CN111146653A - 电路以及具有该电路的连接器 - Google Patents

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Abstract

一种电路,其包括第一数据传输引线以及靠近所述第一数据传输引线的第一SBU引线,所述电路还包括去耦电路,所述去耦电路包括与所述第一SBU引线相连的第一去耦电容以及与所述第一去耦电容相连的接地端,所述第一去耦电容连接在第一SBU引线与接地端之间。本发明还涉及一种具有该电路的连接器。相较于现有技术,本发明通过设置去耦电路,降低了第一SBU引线与相邻的第一数据传输引线之间的耦合,消除了耦合信号,提高了信号传输的质量。

Description

电路以及具有该电路的连接器
技术领域
本发明涉及一种电路以及具有该电路的连接器,属于电连接器技术领域。
背景技术
随着电连接器,尤其是高速电连接器的不断发展,这对信号传输的质量提出了越来越高的要求。现有的高速电连接器中通常设有差分信号对,每一差分信号对通常包括正信号(D+)、负信号(D-)以及位于所述正信号(D+)与所述负信号(D-)附近的SBU(SidebandUse)信号。如何降低SBU信号与所述正信号(D+)、负信号(D-)之间的耦合是业界需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够降低SBU引线与相邻的数据传输引线之间耦合的电路以及具有该电路的连接器。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种电路,其包括第一数据传输引线以及靠近所述第一数据传输引线的第一SBU引线,所述电路还包括去耦电路,所述去耦电路包括与所述第一SBU引线相连的第一去耦电容以及与所述第一去耦电容相连的接地端,所述第一去耦电容连接在第一SBU引线与接地端之间。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述第一数据传输引线包括第一负半差分信号引线以及第一正半差分信号引线。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述第一去耦电容的电容值为X1,其中7pF≤X1≤75pF。
作为本发明进一步改进的技术方案,7pF≤X1≤27pF、或者27pF≤X1≤47pF、或者47pF≤X1≤68pF、或者68pF≤X1≤75pF。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述电路包括第二数据传输引线以及靠近所述第二数据传输引线的第二SBU引线,所述去耦电路包括与所述第二SBU引线相连的第二去耦电容以及与所述第二去耦电容相连的接地端,所述第二去耦电容连接在第二SBU引线与接地端之间。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述第二数据传输引线包括第二正半差分信号引线以及第二负半差分信号引线。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述第二去耦电容的电容值为X2,其中7pF≤X2≤75pF。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述电路包括两组高速差分信号对,所述两组高速差分信号对具体包括发射端第一正高速差分信号引线、发射端第一负高速差分信号引线、发射端第二正高速差分信号引线、发射端第二负高速差分信号引线、接收端第一负高速差分信号引线、接收端第一正高速差分信号引线、接收端第二负高速差分信号引线以及接收端第二正高速差分信号引线。
本发明还涉及一种连接器,其包括连接器接口以及前述的电路,其中所述连接器接口包括相对布置的第一排端子以及第二排端子,所述第一排端子设有与所述第一数据传输引线相连的第一数据传输端子以及与所述第一SBU引线相连的第一SBU端子。
作为本发明进一步改进的技术方案,所述连接器为USB Type-C连接器或者Thunderbolt连接器。
相较于现有技术,本发明通过设置去耦电路,降低了第一SBU引线与相邻的第一数据传输引线之间的耦合,消除了耦合信号,提高了信号传输的质量。
附图说明
图1是本发明连接器在一种实施方式中的立体示意图。
图2是图1的主视图。
图3是图2中连接器接口的示意图。
图4是与图3中的连接器接口相连接的电路的示意图。
图5是图4中的SBU1引线与SBU2引线在一种实施方式中的单端衰减测试图。
图6是图4中的SBU1引线与SBU2引线在第一、第二去耦电容采用不同电容值时的单端衰减测试图。
具体实施方式
请参图1至图4所示,本发明揭示了一种连接器100,其包括连接器接口1以及所述连接器接口1相配合的电路板2。在本发明的一种实施方式中,所述连接器100为线缆连接器,其包括用以与所述电路板2相连的线缆3。
请参图2所示,所述连接器接口1包括用以收容对接连接器的舌板的收容槽10以及凸伸入所述收容槽10内的第一排端子11以及凸伸入所述收容槽10内的第二排端子12,其中所述第一排端子11与所述第二排端子12相对布置。在本发明图示的实施方式中,所述第一排端子11位于上排,所述第二排端子12位于下排。
请参图2及图3所示,本发明图示的实施方式中,所述连接器100为USB Type-C线缆连接器,所述第一排端子11沿第一方向(例如图3中的从右到左方向)依次包括A1-A12端子,其中A1端子为接地端子(GND)、A2端子为发射端第一正高速差分信号端子(TX1+)、A3端子为发射端第一负高速差分信号端子(TX1-)、A4端子为电源端子(VBUS)、A5端子为第一配置通道端子(Configuration Channel,简称CC1端子)、A6端子为第一正半差分信号端子(Positivehalf of the differential pair,简称D1+)、A7端子为第一负半差分信号端子(Negativehalf of the differential pair,D1-)、A8端子为第一SBU(Sideband Use,SBU1)端子、A9端子为电源端子(VBUS)、A10端子为接收端第二负高速差分信号端子(RX2-)、A11端子为接收端第二正高速差分信号端子(RX2+)、A12端子为接地端子(GND)。
所述第二排端子12沿与所述第一方向相反的第二方向(例如图3中的从左到右方向)依次包括B1-B12端子,其中B1端子为接地端子(GND)、B2端子为发射端第二正高速差分信号端子(TX2+)、B3端子为发射端第二负高速差分信号端子(TX2-)、B4端子为电源端子(VBUS)、B5端子为第二配置通道端子(Configuration Channel,简称CC2端子)、B6端子为第二正半差分信号端子(Positive half of the differential pair,简称D2+)、B7端子为第二负半差分信号端子(Negative half of the differential pair,D2-)、B8端子为第二SBU(Sideband Use,SBU2)端子、B9端子为电源端子(VBUS)、B10端子为接收端第一负高速差分信号端子(RX1-)、B11端子为接收端第一正高速差分信号端子(RX1+)、B12端子为接地端子(GND)。上述A1-A12端子以及B1-B12端子的功能请参USB-IF发布的协会标准,在此不再赘述。
