CN111147144B - 大密钥空间的混沌光保密通信收发模块 - Google Patents

大密钥空间的混沌光保密通信收发模块 Download PDF

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Abstract

本发明属于光电子器件技术领域中的半导体激光器技术领域，公开了一种大密钥空间的混沌光保密通信收发模块。包括：依次设置的N电极层、芯片衬底、下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层、P接触层和P电极层，所述有源层包括依次排列的第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区；所述上限制层中与所述第一DFB区和第二DFB区对应的位置制作有分布反馈Bragg光栅；所述P电极层上设置有隔离沟，所述隔离沟将所述P电极层隔离成分别对应于所述第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区的电极。本发明增大了混沌光保密通信的密钥空间，提高了通信系统的安全性。

Description

大密钥空间的混沌光保密通信收发模块
技术领域
本发明属于光电子器件技术领域中的半导体激光器技术领域，具体涉及一种大密钥空间的混沌光保密通信收发模块。
背景技术
混沌光通信由于具有硬件加密、与现行光通信系统兼容、适用于高速（Gbit/s）、长距离（km）保密通信等优点受到广泛关注。混沌光保密通信的关键在于混沌激光接收机与发射机之间的混沌同步，这要求接收机与发射机的结构参数完全匹配或者在一定地失配范围内（Phys. Rev. E, Vol. 69, P.056226, 2004）。对于合法通信双方，通常利用收发机的硬件结构参数做密钥。由密钥参数组成的密钥空间越大，窃听者破解信息所需的时间越长，获取正确信息的概率越低，破解速度越慢，最终难以破解。因此，混沌保密通信的关键问题之一是增大收发机的密钥空间。
常用的混沌光通信收发机分为以下三种。第一是基于光纤激光器的混沌光通信收发机（Science,Vol.279,P.1198-1200,1998.），该类型收发机的速率低，不适合高速的保密通信，例如Phys. Rev. L, Vol. 81, P. 3547-3550., 1998，其收发速率为156Mbps。第二是基于光电反馈振荡器的混沌光通信收发机（Nature,Vol.437,P.343-346,2005.），该类型收发机的速率可达Gbit/s，但结构复杂，需要高带宽的滤波器等器件，成本高昂，不利于实用化。第三是基于半导体激光器的混沌光通信收发机，典型结构是外腔反馈半导体激光器（Phys. Rev. A, Vol. 94, P.061803, 2016），其结构简单、成本低，是目前混沌保密通信研究中最常用的收发机。然而，通过测量通信线路上的混沌光载波功率谱，分析激光器的弛豫振荡频率，可以推知激光器所加载的偏置电流；将截获的混沌载波作自相关运算，从自相关曲线可获取外腔长度信息；在上述两个参数窃取之后，反馈强度可通过“穷举攻击”破获，即利用可调光衰减器连续调节反馈强度，终能实现窃听者与发射机的混沌同步。因此，光反馈半导体激光器作为通信收发机时，仅用偏置电流、外腔长度和反馈强度三个结构参数作为密钥，密钥空间过小，窃听者易于破解获取正确信息。若收发机具有足够大的密钥空间时，可以满足大量合法用户之间的保密通信，增加非法用户的窃取难度。
目前实现高速大密钥空间的保密通信方案中，通过增加外腔数量来增加密钥空间（Opt. Express, Vol. 27, P.3065-3073, 2019），结构复杂，易受环境干扰，且反馈强度、外腔长度、偏置电流等参数只有选择在某些特定范围内，才可以隐藏外腔长度信息，这实际上是限制了其有效参数密钥空间；用伪随机码调制来增强密钥空间（IEEE Photon.Technol. Lett., Vol. 27, P.326-329, 2015），其安全性依赖于私钥而非器件的物理参数，无法发挥混沌保密通信特有的硬件加密优势；通过增加反馈环的复杂性来增加密钥空间（Opt. Express, Vol. 24, P.23439-23449, 2016），成本高昂，不便于集成和规模化生产，硬件一致性难以保证，合法通信双方实现混沌同步困难。
光子集成的多段半导体激光器可以集成和规模化生产，且能够形成复杂外腔，增加器件结构参数。常见的多段半导体激光器结构分为光反馈结构和互耦合两大类。基于光反馈结构的集成模块，通常在反馈腔中集成无源波导和相位区构成多个反馈腔（QuantumElect, Vol. 2010.）或集成增益区、相位区和无源波导（Opt. Express, Vol.18, J IEEE46, P. 1840-1846, P.5188-5198, 2010）形成复杂外腔。基于互耦合结构的集成模块通常由两个光DFB激光器构成，或在其中集成相位区（Opt. Express, Vol.22, P.5614-5622,2014）。然而，光子集成的多段半导体激光器目前尚未应用于大密钥空间的混沌收发模块。
发明内容
本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种大密钥空间的混沌光保密通信收发模块。该发明主要用于大密钥空间的高速混沌保密通信的收发端，提供超宽带混沌光，适应高速通信，满足大量合法用户之间的保密通信，增加非法用户的窃取难度。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：大密钥空间的混沌光保密通信收发模块，包括：
芯片衬底；
制作于所述芯片衬底的下波导层；
制作于所述下波导层上的下限制；
制作于所述下限制层上的有源层，所述有源层包括依次排列的第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区；
制作于所述有源层上的上限制层，所述上限制层中与所述第一DFB区和第二DFB区对应的位置制作有分布反馈Bragg光栅；
制作于所述上限制层上的上波导层；
制作于所述上波导层上的P接触层；
制作于所述P接触层上的P电极层，所述P电极层上设置有隔离沟，所述隔离沟将所述P电极层隔离成分别对应于所述第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区的电极；
制作于所述芯片衬底的N电极层。
