CN111341632A - 一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备 - Google Patents
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Abstract
本说明书一个或多个实施例提供一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备。所述碳板结构应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；以及，至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。本发明所述碳板结构、分析磁场以及离子注入设备能够解决剥落物受离子束撞击而引出至玻璃基板表面导致的点不良的问题。
Description
技术领域
本说明书一个或多个实施例涉及显示制造技术领域，尤其涉及一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备。
背景技术
如今，半导体器件已深入到现代生活的方方面面。而诸如计算机、移动电话之类的大多数电子产品的核心部件、如处理器、存储器等都含有半导体器件。半导体器件已在现代信息化设备中扮演至关重要的角色。
半导体制造的一个重要工艺是离子注入。离子注入是指，将来自离子源的离子束进行加速和偏转后入射到目标材料中去，离子束最后停留在目标材料中，从而对目标材料的化学或物理性质进行调整。在半导体制造中，通常例如采用离子注入对目标材料进行掺杂、如n型或p型掺杂。
在现有的离子注入机中，工艺气体及设备本身产生的剥落物(副产物)容易沉积在分析磁场底部，并被离子束撞击而引出至玻璃基板表面，附着在玻璃基板表面的剥落物会遮挡这一区域，影响离子注入的稳定性和均一性，从而导致一些点不良的产生。尤其是在有机电致发光显示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)中尤为明显，这已经成为了注入性能的主要制约。
发明内容
有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备，以解决剥落物受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板(Glass)表面导致的点不良的问题。
基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种碳板结构，应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：
碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；
至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。
可选的，所述碳板主体设置有挡板安装底座。
可选的，与所述挡板安装底座连接的一侧设置有与所述挡板安装底座配合的安装槽口。
可选的，所述碳制挡板以及所述挡板安装底座上均设置有与所述螺丝配合的螺丝孔，所述碳制挡板通过螺丝固定在所述挡板安装底座上。
可选的，所述碳制挡板面向离子束注入方向的一侧设置用于遮挡所述螺丝的碳帽。
可选的，所述螺丝的材质包括钼。
可选的，所述预设角度的范围包括：大于0°并小于等于90°。
可选的，所述预设角度的范围包括30°～60°。
本说明书一个或多个实施例还提供了一种分析磁场，应用于离子注入设备，包括如上述任一项实施例所述的碳板结构，且所述碳板结构设置于所述分析磁场的底部。
本说明书一个或多个实施例还提供了一种离子注入设备，包括如上述实施例所述的分析磁场。
从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的碳板结构、分析磁场以及离子注入设备，通过在分析磁场底部的碳板主体上设置与碳板主体具有预设角度的碳制挡板，这样沉积在分析磁场底部的悬浮剥落物在受到离子束轰击时也会被碳制挡板挡住，而不会被离子束引出至玻璃基板表面，从而可以有效抑制沉积在分析磁场底部的悬浮剥落物受离子束撞击而引出至玻璃基板表面导致的注入均一性受到的影响，从而提升工艺的均一性和稳定性，降低不良发生率；并延长分析磁场的使用寿命，降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本说明书中悬浮剥落物沉积被引出至玻璃基板示意图；
图2为本说明书中现有技术中分析磁场底部碳板的结构示意图；
图3为本说明书一个或多个实施例所述碳板结构的结构示意图；
图4为本说明书一个或多个实施例所述碳板结构的安装示意图；
图5a为本说明书一个或多个实施例碳制挡板的主视图；
图5b为本说明书一个或多个实施例碳制挡板的左视图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
现有的离子注入设备主要包括离子源(Ion Source)、分析磁场(BeamLine)、工艺腔(Process Chamber)、传送腔(Transfer Chamber)以及真空互锁腔室(Load Lock)。使用BF3或PH4通过电离得到注入所需的离子束(Beam)，经过分析磁场的筛选作用后，与从机械叉(Robot fork)(机械叉即机械手用于挟持玻璃基板进行移动)→真空互锁腔室→传送腔→工艺腔进入的玻璃基板在工艺腔中的注入区域完成离子注入。
在此过程会有大量其它离子和未被引出的B+/P+，这些离子在腔室内聚集形成悬浮剥落物(Particle)；同时，由于分析磁场侧面的碳板长期受到高速离子束(Beam)的轰击使得少量碳颗粒掉落也产生悬浮剥落物(Particle)；如图1所示，这些悬浮剥落物(Particle)在重力作用下沉积在分析磁场(BeamLine)底部。如图2所示，由于现有的分析磁场(BeamLine)的底部为碳板覆盖的平面，当离子束(Beam)再次引出时这些悬浮剥落物(Particle)受到离子束(Beam)轰击而随离子束(Beam)一同到达玻璃基板(Glass)表面，附着在玻璃基板(Glass)表面的悬浮剥落物(Particle)会遮挡这一区域，影响离子注入的稳定性和均一性，从而导致一些点不良的产生。同时，分析磁场(BeamLine)结构复杂，空间狭小，难以清洁，无法通过清洁分析磁场(BeamLine)的底部沉积来解决上述问题。
基于上述原因，本说明书的一个或多个实施例提供一种碳板结构，该碳板结构应用于离子注入设备的分析磁场中，用于解决沉积在分析磁场(BeamLine)底部的悬浮剥落物(Particle)受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板(Glass)表面导致的注入均一性受影响的问题。如图3、图4所示，碳板结构包括：
