CN111373543A - 底部发射显示面板及制造方法 - Google Patents

底部发射显示面板及制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111373543A
CN111373543A CN201880075451.8A CN201880075451A CN111373543A CN 111373543 A CN111373543 A CN 111373543A CN 201880075451 A CN201880075451 A CN 201880075451A CN 111373543 A CN111373543 A CN 111373543A
Authority
CN
China
Prior art keywords
absorbing layer
light absorbing
light
major face
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880075451.8A
Other languages
English (en)
Inventor
肖恩·马修·加纳
迈克尔·莱斯利·索伦森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of CN111373543A publication Critical patent/CN111373543A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

一种显示面板包括基板、多个像素发射器、吸光层及互连层。所述基板界定被一定厚度分开的相反的前主要面及后主要面。所述像素发射器由所述基板支撑。从所述像素发射器中的至少一者所发射的光从所述后主要面行进、通过所述厚度且从所述前主要面向外行进。所述吸光层设置在所述后主要面上方。所述互连层设置在所述吸光层上方，且包括电连接到所述像素发射器中的至少一者的电路系统。在所述前主要面处进入显示面板的环境光及/或杂散光的至少一部分被所述吸光层吸收，以减少返回所述前主要面的反射环境光或杂散光。所述吸光层可包含基于溶胶凝胶的材料。

Description

底部发射显示面板及制造方法
相关申请的交叉引用
此申请案根据35U.S.C.§119要求保护于2017年10月20日所提出的美国临时专利申请案号62/575,057的的优先权权益，所述美国临时专利申请案的整体内容于本文中以引用方式依附及并入本文中。
技术领域
本公开整体涉及显示面板及使用此类面板的显示设备。更具体地，其涉及底部发射类型的显示面板、显示设备及制造方法。
背景技术
大多数显示面板的构造一般需要支撑与所采用的特定显示形式(例如发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、微LED显示器、液晶显示器(LCD)等等)相关联的各种层或部件(例如像素发射器)的一个或多个基板。在使用一些显示形式或技术(常称为“底部发射”显示器)的情况下，来自像素发射器的发射光穿过基板的厚度。换句话说，在使用底部发射显示器的情况下，来自像素发射器的光在底面处进入基板、行进通过基板的厚度、且从基板的前面离开(例如，底部发射OLED显示器、底部发射LED显示器、底部发射微LED显示器等等)。在使用底部发射显示器的情况下，常常由透明或近乎透明的材料形成支撑基板，以便促进来自像素发射器的光的传递。
环境光对于底部发射显示器来说可能呈现了潜在的性能问题。具体地，环境光可在前面处进入基板且行进到底面(由于基板的透明或近乎透明的本性)。常常，底部发射显示器技术包括设置在底面上方的反光材料或部件(例如电连接到各种像素发射器的金属电路系统)。在这些情况下，行进到底面且从底面离开的环境光(以及来自像素发射器的所要的光)将反射离开定位在底面上方的反光材料、返回通过基板、及在前面处离开。这可能通过减少对比度及日照可读性而导致了较低的影像品质及不令人满意的显示性能。用于解决此问题的被接受的方法是使用显示器外部上(即基板的前面上方)的偏振滤波器(例如圆形偏振器)来阻挡反射光以免于返回检视者。所谓的偏振滤波器可将环境反射减少到小于10％，但也造成了由像素发射器透射到偏振滤波器的光的约50％的损失。
因此，本文中公开了替代的显示面板、显示设备及用于制造显示面板(例如底部发射类型的显示面板)的方法。
发明内容
本公开的一些实施方式与一种显示面板相关，所述显示面板包括基板、多个像素发射器、吸光层及互连层。所述基板界定被一定厚度分开的相反的前主要面及后主要面。所述像素发射器由基板支撑。在这方面，从像素发射器中的至少一者所发射的光从后主要面行进、通过所述厚度且从前主要面向外行进。所述吸光层设置在后主要面上方。所述互连层被设置在吸光层上方，且包括电连接到多个像素发射器中的至少一者的电路系统。在使用此构造的情况下，在前主要面处进入显示面板的环境光及/或杂散光的至少一部分被吸光层吸收，以减少或限制返回前主要面的反射环境光或杂散光的量。在一些实施方式中，吸光层在互连层与后主要面之间。在一些实施方式中，吸光层包括基于溶胶凝胶的材料。
本公开的又其他的实施方式涉及一种制造显示面板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板的后主要面上方设置吸光层。所述基板更界定与后主要面相反的前主要面、及前主要面与后主要面之间的厚度。多个像素发射器被形成在后主要面上方。在这方面，从像素发射器中的至少一者所发射的光从后主要面行进、通过厚度且从前主要面向外行进。互连层被形成在吸光层上方。互连层包括电路系统。形成互连层的步骤包括以下步骤：将电路系统电连接到多个像素发射器中的至少一者。在一些实施方式中，设置吸光层的步骤包括以下步骤：将溶液形式的基于溶胶凝胶的材料施用到后主要面上，之后固化所施用的基于溶胶凝胶的材料。
本公开的又其他的实施方式涉及包括显示面板及控制器的显示设备。所述显示面板包括基板、多个像素发射器、吸光层及互连层。基板界定被一定厚度分开的相反的前主要面及后主要面。像素发射器由基板支撑。在这方面，从所述像素发射器中的至少一者所发射的光从所述后主要面行进、通过所述厚度且从所述前主要面向外行进。所述吸光层被设置在所述后主要面上方。所述互连层设置在吸光层上方，且包括电连接到多个像素发射器中的至少一者的电路系统。所述控制器被电连接到互连层，且被程式化为通过所述电路系统控制所述多个像素发射器的操作。