所述上限制层中的分布反馈Bragg光栅的材料为InP，所述有源层中的SOA区为InGaAs材料和/或InGaAsP材料的多量子阱结构，所述有源层中的第一DFB区和第二DFB区的材料为InGaAsP材料，所述有源层中的第一相位区和第二相位区的材料为无源波导材料。
所述第一相位区和第二相位区的注入电流IP1 和 IP2中引入相位调制编码信号。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果：
1、本发明提出的一种大密钥空间的混沌光通信收发模块，具体为一种多区级联耦合腔半导体激光器，通过在激光器内依次设置了第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区5个区，第一DFB区经过第一相位区与第二DFB区连接，则第一DFB区发出的激光与第二DFB区发出的激光通过第一相位区构成互注入耦合，第二DFB区经过第二相位区与SOA区连接，互注入的激光经第二相位区后在SOA区中放大并反馈回DFB2激光器中，则互注入光和反馈光相互作用，形成复杂的耦合光；也就是说，本发明不仅利用两DFB 激光器的光场互相注入隐藏弛豫振荡频率，从而无法在频谱中暴露激光器的信息，提高其安全性，而且还通过SOA区进行光反馈，进一步提高了通信系统的安全性；
2、本发明的收发模块共有5 个调控参数，即第一DFB区的注入电流IDFB1、第二DFB区的注入电流IDFB2、第一相位区的注入电流IP1、第二相位区的注入电流IP2 和SOA区的注入电流IA)，5 个相互独立的调控参数均可以进行高精度控制，他们共同组合，构成收发系统的五维密钥空间。由于时间序列分析法无法获取相位的变化，在两个相位区的注入电流IP1和 IP2内引入调制编码信号，还可有效隐藏密钥参数，显著提高混沌光通信收发系统的密钥空间；
3、本发明依靠微纳制造工艺的集成化保证了收发模块规模化生产时硬件的一致性，同时提高了系统的鲁棒性。
附图说明
图1为本发明实施例提出的一种大密钥空间的混沌光通信收发模块的结构示意图；
图2为应用本发明实施例的混沌光通信收发模块的混沌保密通信装置的结构示意图；
图中：1为第一混沌光通信收发模块；2为左一偏振控制器；3为2×1耦合器；4为光隔离器；5为2×2耦合器；6为右偏振控制器；7为第二混沌光通信收发模块；8为马赫曾德调制器；9为DFB激光器；10为左二偏振控制器；11为光电探测器一；12为光电探测器二；13为平衡探测器；1-1为P电极层；1-2为隔离沟；1-3为P接触层；1-4为上波导层；1-5为上限制层；1-51为分布反馈Bragg光栅；1-6为有源层；1-7为下限制层；1-8为下波导层；1-9为芯片衬底；1-10为N电极层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了大密钥空间的混沌光保密通信收发模块，包括：
芯片衬底1-9；
制作于所述芯片衬底1-9上的下波导层1-8；
制作于所述下波导层1-8上的下限制层1-7；
制作于所述下限制层1-7上的有源层1-6，所述有源层1-6包括依次排列的第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区；
制作于所述有源层1-6上的上限制层1-5，所述上限制层1-5中与所述第一DFB区和第二DFB区对应的位置制作有分布反馈Bragg光栅1-51；
制作于所述上限制层1-5上的上波导层1-4；
制作于所述上波导层1-4上的P接触层1-3；
制作于所述P接触层1-3上的P电极层1-1，所述P电极层1-1上设置有隔离沟1-2，所述隔离沟1-2将所述P电极层1-1隔离成分别对应于所述第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区的电极；
制作于所述芯片衬底1-9的第二表面上的N电极层1-10。
具体地，本实施例中，所述上限制层1-5中的分布反馈Bragg光栅1-51的材料为InP，所述有源层1-6中的SOA区为InGaAs材料和/或InGaAsP材料的多量子阱结构，所述有源层1-6中的第一DFB区和第二DFB区的材料为InGaAsP材料，所述有源层1-6中的第一相位区和第二相位区的材料为无源波导材料。
具体地，本实施例中，所述第一相位区和第二相位区的注入电流IP1 和 IP2中引入相位调制编码信号。此外，本实施例中，上波导层1-4为宽度小于下面结构层的条状，此外，P接触层1-3和P电极层1-1的宽度与上波导层1-4相同。此外，隔离沟1-2还可以延伸至所述P接触层1-3底部，将所述接触层1-3隔离成分别对应于所述第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区的电极。
如图2所示，为应用本发明实施例提供的一种混沌光保密通信收发模块进行信息加载与解调的装置结构示意图，图中第一混沌光通信收发模块1依次通过左一偏振控制器2，2×1耦合器3的a端、c端，光隔离器4，光纤，2×2耦合器5的a端、c端，右偏振控制器6和第二混沌光通信收发模块7连接，构成单向光注入的混沌同步系统，系统参数一致时，用于产生混沌载波来实现混沌保密通信。DFB激光器9通过光纤连接马赫曾德调制器8、左二偏正控制器10和2×1耦合器3的b端，构成信息的加载部分，马赫曾德调制器8可实现信息的调制。2×2耦合器5的b端输出光信号中仅有混沌载波，经过光纤与光电探测器一11连接，2×2耦合器5的d端输出光信号为混沌载波加信息，经过光纤与光电探测器二12连接，光电探测器将光信号转化为电信号，两路电信号经过平衡探测器13后可解调出信息。
该系统实现密钥空间增强举例如下：以电流调节精度0.02 mA，可控范围10 mA 为例，单个相位区调制信号的组合在216 时，其密钥空间为259。
因此，本发明提出混沌通信收发光模块，采用一种集成的多区级联耦合腔半导体激光器结构，依靠微纳制造工艺的集成化保证了收发模块规模化生产时硬件的一致性，同时提高了系统的鲁棒性。该模块共有5 个调控参数（IDFB1、IDFB2、IP1、IP2和IA)，5 个相互独立的参数均可以进行高精度控制，他们共同组合，构成收发系统的五维密钥空间。由于时间序列分析法无法获取相位的变化，相位调制编码信号IP1和 IP2 的引入，还可有效隐藏密钥参数，显著提高混沌光通信收发系统的密钥空间。此外，本发明利用两DFB 激光器的光场互相注入隐藏弛豫振荡频率，从而无法在频谱中暴露激光器的信息，提高其安全性。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (3)

