CN111352267A

CN111352267A - 一种显示面板

Info

Publication number: CN111352267A
Application number: CN202010290806.4A
Authority: CN
Inventors: 杜鹏
Original assignee: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Current assignee: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd; TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date: 2020-04-14
Filing date: 2020-04-14
Publication date: 2020-06-30

Abstract

本申请公开了一种显示面板。所述显示面板包括一阵列基板以及与所述阵列基板对应设置的一彩膜基板，其特征在于，所述显示面板具有一中心区，环绕所述中心区的外围区，所述外围区的透光率由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。本申请实施例分别通过改变像素电极的面积、像素开口率、平坦层的厚度以及像素电极与公共电极之间的电压差来优化超窄边框面板的周边设计，改善超窄边框显示面板的周边Mura问题，从而提高显示面板的品质。

Description

一种显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，在TV和商用显示面板市场，窄边框的产品已经越来越普及，压缩显示面板的边框宽度在设计中是一个非常重要的课题。

为了使液晶面板能够正常工作，配向膜(PI)和框胶(Sealant)材料是必不可少的部分。PI需要覆盖整个面板的显示区域，通常需要在这个范围内保证 PI膜的厚度均匀，否则容易造成显示不良，但是在面板边缘位置，PI膜的厚度和形状都非常难以控制，由于传统面板的边缘距离显示区的边缘较远，这部分 PI厚度和形状异常的地方几乎不会对显示区的边缘造成影响。当显示面板边框缩窄之后，这部分区域距离显示区的边缘非常近，在显示区的边缘位置很容易造成Mura，即常见的周边Mura。此外，在框胶(Sealant)涂布位置，TFT-LCD 显示面板的上下基板间距也与显示区内部有一些差别，当面板边框缩窄之后，框胶(Sealant)距离显示区的边缘距离变小，框胶(Sealant)对显示区边缘的 Cell Gap和液晶材料都会造成一定的影响，从而使周边Mura变得更加严重。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板，以解决现有技术中显示面板周边 Mura严重的技术问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种显示面板，包括一阵列基板以及与所述阵列基板对应设置的一彩膜基板，其特征在于，所述显示面板具有一中心区，环绕所述中心区的外围区，所述外围区的透光率由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

在一些实施例中，所述阵列基板上设置一平坦层，所述像素电极设置于所述平坦层上；位于所述外围区的平坦层的厚度由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

在一些实施例中，位于所述外围区的像素电极与公共电极之间的电压差由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

在一些实施例中，所述彩膜基板在所述外围区内像素开口率由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

在一些实施例中，所述阵列基板包括复数个像素单元，每一像素单元内设置一像素电极；位于所述外围区的像素电极的面积由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

在一些实施例中，所述外围区包括第一外围区，第二外围区以及第三外围区；所述第一外围区环绕所述中心区，所述第二外围区环绕所述第一外围区，所述第三外围区环绕所述第二外围区。

在一些实施例中，所述像素电极包括主干部以及从所述主干部延伸的梳齿部；其中，定义位于所述中心区的梳齿部的宽度为L1，定义位于所述第一外围区的梳齿部的宽度为L2，定义位于所述第二外围区的梳齿部的宽度为L3，以及，定义位于所述第三外围区的梳齿部的宽度为L4；

L1、L2、L3及L4满足公式：L1>L2>L3>L4。

在一些实施例中，所述像素电极包括复数个梳齿部，定义位于所述中心区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S1，定义位于所述第一外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S2，定义位于所述第二外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S3，并且，定义位于所述第三外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S4；

S1、S2、S3及S4满足公式：L1/S1>L2/S2>L3/S3>L4/S4。

在一些实施例中，L1的尺寸范围在3.5微米至4.0微米之间；L2的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；L3的尺寸范围在2.5微米至3.0微米之间；L4 的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间。

在一些实施例中，S1的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间；S2的尺寸范围在2.5微米至3.0微米之间；S3的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；S4 的尺寸范围在3.5微米至4.0微米之间。

本发明的有益效果为：本发明提出的一种显示面板，本申请实施例分别通过改变像素电极的面积、像素开口率、平坦层的厚度以及像素电极与公共电极之间的电压差来优化超窄边框面板的周边设计，改善超窄边框显示面板的周边 Mura问题，从而提高显示面板的品质。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的显示面板的一种区域划分示意图。