将在随后的详细说明中阐述附加的特征及优点，且本领域中的技术人员将通过所述说明容易理解所述特征及优点的一部分，或通过实行如本文中所述的实施方式来认识所述特征及优点，所述实施方式包括了随后的详细说明、权利要求以及附图。
要了解到，上述的大致说明及以下的详细说明两者描述了各种实施方式，且是要用来提供概观或架构以供了解所要求保护的主题的本质及特性的。包括了附图以提供各种实施方式的进一步了解，且将所述附图并入此说明书且构成此说明书的一部分。附图绘示了本文中所述的各种实施方式，且与说明书一起用来解释所要求保护的主题的原理及操作。
附图说明
图1是依据本公开的原理的显示设备的简化平面图；
图2A是依据本公开的原理且可与图1的显示设备一起使用的显示面板的一部分的简化分解侧视图；
图2B是图2A的显示面板的所述部分在最后组装之后的简化侧视图；
图3是图2A的显示面板的所述部分的简化平面图，且绘示使用期间的光线；
图4A是依据本公开的原理且可与图1的显示设备一起使用的另一显示面板的一部分的简化分解侧视图；
图4B是图4A的显示面板的所述部分在最后组装之后的简化侧视图；及
图5至图10是实施例部分中所描述的数据图。
具体实施方式
现将详细参照显示面板、制造显示面板的方法及并入此类显示面板的显示设备的各种实施方式。将尽可能使用相同的参考标号来在绘图的任何部分指称相同或类似的部件。然而，可用许多不同的形式来实现本公开，且本公开不应被视为限于本文中所阐述的实施方式。
图1中示出了依据本公开的原理的显示设备20的一个示例。显示设备20大致包括显示面板22及控制器24。显示面板22大致包括承载或支撑许多像素发射器32的基板30。显示面板22可具有底部发射构造，其中从像素发射器32所发射的光穿过基板30的厚度。控制器24通过被基板30所承载或支撑的互连器(未示出)电连接到像素发射器32，且被程式化为在产生如本领域中所已知的所需显示影像时驱动像素发射器32的操作。显示设备20可以可选地包括如本领域中所已知的一个或多个附加部件，例如外壳、用户界面、电源、电源连接器等等。
图2A及图2B中用简化的形式示出了依据本公开的原理的显示面板22的一个示例的一部分。显示面板22包括如上所述的基板30及像素发射器32(视图中示出了所述像素发射器中的一者)，以及互连层(或背板)34及吸光层36。下文提供了关于各种部件的细节。一般而言，像素发射器32是由基板30所支撑的，且被布置为使得来自像素发射器32的光穿过基板30的厚度。互连层34包括电连接到像素发射器32的电路系统(例如将像素发射器32电连接到控制器24(图1))。吸光层36被布置在基板30与互连层34之间，且具有小于基板30的光透射率的光透射率(至少在可见光波长下是如此)。在使用此构造的情况下，进入基板30的环境光至少部分地被吸光层36吸收，藉此减少或消除了反射离开互连层34(或其部件)及反向反射通过基板30的环境光。
基板30可呈现各种形式，及界定或包括与底部主要面42相反的前主要面40。主要面40、42被基板30的厚度T分开。基板30的其他特征可以依据显示面板22的特定显示技术或形式。例如，在一些实施方式中，基板30可提供表面或支撑物，像素发射器32(例如LED、微LED、OLED等等)被制造、安装或附接到所述表面或支撑物。在其他的实施方式中，基板30可以是显示技术结构的所需子部件(例如，典型的OLED显示器技术结构可包括基板30作为密封或保护层、阴极层、发射层、导电层、阳极层及底部保护层)。在又其他的实施方式中，基板30可以是覆盖板、不论所采用的显示技术(例如LCD显示器)而添加到常规显示面板的前侧的部件等等。
考虑到上述的一般解释，在一些实施方式中，基板30可以是单层、多层或复合结构，其中至少一种材料是玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、聚合物或金属。基板30可以呈现个别的独立式片体或晶片、黏合到载体的柔性基板、或柔性基板卷材的形式。可以合乎需要地将基板30的材料及/或厚度选择为与下文所述的吸光层36的特征或属性相容(及/或反之亦然)，例如与跟吸光层相关联的可选的施用及形成过程相容。并且，可以合乎需要地将基板30的材料及/或厚度选择为与显示面板22的制造物及操作相容(例如充当显示面板22的背板)。如此，基板30可并入依据与显示面板22一同利用的特定显示技术形式的一个或多个特征，例如主要面40、42中的一或两者中的图案、通孔、或通路等等。
仅为了容易说明起见，在图2A及图2B中将像素发射器32绘示为离散的部件。更一般而言，可通过目前已知或未来发展且可选地适用于底部发射类型的显示形式的任何显示技术来产生本公开的像素发射器32。例如，可通过发磷光式、电致发光式、有机或无机发射式、透射式、反射式或任何其他已知的显示技术来提供像素发射器32。作为参考，将了解到，在数字成像中，像素是光栅影像中的实体点、或显示面板中的最小的可定址显示元件；换句话说，像素是呈现于显示面板22上或由所述显示面板所呈现的影像或图片的最小的可控制元件。像素发射器32中的各者的位址与所述像素发射器相对应于基板30的实体坐标对应。在一些非限制性的实施方式中，像素发射器32中的各者包括一个或多个LED或微LED；例如，各个像素发射器32可实际上是用表面安装的灯具，所述灯具包括三个(或更多个)“子像素”，所述子像素中的各者是包括红色、绿色及蓝色元件(例如二极管或色彩转换)的个别的LED或微LED。在使用包括OLED的其他显示技术的情况下，可将像素发射器32中的各者视为由连续的OLED构造层所界定的OLED结构。例如，OLED构造可包括“建造”在基板30上方的钝化层、阳极层、导电或输送层、发射或发光层、及阴极层。在电开始流动时，阴极从电源接收电子，而阳极失去所述电子。添加的电子使得发射层带负电(与接面二极管中的n型层类似)，而导电层变得带正电(与p型材料类似)，以产生或发射光。可通过滤色层、通过施用离散的发射色彩等等来产生不同色彩的子像素。
