CN111130518A - 一种SiC MOSFET快速短路保护电路 - Google Patents

一种SiC MOSFET快速短路保护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN111130518A
CN111130518A CN201911224115.8A CN201911224115A CN111130518A CN 111130518 A CN111130518 A CN 111130518A CN 201911224115 A CN201911224115 A CN 201911224115A CN 111130518 A CN111130518 A CN 111130518A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
node
circuit
sic mosfet
triode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911224115.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111130518B (zh
Inventor
李先允
卢乙
倪喜军
王书征
何鸿天
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Institute of Technology
Original Assignee
Nanjing Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Institute of Technology filed Critical Nanjing Institute of Technology
Priority to CN201911224115.8A priority Critical patent/CN111130518B/zh
Publication of CN111130518A publication Critical patent/CN111130518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111130518B publication Critical patent/CN111130518B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Abstract

本发明公开了一种SiC MOSFET快速短路保护电路，包括依次串联的驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路。本发明实施的SiC MOSFET短路保护电路通过电压采样电路等效检测SiC MOSFET运行过程中漏极电流，由脉冲产生电路产生脉冲信号，控制第一三极管和第二三极管，当SiC MOSFET无短路故障时，驱动电路正常运行，当SiC MOSFET发生短路故障时，保护电路强制关断第一三极管，导通第二三极管，以关断SiC MOSFET，保护其安全运行。

Description

一种SiC MOSFET快速短路保护电路
技术领域
本发明属于电力电子领域，涉及一种SiC MOSFET快速短路保护电路。
技术背景
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于其优越的特性，例如工作温度高，导热系数高，开关和传导损耗较低等，正广泛应用于电机驱动器、功率转换器和可再生能源等领域，但是SiC MOSFET由于开关速度快，其du/dt能够轻松达到100V/ns，因此短路耐受时间更短，大多数SiC MOSFET的短路耐受时间仅有2～5μs，这对SiC MOSFET短路保护电路提出了更高的要求。
目前针对该问题的主要解决方式有几种。一方面，可以在SiC MOSFET源极串联一个电流传感器，当电流传感器测得的电流值大于预设电流值时，关断SiC MOSFET，但是电流传感器价格昂贵，且延时时间较长，当发生短路故障时，无法快速关断SiC MOSFET以保护其安全运行。另一方面，可以通过测量SiC MOSFET漏源极两端电压值来判断其是否发生短路故障，但该测量方法存在测量盲区，无法在SiC MOSFET运行的全时间段内进行保护。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种SiC MOSFET快速短路保护电路，以解决现有技术中存在的短路故障时无法快速关断的问题。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种SiC MOSFET快速短路保护电路，包括驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路；所述电压采样电路的输出端与脉冲产生电路的输入端相连，所述脉冲产生电路的输出端与驱动电路的输入端相连。
进一步的，所述驱动电路包括第一三极管T1、第二三极管T2、第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一三极管T1的基极连接有第一节点，所述第一三极管T1的发射极与第一电阻R1的一端相连，所述第一电阻 R1的另一端连接有第二节点，所述第二三极管T2的发射极与第二电阻 R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端与第二节点相连，所述第二三极管T2的基极与第一节点相连。
进一步的，所述第一三极管T1的集电极与供电电压Vcc相连；所述第二三极管T2的集电极与供电电压Vee相连。