碳板主体1，被配置为弧形结构，用于设置在分析磁场的底部。在一些可选的实施例中，碳板主体1即为分析磁场(BeamLine)的底部碳板。
至少一个碳制挡板2，碳制挡板2沿与离子束注入方向垂直的方向设置于碳板主体1上，且面向离子束注入方向的一侧与碳板主体1之间设置有预设角度。
在本实施例中，通过在分析磁场(BeamLine)底部的碳板主体1上设置与碳板主体1具有预设角度的碳制挡板2，这样沉积在分析磁场(BeamLine)底部的Particle在受到离子束(Beam)轰击时也会被碳制挡板2挡住，而不会被离子束(Beam)引出至玻璃基板(Glass)表面，从而可以有效抑制沉积在分析磁场(BeamLine)底部的悬浮剥落物(Particle)受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板(Glass)表面导致的注入均一性受到的影响，从而提升工艺的均一性和稳定性，降低不良发生率；并延长分析磁场(BeamLine)的使用寿命，降低成本。
如图3所示，在一个具体的实施例中，碳板主体1上设置有四块碳制挡板2，每块碳制挡板2均与离子束注入的方向垂直，从而可以更好的抑制沉积在分析磁场(BeamLine)底部的悬浮剥落物(Particle)受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板(Glass)表面导致的注入均一性受到的影响。在有需要的情况下，碳板主体1上也可以设置更多数量的碳制挡板2。
在本说明书的一些可选的实施例中，如图4所示，碳板主体1设置有挡板安装底座11，且碳制挡板2固定在挡板安装底座11上，这样可以方便碳板主体1的生产、存储与运输，需要使用时再将碳制挡板2安装到碳板主体1的挡板安装底座11上即可。可选的，挡板安装底座11与碳板主体1表面之间设置有预设角度，这样将碳制挡板2安装到挡板安装底座11上时，碳制挡板2即可与碳板主体1保持预设角度。可选的，该预设角度的范围包括：大于0°并小于90°，这样悬浮剥落物(Particle)沉积时可以沉积在分析磁场(BeamLine)底部以及碳制挡板2背离离子束注入的方向；离子束注入时，被离子束撞击引出的悬浮剥落物(Particle)能够被碳制挡板2挡住而无法引出至玻璃基板(Glass)，从而改善了玻璃基板的AOI情况，提升了工艺稳定性。当预设角度的范围为30°～60°时，碳制挡板2的遮挡效果更佳。
可选的，如图5a，图5b所示，碳制挡板2为矩形板，且与碳制挡板2与挡板安装底座11连接的一侧设置有与挡板安装底座11配合的安装槽口21，该安装槽口21的高度与挡板安装底座11的厚度相同，便于碳制挡板2与挡板安装底座11的连接。
可选的，碳制挡板2以及挡板安装底座11上均设置有与螺丝3配合的螺丝孔，碳制挡板2通过螺丝3固定在挡板安装底座11上，从而方便的实现碳制挡板2与挡板安装底座11的连接。
在另一些可选的实施例中，碳制挡板2面向离子束注入方向的一侧设置用于遮挡螺丝3的碳帽4，碳帽4可以遮挡住螺丝3，避免离子束轰击螺丝3导致螺丝3的材料被引出至玻璃基板，从而对玻璃基板产生不利影响。
可选的，螺丝3的材质包括钼，即螺丝3为钼螺丝。在有需要的情况下，螺丝3也可为其他材质。
在上述实施例中，通过在分析磁场底部的碳板主体1设置碳制挡板2，抑制沉积在分析磁场底部的悬浮剥落物(Particle)受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板(Glass)导致的均一性问题，降低不良发生率；减少因Particle高发而导致的PM频率，提升稼动率；延长分析磁场的使用寿命，降低成本。
本说明书实施例的另一个方面提出一种分析磁场，应用于离子注入设备，所述分析磁场包括如上述任一项实施例所述的碳板结构，且所述碳板结构设置于所述分析磁场的底部。本实施例的分析磁场包括前述实施例中所述的碳板结构，并且具有相应有益效果，在此不再赘述。
本说明书实施例的另一个方面提出一种离子注入设备，包括如上述实施例所述的分析磁场。本实施例的离子注入设备包括前述实施例中所述的分析磁场，并且具有相应有益效果，在此不再赘述。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本说明书一个或多个实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本说明书一个或多个实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本说明书一个或多个实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本说明书一个或多个实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳板结构，其特征在于，应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：
碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；以及，
至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。
2.根据权利要求1所述的碳板结构，其特征在于，所述碳板主体设置有挡板安装底座。
3.根据权利要求2所述的碳板结构，其特征在于，与所述挡板安装底座连接的一侧设置有与所述挡板安装底座配合的安装槽口。
4.根据权利要求2所述的碳板结构，其特征在于，所述碳制挡板以及所述挡板安装底座上均设置有与所述螺丝配合的螺丝孔，所述碳制挡板通过螺丝固定在所述挡板安装底座上。
5.根据权利要求4所述的碳板结构，其特征在于，所述碳制挡板面向离子束注入方向的一侧设置用于遮挡所述螺丝的碳帽。
6.根据权利要求2所述的碳板结构，其特征在于，所述螺丝的材质包括钼。
7.根据权利要求1所述的碳板结构，其特征在于，所述预设角度的范围包括：大于0°并小于等于90°。
8.根据权利要求7所述的碳板结构，其特征在于，所述预设角度的范围包括30°～60°。
9.一种分析磁场，其特征在于，应用于离子注入设备，包括如权利要求1-8任一项所述的碳板结构，且所述碳板结构设置于所述分析磁场的底部。
10.一种离子注入设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的分析磁场。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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