与G像素发光材料层242的交叠部分之间的部分为第一空穴阻挡层271，并定义空穴阻挡层270的设置在G像素发光材料层242与R像素发光材料层243的交叠部分之间的部分为第二空穴阻挡层272。通过上述设计，本发明提出的阵列基板能够通过空穴阻挡层270来减少因R，G，B三色发光材料交叠而产生的信号串扰不良，增强显示产品在低亮度下的色彩表现。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，空穴阻挡层270可以优选地位于像素定义层220的顶面上方。具体而言，当像素定义层220用于定义像素的阵列结构的截面为图2示出的梯形时，像素定义层220具有顶面以及位于顶面两侧的斜面，相应地，设置在像素定义层220上面的B、G、R三色像素发光材料层240(本实施方式中像素定义层220与像素发光材料层240之间还设有空穴传输层和空穴注入层230)也具有顶部平面部分和斜面部分，像素发光材料层240的顶部平面部分即位于像素定义层220的顶面上方，像素发光材料层240的斜面部分即位于像素定义层220的斜面上方。据此，空穴阻挡层270位于像素定义层220的顶面上方的设计，即为空穴阻挡层270设置在两个交叠的像素发光材料层240的顶部平面部分之间，而不仅限于两个像素发光材料层240在竖直方向上交叠的部分之间。

优选地，在本实施方式中，空穴阻挡层270的材质可以优选地包含TPBI空穴阻挡材料。在其他实施方式中，空穴阻挡层270的材质还可以包含其他类型的空穴阻挡材料，并不以本实施方式为限。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，第一空穴阻挡层271可以优选地分别向B像素发光材料层241与G像素发光材料层242延伸，而使第一空穴阻挡层271部分延伸至B像素发光材料层241的未与G像素发光材料层242交叠且位于空穴阻挡层270顶面的部分的上表面，并使第一空穴阻挡层271部分延伸至G像素发光材料层242的未与B像素发光材料层241交叠且位于空穴阻挡层270顶面的部分的下表面。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，第二空穴阻挡层272可以优选地分别向G像素发光材料层242与R像素发光材料层243延伸，而使第二空穴阻挡层272部分延伸至G像素发光材料层242的未与R像素发光材料层243交叠且位于空穴阻挡层270顶面的部分的上表面，并使第二空穴阻挡层272部分延伸至R像素发光材料层243的未与G像素发光材料层242交叠且位于空穴阻挡层270顶面的部分的下表面。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，本发明提出的阵列基板还可以优选地包含阳极210、空穴传输层和空穴注入层230、电子传输层和电子注入层250、阴极260。具体而言，阳极210设置在像素定义层220下面。空穴传输层和空穴注入层230设置在像素定义层220与像素发光材料层240之间。电子传输层和电子注入层250设置在像素定义层220上面。阴极260设置在电子传输层和电子注入层250上面。

在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的阵列基板仅仅是能够采用本发明原理的许多种阵列基板中的几个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的阵列基板的任何细节或阵列基板的任何结构。

基于上述对本发明提出的阵列基板的优选实施方式的具体说明，以下将对本发明提出的显示设备进行说明。

在本实施方式中，本发明提出的显示设备至少包含本发明提出的并在上述实施方式中详细说明的阵列基板。

在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的显示设备仅仅是能够采用本发明原理的许多种显示设备中的一个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的显示设备的任何细节或显示设备的任何结构。

基于上述对本发明提出的阵列基板的优选实施方式的具体说明，以下将对本发明提出的阵列基板的制备工艺的一优选实施方式进行说明。

如图2至图5所示，图2示出的结构能够辅助理解经由该阵列基板的制备工艺制备出的阵列基板的层叠结构；图3示出了在阵列基板的俯视平面上空穴阻挡层蒸镀区273与B、G、R三色像素的相对关系，图4示出了在阵列基板的俯视平面上B像素蒸镀区244、G像素蒸镀区245与R像素蒸镀区246之间的交叠关系。

