CN111323441A - 碲锌镉晶片筛选方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碲锌镉晶片筛选方法，所述方法包括：利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分；利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分；利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分；利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片。采用本发明，有效地避免了大部分缺陷引入碲锌镉晶片中，从而提了高晶片的质量，解决了大尺寸晶片加工过程中由于存在缺陷导致加工效率低下的问题。
Description
技术领域
本发明涉及晶片制造技术领域，尤其涉及一种碲锌镉晶片筛选方法。
背景技术
在大尺寸碲锌镉晶片加工的过程中，首先将晶体进行切割，制成原切片，人工目检后直接进行人工划片，以适应相应晶片加工的需求。由于人眼的局限性，晶片中的孪晶、小角晶界等无法被发现，这往往导致将晶体中的缺陷部分留下，而质量较好的部分被划掉，造成晶片出片面积浪费。在后期精加工中还发现，划好的晶片中常常存在较轻微的小角晶界、细小孪晶、较大的应力、较高的位错密度或位错分布不均、第二相夹杂等等。可识别的缺陷会影响晶片出片面积，只能改成较小尺寸晶片，降低晶体出片率，增加了晶片加工成本，而无法识别的缺陷将进而影响液相外延膜的质量，造成资源的浪费。
发明内容
本发明实施例提供一种碲锌镉晶片筛选方法，用以获得高质量大尺寸碲锌镉晶片。
根据本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法，包括：
利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分；
利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分；
利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分；
利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片。
根据本发明的一些实施例，所述利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀；
目检表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第一等级缺陷部分，所述第一等级缺陷部分包括杂晶部分、第一粒度孪晶和第一角度小角晶界。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：
利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀之后、利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片之间，观察腐蚀后的碲锌镉晶片，确定所述碲锌镉晶片的A面和B面。
根据本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，包括：
利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测；
综合形貌分析结果以及非破坏性检测结果，去除第二等级缺陷部分。
在本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测，包括：
用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行缺陷分析和应力分布情况分析；
利用X射线衍射仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行半峰宽检测、Zn值分布情况检测；
利用傅立叶红外光谱仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行红外透过率检测；
综合缺陷分析结果、应力分布情况分析结果、半峰宽检测结果、Zn值分布情况检测结果以及红外透过率检测结果，去除第二等级缺陷部分，所述第二等级缺陷部分的半峰宽小于30弧秒、红外透过率大于60％。
在本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，还包括：
在利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析前，对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行研磨、粗抛光。
在本发明的一些实施例中，所述利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分，包括：
利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面的夹杂分布情况，去除第三等级缺陷部分。
在本发明的一些实施例中，所述利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀；
采用光学显微镜观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第四等级缺陷部分，所述第四等级缺陷部分包括第二粒度孪晶和第二角度小角晶界；
所述第二粒度孪晶的粒度小于所述第一粒度孪晶的粒度，所述第二角度小角晶界的角度小于所述第一角度小角晶界的角度。
根据本发明的一些实施例，所述方法，还包括：
对所述第一合格碲锌镉晶片进行精抛光，获得第二合格碲锌镉晶片。