互连层34可呈现与用来形成像素发射器32的特定显示技术相容的各种形式。更一般而言，互连层34包括电线路(例如电路系统布线)及电结构(例如驱动像素发射器32的晶体管(例如由控制器24(图1)所支配))。在一些实施方式中，互连层34是或并入本领域中已知的类型的薄膜晶体管(TFT)。作为参考，TFT被用来通过向半导体的通道区域施加电压来控制流过薄膜半导体的电流。本公开的互连层也可利用其他的电线路及/或结构。不论精确的形式，互连层34可包括一个或多个部件，所述一个或多个部件本质上反射光(例如金属电路系统布线)及/或由于折射率上的差异而造成反射或散射。
吸光层36可呈现适用于吸收至少可见光谱中的光的各种形式。本公开的吸光层36对于350-850nm或400-800nm的范围中的波长、或可见光谱中的波长等等而言可具有小于玻璃基板的光透射率的光透射率。例如，吸光层36可具有在350-850nm或400-800nm波长范围内的离散区域处或延伸到整个350-850nm或400-800nm波长范围的光透射率，其中所述光透射率不大于80％、或不大于50％、或不大于10％、或不大于5％、且在一些实施方式中不大于1％。在吸光层36被配置为形成或提供透射率减少的离散区域的可选实施方式的情况下，所述离散区域可具有不小于10mm、或不小于50nm、或不小于100nm、且在一些实施方式中不小于200nm的光谱宽度。在一些实施方式中，吸光层36被配制为与互连层34的材料及/或制造物相容。例如，吸光层36的成分可以是实质不含碱的(即不多于1％的碱)或可以是含碱的，以便例如分别与一些TFT制造或离子交换过程相容。
在一些实施方式中，吸光层36是或包括溶胶凝胶，例如被处理为控制吸光频谱的基于溶胶凝胶的材料或合成物。在一些实施方式中，本公开的溶胶凝胶形成物能够被图案化、印刷或压印到基板30的底部主要面42上。此配方可包括(但不限于)三乙氧基硅烷、三氯硅烷、三乙酰氧基硅烷、三氟硅烷、三甲氧基硅烷、三(三甲基硅氧烷基)硅烷、三丙氧基硅烷、及三(甲氧基乙氧基)硅烷、正硅酸乙酯(TEOS)、钛酸酯、及水(为了水解硅烷)的混合物。硅烷可进一步带有以下官能基：有机部分，使得所述部分可以是对交联反应起反应的；用于表面能量改质的烷基链或氟化物种；用于金属黏着的例如–SH或–CN的反应物种。在一些实施方式中，可将上述的基于溶胶凝胶的材料提供或配制成溶液形式，且施用到底部主要面42作为如下文所述的溶液涂料。在一些实施方式中，可随后处理(例如固化)如此施用的涂料(或吸光层前体)以造成最终的吸光层36。本公开的基于溶胶凝胶的材料配方可选地有助于用于形成吸光层36的各种基于溶液的处理技术，例如(但不限于)印刷、模制及涂覆方法。在其他的实施方式中，可将在形成吸光层36时有用的基于溶胶凝胶的材料提供为施用到底部主要面42上的膜或卷材。
在一些实施方式中，吸光层36在最初施用到底部主要面42时对于可见光可以是相对透明或甚至高度透明的。在使用上文所提供的基于溶胶凝胶的材料配方中的一些以及其他配方的情况下，基于溶胶凝胶的材料被配制成通过在将基于溶胶凝胶的材料施用(例如涂覆)到基板30上之后执行的各种过程经历光透射率性质上的改变。例如，在一些实施方式中，在施用到基板30之后，可在高温下(例如在真空炉中)烘烤基板30/基于溶胶凝胶的材料涂料。通过可选地在真空(即限氧环境)中完成此烘烤步骤，基于溶胶凝胶的材料涂料中的碳被不完全地燃烧且在原位形成炭黑。在其他的实施方式中，基于溶胶凝胶的材料配方可包括附加的成分(例如颜料、染料、粒子)，所述附加成分被选择为控制生成的吸光层36的吸光、散射及折射率性质中的一者或多者。在又其他的实施方式中，可使用基于溶胶凝胶的材料配方中的吸光成分及在涂覆之后变更基于溶胶凝胶的材料的吸光性质的步骤的组合，来控制生成的吸光层36的吸收光谱。例如，由本公开的基于溶胶凝胶的材料配方中的一些所提供的吸光层36的吸收性质可以跨可见波长范围是扁平的，且在其他的实施方式中在精确光谱并不重要的时候可更简单地是低于一个特定值。
除了上述的吸光性质及其他特征以外，在一些实施方式中，本公开的基于溶胶凝胶的材料(例如但不限于上述的彼等基于溶胶凝胶的材料)被配制为在施用(例如将溶液涂覆到底部主要面42上)之后固化或硬化，例如通过辐射(例如UV、可见光、IR等等)或热来固化。如下文所更详细描述的，在一些可选的实施方式中，可将本公开的基于溶胶凝胶的材料配制为在两个或更多个阶段中经历完整的固化，其中至少一个阶段与跟显示面板22相关联的其他制造步骤(例如TFT形成)相容。在又其他的实施方式中，可将本公开的基于溶胶凝胶的材料(例如但不限于上述的彼等基于溶胶凝胶的材料)配制为能够在固化期间不展现微裂隙的情况下在微米数量级或更小的厚度(例如不大于1μm、或不大于5μm、或不大于10μm)下受处理。在一些实施方式中，吸光层36可具有区域，所述区域的整体厚度不大于1μm、或不大于5μm、或不大于10μm、或不大于20μm、且在一些实施方式中不大于50μm。这些区域在一些实施方式中可以是单种材料或单个层；在其他的实施方式中，吸光层36或其区域可包括两种或更多种材料或两个或更多个层。
除了上述的吸光性质及其他特征以外，在一些实施方式中，本公开的基于溶胶凝胶的材料(例如但不限于上述的彼等基于溶胶凝胶的材料)基于下文阐述的理由而被配制为在施用之后或期间是可图案化的。在这方面，在一些实施方式中，可将本公开的基于溶胶凝胶的材料配制为通过减除式蚀刻过程、更具添加性的印刷/模制过程等等来图案化。可采用相同或不同的步骤来在一些实施方式中在吸光层36中可选地产生表面井坑或表面糙化。
除了上述的吸光性质及其他特征以外，在一些实施方式中，可将本公开的基于溶胶凝胶的材料的配方进一步设计为用于特定的最终用途应用。可将溶胶凝胶设计专注于控制例如为以下性质的性质：静摩擦力、光散射(增加或减少)、黏度、及与基于溶液的处理、固化速度及方法的相容性、特定波长下的吸光性(增加或减少)、折射率、模数、硬度、电介质性质、电子设备相容性等等。