进一步的，所述第一三极管T1为NPN型三极管；所述第二三极管T2为PNP型三极管。
进一步的，所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等。
进一步的，所述电压采样电路包括第三电阻R3、第一二极管D1，第二钳位二极管D2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7；所述第三电阻R3的一端连接有第三节点，所述第三电阻R3的另一端连接有第四节点，所述第一二极管D1的阳极与第三节点相连，所述第一二极管D1的阴极与第四电阻R4的一端相连，所述第四电阻R4的另一端连接有第五节点，所述第五电阻R5的一端与第五节点相连，所述第五电阻R5的另一端与第四节点相连，所述第二钳位二极管 D2的阴极与第五节点相连，所述第二钳位二极管D2的阳极与第四节点相连，所述第六电阻R6的一端与第五节点相连，所述第六电阻R6的另一端连接有第六节点，所述第七电阻R7的一端与第六节点相连，所述第七电阻R7的另一端与第四节点相连。
进一步的，所述脉冲产生电路包括第一电压跟随器Q1、第三二极管D3、第八电阻R8、第一电容C1、第一比较器COM1、第一D型触发器M1、第一逻辑与门AND；所述第一电压跟随器Q1的正输入端与第六节点相连，所述第一电压跟随器Q1的负输入端与所述第一电压跟随器Q1的输出端相连，所述第一电压跟随器Q1的输出端连接有第七节点，所述第三二极管D3的阴极与第七节点相连，所述第三二极管D3的阳极连接有第八节点，所述第八电阻R8的一端与第七节点相连，所述第八电阻R8的另一端与第八节点相连，所述第一电容C1的一端与第八节点相连，所述第一比较器COM1的正极输入端与第八节点相连，所述第一比较器COM1输出端与第一D型触发器M1的CLK输入端相连，所述第一D型触发器M1的
Figure BDA0002300161400000031
输出端与第一逻辑与门AND的一输入端相连，所述第一逻辑与门AND的输出端与第一节点相连。
进一步的，所述第一电容C1的另一端与地相连，所述第一比较器 COM1的负极输入端与第一参考电压Vref相连，所述第一逻辑与门AND 的另一输入端与外接PWM信号相连，所述第一D型触发器M1的D输入端与地相连。
进一步的，所述第一比较器COM1的型号为MAX9203ESA型；所述第一逻辑与门AND的型号为NLVVHC1GT08DTT1G。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本发明SiC MOSFET快速短路保护电路，通过电压采样电路检测SiC MOSFET源极串联电阻两端的电压，以此等效检测流过SiC MOSFET的电流大小，当检测电压值大于预设参考电压时，表明SiC MOSFET发生短路故障，此时脉冲产生电路发出低电平脉冲，关断第一三极管，导通第二三极管，强迫关断SiC MOSFET，以保护SiC MOSFET的安全运行，实现短路故障时的快速关断。
附图说明
图1为根据本发明一个实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路结构示意图；
图2为根据本发明一个实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路双脉冲测试电路示意图；
图3为根据本发明一个实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路未进行保护动作时的实验波形示意图；
图4为根据本发明一个实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路进行保护动作时的实验波形示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
如图1所示，所提出的SiC MOSFET快速短路保护电路包括：驱动电路，电压采样电路和脉冲产生电路；其中，驱动电路输出端与 SiC MOSFET栅极相连，电压采样电路输入端与SiC MOSFET源极相连，电压采样电路输出端与脉冲产生电路输入端相连，脉冲产生电路输出端与驱动电路输入端相连。
其中，所述的驱动电路包括第一三极管T1，第二三极管T2，第一电阻R1，第二电阻R2，其中，所述第一三极管T1集电极与供电电压 Vcc相连，所述第一三极管T1基极与所述第一节点相连，所述第一三极管T1发射极与所述第一电阻R1一端相连，所述第一电阻R1另一端与所述第二节点相连，所述第二三极管T2发射极与所述第二电阻R2一端相连，所述第二电阻R2另一端与所述第二节点相连，所述第二三极管 T2基极与所述第一节点相连，所述第二三极管T2集电极与所述供电电压Vee相连。
所述的电压采样电路，包括第三电阻R3，第一二极管D1，第二钳位二极管D2，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，其中，第三电阻R3一端与所述第三节点相连，所述第三电阻R3另一端与所述第四节点相连，所述第一二极管D1阳极与所述第三节点相连，所述第一二极管D1阴极与所述第四电阻R4一端相连，所述第四电阻 R4另一端与所述第五节点相连，所述第五电阻R5一端与所述第五节点相连，所述第五电阻R5另一端与所述第四节点相连，所述第二钳位二极管D2阴极与所述第五节点相连，所述第二钳位二极管D2阳极与所述第四节点相连，所述第六电阻R6一端与所述第五节点相连，所述第六电阻R6另一端与所述第六节点相连，所述第七电阻R7一端与所述第六节点相连，所述第七电阻R7另一端与所述第四节点相连。