根据本发明的一些实施例，所述第二合格碲锌镉晶片的长度以及宽度均大于等于40毫米。
采用本发明实施例，在大面积碲锌镉晶片的加工过程中，有效地避免了大部分缺陷引入碲锌镉晶片中，从而在很大程度上提高晶片的质量，解决了大尺寸晶片加工过程中由于存在缺陷，晶片无法使用的问题，对后续的碲镉汞外延、红外器件和核探测器成品率提高有重大贡献。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例中碲锌镉晶片筛选方法流程图；
图2是本发明实施例中碲锌镉晶片筛选方法流程图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
由于Zn组分可调，晶格可以达到完美匹配，碲锌镉(CdZnTe)衬底是液相外延碲镉汞(HgCdTe)薄膜的理想衬底材料。碲锌镉(CdZnTe)晶体材料作为碲镉汞红外焦平面探测器研制的衬底材料，它的尺寸和质量直接影响碲镉汞红外焦平面探测器的发展水平。随着我国国防现代化进程的快速发展，碲镉汞探测器的研制逐渐向更多像元数，更高帧数，更好的分辨率、多色等方向发展，因而对具有更大规模尺寸和更高质量的碲锌镉衬底需求也更加迫切。目前三代碲镉汞红外焦平面器件已达到较高的技术水平，并开始向实际应用转化，但由于衬底制备技术的限制，大尺寸碲锌镉衬底的数量还远不能满足应用需求，因而批量生产大面积高质量碲锌镉衬底已是必然趋势。
碲锌镉晶体不仅是外延生长红外探测器材料的衬底材料，也是制造室温X射线及γ射线探测器理想的半导体材料。室温半导体核辐射探测器被认为是一种理想的探测器,它既具有低温半导体探测器的能量分辨率好,又具有闪烁晶体探测器的探测效率高,同时还具有体积小、角度轻、携带方便等优点，因此制备出高质量的碲锌镉晶片也是新材料研究领域的热点之一。
无论是作为衬底材料，还是作为核探测器材料，都需要制备出高质量的碲锌镉晶片。高质量碲锌镉晶片要求晶片中无杂晶、孪晶和小角晶界，X射线半峰宽小于30弧秒，红外透过率大于60％，第二相夹杂尺寸小于5微米，且密度小于104cm-2，位错腐蚀坑密度小于5×104cm-2，且分布均匀，晶体中无较大的应力存在等。高质量高效率的碲锌镉晶片表面加工技术对于器件性能有着格外的重要性。晶片表面质量直接影响碲镉汞液相外延层的晶格质量及后道的器件加工工艺。
碲锌镉(Cd1-xZnxTe，x＝0.01～0.15，简称CZT)是II-VI族化合物材料，具有很低的热导率和层错能等，导致很难制备出CdZnTe单晶材料，同时晶体材料固有缺陷密度高，这种材料特性严重制约了碲锌镉单晶材料的尺寸。因此需要从晶体中挑选较大的晶粒进行定向切割，从而获得大尺寸的碲锌镉晶片。然而由于层错能和热导率低，晶体容易出现孪晶(带)、层错、小角晶界、第二相夹杂、位错(分布不均)等缺陷，特别是碲锌镉晶体属于软脆材料，加工难度大、周期长，因此想要获得高质量的大尺寸碲锌镉晶片，必须对晶片质量进行准确地筛选。这里的“大尺寸碲锌镉晶片”可以理解为面积大于等于40㎜×40㎜的碲锌镉晶片。
通过高精度地筛选，可以更有效地利用碲锌镉晶片，并且提高晶片加工效率，节约成本和时间，对于大规模大尺寸晶片加工具有重要的意义。
在大尺寸碲锌镉晶片加工的过程中，首先将晶体进行切割，制成原切片，人工目检后直接进行人工划片，以适应相应晶片加工的需求。由于人眼的局限性，晶片中的孪晶、小角晶界等无法被发现，这往往导致将晶体中的缺陷部分留下，而质量较好的部分被划掉，造成晶片出片面积浪费。在后期精加工中还发现，划好的晶片中常常存在较轻微的小角晶界、细小孪晶、较大的应力、较高的位错密度或位错分布不均、第二相夹杂等等，单一的筛选方式无法全部进行缺陷完全识别。其中，可识别的缺陷会影响晶片出片面积，只能改成较小尺寸晶片，降低晶体出片率，增加了晶片加工成本，而无法识别的缺陷将进而影响液相外延膜的质量，造成资源的浪费。
为了制备高质量大尺寸的碲锌镉晶片，在对原切片和后续的加工过程中将这些缺陷全部识别，同时不影响晶片的常规加工过程。碲锌镉晶片常用的筛选方法有三种，化学腐蚀法、X射线形貌法和红外透过显微镜观察法。不同筛选方法能够揭示晶片中的不同缺陷，如表1所示，每种方法都有检测的唯一性，不可彼此替代。小尺寸碲锌镉晶片筛选时，一般采用一种方法，如X射线形貌法，该方法快速而有效，适用于小尺寸晶片批量生产过程，但每一种筛选方法都存在不同的局限性，使得缺陷无法全部显现出来，从而导致最终的高质量大尺寸晶片面积选片失败。为了能够兼顾晶片的高质量与更大的利用面积，需要对大尺寸碲锌镉晶片进行预先的筛选设计。
表1碲锌镉晶片筛选方法及揭示的缺陷
为此，本发明实施例提出一种碲锌镉晶片筛选方法，用于规避大面积碲锌镉晶片加工中出现的各种缺陷(如孪晶、小角晶界、杂晶)，获得碲锌镉晶片中位错密度更小、分布更均匀、夹杂尺寸和密度更小、应力更小、X射线半峰宽更窄、Zn值分布更加均匀、红外透过率更高的部分，获得高质量大尺寸碲锌镉晶片。
具体的，本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法，包括：
S1，利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分。
S2，利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分；
S3，利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分；
S4，利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片。
需要说明的是，这里所提到的“去除”可以理解为确定去除的区域，等第二等级缺陷部、第三等级缺陷部、第四等级缺陷部都确定后统一去除，也可以理解为直接划片的过程。
采用本发明实施例，在大面积碲锌镉晶片的加工过程中，有效地避免了大部分缺陷引入碲锌镉晶片中，从而在很大程度上提高晶片的质量，解决了大尺寸晶片加工过程中由于存在缺陷，晶片无法使用的问题，对后续的碲镉汞外延、红外器件和核探测器成品率提高有重大贡献。
在上述实施例的基础上，进一步提出各变型实施例，在此需要说明的是，为了使描述简要，在各变型实施例中仅描述与上述实施例的不同之处。
根据本发明的一些实施例，所述利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀；
目检表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第一等级缺陷部分，所述第一等级缺陷部分包括杂晶部分、第一粒度孪晶和第一角度小角晶界。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：
利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀之后、利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片之间，观察腐蚀后的碲锌镉晶片，确定所述碲锌镉晶片的A面和B面。
根据本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，包括：
利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测；
综合形貌分析结果以及非破坏性检测结果，去除第二等级缺陷部分。
在本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测，包括：
用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行缺陷分析和应力分布情况分析；
利用X射线衍射仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行半峰宽检测、Zn值分布情况检测；
利用傅立叶红外光谱仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行红外透过率检测；
综合缺陷分析结果、应力分布情况分析结果、半峰宽检测结果、Zn值分布情况检测结果以及红外透过率检测结果，去除第二等级缺陷部分，所述第二等级缺陷部分的半峰宽小于30弧秒、红外透过率大于60％。
在本发明的一些实施例中，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，还包括：
在利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析前，对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行研磨、粗抛光。
在本发明的一些实施例中，所述利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分，包括：
利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面的夹杂分布情况，去除第三等级缺陷部分，第三等级部分为夹杂大于5微米且密度大于104cm-2的部分。
在本发明的一些实施例中，所述利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀；
采用光学显微镜观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第四等级缺陷部分，所述第四等级缺陷部分包括第二粒度孪晶和第二角度小角晶界；
所述第二粒度孪晶的粒度小于所述第一粒度孪晶的粒度，所述第二角度小角晶界的角度小于所述第一角度小角晶界的角度。
根据本发明的一些实施例，所述方法，还包括：
对所述第一合格碲锌镉晶片进行精抛光，获得第二合格碲锌镉晶片。
根据本发明的一些实施例，所述第二合格碲锌镉晶片的长度以及宽度均大于等于40毫米。
下面参照图2以一个具体的实施例详细描述根据本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法。值得理解的是，下述描述仅是示例性说明，而不是对本发明的具体限制。凡是采用本发明的相似结构及其相似变化，均应列入本发明的保护范围。
本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法可以用于筛选大尺寸、高质量的碲锌镉晶片。这里的大尺寸是指碲锌镉晶片的面积大于40㎜×40㎜，高质量是指晶片中无杂晶、孪晶和小角晶界，X射线半峰宽小于30弧秒，红外透过率大于60％，第二相夹杂尺寸小于5微米，且密度小于104cm-2，位错腐蚀坑密度小于5×104cm-2，且分布均匀，晶体中无较大的应力存在等。
具体的，如图1所示，本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法，包括：
第一步，采用氢氟酸、硝酸和乳酸的酸混合液，对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，确定腐蚀后的碲锌镉晶片的A面和B面，其中A面呈暗黑色，B面较光亮。并肉眼观察表面缺陷，如杂晶、较粗孪晶和较重小角晶界，进行碲锌镉晶片划片，去除边缘可见缺陷的部分，筛选出质量较优部分；
第二步，对碲锌镉晶片进行粗加工，包括研磨和粗抛光，获得光亮晶片表面，利用X射线形貌仪测量碲锌镉晶片形貌，观察碲锌镉晶片表面的缺陷和应力分布情况；利用高分辨X射线衍射仪测量晶片的半峰宽和Zn值分布情况；利用傅立叶红外光谱扫描测量晶片的红外透过率；
第三步，利用红外显微镜观察晶片中夹杂分布、统计夹杂尺寸和密度；
第四步，采用氢氟酸、硝酸和乳酸的酸混合液腐蚀晶片，采用光学显微镜观察腐蚀后晶片表面，确定晶片表面的较轻细孪晶和较轻微的小角晶界，一般这些缺陷在第一步化学腐蚀和X射线形貌中无体现，之后观察和记录位错分布，并统计晶片平均位错腐蚀坑密度。