图2为本申请实施例提供的显示面板的另一种区域划分示意图。

图3为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。

图4为本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。

图5A为本申请实施例提供的显示面板位于中心区内像素电极的结构示意图。

图5B为本申请实施例提供的显示面板位于第一外围区内像素电极的结构示意图。

图5C为本申请实施例提供的显示面板位于第二外围区内像素电极的结构示意图。

图5D为本申请实施例提供的显示面板位于第三外围区内像素电极的结构示意图。

图6A为本申请实施例提供的显示面板位于中心区的结构示意图。

图6B为本申请实施例提供的显示面板位于第一外围区的结构示意图。

图6C为本申请实施例提供的显示面板位于第二外围区的结构示意图。

图6D为本申请实施例提供的显示面板位于第三外围区的结构示意图。

图7A本申请实施例提供的显示面板位于所述中心区内的一个像素遮光黑矩阵开口结构示意图。

图7B本申请实施例提供的显示面板位于所述第一外围区内的一个像素遮光黑矩阵开口结构示意图。

图7C本申请实施例提供的显示面板位于所述第二外围区内的一个像素遮光黑矩阵开口结构示意图。

图7D本申请实施例提供的显示面板位于所述第三外围区内的一个像素遮光黑矩阵开口结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/ 或其他材料的使用。

具体的，请参阅图1至图7D，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板可以用于智能手机、平板电脑、车载显示屏、智能穿戴设备等电子设备。

如图1所示，所述显示面板具有一中心区100，一环绕所述中心区100的一外围区100A。为了方便区分，如图2所示，可以将外围区100A划分为三个区域，包括一第一外围区110、一第二外围区120、一第三外围区130所述第一外围区110环绕所述中心区100，所述第二外围区120环绕所述第一外围区110，所述第三外围区130环绕所述第二外围区120。

本领域技术人员可以理解的是，所述外围区100A的透光率、平坦层的厚度、像素电极与公共电极之间的电压差、像素开口率以及像素电极的面积均由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。即第一外围区110的透光率、平坦层的厚度、像素电极与公共电极之间的电压差、像素开口率以及像素电极的面积均由靠近所述中心区100的一侧向远离所述中心区100的一侧逐渐减小；第二外围区120的透光率、平坦层的厚度、像素电极与公共电极之间的电压差、像素开口率以及像素电极的面积均由靠近所述第一外围区110的一侧向远离所述第一外围区110的一侧逐渐减小；所述第三外围区130的透光率、平坦层的厚度、像素电极与公共电极之间的电压差、像素开口率以及像素电极的面积均由靠近所述第二外围区120的一侧向远离所述第二外围区120的一侧逐渐减小。

以下实施例结合所述中心区100、第一外围区110、第二外围区120以及第三外围区130进行讨论。

如图3所示，所述显示面板包括相对设置的一阵列基板210以及一彩膜基板230，以及夹设于所述阵列基板210及所述彩膜基板230之间的一液晶层220。所述阵列基板210包括复数个像素单元，如图4所示，每一像素单元内设置一像素电极310。并且，如图4所示，所述阵列基板210设置一平坦层320，所述像素电极310设置于所述平坦层320上。本领域技术人员可以理解的是，为了清晰的目的，图4中仅显示一个像素单元的结构，并且，所述阵列基板210还可以包括其他已知的结构。

如图4所示，所述彩膜基板230包括一公共电极330。本领域技术人员可以理解的是，所述彩膜基板230还可以包括其他已知的结构。

在本申请中，通过调整所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率，尤其是使得所述中心区100的透光率、所述第一外围区110的透光率、所述第二外围区120 的透光率以及所述第三外围区130的透光率依次减小，从而改善超窄边框显示面板的周边Mura问题。以下，将结合图1至图6D详细描述本申请中调节上述各区域的透光率的具体方式。

在本实施例中，通过调节图1中所示的各区域(即，所述中心区100、所述第一外围区110、所述第二外围区120及所述第三外围区130)内的每一像素单元的像素电极310的面积，以达到调整所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率的目的。

具体地，请参阅图5A至图5D，其中，图5A所示的是位于所述中心区100 内的像素电极311的结构示意图，图5B所示的是位于所述第一外围区110的像素电极312的结构示意图，图5C所示的是位于所述第二外围区120的像素电极 313的结构示意图，图5D所示的是位于所述第三外围区130的像素电极314的结构示意图。在本实施例中，使得位于所述中心区100的像素电极311的面积、位于所述第一外围区110的像素电极312的面积、位于所述第二外围区120的像素电极313的面积以及位于所述第三外围区130的像素电极314的面积依次减小；即位于所述中心区100的像素电极311的面积比位于所述第一外围区110 的像素电极312的面积大，位于所述第一外围区110的像素电极312的面积比位于所述第二外围区120的像素电极313的面积大，位于所述第二外围区120 的像素电极313的面积比位于所述第三外围区130的像素电极314的面积大。

进一步地，如图5A至图5D所示，所述像素电极311包括一主干部411以及从所述主干部411延伸的梳齿部421，所述像素电极312包括一主干部412 以及从所述主干部412延伸的梳齿部422，所述像素电极313包括一主干部413 以及从所述主干部413延伸的梳齿部423，所述像素电极314包括一主干部414 以及从所述主干部414延伸的梳齿部424。因此，在本实施例中，所述像素电极311的面积为所述主干部411与所述梳齿部421的面积之和，所述像素电极 312的面积为所述主干部412与所述梳齿部422的面积之和，所述像素电极313 的面积为所述主干部413与所述梳齿部423的面积之和，所述像素电极311的面积为所述主干部414与所述梳齿部424的面积之和。

如图5A至图5D所示，定义位于所述中心区100的梳齿部421的宽度为L1，定义位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度为L2，定义位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度为L3，以及，定义位于所述第三外围区130的梳齿部424的宽度为L4。

在本实施例中，通过将位于所述中心区100的梳齿部421的宽度L1、位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2、位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度L3以及位于所述第三外围区130的梳齿部424的宽度L4设置为依次减小，以调节图1中所示的各区域(即，所述中心区100、所述第一外围区110、所述第二外围区120及所述第三外围区130)内的每一像素单元的像素电极310的面积，从而达到调整所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率的目的。

也就是说，在本实施例中，位于所述中心区100的梳齿部421的宽度L1 比位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2大，位于所述第一外围区 110的梳齿部422的宽度L2比位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度L3 大，位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度L3比位于所述第三外围区 130的梳齿部424的宽度L4大；即，L1、L2、L3及L4满足公式：L1>L2>L3>L4。

此外，像素电极310的面积大小除了与像素电极310各部分的宽度有关，还与像素电极310分度的密度相关，而像素电极310分度的密度又取决于像素电极310各部分的距离与像素电极310各部分的宽度的比值。

具体地，如图5A至图5D所示，定义位于所述中心区100的像素电极311 的相邻两个梳齿部421之间的距离为S1，定义位于所述第一外围区110的像素电极312的相邻两个梳齿部422之间的距离为S2，定义位于所述第二外围区120 的像素电极313的相邻两个梳齿部423之间的距离为S3，并且，定义位于所述第三外围区130的像素电极314的相邻两个梳齿部424之间的距离为S4。

因此，在本实施例中，还可以通过使得位于所述中心区100的梳齿部421 的宽度L1与位于所述中心区100的像素电极311的相邻两个梳齿部421之间的距离S1的比值、位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2与位于所述第一外围区110的像素电极312的相邻两个梳齿部422之间的距离S2的比值、位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度为L3与位于所述第二外围区120 的像素电极313的相邻两个梳齿部423之间的距离S3的比值、以及位于所述第三外围区130的梳齿部424的宽度L4与位于所述第三外围区130的像素电极 314的相邻两个梳齿部424之间的距离S4的比值依次减小，以调节图1中所示的各区域(即，所述中心区100、所述第一外围区110、所述第二外围区120 及所述第三外围区130)内的每一像素单元的像素电极310的面积，从而达到调整所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率的目的。

也就是说，在本实施例中所述像素电极311、像素电极312、像素电极313 及像素电极314还可以被设置为：位于所述中心区100的梳齿部421的宽度L1 与位于所述中心区100的像素电极311的相邻两个梳齿部421之间的距离S1 的比值比位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2与位于所述第一外围区110的像素电极312的相邻两个梳齿部422之间的距离S2的比值大，位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2与位于所述第一外围区110的像素电极312的相邻两个梳齿部422之间的距离S2的比值比位于所述第二外围区120的梳齿部423的宽度为L3与位于所述第二外围区120的像素电极313的相邻两个梳齿部423之间的距离S3的比值大，位于所述第二外围区120的梳齿部423 的宽度为L3与位于所述第二外围区120的像素电极313的相邻两个梳齿部423 之间的距离S3的比值比以及位于所述第三外围区130的梳齿部424的宽度L4 与位于所述第三外围区130的像素电极314的相邻两个梳齿部424之间的距离 S4的比值大；即，L1、L2、L3、L4、S1、S2、S3及S4满足公式：

L1/S1>L2/S2>L3/S3>L4/S4。

在一些实施例中，位于所述中心区100的梳齿部421的宽度L1的尺寸范围在3.5微米至4.0微米之间；位于所述第一外围区110的梳齿部422的宽度L2 的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；位于所述第二外围区120的梳齿部423 的宽度L3的尺寸范围在2.5微米至3.0微米之间；位于所述第三外围区的梳齿部424的宽度L4的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间。

在一些实施例中，位于所述中心区100的像素电极311的相邻两个梳齿部 421之间的距离S1的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间；位于所述第一外围区110的像素电极312的相邻两个梳齿部422之间的距离S2的尺寸范围在2.5 微米至3.0微米之间；位于所述第二外围区120的像素电极313的相邻两个梳齿部423之间的距离S3的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；位于所述第三外围区130的像素电极314的相邻两个梳齿部424之间的距离S4的尺寸范围在 3.5微米至4.0微米之间。

此外，透光率还与其对应的液晶层的厚度成正比。即，如图4所示，可以调节所述液晶层220的厚度实现调节透光率的目的。而液晶层220的厚度则是可以通过改变所述平坦层320的厚度来实现，即在不改变显示面板厚度的情况下，液晶层220的厚度与平坦层320的厚度成反比，平坦层320的厚度像素的透光率成反比。因此，在一些实施例中，可以仅通过改变平坦层320的厚度可以达到改变像素的透光率的目的，而不需要如前所述的对所述像素电极310的结构进行任何的调整。当然，本领域技术人员可以理解的是，也可以先如前所述的对所述像素电极310的结构进行设置，然后再如下文所述的对所述平坦层 320的厚度进行设置，以更好地调节透光率。

具体地，请参阅图6A至6D，图6A所示的是本申请显示面板位于所述中心区100内的结构示意图，图6B所示的是本申请显示面板位于所述第一外围区 110内的结构示意图，图6C所示的是本申请显示面板位于所述第二外围区120 内的结构示意图，图6D所示的是本申请显示面板位于所述第三外围区130内的结构示意图。

如图6A至6D所示，定义位于所述中心区100的平坦层321的厚度为D1, 定义位于所述第一外围区110的平坦层322的厚度为D2、定义位于所述第二外围区120的平坦层323的厚度为D3，定义位于所述第三外围区130的平坦层324 的厚度为D4。本领域技术人员可以理解的是，所述平坦层321的厚度为所述平坦层321靠近所述阵列基板210的一侧与远离所述阵列基板210的一侧之间的距离。

在本实施例中，通过使得位于所述中心区100的平坦层321的厚度D1、位于所述第一外围区110的平坦层322的厚度D2、位于所述第二外围区120的平坦层323的厚度D3以及位于所述第三外围区130的平坦层324的厚度D4依次增大，以调整图1中所示的所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率，从而使得所述中心区100的透光率、所述第一外围区110的透光率、所述第二外围区120的透光率以及所述第三外围区的透光率依次减小。

也就是说，在本实施例中，所述显示面板被设置为：位于所述中心区100 的平坦层321的厚度D1大于位于所述第一外围区110的平坦层322的厚度D2，位于所述第一外围区110的平坦层322的厚度D2大于位于所述第二外围区120 的平坦层323的厚度D3，位于所述第二外围区120的平坦层323的厚度D3大于位于所述第三外围区130的平坦层324的厚度D4；即，D1、D2、D3及D4满足公式：D1>D2>D3>D4。

此外，申请人还发现，图4中所示的像素电极310相对公共电极330的电压越高，则像素的透光率就越高，反之则越小。因此，在一些实施例中，可以仅通过改变像素电极310相对公共电极330的电压，即可以达到改变像素的透光率的目的，而不需要如前所述的对所述像素电极310的结构进行任何的调整，或对所述平坦层320的厚度进行任何的调整。当然，本领域技术人员可以理解的是，也可以先如前所述的对所述像素电极310的结构进行设置，和/或对所述平坦层320的厚度进行设置，配合下文所述的对所述像素电极310相对公共电极330的电压进行调整，以更好地调节透光率。

具体地，在本实施例中，通过使得位于所述中心区100的像素电极311与公共电极310之间的电压差、位于所述第一外围区110的像素电极312与公共电极310之间的电压差、位于所述第二外围区120的像素电极313与公共电极 310之间的电压差以及位于所述第三外围区130的像素电极314与公共电极310 之间的电压差依次减小，以调整图1中所示的所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率，从而使得所述中心区100的透光率、所述第一外围区110的透光率、所述第二外围区120的透光率以及所述第三外围区的透光率依次减小。

此外，申请人还发现，图4中所示的彩膜基板230的像素遮光黑矩阵的开口率与像素的透光率成正比，因此，在一些实施例中，可以仅通过改变彩膜基板230的像素遮光黑矩阵的开口率，即可以达到改变像素的透光率的目的，而不需要如前所述的对所述像素电极310的结构进行任何的调整，或对所述平坦层320的厚度进行任何的调整，或者对所述像素电极310相对公共电极330的电压进行调整。当然，本领域技术人员可以理解的是，也可以先如前所述的对所述像素电极310的结构进行设置，和/或对所述平坦层320的厚度进行设置，和/或对所述像素电极310相对公共电极330的电压进行调整，同时配合下文所述的对所述彩膜基板230的像素遮光黑矩阵的开口率进行调整，以更好地调节透光率。

具体地，请参阅图7A至图7D，图7A所示的是本申请实施例提供的显示面板位于所述中心区100内的一个像素遮光黑矩阵开口611结构示意图，图7B 所示的是本申请实施例提供的显示面板位于所述第一外围区110内的一个像素遮光黑矩阵开口612结构示意图，图7C所示的是本申请实施例提供的显示面板位于所述第二外围区120内的一个像素遮光黑矩阵开口613结构示意图，图7D 所示的是本申请实施例提供的显示面板位于所述第三外围区130内的一个像素遮光黑矩阵开口614结构示意图。

如图7A及7D所示，在本实施例中，通过使得所述彩膜基板230在所述中心区100内的像素遮光黑矩阵开口611、在所述第一外围区110内像素遮光黑矩阵开口612、在所述第二外围区120内像素遮光黑矩阵开口613以及在所述第三外围区130内像素遮光黑矩阵开口614依次减小，使得所述彩膜基板230 在所述中心区100内的像素开口率、在所述第一外围区110内像素开口率、在所述第二外围区120内像素开口率以及在所述第三外围区130内像素开口率依次减小，进而使得图1中所示的所述中心区100、所述第一外围区110、所述第一外围区110所述第二外围区120及所述第三外围区130的透光率依次减小。

在一些实施例中，所述彩膜基板230在所述中心区100内像素开口率在75％至78％之间；所述彩膜基板230在所述第一外围区110内像素开口率在72％至 75％之间；所述彩膜基板230在所述第二外围区120内像素开口率在69％至72％之间；所述彩膜基板230在所述第三外围区130内像素开口率在66％至69％之间。

综上，本发明提出的一种显示面板，本申请实施例分别通过改变像素电极 310的面积、像素开口率、平坦层320的厚度以及像素电极310与公共电极330 之间的电压差来优化超窄边框面板的周边设计，改善超窄边框显示面板的周边 Mura问题，以提高显示面板的品质。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims

1.一种显示面板，包括一阵列基板以及与所述阵列基板对应设置的一彩膜基板，其特征在于，所述显示面板具有一中心区，环绕所述中心区的外围区，所述外围区的透光率由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置一平坦层，所述像素电极设置于所述平坦层上；位于所述外围区的平坦层的厚度由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述外围区的像素电极与公共电极之间的电压差由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板在所述外围区内像素开口率由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括复数个像素单元，每一像素单元内设置一像素电极；

位于所述外围区的像素电极的面积由靠近所述中心区的一侧向远离所述中心区的一侧逐渐减小。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述外围区包括第一外围区，第二外围区以及第三外围区；所述第一外围区环绕所述中心区，所述第二外围区环绕所述第一外围区，所述第三外围区环绕所述第二外围区。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括主干部以及从所述主干部延伸的梳齿部；其中，定义位于所述中心区的梳齿部的宽度为L1，定义位于所述第一外围区的梳齿部的宽度为L2，定义位于所述第二外围区的梳齿部的宽度为L3，以及，定义位于所述第三外围区的梳齿部的宽度为L4；

L1、L2、L3及L4满足公式：L1>L2>L3>L4。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括复数个梳齿部，定义位于所述中心区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S1，定义位于所述第一外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S2，定义位于所述第二外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S3，并且，定义位于所述第三外围区的像素电极的相邻两个梳齿部之间的距离为S4；

S1、S2、S3及S4满足公式：L1/S1>L2/S2>L3/S3>L4/S4。

9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，L1的尺寸范围在3.5微米至4.0微米之间；L2的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；L3的尺寸范围在2.5微米至3.0微米之间；L4的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间。

10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，S1的尺寸范围在2.0微米至2.5微米之间；S2的尺寸范围在2.5微米至3.0微米之间；S3的尺寸范围在3.0微米至3.5微米之间；S4的尺寸范围在3.5微米至4.0微米之间。