所述的脉冲产生电路，包括第一电压跟随器Q1，第三二极管D3，第八电阻R8，第一电容C1，第一比较器COM1，第一D型触发器M1，第一逻辑与门AND，其中，所述第一电压跟随器Q1的正输入端与第六节点相连，所述第一电压跟随器Q1的负输入端与所述第一电压跟随器 Q1的输出端相连，所述第一电压跟随器Q1的输出端与第七节点相连，所述第三二极管D3阴极与所述第七节点相连，所述第三二极管D3阳极与所述第八节点相连，所述第八电阻R8一端与所述第七节点相连，所述第八电阻R8另一端与所述第八节点相连，所述第一电容C1一端与所述第八节点相连，所述第一电容C1另一端与地相连，所述第一比较器COM1正极输入端与所述第八节点相连，所述第一比较器COM1负极输入端与第一参考电压Vref相连，所述第一比较器COM1输出端与所述第一D型触发器M1的CLK输入端相连，所述第一D型触发器M1的D 输入端与地相连，所述第一D型触发器M1的
Figure BDA0002300161400000061
输出端与所述第一逻辑与门AND一输入端相连，所述第一逻辑与门AND另一输入端与外接 PWM信号相连，所述第一逻辑与门AND输出端与所述第一节点相连。
下面将通过具体实施例对SiC MOSFET快速短路保护电路进行进一步阐述。
在本发明的一个实施例中，Vcc和Vee驱动电压值的选取由SiC MOSFET的选型而定，本实施例中Vcc取值+20V，Vee取值-5V，本领域技术人员可以根据实际情况具体选择，在此不做具体限定。
在本发明的一个实施例中，第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等，第五电阻R5和第二钳位二极管D2组成电压钳位电路，保证采样电压值不会超过第一电压跟随器的限定输入电压，第八电阻R8、第一电容C1和第三二极管D3组成延时电路。
在本发明的一个实施例中，第一比较器COM1和第一逻辑与门 AND选型不做限定，本次示例选用MAX9203ESA型比较器， NLVVHC1GT08DTT1G型逻辑与门。
在本发明的一个实施例中，第一参考电压Vref值的确定与所选用的SiC MOSFET和分压电阻取值相关。
在本发明的一个实施例中，第一三极管T1为NPN型三极管，第二三极管T2为PNP型三极管。第一三极管T1和第二三极管T2的选型不做限定。
本发明实施例提供的SiC MOSFET快速短路保护电路能够在1μs 内检测出短路故障，并快速关断SiC MOSFET以保护其安全运行，具体工作原理为：
在SiC MOSFET运行过程中，电压采样电路检测源极串联电阻两端电压，将流过SiCMOSFET的电流转换为电压值，并通过分压电阻，电压跟随器和延时电路输入比较器，若采样电压值小于预设参考电压值，则SiC MOSFET没有发生短路故障，此时比较器发出低电平至D型触发器，D型触发器输出高电平至逻辑与门，此时驱动电路和SiC MOSFET均正常工作，若采样电压值大于预设参考电压值，则SiC MOSFET发生短路故障，此时比较器发出高电平至D型触发器，D型触发器输出低电平至逻辑与门，此时驱动电路驱动电压至被强制拉低至-5V，SiC MOSFET被强制关断，保证了SiC MOSFET的安全运行。
图2所示为双脉冲测试电路，用于测试本发明实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路，图3可以看出，当外接电源电压为150V 时，保护电路未动作，驱动脉冲宽度为160μs，图4可以看出，当外接电源电压为160V时，保护电路动作，在驱动脉冲宽度为150.9μs处强制关断SiC MOSFET，由理论计算知150μs时，保护电路开始动作，故实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路可以在1μs内完成保护动作。
综上，本发明实施例的SiC MOSFET快速短路保护电路，能够在SiC MOSFET发生短路故障时快速检测出故障并关断SiC MOSFET，以保证SiC MOSFET的安全运行。
本发明能够在SiC MOSFET运行过程中检测漏极电流，当SiC MOSFET发生短路故障时，能够在1μs内关断SiC MOSFET，以保证其安全运行。
以上对本申请进行了详细介绍，本发明中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐释，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及核心思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，包括驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路；所述电压采样电路的输出端与脉冲产生电路的输入端相连，所述脉冲产生电路的输出端与驱动电路的输入端相连。
2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一三极管T1、第二三极管T2、第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一三极管T1的基极连接有第一节点，所述第一三极管T1的发射极与第一电阻R1的一端相连，所述第一电阻R1的另一端连接有第二节点，所述第二三极管T2的发射极与第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端与第二节点相连，所述第二三极管T2的基极与第一节点相连。
3.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述第一三极管T1的集电极与供电电压Vcc相连；所述第二三极管T2的集电极与供电电压Vee相连。