请参图4所示,所述电路板2的电路包括A1-A12引线以及B1-B12引线,其中A1引线为接地引线(GND)、A2引线为发射端第一正高速差分信号引线(TX1+)、A3引线为发射端第一负高速差分信号引线(TX1-)、A4引线为电源引线(VBUS)、A5引线为第一配置通道引线(Configuration Channel,简称CC1引线)、A6引线为第一正半差分信号引线(Positivehalf of the differential pair,简称D1+)、A7引线为第一负半差分信号引线(Negativehalf of the differential pair,D1-)、A8引线为第一SBU(Sideband Use,SBU1)引线、A9引线为电源引线(VBUS)、A10引线为接收端第二负高速差分信号引线(RX2-)、A11引线为接收端第二正高速差分信号引线(RX2+)、A12引线为接地引线(GND)。
B1引线为接地引线(GND)、B2引线为发射端第二正高速差分信号引线(TX2+)、B3引线为发射端第二负高速差分信号引线(TX2-)、B4引线为电源引线(VBUS)、B5引线为第二配置通道引线(Configuration Channel,简称CC2引线)、B6引线为第二正半差分信号引线(Positive half of the differential pair,简称D2+)、B7引线为第二负半差分信号引线(Negative half of the differential pair,D2-)、B8引线为第二SBU(Sideband Use,SBU2)引线、B9引线为电源引线(VBUS)、B10引线为接收端第一负高速差分信号引线(RX1-)、B11引线为接收端第一正高速差分信号引线(RX1+)、B12引线为接地引线(GND)。
所述A1-A12引线分别与所述A1-A12端子相连,所述B1-B12引线分别与所述B1-B12端子相连,其中所述A4端子、A9端子、B4端子以及B9端子通过一个电容C与接地端DGND相连,所述A1端子、A12端子、B1端子以及B12端子与接地端DGND相连。
在本发明图示的实施方式中,所述电路板2的电路还包括去耦电路,所述去耦电路包括与所述第一SBU引线(A8引线)相连的第一去耦电容C1以及与所述第一去耦电容C1相连的接地端DGND。在本发明图示的实施方式中,所述去耦电路还包括与所述第二SBU引线(B8引线)相连的第二去耦电容C2以及与所述第二去耦电容C2相连的接地端DGND。如此设置,通过在第一SBU引线(A8引线)与接地端DGND之间增加第一去耦电容C1,降低了第一SBU引线(A8引线)与相邻的第一负半差分信号引线(A7引线,D1-)以及第一正半差分信号引线(A6引线,D1+)之间的耦合,消除了耦合信号,提高了信号传输的质量;同理,通过在第二SBU引线(B8引线)与接地端DGND之间增加第二去耦电容C2,降低了第二SBU引线(B8引线)与相邻的第二负半差分信号引线(B7引线,D2-)以及第二正半差分信号引线(B6引线,D2+)之间的耦合,消除了耦合信号,提高了信号传输的质量。
请参图4所示,在本发明图示的实施方式中,所述第一SBU引线(A8引线)与所述第二SBU引线(B8引线)在所述电路板2上错开布置(即非对齐布置)。
另外,在增加了第一去耦电容C1与第二去耦电容C2后,请参图5所示,并非所有的电容值都能满足要求。例如,SBU1单端衰减项目曲线L1、SBU2单端衰减项目曲线L2并非在任何情况下都符合规格要求限制曲线L0,特别是在频率为50MHz至100MHz之间时。如何使第一SBU引线(A8引线)与第二SBU引线(B8引线)的单端衰减项目(SBU single ended InsertionLoss,简称SBUIL)能符合要求,也是需要考虑的技术问题。在本发明的一种实施方式中,申请人经过深入的研究后发现,所述第一去耦电容C1的电容值X1与所述第二去耦电容C2的电容值X2的大小也会分别对所述第一SBU引线(A8引线)与所述第二SBU引线(B8引线)的单端衰减项目的结果产生很大的影响。请参图6所示,L91、L100、L150、L220、L75、L68、L47、L27、L7分别代表第一、第二去耦电容C1、C2的电容值X1、X2分别为91pF、100pF、150pF、220pF、75pF、68pF、47pF、27pF、7pF时的测试曲线图,将其与规格要求限制曲线L0相比可以得出,当X1、X2介于7pF~75pF之间(即7pF≤X1≤75pF,7pF≤X2≤75pF)时,能够通过单端衰减项目的测试。更具体地,7pF≤X1≤27pF、或者27pF≤X1≤47pF、或者47pF≤X1≤68pF、或者68pF≤X1≤75pF。7pF≤X2≤27pF、或者27pF≤X2≤47pF、或者47pF≤X2≤68pF、或者68pF≤X2≤75pF。
所属技术领域的技术人员能够理解,当图1中线缆连接器的两端均为USB Type-C时,每一个连接器接口1内均可以设置如图4所示的集成电路(Integrated Circuit,IC)。如此设置,每一个集成电路中均设有一个第一去耦电容C1以及一个第二去耦电容C2。整体上,所述线缆连接器设有两个第一去耦电容C1以及两个第二去耦电容C2。
可以理解,本发明中的去耦电路的布置不仅仅能够应用于USB Type-C线缆连接器,也可以应用于其他类型的连接器,例如Thunderbolt连接器等。当然,图4所示的集成电路的设计仅仅是本发明的一种实施方式,在其他实施方式中,所述集成电路也可以被设计为其他的态样,甚至在整个线路中并没有集成电路。即使如此,本发明去耦电容的布置方式也同样适用,即将去耦电路应用在靠近数据传输引线(例如差分对)的SBU引线回路中,即在SBU引线与接地端DGND之间设置去耦电容。
以上实施例仅用于说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案,对本说明书的理解应该以所属技术领域的技术人员为基础,例如对“上”、“下”等方向性的描述,尽管本说明书参照上述的实施例对本发明已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,所属技术领域的技术人员仍然可以对本发明进行修改或者等同替换,而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进,均应涵盖在本发明的权利要求范围内。