最后，综合第二、三、四步的筛选结果，筛选出质量较好的部分，进行大尺寸碲锌镉晶片的画片，利用自动划片机划片，获得相应尺寸的碲锌镉方片，之后采用精抛光技术，获得表面质量合格的碲锌镉晶片。
采用本发明实施例的碲锌镉晶片筛选方法，可以有效地避免缺陷引入，获得高质量的大尺寸碲锌镉晶片，大大提高大尺寸碲锌镉晶片加工的成品率。
需要说明的是，以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种碲锌镉晶片筛选方法，其特征在于，包括：
利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分；
利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分；
利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分；
利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀；
目检表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第一等级缺陷部分，所述第一等级缺陷部分包括杂晶部分、第一粒度孪晶和第一角度小角晶界。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀之后、利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片之间，观察腐蚀后的碲锌镉晶片，确定所述碲锌镉晶片的A面和B面。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，包括：
利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测；
综合形貌分析结果以及非破坏性检测结果，去除第二等级缺陷部分。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析，并对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行非破坏性检测，包括：
用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行缺陷分析和应力分布情况分析；
利用X射线衍射仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行半峰宽检测、Zn值分布情况检测；
利用傅立叶红外光谱仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行红外透过率检测；
综合缺陷分析结果、应力分布情况分析结果、半峰宽检测结果、Zn值分布情况检测结果以及红外透过率检测结果，去除第二等级缺陷部分，所述第二等级缺陷部分的半峰宽小于30弧秒、红外透过率大于60％。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分，还包括：
在利用X射线形貌仪对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行形貌分析前，对去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面进行研磨、粗抛光。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分，包括：
利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片B面的夹杂分布情况，去除第三等级缺陷部分。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片，包括：
采用氢氟酸、硝酸和乳酸的混合液，对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀；
采用光学显微镜观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，去除第四等级缺陷部分，所述第四等级缺陷部分包括第二粒度孪晶和第二角度小角晶界；
所述第二粒度孪晶的粒度小于所述第一粒度孪晶的粒度，所述第二角度小角晶界的角度小于所述第一角度小角晶界的角度。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：
对所述第一合格碲锌镉晶片进行精抛光，获得第二合格碲锌镉晶片。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二合格碲锌镉晶片的长度以及宽度均大于等于40毫米。
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|---|---|---|---|---|
| CN101907576A (zh) * | 2010-06-11 | 2010-12-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法 |
| CN103205800A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法 |
| CN104535578A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-04-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法 |
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