4.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述第一三极管T1为NPN型三极管；所述第二三极管T2为PNP型三极管。
5.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等。
6.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第三电阻R3、第一二极管D1，第二钳位二极管D2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7；所述第三电阻R3的一端连接有第三节点，所述第三电阻R3的另一端连接有第四节点，所述第一二极管D1的阳极与第三节点相连，所述第一二极管D1的阴极与第四电阻R4的一端相连，所述第四电阻R4的另一端连接有第五节点，所述第五电阻R5的一端与第五节点相连，所述第五电阻R5的另一端与第四节点相连，所述第二钳位二极管D2的阴极与第五节点相连，所述第二钳位二极管D2的阳极与第四节点相连，所述第六电阻R6的一端与第五节点相连，所述第六电阻R6的另一端连接有第六节点，所述第七电阻R7的一端与第六节点相连，所述第七电阻R7的另一端与第四节点相连。
7.根据权利要求6所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述脉冲产生电路包括第一电压跟随器Q1、第三二极管D3、第八电阻R8、第一电容C1、第一比较器COM1、第一D型触发器M1、第一逻辑与门AND；所述第一电压跟随器Q1的正输入端与第六节点相连，所述第一电压跟随器Q1的负输入端与所述第一电压跟随器Q1的输出端相连，所述第一电压跟随器Q1的输出端连接有第七节点，所述第三二极管D3的阴极与第七节点相连，所述第三二极管D3的阳极连接有第八节点，所述第八电阻R8的一端与第七节点相连，所述第八电阻R8的另一端与第八节点相连，所述第一电容C1的一端与第八节点相连，所述第一比较器COM1的正极输入端与第八节点相连，所述第一比较器COM1输出端与第一D型触发器M1的CLK输入端相连，所述第一D型触发器M1的Q输出端与第一逻辑与门AND的一输入端相连，所述第一逻辑与门AND的输出端与第一节点相连。
8.根据权利要求7所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述第一电容C1的另一端与地相连，所述第一比较器COM1的负极输入端与第一参考电压Vref相连，所述第一逻辑与门AND的另一输入端与外接PWM信号相连，所述第一D型触发器M1的D输入端与地相连。
9.根据权利要求7所述的一种SiC MOSFET快速短路保护电路，其特征在于，所述第一比较器COM1的型号为MAX9203ESA型；所述第一逻辑与门AND的型号为NLVVHC1GT08DTT1G。
CN201911224115.8A 2019-12-03 2019-12-03 一种SiC MOSFET快速短路保护电路 Active CN111130518B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911224115.8A CN111130518B (zh) 2019-12-03 2019-12-03 一种SiC MOSFET快速短路保护电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911224115.8A CN111130518B (zh) 2019-12-03 2019-12-03 一种SiC MOSFET快速短路保护电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111130518A true CN111130518A (zh) 2020-05-08
CN111130518B CN111130518B (zh) 2023-06-30

Family

ID=70497388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911224115.8A Active CN111130518B (zh) 2019-12-03 2019-12-03 一种SiC MOSFET快速短路保护电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111130518B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111969561A (zh) * 2020-07-10 2020-11-20 西安工程大学 一种SiC MOSFET IPM快速短路保护电路
CN112865767A (zh) * 2021-01-11 2021-05-28 南京航空航天大学 一种提高SiC MOSFET器件短路故障响应速度的电路
CN113839653A (zh) * 2021-09-29 2021-12-24 陕西省地方电力（集团）有限公司 一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977905A (zh) * 2016-07-04 2016-09-28 西安电子科技大学 基于SiC MOSFET的过流及过欠压驱动保护系统
CN109302169A (zh) * 2018-08-23 2019-02-01 湖南强军科技有限公司 一种SiC MOSFET驱动保护电路及其保护方法
CN109818599A (zh) * 2019-01-03 2019-05-28 北京交通大学 一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路