依据本公开的原理来制作或制造显示面板22的一些方法包括或造成由基板30所支撑的像素发射器32。在一些实施方式中，本公开的方法包括以下步骤：在将像素发射器32与基板30联合之前，在基板30的底部主要面42上方至少部分地形成吸光层36。例如，在一些非限制性的实施方式中，本公开的方法包括将基于溶胶凝胶的材料基于溶液地施用到底部主要面42上，以在底部主要面42上形成吸光层前体。可以可选地在前体上执行后续的处理(例如如上所述的烘烤)，以例如将所需的光透射率性质产生到生成的吸光层36中。可在如下文所述的吸光层前体或最终的吸光层36上执行可选的图案化过程(于下文描述)，例如用以促进像素发射器32的组装、来自像素发射器32的光的传递等等。无论如何，接着将像素发射器32形成在底部主要面42上方或形成到所述底部主要面中，例如形成到吸光层36(或吸光层前体)与底部主要面42相反的表面上或中。例如，可安置及组装LED或微LED(例如焊接在适当的位置)；施用OLED构造层等等。接着用与所应用的特定显示技术相称的方式将互连层34设置或用其他方式形成在吸光层36(或吸光层前体)上方。不论精确的构造或成分，互连层34与底部主要面42相反地被设置在吸光层36上或上方。换句话说，在使用本公开的一些方法的情况下，吸光层36是设置在底部主要面42与互连层34之间的。在使用是通过将基于溶胶凝胶的材料溶液施用(例如涂覆)到底部主要面42上且之后进行固化来形成吸光层36的一些方法的情况下，可在两个或更多个步骤中执行基于溶胶凝胶的材料的固化。例如，在至少一个预固化循环的稍后的时间接着的是最终的固化步骤。若采用热固化，则在一些实施方式中，第一部分固化步骤是在减少的温度(例如不大于200℃)下执行的，其中后续的固化步骤与高温(例如不小于300℃)下的其他面板制造过程相容。例如，本公开的基于溶胶凝胶的材料配方中的一些在一些非限制性的实施方式中被安排为与超过300℃的温度下的后续的微LED焊接、TFT阵列或电子互连过程相容。用于形成吸光层36的其他技术或过程也是可接受的，例如膜层合。
在本公开的替代过程变体中，互连层34在像素发射器32之前被形成于吸光层36上。在本公开的其他可选过程中，所有互连层34或所述互连层的整体被形成于吸光层36上。或者，互连层34的一些部分可以存在于吸光层36上方，而其他部分存在于吸光层36下方(例如互连层34的一部分是在吸光层与基板底部主要面42之间)。在使用这些可选构造的情况下，可在初始的膜形成期间、在互连层34及/或像素发射器32的制造/组装期间、或在已完成了完整的显示面板制造之后产生吸光层36的最终光学性质。延迟吸光层36的最终的光学性质可允许一些显示面板制造步骤在一些实施方式中利用吸光层36的最初较高的光学透明本性。为了允许将互连层34的至少一些部分制造在吸光层36上方(即吸光层36与基板30相反的面上方)，吸光层36是与跟互连层34相关联的热、真空、化学及其他处理条件相容的。例如，在一些实施方式中，吸光层36被配制为与不小于300℃、或不小于400℃、或不小于500℃、且在一些实施方式中不小于600℃的热处理条件相容(例如经历不大于10％的重量损失)。
可进一步执行其他的常规显示面板制造步骤或过程，例如包括供给或组装视图未直接包含的一个或多个附加部件。然而，在本公开内容的一些实施方式中，并不将偏振滤波器组装或形成到前主要面40上。也就是说，显示面板22被安排作为底部发射类型的显示面板，但并不需要供给偏振滤波器来解决由环境光所引起的性能考量。然而，在其他的实施方式中，可采用偏振滤波器或其他的光学元件(例如设置在前主要面40上方)，但吸光层36相较于常规的底部发射类型的显示面板而言允许使用较低性能的偏振滤波器。
在使用本公开的一些可选方法的情况下，在安置像素发射器32(例如安置及“焊接”微LED)之后，包封或平面化互连层(或其他电子层)可以是有益的。在使用本公开的一些基于溶胶凝胶的材料(例如但不限于上述的彼等基于溶胶凝胶的材料)的情况下，为了限制对于环境的暴露的目的，可将附加的基于溶胶凝胶的材料层(即除了吸光层36以外的基于溶胶凝胶的材料层)形成及充当电子元件上方的连续的屏障层或图案化的屏障。在相关的实施方式中，附加的基于溶胶凝胶的材料层可提供可在上面制造附加的像素发射器的第二表面。在又其他的实施方式中，附加的基于溶胶凝胶的材料层可具有与用来形成吸光层36的基于溶胶凝胶的材料相同的配方，以可能改良变黑的吸光层36与附加的包覆层之间的相容性。即使吸光层36及附加的包覆层具有类似的配方，由于它们各别的处理经历，它们也可能具有不同的生成的光学、机械及/或热性质。在相关的实施方式中，可利用附加的基于溶胶凝胶的材料层来进一步控制杂散光。
在最后组装之后且如图3中所示，像素发射器32就被操作(例如通过从控制器24(图1)递送通过互连层34的电路的讯号)为发射光(图3中的箭头E)。如上所述，像素发射器32相对于基板30而布置，使得来自像素发射器32的光穿过底部主要面42、通过厚度T、且接着通过基板30的前主要面40离开显示面板22。在一些实施方式中，像素发射器32相对于吸光层36而布置，使得从像素发射器32中的一者(或更多者)所发射的光穿过吸光层36(或其部分)且接着行进到底部主要面42；在一些实施方式中，像素发射器32中的一者或多者被布置为使得从所述一个或多个像素发射器所发射的光并不穿过吸光层36的材料，如下文更详细描述的。环境光或杂散光(图3中的箭头A)可在前主要面40处进入基板、行进或传播通过厚度T、及在底部主要面42处离开。虽然互连层34包括反光部件或材料，但离开底部主要面42的一些或可选地所有的环境光A被吸光层36吸收且不到达互连层34。传播到互连层34且从其反射的任何环境光A再次与吸光层36交接；某些或所有的此反射光被反光层36吸收。实际上，那时，环境光A在返回基板30之前二次穿过吸光层36(且最终通过前主要面40朝向检视者离开)。因此，离开前主要面40的反射的环境光(图3中的箭头R)(若有的话)具有延长的路径长度，且反射的环境光R的强度被吸光层36显著地减少。在一些替代性的实施方式中，可提供散射元件以进一步增加光径长度及/或进一步减少反射的环境光R的强度。散射元件可以是技术人员所已知的类型，且可以是在吸光层36(及光径的一部分)上方、下方或内。
如由图3所大致隐含的，可将显示面板22建造为使得来自像素发射器32的光单次穿过吸光层36。在其他的实施方式中，可依据所需的像素发射器布局来配置(例如图案化)吸光层36。例如，图4A及图4B绘示依据本公开内容的原理的另一示例显示面板22'。显示面板22'包括如上所述的基板30、像素发射器32(示出了所述像素发射器中的一者)及互连层34，以及吸光层36'。吸光层36'可大致具有上述构造中的任一者(例如基于溶胶凝胶的材料配方)。进一步地，吸光层36'形成或界定大致包括一个或多个窗口50的图案。窗口50可以是通过吸光层36'的整个厚度的孔、吸光层36'的厚度上的减少、已被遮蔽以防止被SiO或金属沉积物氧化的材料等等。一般而言，窗口50是吸光层36'中的一些位置，所述位置至少在从像素发射器32中的对应的一个像素发射器所发射的波长下相较于其他区域而言具有或展现增加的光透射率。