在本实施方式中，本发明提出的阵列基板的制备工艺主要包含以下步骤：

制备像素定义层220；

在像素定义层220上设置空穴传输层和空穴注入层230；

在空穴传输层和空穴注入层230上设置B像素发光材料层241；

在B像素发光材料层241上设置第一空穴阻挡层271；

在空穴传输层和空穴注入层230上设置G像素发光材料层242，第一空穴阻挡层271位于B像素发光材料层241与G像素发光材料层242的交叠部分之间；

在G像素发光材料层242上设置第二空穴阻挡层272；

在空穴传输层和空穴注入层230上设置R像素发光材料层243，第二空穴阻挡层272位于G像素发光材料层242与R像素发光材料层243的交叠部分之间；

在像素发光材料层240上设置电子注入层和电子传输层；以及

在电子注入层和电子传输层上设置阴极260。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，在设置第一空穴阻挡层271的步骤中，第一空穴阻挡层271是设置在B像素发光材料层241的位于像素定义层220顶面的部分，并且第一空穴阻挡层271还设置在像素定义层220的设有B像素发光材料层241的顶面的未被B像素发光材料层241覆盖的部分。

优选地，如图2所示，在本实施方式中，在设置第二空穴阻挡层272的步骤中，第二空穴阻挡层272是设置在G像素发光材料层242的位于像素定义层220顶面的部分，并且第二空穴阻挡层272还设置在像素定义层220的设有R像素发光材料层243的顶面的未被R像素发光材料层243覆盖的部分。

在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的阵列基板仅仅是能够采用本发明原理的许多种阵列基板中的几个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的阵列基板的任何细节或阵列基板的任何结构。

综上所述，本发明提出的阵列基板包含空穴阻挡层。空穴阻挡层设于B像素发光材料层与G像素发光材料层的交叠部分之间，还设于G像素发光材料层与R像素发光材料层的交叠部分之间。据此，本发明提出的阵列基板能够通过空穴阻挡层来减少因R，G，B三色发光材料交叠而产生的信号串扰不良，增强显示产品在低亮度下的色彩表现。

以上详细地描述和/或图示了本发明提出的阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺的示例性实施方式。但本发明的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式，相反，每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包含”和“具有”用以表示开放式的包含在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。此外，权利要求书及说明书中的术语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。

虽然已根据不同的特定实施例对本发明提出的阵列基板、显示设备及阵列基板的制备工艺进行了描述，但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本发明的实施进行改动。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包含像素定义层以及像素发光材料层，所述像素发光材料层包含B像素发光材料层、G像素发光材料层和R像素发光材料层，所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层在所述像素定义层顶部部分交叠，所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层在所述像素定义层顶部部分交叠；其特征在于，所述阵列基板还包含：

空穴阻挡层，设于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间，还设于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间；

其中，位于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间的所述空穴阻挡层分别向所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层延伸，而部分延伸至所述B像素发光材料层的未与所述G像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的上表面，并部分延伸至所述G像素发光材料层的未与所述B像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的下表面。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述空穴阻挡层位于所述像素定义层的顶面上方。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述空穴阻挡层的材质包含TPBI空穴阻挡材料。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间的所述空穴阻挡层分别向所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层延伸，而部分延伸至所述G像素发光材料层的未与所述R像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的上表面，并部分延伸至所述R像素发光材料层的未与所述G像素发光材料层交叠且位于所述空穴阻挡层顶面的部分的下表面。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含：

阳极，设于所述像素定义层下面；

空穴传输层和空穴注入层，设于所述像素定义层与所述像素发光材料层之间；

电子传输层和电子注入层，设于所述像素定义层上面；以及

阴极，设于所述电子传输层和电子注入层上面。

6.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包含权利要求1～5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备工艺，其特征在于，包含以下步骤：

制备像素定义层；

在所述像素定义层上设置空穴传输层和空穴注入层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置B像素发光材料层；

在所述B像素发光材料层上设置第一空穴阻挡层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置G像素发光材料层，所述第一空穴阻挡层位于所述B像素发光材料层与所述G像素发光材料层的交叠部分之间；

在所述G像素发光材料层上设置第二空穴阻挡层；

在所述空穴传输层和空穴注入层上设置R像素发光材料层，所述第二空穴阻挡层位于所述G像素发光材料层与所述R像素发光材料层的交叠部分之间；

在像素发光材料层上设置电子注入层和电子传输层；以及

在所述电子注入层和电子传输层上设置阴极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，所述第一空穴阻挡层设置在所述B像素发光材料层的位于所述像素定义层顶面的部分，还设置在所述像素定义层的设有所述B像素发光材料层的顶面的未被所述B像素发光材料层覆盖的部分。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，所述第二空穴阻挡层设置在所述G像素发光材料层的位于所述像素定义层顶面的部分，还设置在所述像素定义层的设有所述R像素发光材料层的顶面的未被所述R像素发光材料层覆盖的部分。

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