Claims (10)

1.一种电路,其包括第一数据传输引线以及靠近所述第一数据传输引线的第一SBU引线(SBU1),其特征在于,所述电路还包括去耦电路,所述去耦电路包括与所述第一SBU引线(SBU1)相连的第一去耦电容(C1)以及与所述第一去耦电容(C1)相连的接地端(DGND),所述第一去耦电容(C1)连接在第一SBU引线(SBU1)与接地端(DGND)之间。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于:所述第一数据传输引线包括第一负半差分信号引线(D1-)以及第一正半差分信号引线(D1+)。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于:所述第一去耦电容(C1)的电容值为X1,其中7pF≤X1≤75pF。
4.如权利要求3所述的电路,其特征在于:7pF≤X1≤27pF、或者27pF≤X1≤47pF、或者47pF≤X1≤68pF、或者68pF≤X1≤75pF。
5.如权利要求3所述的电路,其特征在于:所述电路包括第二数据传输引线以及靠近所述第二数据传输引线的第二SBU引线(SBU2),所述去耦电路包括与所述第二SBU引线(SBU2)相连的第二去耦电容(C2)以及与所述第二去耦电容(C2)相连的接地端(DGND),所述第二去耦电容(C2)连接在第二SBU引线(SBU2)与接地端(DGND)之间。
6.如权利要求5所述的电路,其特征在于:所述第二数据传输引线包括第二正半差分信号引线(D2+)以及第二负半差分信号引线(D2-)。
7.如权利要求5所述的电路,其特征在于:所述第二去耦电容(C2)的电容值为X2,其中7pF≤X2≤75pF。
8.如权利要求1所述的电路,其特征在于:所述电路包括两组高速差分信号对,所述两组高速差分信号对具体包括发射端第一正高速差分信号引线(TX1+)、发射端第一负高速差分信号引线(TX1-)、发射端第二正高速差分信号引线(TX2+)、发射端第二负高速差分信号引线(TX2-)、接收端第一负高速差分信号引线(RX1-)、接收端第一正高速差分信号引线(RX1+)、接收端第二负高速差分信号引线(RX2-)以及接收端第二正高速差分信号引线(RX2+)。
9.一种连接器,其特征在于,包括连接器接口(1)以及如权利要求1至8项中任意一项所述电路,其中所述连接器接口(1)包括相对布置的第一排端子(11)以及第二排端子(12),所述第一排端子(11)设有与所述第一数据传输引线相连的第一数据传输端子以及与所述第一SBU引线(SBU1)相连的第一SBU端子(A8)。
10.如权利要求9所述的连接器,其特征在于:所述连接器为USB Type-C连接器或者Thunderbolt连接器。
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