CN110190838A (zh) * 2018-12-05 2019-08-30 徐州中矿大传动与自动化有限公司 一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977905A (zh) * 2016-07-04 2016-09-28 西安电子科技大学 基于SiC MOSFET的过流及过欠压驱动保护系统
CN109302169A (zh) * 2018-08-23 2019-02-01 湖南强军科技有限公司 一种SiC MOSFET驱动保护电路及其保护方法
CN110190838A (zh) * 2018-12-05 2019-08-30 徐州中矿大传动与自动化有限公司 一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法
CN109818599A (zh) * 2019-01-03 2019-05-28 北京交通大学 一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
冯超等: "抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究" *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111969561A (zh) * 2020-07-10 2020-11-20 西安工程大学 一种SiC MOSFET IPM快速短路保护电路
CN112865767A (zh) * 2021-01-11 2021-05-28 南京航空航天大学 一种提高SiC MOSFET器件短路故障响应速度的电路
CN112865767B (zh) * 2021-01-11 2024-04-12 南京航空航天大学 一种提高SiC MOSFET器件短路故障响应速度的电路
CN113839653A (zh) * 2021-09-29 2021-12-24 陕西省地方电力（集团）有限公司 一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路
CN113839653B (zh) * 2021-09-29 2023-08-29 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN111130518B (zh) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110635792B (zh) 一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法
CN111130518B (zh) 一种SiC MOSFET快速短路保护电路
CN109374996B (zh) 一种飞跨电容三电平dcdc功率组件的双脉冲测试电路及方法
CN105577153B (zh) 半导体装置
CN109375087B (zh) 一种具有高速检测igbt短路故障的保护电路与方法
JP3447949B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、電力変換装置
CN109672149B (zh) 一种针对npc三电平变流器过流故障的混合检测保护电路及方法
US20210293874A1 (en) Igbt/mosfet fault protection
JP2006222593A (ja) 電圧駆動型半導体素子の駆動装置および方法
US20160269007A1 (en) Semiconductor device
CN111817545B (zh) 驱动死区检测电路、尖峰吸收电路以及开关管保护电路
CN116609629A (zh) 一种功率半导体器件健康监测电路及方法
CN111327302A (zh) 一种SiC MOSFET有源驱动电路
JP2011055616A (ja) 電流制御型駆動回路
CN113676029B (zh) 一种基于igbt的有源钳位电路
CN214228219U (zh) 电表的高压电脉冲电路及电表
CN111381143B (zh) 一种rbdt动态特性测试装置及测试方法
CN112542818B (zh) 一种输入欠压保护电路及包括该电路的电源板
CN113049860A (zh) 一种基于igbt器件端子压降检测的三类短路保护电路
Wiesemann et al. Switching characteristics of a 1.2 kV sic mosfet module using a controllable current-sourced gate driver
CN112054793A (zh) 一种mosfet的有源驱动电路和方法
Xu et al. Turn-off performance optimization of press-pack IGBT with advanced active gate driver technique
CN111431395A (zh) 一种基于门极驱动器的开关振铃抑制电路及其控制方法
Liu et al. Improved switching loss calculation in neutral point clamped inverter via waveforms linearization
Pan et al. Active variable gate drive for suppressing IGBT collector current overshoot

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant