CN111139444A - 半导体加工设备的加热系统及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体加工设备的加热系统及其控制方法。基座包括第一加热区域和第二加热区域，该控制方法包括以下步骤：S1、检测并获取对应第一加热区域的第一实测温度和对应第二加热区域的第二实测温度；S2、根据第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应第一加热区域的当加热温度中的第一加热目标温度和对应第二加热区域的第二目标温度，确定当前第一加热区域和第二加热区域的温度差异参数；S3、根据温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整第一加热区域和第二加热区域的加热模式。本申请实施例实现了对基座内外环温度的精确控制，有效提高了工艺温度环境的稳定性。

Description

半导体加工设备的加热系统及其控制方法

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体加工设备的加热系统及其控制方法。

背景技术

目前，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)是指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性及耐蚀性等)的微粒喷涂到性能较差的基材上，使得基材具有更好的性能，该技术广泛应用于半导体领域。工艺结果作为PVD设备性能的唯一评判标准，加热系统的控制准确与否对工艺结果的影响巨大，在PVD工艺生产过程中，需要将托盘上的基材加热到规定的工艺温度值，许多PVD的腔室在加热过程中需要用到内外环加热技术对基座加热并且对基座上方的陶瓷器件对于温差变化十分敏感，因此对其加热系统的准确控制要求十分高。

加热系统的控制对于PVD工艺过程均是十分重要的，加热系统的温度控制性能对薄膜沉积质量(如摇摆曲线、粗糙度等)的一致性有重要影响，腔室温度的波动性以及不准确性势必会大大降低晶圆的工艺结果，由于目前现有的加热系统控制不准确，因此设计出合理准确的加热系统是PVD设备电气层面至关重要的一环。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体加工设备的加热系统及其控制方法，用以解决现有技术存在基座温度控制不准确的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种加热系统的控制方法，应用于半导加工设备中基座的加热控制，所述基座包括第一加热区域和第二加热区域，包括以下步骤：S1、检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；S2、根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；S3、根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。

于本申请的一实施例中，步骤S2具体包括：根据以下公式对所述第一实测温度、所述第二实测温度、所述第一目标温度、所述第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TC Inner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第二实测温度；TCInner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一加热温度；T2为第二加热温度。

于本申请的一实施例中，所述预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，所述第一子参数小于所述第二子参数，所述第二子参数小于所述第三子参数。

于本申请的一实施例中，所述第一子参数、所述第二子参数及所述第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为所述第一目标温度和所述第二目标温度的温度差异值。

于本申请的一实施例中，步骤S3具体包括：

当所述温度差异参数小于或等于所述第一子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第一子参数，并且不超过所述第二子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二实测温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第二子参数，并且不超过所述第三子参数时，控制所述第一加热区域停止加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第三子参数时，控制第一加热区域及第二加热区域停止加热，并且进行报警。

于本申请的一实施例中，所述第一加热区域和所述第二加热区为所述基座上同心设置的两个圆环区域，且所述第一加热区域为内环区域，所述第二加热区域为外环区域。

第二个方面，本申请实施例提供了一种用于半导体加工设备的加热系统，包括：检测模块、确定模块、控制模块和加热模块；其中，所述检测模块用于检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；所述确定模块用于根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；所述控制模块用于根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述加热模块对所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。

于本申请的一实施例中，所述确定模块具体用于：根据以下公式对所述第一实测温度、所述第二实测温度、所述第一目标温度、第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TC Inner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第一实测温度；TCInner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一目标温度；T2为第二目标温度。

于本申请的一实施例中，所述预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，所述第一子参数小于所述第二子参数，所述第二子参数小于所述第三子参数。

于本申请的一实施例中，所述第一子参数、所述第二子参数及所述第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为所述第一目标温度和所述第二目标温度的温度差异值。

于本申请的一实施例中，所述控制模块具体用于：当所述温度差异参数小于或等于所述第一子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，对所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第一子参数，并且不超过所述第二子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且对所述第二加热区域以所述第二实测温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第二子参数，并且不超过所述第三子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且对所述第二加热区域停止加热；

当所述温度差异参数大于所述第三子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域及所述第二加热区域停止加热，并且进行报警。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过根据目标温度与实测温度，以获得第一加热区域及第二加热区域的温度差异参数，并且还根据温度差异参数与预设的预设容忍区间参数的对应关系，实现了对基座内外环温度的精确控制，有效提高了工艺温度环境的稳定性，从而可以有效提高加热系统的工艺性能，以及还可以避免基座内外环温差过大带来的危害，进而还可以大幅提高薄膜沉积质量。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种加热系统的控制方法中的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的一种用于半导加工设备的加热系统的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种加热系统的控制方法，应用于半导加工设备中基座的加热控制，基座包括第一加热区域和第二加热区域，该控制方法的流程示意图如图1所示，包括：

S1：检测并获取对应第一加热区域的第一实测温度和对应第二加热区域的第二实测温度；

S2：根据第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应第一加热区域的第一目标温度和对应第二加热区域的第二目标温度，确定当前第一加热区域和第二加热区域的温度差异参数。

S3：根据温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整第一加热区域和第二加热区域的加热模式。

本申请实施例主要应用半导体处理设备的加热系统进行控制，本申请实施例可以实现对于基座的内外环加热进行分别控制，其可以解决现有技术中基座的分区加热过程，基座的内外环的实际温度存在不准确性的问题。具体来说，当第一目标温度与第二目标温度不同时，即基座的内外环分别由第一目标温度与第二目标温度进行加热，当某一区域的温度损耗过大时，则需要对应调整该区域的目标温度以保证基座整体温度的均匀性，因此会产生第一目标温度及第二目标温度不同的情况，另外为了便于说明本申请实施例，基座的内环为第一区域且通地第一目标温度进行加热，基座的外环为第二区域且通过第二目标温度进行加热。因此当第一目标温度与第二目标温度不同时，控制模块可以通过第一实测温度、第二实测温度以及预设的第一目标温度和第二目标温度，确定第一加热区域和第二加热区域的温度差异参数；根所温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述第一加热区域和第二加热区域的加热模式。预设容忍区间参数具体可以根据第一目标温度与第二目标温度之间差值，以及待加工件的材料参数确定。该待加工件可以是任何基材，例如可以是晶圆，或者该加工件也可以承载基材的托盘，因此本申请实施例并不以此为限。控制模块可以通过确定温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，来调整各在第一目标温度及第二目标温度的状态。

本申请实施例通过根据目标温度与实测温度，以获得第一加热区域及第二加热区域的温度差异参数，并且还根据温度差异参数与预设的预设容忍区间参数的对应关系，实现了对基座内外环温度的精确控制，有效提高了工艺温度环境的稳定性，从而可以有效提高加热系统的工艺性能，以及还可以避免基座内外环温差过大带来的危害，进而还可以大幅提高薄膜沉积质量。

于本申请一实施例中，上述实施例中的步骤S2具体包括：根据以下公式对第一实测温度、第二实测温度、第一目标温度、第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TC Inner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第二实测温度；TC Inner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一目标温度；T2为第二目标温度。

例如，控制模块可以对第一目标温度及第二目标温度进行实时控制，并且当基座的某一区域温度损耗过大时，检测模块可以实时监测到第一实测温度及第二实测温度发生不同的现象，此时确定模块可以根据上述公式获得温度差异参数。采用上述设计，由于采用两个实测温度之间的差异，以及两个目标温度配合预设的增益参数，可以获得增大后温度差异参数，采用该温度差异参数与预设容忍区间参数进行应，可以使得本申请实施例对于第一目标温度及第二目标温度的控制更加准确，从而可以进一步提高工艺性能，进而还可以大幅提高薄膜沉积质量。

于本申请的一实施例中，预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，第一子参数小于第二子参数，第二子参数小于第三子参数。

例如，由预设可容忍温差值确定的第一子参数，预设可容忍温差值由待加工件位于第一区域及第二区域能接受的温度差值来确定；由预设保温温差值确定的第二子参数，预设保温温差值由待加工件位于第一区域及第二区域能接受的温度平衡值来确定；由预设不可容忍温差值确定的第三子参数，预设不可容忍温差值由待加工件位于第一区域及第二区域不接受的温度范围来确定；并且第一子参数、第二子参数及第三子参数的容忍范围依次从小到大。

于本申请的一实施例中，第一子参数、第二子参数及第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为温度差异值。

例如，预设容忍区间参数可以包括第一子参数、第二子参数及第三子参数，各个子参数均由不同的预设值来确定。具体来说，第一子参数可以由预先设置的预设可容忍温差值来确定，预设可容忍温差值可以根据待加工件的耐热性能来确定，即待加工件位于基座的两个区域可接受两个不同的目标温度，两个不同的目标温度之间的差值即可以设置为预设可容忍温差值。

可选地，第二子参数可以由预先设置的预设保温温差值来确定，预设保温温差值的设置原理可以参照第一子参数的设置方式，进一步来说，两个不同的目标温度之间的差值为某一数值时，待加工件的性能较佳且无需调整第一目标温度及第二目标温度，那么该数值可以设置为预设保温温差值。

可选地，第三子参数可以由预先设置的预设不可容忍温差值来确定，预设不可容忍温差值的设置原理可以参照第一子参数及第二子参数的设置方法。进一步来说，两个不同的目标温度之间的差值达到某一数值时，待加工件会发生损坏或者性能发生变化，那么该数值可以设置为预设不可容忍温差值。采用上述设计，由于可以根据不同待加工件的性能，或者根据相同的待加工件的不同性能进行设置多个子参数，由此可以实现本申请实施可以应用于多种待加件，以及多种不同工艺，从而有效提高了本申请实施例的适用范围，还可以有效提高本申请实施例的工艺性能。

需要说明的是，本申请实施例并不限定上述各子参数确定的依据，也可以是待加工件的其它性能，例如可以是待加工件在承受不同温度变化时，其本身性能变化的临界值，因此本申请实施例并不以此为限。

于本申请一实施例中，上述实施例中的步骤S3具体包括：当温度差异参数小于或等于第一子参数时，控制第一加热区域以第一目标温度为加热温度进行加热，控制第二加热区域以第二目标温度为加热温度进行加热；当温度差异参数大于第一子参数，并且不超过第二子参数时，控制第一加热区域以第一目标温度为加热温度进行加热，并且控制第二加热区域以第二实测温度为加热温度进行加热；当温度差异参数大于第二子参数，并且不超过第三子参数时，控制第一加热区域停止加热，并且控制第二加热区域以第二目标温度为加热温度进行加热；当温度差异参数大于第三子参数时，控制第一加热区域及第二加热区域停止加热，并且进行报警。

例如，当温度差异参数小于或等于第一子参数时，此时基座不会对待加工件的性能造成损坏，可以判定基座内外环的温差可以忽略，因此可此继续保持第一加热区域以第一目标温度进行加热，以及继续控制第二加热区域以第二目标温度继续运行。

可选地，当温度差异参数大于第一子参数，并且不超过第二子参数时，可以判定内外环温差出现轻微偏离。因此可以控制第一加热区域以第一目标温度为加热温度进行加热，即内环进入保温状态；而控制模块控制第二加热区域以第二实测温度为加热温度进行加热。

可选地，当温度差异参数大于第二子参数，并且不超过第三子参数时，可以判定内外环温差出现中度偏离。因此可以控制第一加热区域停止加热，即内环进入降温状态，而控制模块则需要控制第二加热区域以第二目标温度继续运行。

可选地，当温度差异参数大于第三子参数，可以判定内外环温差出现重度偏离，而且无法通过上述调整进入正常加热状态，因此可以控制第一加热区域及第二加热区域停止加热，并且可以发出报警信号。

于本申请的一实施例中，第一加热区域和第二加热区为基座上同心设置的两个圆环区域，且第一加热区域为内环区域，第二加热区域为外环区域。具体来说，基座的内环区域可以为第一加热区域，而基座的外环区域则可以为第二加热区域，但是本申请实施例并不以此为限；

基于相同的构思，本申请实施例还提供了一种用于半导体加工设备的加热系统，其采用上述实施例一提供的控制方法。如图2所示，加热系统具体可以包括：检测模块1、确定模块2、控制模块3和加热模块4；其中，检测模块1用于检测并获取对应第一加热区域的第一实测温度和对应第二加热区域的第二实测温度；确定模块2用于根据第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应第一加热区域的第一目标温度和对应第二加热区域的第二目标温度，确定当前第一加热区域和第二加热区域的温度差异参数；控制模块3用于根据温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整加热模块4对第一加热区域和第二加热区域的加热模式。

如图2所示，检测模块1设置于基座10内，并且检测模块1用于检测基座10的第一加热区域及第二加热区域，并且输出第一实测温度TC Inner及第二实测温度TC Outer；确定模块2可以与控制模块3电连接，其可以设定第一目标温度T1及第二目标温度T2并发送至控制模块3，并且还用于根据第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应第一加热区域的第一目标温度和对应第二加热区域的第二目标温度，确定当前第一加热区域和第二加热区域的温度差异参数；控制模块3分别与检测模块1、确定模块2及加热模块4电接接，控制模块3根据温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整第一加热区域和第二加热区域的加热模式。

可选地，还可以包括加热控制器5以及直流电源6，但是本申请实施例并不以此为限，在一些其它实施例中也可以不包括加热控制器5及直流电源6。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

可选地，确定模块2具体可以是上位机，控制模块3可以接收上位机发送的第一目标温度及第二目标温度，以及控制模块还可以接收温度传感器的第一实测在温度及第二实测温度。上位机具体可以采用电脑或者其它计算设备，操作人员可以在上位机内预先设定第一目标温度或者第二目标温度，但是本申请实施例并不以此为限，第一目标温度及第二目标温度也可以包含一工艺数据一并发送至控制模块3。采用上述设计，可以便于操作人员进行操作，而且可以有效提高工作效率。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过根据目标温度与实测温度，以获得第一加热区域及第二加热区域的温度差异参数，并且还根据温度差异参数与预设的预设容忍区间参数的对应关系，实现了对基座内外环温度的精确控制，有效提高了工艺温度环境的稳定性，从而可以有效提高加热系统的工艺性能，以及还可以避免基座内外环温差过大带来的危害，进而还可以大幅提高薄膜沉积质量。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种加热系统的控制方法，应用于半导加工设备中基座的加热控制，所述基座包括第一加热区域和第二加热区域，其特征在于，包括以下步骤：

S1、检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；

S2、根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；

S3、根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

根据以下公式对所述第一实测温度、所述第二实测温度、所述第一目标温度、所述第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TCInner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第一实测温度；TC Inner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一目标温度；T2为第二目标温度。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，

所述第一子参数小于所述第二子参数，所述第二子参数小于所述第三子参数。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一子参数、所述第二子参数及所述第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为所述第一目标温度和所述第二目标温度的温度差异值。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，步骤S3具体包括：

当所述温度差异参数小于或等于所述第一子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第一子参数，并且不超过所述第二子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二实测温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第二子参数，并且不超过所述第三子参数时，控制所述第一加热区域停止加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第三子参数时，控制第一加热区域及第二加热区域停止加热，并且进行报警。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一加热区域和所述第二加热区为所述基座上同心设置的两个圆环区域，且所述第一加热区域为内环区域，所述第二加热区域为外环区域。

7.一种用于半导体加工设备的加热系统，采用如权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，包括：检测模块、确定模块、控制模块和加热模块；其中，

所述检测模块用于检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；

所述确定模块用于根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；

所述控制模块用于根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述加热模块对所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。

8.根据权利要求7所述的加热系统，其特征在于，所述确定模块具体用于：

根据以下公式对所述第一实测温度、所述第二实测温度、所述第一目标温度、第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TCInner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第一实测温度；TC Inner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一目标温度；T2为第二目标温度。

9.根据权利要求8所述的加热系统，其特征在于，所述预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，

所述第一子参数小于所述第二子参数，所述第二子参数小于所述第三子参数。

10.根据权利要求9所述的加热系统，其特征在于，所述第一子参数、所述第二子参数及所述第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为所述第一目标温度和所述第二目标温度的温度差异值。

11.根据权利要求10所述的加热系统，其特征在于，所述控制模块具体用于：

当所述温度差异参数小于或等于所述第一子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，对所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第一子参数，并且不超过所述第二子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且对所述第二加热区域以所述第二实测温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第二子参数，并且不超过所述第三子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且对所述第二加热区域停止加热；

当所述温度差异参数大于所述第三子参数时，控制所述加热模块对所述第一加热区域及所述第二加热区域停止加热，并且进行报警。

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