CN111313849A - 高线性射频功率放大器 - Google Patents

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CN111313849A CN202010119720.5A CN202010119720A CN111313849A CN 111313849 A CN111313849 A CN 111313849A CN 202010119720 A CN202010119720 A CN 202010119720A CN 111313849 A CN111313849 A CN 111313849A
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Abstract

本申请公开了一种高线性射频功率放大器，涉及射频前端集成电路领域。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路，自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压；功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端，功率放大器通过匹配网络连接射频输出端；自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器；其中，自适应动态偏置电路至少由若干个NMOS、若干个PMOS管、若干个电容和电阻组成；解决了现有的射频功率放大器难以满足线性度需求的问题，提高了射频功率放大器的线性度。

Description

高线性射频功率放大器
技术领域
本申请涉及射频前端集成电路领域，具体涉及一种高线性射频功率放大器。
背景技术
射频功率放大器的主要参数是线性和效率。线性是表示射频功率放大器能否真实地放大信号的参数。诸如LTE和IEEE802.11ac之类的无线通信标准，要求射频前端模块具有极高的线性度，射频功率放大器作为一个发射系统中的重要组成部分，对整个系统的线性度起着至关重要的作用。
目前采用CMOS器件的射频功率放大器适用于和其他通信部分电路做片上集成，但是难以严格地满足线性度需求。
发明内容
为了解决相关技术中射频功率放大器的线性度难以满足需求的问题，本申请提供了一种高线性射频功率放大器。技术方案如下：
一方面，本申请实施例提供了一种高线性射频功率放大器，包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路，自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压；
功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端，功率放大器通过匹配网络连接射频输出端；
自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器；
其中，自适应动态偏置电路至少由若干个NMOS、若干个PMOS管、若干个电容和电阻组成。
可选的，自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接射频输入端；
自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中共源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。
可选的，在自适应动态偏置电路中，第一NMOS管的栅极为自适应动态偏置电路的输入端，第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的源极，第一NMOS管的源极接地；
第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极接地，第二PMOS管的源极接电源电压，第二NMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接后与第一NMOS管的漏极连接；
第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，第三NMOS管的源极接地，第三PMOS管的源极接电源电压，第三NMOS管的栅极与漏极连接，第三PMOS管的栅极和漏极连接；
第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极的公共端记为第一连接点，第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极的公共端记为第二连接点，第一连接点与第二连接点连接，第二连接点通过电阻接自适应动态偏置电路的第一输出端，第一输出端用于为功率放大器中共源放大器的栅极提供偏置电压；
第四NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极连接后与第一PMOS管的栅极连接，第四NMOS管的源极接地，第四PMOS管的源极接电源电压，第四NMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接后与第一NMOS管的漏极连接；
第一PMOS管的漏极通过电阻接自适应动态偏置电路的第二输出端，第二输出端用于为功率放大器中共栅放大器的栅极提供偏置电压。
可选的，射频输入端和射频输出端之间设置有两个主体电路，每个主体电路包括激励放大器和功率放大器，激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接；
第一主体电路中的激励放大器与第一变压器的副边连接，第二主体电路中的激励放大器与第二变压器的副边连接，第一变压器的原边与第二变压器的原边连接，第一变压器的原边连接射频输入端，第二变压器的原边接地；
第一变压器原边与第二变压器原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端；
第一主体电路中的功率放大器与第三变压器的原边连接，第二主体电路中的功率放大器与第四变压器的原边连接，第三变压器的副边与第四变压器的副边连接，第三变压器的副边连接射频输出端，第四变压器的副边接地。
可选的，每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器；
在第一主体电路，激励放大器中共源放大器的栅极与第一变压器的副边连接，激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接；
在第二主体电路，激励放大器中共源放大器的栅极与第二变压器的副边连接，激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。
可选的，每个主体电路中的功率放大器包括2个共源共栅放大器；
在每个主体电路中，功率放大器中共源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第一输出端，功率放大器中共栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端；
在第一主体电路，功率放大器中共源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器中共栅放大器的漏极连接第三变压器的原边；
在第二主体电路，功率放大器中共源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器中共栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。
可选的，第一变压器的原边和第二变压器的原边之间还连接有电容，第一变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接第一偏置电压，第一偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压；
激励放大器中共栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。
可选的，第三变压器的副边和第四变压器的副边之间还连接有电容，第三变压器原边的中端和第四变压器原边的中端分别通过电感连接电源电压、以及连接接地电容。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器中共源共栅放大器的栅极偏置电压，提高了射频功率放大器的线性度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的结构示意图；
图2是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路的电路原理图；
图3是本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的电路原理图；
图4是本申请实施例提供的自适应动态偏置电路提供的偏置电压与输出功率的曲线示意图；
图5是现有的射频高功率放大器与本申请实施例提供的高线性射频放大器的IMD3曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种高线性射频功率放大器的结构示意图。
该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路。
自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的输出栅极偏置电压。
功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端RFIN，功率放大器通过匹配网络连接射频输出端RFOUT。
自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端RFIN，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器。
其中，自适应动态偏置电路至少由若干NMOS管、若干PMOS管、若干电容和电阻组成。
可选的，自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接射频输入端。
自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中共源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。
通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器中共源共栅放大器的栅极偏置电压，提高了射频功率放大器的线性度。
图2示出了本申请一实施例提供的自适应动态偏置电路的电路原理图。
如图2所示，在自适应动态偏置电路中，第一NMOS管MN17的栅极为自适应动态偏置电路的输入端RFIN_H。
第一NMOS管MN17的漏极连接第一PMOS管MP04的源极。
第一NMOS管MN17的漏极和第一PMOS管MP04之间HIA连接有并联的电容C17和电阻R12。第一NMOS管MN17的漏极接电源电压VDD，第一PMOS管MP04的源极接电源电压VDD。
第一NMOS管MN17的源极接地，第一PMOS管MP04的漏极通过并联的电容C18和电阻R16接地。
第二NMOS管MN18的漏极与第二PMOS管MP01的漏极连接。
第二NMOS管MN18的源极接地。具体地，第二NMOS管MN18的源极通过电阻R14接地。
第二PMOS管MP01的源极接电源电压VDD。具体地，第二PMOS管MP01的源极通过电阻R13接电源电压VDD。
第二NMOS管MN18的栅极与第二PMOS管MP01的栅极连接后与第一NMOS管MN17的漏极连接。
第三NMOS管MN19的漏极与第三PMOS管MP02的漏极连接，第三NMOS管MN19的源极接地，第三PMOS管MP02的源极接电源电压，第三NMOS管MN19的栅极与漏极连接，第三PMOS管MP02的栅极和漏极连接。
第二NMOS管MN18的漏极与第二PMOS管MP01的漏极的公共端记为第一连接点A，第三NMOS管MN19的漏极与第三PMOS管MP02的漏极的公共端记为第二连接点B，第一连接点A与第二连接点B连接,第二连接点B通过电阻R15接自适应动态偏置电路的第一输出端VBCS_PA，第一输出端VBCS_PA用于为功率放大器中共源放大器的栅极提供偏置电压。
第四NMOS管MN20的漏极与第四PMOS管MP03的漏极连接后与第一PMOS管MP04的栅极连接，第四NMOS管MN20的源极接地，第四PMOS管MP03的源极接电源电压VDD，第四NMOS管MN20的栅极和第四PMOS管MP03的栅极连接后与第一NMOS管MN17的漏极连接。
第一PMOS管MP04的漏极通过电阻R17接自适应动态偏置电路的第二输出端VBCG_PA，第二输出端VBCG_PA用于为功率放大器中共栅放大器的栅极提供偏置电压。
图3示出了本申请一实施例提供的高线性射频功率放大器的电路原理图，图3中的自适应动态偏置电路的电路结构如图2所示。
射频输入端RFIN和射频输出端RFOUT之间设置有两个主体电路，每个主体电路包括激励放大器和功率放大器，激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接。
第一主体电路中的C04和C05构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络；第二主体电路中的C11和C12构成激励放大器和功率放大器之间的匹配网络。
第一主体电路中的激励放大器与第一变压器T01的副边连接，第二主体电路中的激励放大器与第二变压器T03的副边连接。
第一变压器T01的原边和第二变压器T03的原边连接，第一变压器T01的原边与第二变压器T02的原边之间还连接有电容C01。第一变压器T01、第二变压器T02和电容C01构成一个匹配网络。
第一变压器T01的副边连接有电容C02，第二变压器T03的副边连接有电容C09。
第一变压器T01的原边连接射频输入端RFIN，第二变压器T03的原边接地。
第一变压器T01原边与第二变压器T03原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端RFIN_H。
第一主体电路中的功率放大器与第三变压器T02的原边连接，第二主体电路中的功率放大器与第四变压器T04的原边连接。
第三变压器T02的副边与第四变压器T04的副边连接，第三变压器T02副边和第四变压器T04副边之间还连接有电容C16。第三变压器T02、第四变压器T04和电容C16构成一个匹配网络。
第三变压器T02的原边连接有电容C07，第四变压器T04的原边连接有电容C14。
第三变压器T02的副边连接射频输出端RFOUT，第四变压器T04的副边接地。
每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器。
如图3所示，第一主体电路的激励放大器中，NMOS管MN01和NMOS管MN03构成一个共源共栅放大器，NMOS管MN02和NMOS管MN04构成一个共源共栅放大器；第二主体电路的激励放大器中，NMOS管MN09和NMOS管MN11构成一个共源共栅放大器，NMOS管MN10和NMOS管MN12构成一个共源共栅放大器。
在第一主体电路中，激励放大器中共源放大器的栅极与第一变压器的副边连接，激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。
如图3所示，NMOS管MN01的栅极和NMOS管MN02的栅极分别与第一变压器T01的副边连接，NMOS管MN03的漏极连接电容C04，NMOS管MN04的漏极连接电容C05。
NMOS管MN03的漏极和NMOS管MN04的漏极为第一主体电路中激励放大器的输出端。
在第二主体电路中，激励放大器中源放大器的栅极与第二变压器的副边连接，激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。
如图3所示，NMOS管MN09的栅极和NMOS管MN10的栅极分别与第一变压器T01的副边连接，NMOS管MN11的漏极连接电容C11，NMOS管MN12的漏极连接电容C12。
NMOS管MN11的漏极和NMOS管MN12的漏极为第二主体电路中激励放大器的输出端。
第一变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接第一偏置电压，第一偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压；激励放大器中共栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。
如图3所示，第一变压器T0副边的中端通过电阻R01接第一偏置电压VBCS_DA，第二变压器T03副边的中端通过电阻R06接第一偏置电压VBCS_DA，第一偏置电压VBCS_DA用于为NMOS管MN01、NMOS管NM02、NMOS管MN09、NMOS管MN10提供偏置电压。NMOS管MN03的栅极和NMOS管MN04的栅极分别通过电阻R02接第二偏置电压VBCG_DA，。NMOS管MN11的栅极和NMOS管MN12的栅极分别通过电阻R07接第二偏置电压VBCG_DA。
NMOS管MN01的源极和NMOS管MN02的源极接地，NMOS管MN03的栅极和NMOS管MN04的栅极分别通过电容C03接地。
每个主体电路中功率放大器包括2个共源共栅放大器。
如图3所示，第一主体电路的功率放大器中，NMOS管MN05和NMOS管MN07构成一个共源共栅放大器，NMOS管MN06和NMOS管MN08构成一个共源共栅放大器；第二主体电路的功率放大器中，NMOS管MN13和NMOS管MN15构成一个共源共栅放大器，NMOS管MN14和NMOS管MN16构成一个共源共栅放大器。
在每个主体电路中，功率放大器中共源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第一输出端，功率放大器中共栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端。
如图3所示，NMOS管MN05的栅极通过电阻R03连接自适应动态偏置电路的第一输出端VBCS_PA，NMOS管MN06的栅极通过电阻R04连接自适应动态偏置电路的第一输出端VBCS_PA；NMOS管MN13的栅极通过电阻R08连接自适应动态偏置电路的第一输出端VBCS_PA，NMOS管MN14的栅极通过电阻R09连接自适应动态偏置电路的第一输出端VBCS_PA。
如图3所示，NMOS管MN07的栅极通过电阻R05连接自适应动态偏置电路的第二输出端VBCG_PA，NMOS管MN08的栅极通过电阻R05连接自适应动态偏置电路的第二输出端VBCG_PA；NMOS管MN15的栅极通过电阻R10连接自适应动态偏置电路的第二输出端VBCG_PA，NMOS管MN16的栅极通过电阻R10连接自适应动态偏置电路的第二输出端VBCG_PA。
在第一主体电路中，功率放大器中共源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器中共栅放大器的漏极连接第三变压器的原边。
如图3所示，NMOS管MN05的栅极、NMOS管MN06的栅极为功率放大器的输入端，NMOS管MN05的栅极、NMOS管MN06的栅极与激励放大器的输出端连接。NMOS管MN07的漏极和NMOS管MN08的漏极分别连接第三变压器T03的原边。
在第二主体电路中，功率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器中共栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。
如图3所示，NMOS管MN13的栅极、NMOS管MN14的栅极为功率放大器的输入端，NMOS管MN13的栅极、NMOS管MN14的栅极与激励放大器的输出端连接。NMOS管MN15的漏极和NMOS管MN16的漏极分别连接第四变压器T04的原边。
NMOS管MN05的源极、NMOS管MN06的源极接地，NMOS管MN13的源极、NMOS管MN14的源极接地。NMOS管MN07的栅极和NMOS管MN08的栅极通过电容C06和电感L02接地，NMOS管MN15的栅极和NMOS管MN16的栅极通过电容C13和电感L05接地。
第三变压器T02原边的中端通过电感L03接电源电压VDD，第三变压器T02原边的中端还连接接地电容C08。
第四变压器T04原边的中端通过电感L06接电源电压VDD，第四变压器T04原边的中端还连接接地电容C15。
本申请实施例提供的高线性射频功率放大器，通过自适应动态偏置电路和两个主体电路，不仅提高了射频功率放大器的线性度，还提高了射频功率放大器的输出功率。
图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图，横坐标为输出功率Pout，曲线41对应自适应动态偏置电路提供给共栅放大器的栅极偏置电压，曲线42对应自适应动态偏置电路提供给共源放大器的栅极偏置电压。
图5示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器对应的IMD3(Third Order Intermodulation，三阶互调)曲线图51，以及现有的射频功率放大器对应的IMD3曲线图52，根据曲线51和曲线52，可以看出本申请实施例提供的高线性射频功率放大器的IMD3得到了提高(增幅为△IMD3)，横坐标为输出功率Pout。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种高线性射频功率放大器，其特征在于，包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路，所述自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的栅极偏置电压；
所述功率放大器通过匹配网络和所述激励放大器连接射频输入端，所述功率放大器通过匹配网络连接射频输出端；
所述自适应动态偏置电路的输入端连接所述射频输入端，所述自适应动态偏置电路的输出端连接所述功率放大器中的共源共栅放大器；
其中，所述自适应动态偏置电路至少由若干个NMOS、若干个PMOS管、若干个电容和电阻组成。
2.根据权利要求1所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，所述自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接所述射频输入端；
所述自适应动态偏置电路的输出端连接所述功率放大器中共源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。
3.根据权利要求1所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，在所述自适应动态偏置电路中，第一NMOS管的栅极为所述自适应动态偏置电路的输入端，所述第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的源极，所述第一NMOS管的源极接地；
第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极接地，第二PMOS管的源极接电源电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接后与所述第一NMOS管的漏极连接；
第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三NMOS管的栅极与漏极连接，所述第三PMOS管的栅极和漏极连接；
所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极的公共端记为第一连接点，所述第三NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极的公共端记为第二连接点，所述第一连接点与所述第二连接点连接，所述第二连接点通过电阻接所述自适应动态偏置电路的第一输出端，所述第一输出端用于为功率放大器中共源放大器的栅极提供偏置电压；
第四NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极连接后与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四PMOS管的源极接电源电压，所述第四NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极连接后与所述第一NMOS管的漏极连接；
所述第一PMOS管的漏极通过电阻接所述自适应动态偏置电路的第二输出端，所述第二输出端用于为功率放大器中共栅放大器的栅极提供偏置电压。
4.根据权利要求1至3任一所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，所述射频输入端和所述射频输出端之间设置有两个主体电路，每个主体电路包括激励放大器和功率放大器，所述激励放大器和所述功率放大器通过匹配网络连接；
第一主体电路中的激励放大器与第一变压器的副边连接，第二主体电路中的激励放大器与第二变压器的副边连接，所述第一变压器的原边与所述第二变压器的原边连接，所述第一变压器的原边连接所述射频输入端，所述第二变压器的原边接地；
所述第一变压器原边与所述第二变压器原边的公共端连接所述自适应动态偏置电路的输入端；
所述第一主体电路中的功率放大器与第三变压器的原边连接，所述第二主体电路中的功率放大器与第四变压器的原边连接，所述第三变压器的副边与所述第四变压器的副边连接，所述第三变压器的副边连接所述射频输出端，所述第四变压器的副边接地。
5.根据权利要求4所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，每个主体电路中的所述激励放大器包括2个共源共栅放大器；
在所述第一主体电路，所述激励放大器中共源放大器的栅极与所述第一变压器的副边连接，所述激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与所述功率放大器的输入端连接；
在所述第二主体电路，所述激励放大器中共源放大器的栅极与所述第二变压器的副边连接，所述激励放大器中共栅放大器的漏极通过电容与所述功率放大器的输入端连接。
6.根据权利要求4所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，每个主体电路中的所述功率放大器包括2个共源共栅放大器；
在每个主体电路中，所述功率放大器中共源放大器的栅极连接所述自适应动态偏置电路的第一输出端，所述功率放大器中共栅放大器的栅极连接所述自适应动态偏置电路的第二输出端；
在所述第一主体电路，所述功率放大器中共源放大器的栅极与所述激励放大器的输出端连接，所述功率放大器中共栅放大器的漏极连接所述第三变压器的原边；
在所述第二主体电路，所述功率放大器中共源放大器的栅极与所述激励放大器的输出端连接，所述功率放大器中共栅放大器的漏极连接所述第四变压器的原边。
7.根据权利要求5所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，所述第一变压器的原边和所述第二变压器的原边之间还连接有电容，所述第一变压器副边的中端和所述第二变压器副边的中端分别通过电阻连接第一偏置电压，所述第一偏置电压用于为所述激励放大器中的共源放大器提供偏置电压；
所述激励放大器中共栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。
8.根据权利要求6所述的高线性射频功率放大器，其特征在于，所述第三变压器的副边和所述第四变压器的副边之间还连接有电容，所述第三变压器原边的中端和所述第四变压器原边的中端分别通过电感连接电源电压、以及连接接地电容。
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