可用各种方式将图案形成于吸光层36'中。例如，若吸光层36'最初是用膜或卷材状的形式提供的，则可在施用在底部主要面42上方之前在膜或卷材中界定图案。在其他的实施方式中，可在最初将吸光层36'(或吸光层前体)形成在底部主要面42上方之后产生图案。可在一些实施方式中在减除式或添加式蚀刻过程期间形成图案。或者，可通过印刷或基于溶液的图案化过程来产生吸光层36'，例如丝网印刷、凹板印刷、微复制等等。或者，可将吸光层36'建造为具有或作为多层堆迭。例如，可以存在着具有一种透射光谱、散射或折射率的第一连续子层及具有不同的透射光谱、散射或折射率的第二图案化子层。可通过不同的过程及/或用不同的材料来形成这些的多个层(或子层)。无论如何，作为像素发射器32组装过程的一部分，像素发射器32是与窗口50对准的。在相关的实施方式中，图案化的吸光层36'可协助将像素发射器32对准在所需的位置处或对准成所需的图案。在最后组装(如图4B中)之后，来自像素发射器32的光就更直接地行进或传播到基板30的底部主要面42。
回到图1，控制器24可呈现本领域中所已知的及适用于驱动像素发射器32的各种形式。例如，控制器24可具有或包括计算机类型的处理器、数据接收器及一个或多个显示器驱动IC(扫描驱动IC、数据驱动IC)。可将数据接收器配置为无线地或有线地接收数据。也可包括其他的部件，例如存储器。
通过以下的非限制性实施例进一步说明了本公开特征的实施方式及优点，但不应将这些实施例中所记载的所述实施方式及优点的特定的材料、量、尺度、条件及其他细节视为过度地限制了本公开的范围。
实施例
依据本公开的原理的第一基于溶胶凝胶的材料是如以下的表1(“示例溶胶凝胶溶液1”)中所提供地配制的。依据本公开的原理的第二基于溶胶凝胶的材料是如以下的表2(“示例溶胶凝胶溶液2”)中所提供地配制的；“巯基溶胶凝胶”部分及“乙烯基溶胶凝胶”部分是单独备制的且在浇注(cast)之前混合。
材料 体积(ml)
羟基(聚二甲硅氧烷) 2
甲基三乙氧基硅烷 20
二苯基硅二醇 9(克)
TEOS 2
水 3
四(三甲基硅氧烷基)钛 2
表1
Figure BDA0002502002080000121
Figure BDA0002502002080000131
表2
光透射率
为了估算示例溶胶凝胶溶液1在各种条件下的光透射率性质，通过将示例溶胶凝胶溶液1在0.5mm厚的玻璃基板上溶液涂覆(旋转涂覆)到250nm的厚度来备制第一测试试样(“实施例A”)。实施例A的测试试样被安置在150℃热板上15分钟以除去任何残余溶剂(“干化循环”)，接着被安置在250℃下的烘炉中一小时(“固化循环”)。在固化循环之后，获得实施例A的测试试样的光透射率性质且将所述光透射率性质标志为实施例A的溶胶凝胶层的光透射率。如上文所述地备制与实施例A相同的第二测试试样(“实施例B”)。在固化循环之后，从烘炉去除实施例B的测试试样及允许所述测试试样冷却到环境温度或室温，且接着将所述测试试样安置在真空炉中。接着用80℃/小时的速率将真空炉从环境温度加热到650℃，之后紧接着缓慢地冷却回到室温(“后烘烤循环”)。在后烘烤循环之后，获得实施例B的测试试样的光透射率性质，且将所述光透射率性质标志为实施例B的溶胶凝胶层的光透射率。通过将示例溶胶凝胶溶液1在0.5mm厚的玻璃基板(与实施例A及B的玻璃基板相同)上溶液涂覆(旋转涂覆)到500nm的厚度来备制第三测试试样(“实施例C”)。实施例C的测试试样接着经受如上所述的干化循环、固化循环及后烘烤循环。在后烘烤循环之后，获得实施例C的测试试样的光透射率性质，且将所述光透射率性质标志为实施例C的溶胶凝胶的光透射率。通过将示例溶胶凝胶溶液1在0.5mm厚的玻璃基板(与实施例A-C的玻璃基板相同)上溶液涂覆(旋转涂覆)到1000nm的厚度来备制第四测试试样(“实施例D”)。实施例D的测试试样接着经受如上所述的干化循环、固化循环及后烘烤循环。在后烘烤循环之后，获得实施例D的测试试样的光透射率性质，且将所述光透射率性质标志为实施例D的溶胶凝胶层的光透射率。最后，决定与跟实施例A-D中的各者一同使用的玻璃基板相同的玻璃基板的光透射率。图5是报告玻璃基板(绘图线100)、实施例A(绘图线102)、实施例B(绘图线104)、实施例C(绘图线106)及实施例D(绘图线108)的获得的玻璃基板的光透射率数据的图表。图6是针对实施例A(绘图线110)、实施例B(绘图线112)、实施例C(绘图线114)及实施例D(绘图线116)将涂有溶液的基板试样与未涂覆的玻璃基板进行比较的透射百分率改变的图表。
从上文，发现示例溶胶凝胶溶液1在后烘烤循环之后展现了实质的吸光性质，且非常适合用作本公开的吸光层的一个非限制性示例。
固化循环
为了估算在固化示例溶胶凝胶溶液1时的上述固化循环的效果，将示例溶胶凝胶溶液1的试样安置在热重量分析仪中(“TGA”)(可从德国新堡(New Castle)的TA仪器公司取得的Q500热重量分析仪)。TGA被操作为用20℃/分钟的速率将空气中的试样加热到230℃；接着将温度保持在230℃持续100分钟。图7中报告了由TGA所执行的热分析的结果。从图7的图表，发现示例溶胶凝胶溶液1试样在匀变(ramp)到230℃的期间损失了其5.8％的重量、在达到230℃之后的前10分钟中损失了其附加4％的重量、在60分钟中损失了其总共12.7％的重量、且在一小时界限以外的测试循环的40分钟中仅损失了其0.3％的重量。从这些结果所确定的是，上述的固化循环(即用250℃在烘炉中加热一小时)是适于固化示例溶胶凝胶溶液1的。
在后烘烤循环期间的溶胶凝胶稳定性
为了估算示例溶胶凝胶溶液1在经受上述的后烘烤循环时的稳定性，依据上述的干化循环(即在250℃的烘炉中加热一小时)来备制及固化示例溶胶凝胶溶液1的试样，以提供完全凝缩的溶胶凝胶膜试样。溶胶凝胶膜试样被安置在差示扫描量热仪(“DSC”)(可从德国新堡的TA仪器公司取得的DSC 250差示扫描量热仪)中。DSC被操作为将溶胶凝胶膜试样在氮气中加热到400℃。图8中报告了由DSC所执行的热分析的结果。从图8的图表所确定的是，溶胶凝胶膜试样在400℃期间是稳定的。从此推测，溶胶凝胶膜试样在上述的后烘烤循环(即在真空炉中用80℃/小时的速率从环境温度加热到650℃)期间也会是稳定的，因为此步骤仅进一步凝缩溶胶凝胶。进一步推测，溶胶凝胶膜试样会与需要400℃的数量级或更高的热温度的各种互连层形成过程(例如用于形成如上所述的图2的互连层34的过程)相容，因为溶胶凝胶膜试样在互连层形成过程期间仅会进一步凝缩且会除去释气的机会。