1.大密钥空间的混沌光保密通信收发模块，其特征在于，包括：
芯片衬底（1-9）；
制作于所述芯片衬底（1-9）的下波导层（1-8）；
制作于所述下波导层（1-8）上的下限制层（1-7）；
制作于所述下限制层（1-7）上的有源层（1-6），所述有源层（1-6）包括依次排列的第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区；
制作于所述有源层（1-6）上的上限制层（1-5），所述上限制层（1-5）中与所述第一DFB区和第二DFB区对应的位置制作有分布反馈Bragg光栅（1-51）；
制作于所述上限制层（1-5）上的上波导层（1-4）；上波导层（1-4）为宽度小于下面结构层的条状；
制作于所述上波导层上的P接触层（1-3）；
制作于所述P接触层（1-3）上的P电极层（1-1），所述P电极层（1-1）上设置有延伸至所述P接触层（1-3）底部的隔离沟（1-2），所述隔离沟（1-2）将所述P电极层（1-1）隔离成分别对应于所述第一DFB区、第一相位区、第二DFB区、第二相位区和SOA区的电极；
制作于所述芯片衬底（1-9）的N电极层（1-10）。
2.根据权利要求1所述的大密钥空间的混沌光保密通信收发模块，其特征在于，所述上限制层（1-5）中的分布反馈Bragg光栅（1-51）的材料为InP，所述有源层（1-6）中的SOA区为InGaAs材料和/或InGaAsP材料的多量子阱结构，所述有源层（1-6）中的第一DFB区和第二DFB区的材料为InGaAsP材料，所述有源层（1-6）中的第一相位区和第二相位区的材料为无源波导材料。
3.根据权利要求1所述的大密钥空间的混沌光保密通信收发模块，其特征在于，所述第一相位区和第二相位区的注入电流IP1 和 IP2中引入相位调制编码信号。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284861B (zh) * 2021-11-25 2023-03-17 太原理工大学 基于互注入联合分布式光栅反馈的光子集成混沌激光器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899759A (zh) * 2018-08-15 2018-11-27 武汉光迅科技股份有限公司 一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102882127B (zh) * 2012-09-19 2014-04-02 大连理工大学 一种光注入型混沌光子集成器件
CN104377544B (zh) * 2014-11-28 2017-11-21 中国科学院半导体研究所 基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片
JP2018098419A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体レーザ、光源ユニット、通信システム及び波長多重光通信システム
CN107809059B (zh) * 2017-11-16 2019-07-02 太原理工大学 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
CN109167250B (zh) * 2018-08-15 2019-11-12 武汉光迅科技股份有限公司 一种集成混沌激光器芯片及激光器
CN110265868B (zh) * 2019-05-07 2021-01-01 太原理工大学 波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899759A (zh) * 2018-08-15 2018-11-27 武汉光迅科技股份有限公司 一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器

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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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