显示面板制造过程相容性
为了进一步估算基于本公开的一些实施方式的溶胶凝胶的材料与需要高温的其他示例性显示面板制造过程的相容性，从示例溶胶凝胶溶液1备制变黑的溶胶凝胶膜(“实施例E”)。具体地，依据上述的固化循环(即在250℃的烘炉中加热一小时)来备制及固化示例溶胶凝胶溶液1，以提供完全凝缩的溶胶凝胶膜试样，且接着使所述示例溶胶凝胶溶液经受如上所述的后烘烤循环(即在真空炉中用80℃/小时的速率从环境温度加热到650℃)以提供变黑的溶胶凝胶膜试样示例E。变黑的溶胶凝胶膜示例E的第一试样(“试样E1”)被安置在TGA中，且TGA被操作为将试样E1在空气中用10℃/分钟的速率从室温加热到600℃。变黑的溶胶凝胶膜示例E的第二试样(“试样E2”)被安置在TGA中，且TGA被操作为将试样E2在氮气中用10℃/分钟的速率从室温加热到600℃。变黑的溶胶凝胶膜示例E的第三试样(“试样E3”)被安置在DSC中，且DSC被操作为将试样E3在氮气中用10℃/分钟的速率从室温加热到550℃。图9中报告了由TGA及DSC所执行的热分析的结果，包括绘图线120处的试样E1(空气中的TGA)、绘图线122处的试样E2(氮气中的TGA)及绘图线124处的试样E3(DSC)。
从以上结果注意到，100℃处的DSC尖峰(绘图线124)是由水的蒸发引起的，但原本数据迹线是不起眼的。空气中的TGA分析(绘图线120)显示了由于水被吸收所引起的约1.3％的重量损失，且显示了在400℃期间的仅0.6％的重量损失。发现在空气中的分解在约550℃开始。氮气中的TGA分析(绘图线122)显示了在100℃之前的约2.8％的重量损失，及显示了在接下来600℃内的1.2％的重量损失。图9的结果证明了变黑的溶胶凝胶膜实施例E与许多显示面板制造过程的热参数的相容性。
为了进一步估算基于本公开内容的一些实施方式的溶胶凝胶的材料与需要高温的其他示例性显示面板制造过程的相容性，从示例溶胶凝胶溶液2备制变黑的溶胶凝胶膜(“实施例F”)。具体地，备制及UV固化示例溶胶凝胶溶液2的1mm厚的试样；接着将生成的试样依据上述的固化循环(即在250℃的烘炉中加热一小时)来固化，以提供完全凝缩的溶胶凝胶膜试样，且接着使所述生成的试样经受如上所述的后烘烤循环(即在真空炉中用80℃/小时的速率从环境温度加热到650℃)以提供变黑的溶胶凝胶膜试样实施例F。变黑的溶胶凝胶膜实施例F的第一试样(“试样F1”)被安置在TGA中，且TGA被操作为将试样F1在空气中用10℃/分钟的速率从室温加热到600℃。变黑的溶胶凝胶膜实施例F的第二试样(“试样F2”)被安置在TGA中，且TGA被操作为将试样F2在氮气中用10℃/分钟的速率从室温加热到600℃。变黑的溶胶凝胶膜实施例F的第三试样(“试样F3”)被安置在DSC中，且DSC被操作为将试样F3在氮气中用10℃/分钟的速率从室温加热到550℃。图10中报告了由TGA及DSC所执行的热分析的结果，包括绘图线120处的试样F1(空气中的TGA)、绘图线122处的试样F2(氮气中的TGA)及绘图线124处的试样F3(DSC)。
从上述结果，试样F1(空气中的TGA)显示了在400℃下的约6％的重量损失；试样F2(氮气中的TGA)显示了在400℃下的约5％的重量损失。进一步注意到的是，重量损失主要是由于材料在凝缩及烘烤阶段期间被捕捉在溶胶凝胶内而引起的，所述材料在为了测量而压碎试样时被释放(据了解，此压碎“步骤”不会发生在显示面板制造期间)。因为400℃对于大部分的微LED应用来说是焊料回流温度，变黑的溶胶凝胶膜实施例F在此温度下的稳定性证明了本公开的吸光层中的至少一些与微LED显示面板制造的相容性。试样F3(DSC)在从40℃加热到550℃时并未显示显著的热转化，而进一步证明了变黑的溶胶凝胶膜实施例F与许多显示面板制造过程的热参数的相容性。
要了解到，本文中所公开的具体实施方式要是示例性的且因此是非限制性的。如此，本公开与显示面板、显示设备、及在支撑基板与互连层或其他电子设备之间并入吸光层的显示面板的制造方法相关。在一些实施方式中，所述吸光层包括或包含基于溶胶凝胶的材料。
可在不脱离所要求保护的主题的范围的情况下对本文中所述的实施方式作出各种更改及变化。因此，旨在为本说明书涵盖本文中所述的各种实施方式的变体及变化，前提条件是此类变体及变化落于随附权利要求及它们等效物的范围内。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
基板，所述基板界定被某一厚度分开的相反的前主要面及后主要面；
多个像素发射器，该多个像素发射器由所述基板所支撑，其中从所述多个像素发射器中的至少一者所发射的光从所述后主要面行进、通过所述厚度且从所述前主要面向外行进；
吸光层，所述吸光层设置在所述后主要面上方；及
互连层，所述互连层设置在所述吸光层上方，其中所述互连层包括电连接到所述多个像素发射器中的至少一者的电路系统。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述吸光层在所述互连层与所述后主要面之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中在350-850nm的范围中的波长下，所述吸光层的光透射率小于所述基板的光透射率。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述显示面板被配置为使得在所述前主要面处进入所述显示面板、行进到所述后主要面且在所述后主要面处离开所述基板的可见光的至少一部分被所述吸光层吸收。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述吸光层包括溶胶凝胶。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中所述溶胶凝胶包括三乙氧基硅烷、三氯硅烷、三乙酰氧基硅烷、三氟硅烷、三甲氧基硅烷、三(三甲基硅氧烷基)硅烷、三丙氧基硅烷及三(甲氧基乙氧基)硅烷中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中由所述多个像素发射器中的至少一者所发射的光行进通过所述吸光层。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述吸光层形成窗口，且进一步地其中所述多个像素发射器中的一个像素发射器与所述窗口对准。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述多个像素发射器中的至少一个像素发射器包括OLED。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述多个像素发射器中的至少一个像素发射器包括微LED。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述基板包括玻璃。
12.一种形成显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
将吸光层设置在基板的后主要面上方，其中所述基板界定与所述后主要面相反的前主要面、及所述前主要面与所述后主要面之间的厚度；
在所述后主要面上方形成多个像素发射器，其中从所述像素发射器中的至少一者所发射的光从所述后主要面行进、通过所述厚度且从所述前主要面向外行进；及
在所述吸光层上方形成互连层，其中所述互连层包括电路系统，且进一步地其中形成互连层的所述步骤包括以下步骤：将所述电路系统电连接到所述多个像素发射器中的至少一者。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在形成互连层的所述步骤之后，所述吸光层在所述互连层与所述后主要面之间。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述吸光层包含溶胶凝胶。
15.根据权利要求12所述的方法，其中设置吸光层的所述步骤包括以下步骤：将吸光层前体涂覆到所述后主要面上。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述设置步骤更包括以下步骤：固化所述吸光层前体以产生所述吸光层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中在350-850nm的范围中的波长下，所述吸光层的光透射率小于所述吸光层前体的光透射率。
18.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
在所述吸光层中形成图案，所述图案包括窗口；
其中形成多个像素发射器的所述步骤包括以下步骤：将所述多个像素发射器与所述吸光层中的所述图案对准。
19.根据权利要求18所述的方法，其中形成多个像素发射器的所述步骤包括以下步骤：形成选自由以下项所组成的组的像素发射器：OLED及微LED。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，所述显示面板包括：
基板，所述基板界定被厚度分开的相反的前主要面及后主要面；
多个像素发射器，所述多个像素发射器由所述基板所支撑，其中从所述像素发射器中的至少一者所发射的光从所述后主要面行进、通过所述厚度且从所述前主要面向外行进；
吸光层，设置在所述后主要面上方；
互连层，所述互连层设置在所述吸光层上方，其中所述互连层包括电连接到所述多个像素发射器中的至少一者的电路系统；及
控制器，所述控制器电连接到所述互连层，所述控制器被程式化为通过所述电路系统控制所述多个像素发射器的操作。
CN201880075451.8A 2017-10-20 2018-10-18 底部发射显示面板及制造方法 Pending CN111373543A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762575057P 2017-10-20 2017-10-20
US62/575,057 2017-10-20
PCT/US2018/056427 WO2019079539A1 (en) 2017-10-20 2018-10-18 BACKGROUND EMISSION DISPLAY PANELS AND METHODS OF MANUFACTURING

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111373543A true CN111373543A (zh) 2020-07-03

Family

ID=66173898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880075451.8A Pending CN111373543A (zh) 2017-10-20 2018-10-18 底部发射显示面板及制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2021501355A (zh)
KR (1) KR20200060518A (zh)
CN (1) CN111373543A (zh)
TW (1) TW201931586A (zh)
WO (1) WO2019079539A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021221122A1 (ja) * 2020-04-30 2021-11-04 富士フイルム株式会社 自発光表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514296A (zh) * 2014-10-10 2016-04-20 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20160369981A1 (en) * 2013-11-18 2016-12-22 Emdedesign Gmbh Lamp Comprising at Least One OLED Lighting Means
WO2017094867A1 (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 旭硝子株式会社 波長選択透過性ガラス物品

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002215057A (ja) * 2001-01-16 2002-07-31 Nec Corp ディスプレイ用フィルタ
JP5725398B2 (ja) * 2010-09-10 2015-05-27 大日本印刷株式会社 視認性向上シート
JP2013061422A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Dainippon Printing Co Ltd Ｐｄｐ用コントラスト向上フィルタ、このフィルタの製造方法およびこのフィルタを用いたプラズマディスプレイ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160369981A1 (en) * 2013-11-18 2016-12-22 Emdedesign Gmbh Lamp Comprising at Least One OLED Lighting Means
CN105514296A (zh) * 2014-10-10 2016-04-20 三星显示有限公司 有机发光显示装置
WO2017094867A1 (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 旭硝子株式会社 波長選択透過性ガラス物品

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019079539A1 (en) 2019-04-25
TW201931586A (zh) 2019-08-01
KR20200060518A (ko) 2020-05-29
JP2021501355A (ja) 2021-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106526962B (zh) 光转换膜片、其制备方法及显示设备
US9637683B2 (en) Photosensitive resin composition and display device
JP3420399B2 (ja) 発光素子
KR101476488B1 (ko) 투광성 기판, 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법
JP5195755B2 (ja) 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
US10018912B2 (en) Photosensitive resin composition, wavelength conversion substrate and light emitting device
Zhu et al. Ultrahighly efficient white quantum dot light‐emitting diodes operating at low voltage
JP2011204384A (ja) 表示装置
KR101966634B1 (ko) 필름 터치 센서
US8390015B2 (en) Organic EL element, organic EL display apparatus, and manufacturing method of organic EL element
US11348978B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same, and display device
TW201134290A (en) System for displaying images
US20160285053A1 (en) Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
CN108873519A (zh) Coa型阵列基板及其制作方法
US20040164672A1 (en) Color conversion filter and color conversion color display having the same
CN101256980A (zh) 有机电致发光显示装置及其制作方法
CN111373543A (zh) 底部发射显示面板及制造方法
US7622860B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method of organic electroluminescent display device
Qi et al. Synchronous Outcoupling of Tri‐Colored Light for Ultra‐Bright White Quantum Dot Light‐Emitting Diodes by Using External Wrinkle Pattern
TW201520648A (zh) 一種顯示面板及其製作方法
KR20180068076A (ko) 나노 입자, 이를 포함하는 절연막 및 표시장치
Yigen et al. Compact multilayer thin-film color filters and direct integration on white-light-emitting diodes for color conversion
WO2021120270A1 (zh) 用于量子点显示面板的光耦合输出透镜的材料组成物及制造方法
US20190288227A1 (en) Organic electro-luminescence emission device
WO2024034333A1 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200703

RJ01 Rejection of invention patent application after publication