CN111129922B - 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统 - Google Patents

大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111129922B
CN111129922B CN201911247865.7A CN201911247865A CN111129922B CN 111129922 B CN111129922 B CN 111129922B CN 201911247865 A CN201911247865 A CN 201911247865A CN 111129922 B CN111129922 B CN 111129922B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
amplification
crystal
pulse width
primary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911247865.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111129922A (zh
Inventor
王明建
陈卫标
侯霞
于真真
钟朝阳
谢可迪
周翠芸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority to CN201911247865.7A priority Critical patent/CN111129922B/zh
Publication of CN111129922A publication Critical patent/CN111129922A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111129922B publication Critical patent/CN111129922B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • H01S3/06783—Amplifying coupler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • H01S3/06787—Bidirectional amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643—YAG

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，该系统采用1.0μm的DFB半导体激光器作为种子源，以获得高稳定性、单频激光输出。利用光纤放大模块进行斩波，通过声光调制器把连续种子源斩成上升沿为洛伦兹波形的脉冲激光，最后通过后级固体放大模块的放大效应把激光脉冲的宽度持续展宽，以获得脉冲宽度大于百ns以上的1.0μm脉冲激光。本发明保证了1.0μm激光的单频性和稳定性，通过激光放大效应使激光脉冲宽度逐级展宽的特性，为相干探测雷达采用1.0μm的激光光源提供了新的技术路线。

Description

大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统
技术领域
本发明涉及全固态激光器，特别是一种大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统。
背景技术
目前激光器已成为现代科学技术用于探索发现和解决工程问题必不可少的工具。这对激光器的输出性能越来越高，比如单频性、高光束质量、大能量输出和不同脉冲宽度等。特别是Nd:YAG晶体产生的1.0μm激光，由于该激光器的成熟度很高，该激光器的应用领域越来越广泛，对能量的需求也越来也高。
目前要获得大能量的1.0μm脉冲激光的技术途径，基本上都是通过固体放大系统逐级对脉冲激光持续放大以得到大能量输出。其中主要的放大系统采用的是振荡级加放大模块的技术方案，该方案中振荡级输出mJ甚至几十mJ的能量直接进入固体放大模块进行能量放大，但是该放大系统中振荡级的稳定性和单频性的控制比较困难，系统比较复杂，而且激光的脉冲宽度和波形完全由振荡级决定，限制了主放大过程中放大后的脉冲波形的宽度和形状。另外，在大能量的1.0μm脉冲激光放大过程中，传统的放大系统中激光脉冲宽度会随着放大过程激光能量的逐级增大而输出的激光脉冲宽度会逐步变窄，目前百mJ能量的1.0μm激光的脉冲宽度都在100ns以下，但是激光脉冲宽度超过100ns的大能量1.0μm激光却有着重要的应用价值。
发明内容
为克服上述现有技术的不足，本发明提供一种大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，采用声光调制器把连续种子源斩成上升沿为洛伦兹波形的脉冲激光，首先通过光纤模块使激光能量预放大，再经过固体放大模块逐级放大激光能量和展宽脉冲宽度，最终获得百mJ甚至接近焦耳量级、激光脉冲可以从100ns到500ns宽度的1.0μm大能量长脉冲宽度的激光输出，整个系统中没有激光器振荡级，最初一级是从连续种子源开始的，保证了整个放大系统的单频性和稳定性，为激光雷达在相干探测方面提供更高效、系统更简单紧凑的激光光源，特别是该放大系统能够输出百ns以上的脉冲宽度的激光，这为相干测风雷达提供了新的技术途径。
本发明的技术解决方案如下：
一种大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特点在于，包括连续DFB半导体种子源、LD泵浦源、双程前放大模块和三级主放大模块，
沿所述的连续DFB半导体种子源的种子光输出方向依次是第一隔离器、第一声光调制器、单模光纤模块、第二个声光调制器、双包层光纤放大模块、第二隔离器、45°的1.0μm激光全反镜和直角棱镜，激光经所述的直角棱镜反射进入Nd:YVO4晶体，通过双色镜使激光又返回到Nd:YVO4晶体中进行双程放大，所述的LD泵浦源出射的泵浦光经透镜和透镜组成的耦合系统进入所述的Nd:YVO4晶体中，
放大后的脉冲激光经过所述的直角棱镜反射进入由二分之一波片、PBS、布儒斯特角切割的Nd:YAG板条晶体、0.57波片和porro镜组成的双程前放大模块，激光能量进一步放大后透过所述的PBS输出；
经所述的双程前放大模块放大后的脉冲激光，依次经过镀有1.0μm高反膜45°第一反射镜、第二反射镜、第三隔离器进入所述的布儒斯特角切割主放一级的Nd:YAG板条晶体进行主放一级放大；
经主放一级放大后的激光依次经过由凹透镜和凸透镜组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜45°第三反射镜和镀有1.0μm高反膜27°第四反射镜进入所述的主放二级Nd:YAG板条晶体进行主放二级放大；
主放二级放大后的激光依次经过镀有1.0μm高反膜27°的第五反射镜、由凹透镜和凸透镜组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜27°第六反射镜进入所述的主放三级Nd:YAG板条晶体进行最终的脉冲能量放大。
所述的连续DFB半导体种子源输出激光的线宽小于2MHz。
所述的Nd:YVO4晶体是0.25％低掺杂浓度的Nd:YVO4晶体，两个通光端面切割成1°～5°，以防止晶体内部产生自激振荡，所述的Nd:YVO4晶体两个通光端面的键合尺寸为4x4x(2mmYVO4+12mmNd:YVO4+2mmYVO4)，所述的LD泵浦源是带尾纤输出，中心波长为808nm或880nm。
所述的Nd:YAG板条晶体的切割角为布儒斯特角，尺寸为3x3x45mm3。
所述的主放一级Nd:YAG板条晶体的晶体尺寸为6x6x113mm3。
所述的主放二级Nd:YAG板条晶体的晶体尺寸为6x8x126mm3。
所述的主放三级Nd:YAG板条晶体(33)的晶体尺寸为8x10x136mm3。
最终整个激光放大系统实现激光能量放大到百mJ甚至接近焦耳量级，激光脉冲可以从100ns到500ns宽度的1.0μm大能量长脉冲宽度的单频激光输出。
本发明具有以下优点：
1、本发明中采用从最初的DFB半导体激光器作为种子源，线宽小于2MHz，而且整个放大系统中没有激光振荡腔，保证了整个放大系统的单频性和稳定性。
2、本发明采用光纤放大模块预防大技术方案，对DFB半导体种子源可斩成上升沿为洛伦兹波形的脉冲激光，通过光纤放大模块的高增益特性使最初的低能量得到快速放大，为固体放大模块提供更高的输入信号能量，提高整个放大系统的效率。而且激光脉冲的上升沿斩成洛伦兹波形，为后续的固体放大模块在放大过程中逐级展宽脉冲宽度提供了可行性。
3、本发明采用低掺杂浓度的Nd:YVO4晶体作双程放大模块，利用该晶体的高增益特性，提高了整个系统的放大效率。而且Nd:YVO4晶体两个通光端面切割成1°～5°，并且两个端面进行键合，能够防止晶体内部产生自激振荡及消除了双端面由热透镜引起的热形变效应。
4、本发明采用尺寸为3x3x45mm3的Nd:YAG板条晶体双程前放大模块中，用porro镜当作全反镜，保证激光原路返回到Nd:YAG板条晶体中的同时也提高了激光光路的稳定性，只利用单个0.57波片来改变激光90°偏振方向和补偿，由于porro镜引起的退偏效应，降低了系统的复杂性。
5、本发明主放大模块中的晶体均采用板条晶体，泵浦方式均采用了全反点泵浦技术，提高了整个放大系统的放大效率和输出激光的光束质量。而且前端输入的上升沿为洛伦兹波形的脉冲激光，通过固体主放大模块的放大效应，激光的脉冲宽度可以得到逐级展宽，最终能够获得几百ns脉冲宽度大能量单频激光输出。
附图说明
图1是本发明大能量百ns脉冲宽度的单频1.0μm激光器的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，由图可见，本发明大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，包括连续DFB半导体种子源1、LD泵浦源14、双程前放大模块和三级主放大模块，
沿所述的连续DFB半导体种子源1的种子光输出方向依次是第一隔离器2、第一声光调制器3、单模光纤模块4、第二个声光调制器5、双包层光纤放大模块6、第二隔离器7、45°的1.0μm激光全反镜8和直角棱镜9，激光经所述的直角棱镜9反射进入Nd:YVO4晶体10，通过双色镜11使激光又返回到Nd:YVO4晶体10中进行双程放大，所述的LD泵浦源14出射的泵浦光经透镜12和透镜13组成的耦合系统进入所述的Nd:YVO4晶体10中，
放大后的脉冲激光经过所述的直角棱镜9反射进入由二分之一波片15、PBS16、布儒斯特角切割的Nd:YAG板条晶体17、0.57波片18和porro镜19组成的双程前放大模块，激光能量进一步放大后透过所述的PBS16输出；
经所述的双程前放大模块放大后的脉冲激光，依次经过镀有1.0μm高反膜45°第一反射镜20、第二反射镜21、第三隔离器22进入所述的布儒斯特角切割主放一级的Nd:YAG板条晶体23进行能量放大；
经主放一级放大后的激光依次经过由凹透镜24和凸透镜25组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜45°第三反射镜26和镀有1.0μm高反膜27°第四反射镜27进入所述的主放二级Nd:YAG板条晶体28进行主放二级放大；
主放二级放大后的激光依次经过镀有1.0μm高反膜27°的第五反射镜29、由凹透镜30和凸透镜31组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜27°第六反射镜32进入所述的主放三级Nd:YAG板条晶体33进行最终的脉冲能量放大。
所述的连续DFB半导体种子源1输出激光的线宽小于2MHz。
所述的Nd:YVO4晶体10是0.25％低掺杂浓度的Nd:YVO4晶体10，两个通光端面切割成1°～5°，以防止晶体内部产生自激振荡，所述的Nd:YVO4晶体10两个通光端面的键合尺寸为4x4x(2mmYVO4+12mmNd:YVO4+2mmYVO4)，所述的LD泵浦源14是带尾纤输出，中心波长为808nm或880nm。
所述的Nd:YAG板条晶体17的切割角为布儒斯特角，尺寸为3x3x45mm3。
所述的主放一级Nd:YAG板条晶体23的晶体尺寸为6x6x113mm3。
所述的主放二级Nd:YAG板条晶体28的晶体尺寸为6x8x126mm3。
所述的主放三级Nd:YAG板条晶体33的晶体尺寸为8x10x136mm3。
预防大后的激光经过双包层光纤放大模块6进一步把激光能量放大到μJ量级，
泵浦源LD(14)出射的泵浦光的光斑大小约为0.6mm，泵浦光的光斑大小与脉冲激光的光斑大小匹配以达到最佳的放大效果。
最终能够实现1.0μm激光能量放大到百mJ甚至接近焦耳量级，激光脉冲可以从100ns到500ns宽度的1.0μm大能量激光输出。

Claims (6)

1.一种大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征在于，包括连续DFB半导体种子源(1)、LD泵浦源(14)、双程前放大模块和三级主放大模块，
沿所述的连续DFB半导体种子源(1)的种子光输出方向依次是第一隔离器(2)、第一声光调制器(3)、单模光纤模块(4)、第二个声光调制器(5)、双包层光纤放大模块(6)、第二隔离器(7)、45°的1.0μm激光全反镜(8)和直角棱镜(9)，激光经所述的直角棱镜(9)反射进入Nd:YVO4晶体(10)，通过双色镜(11)使激光又返回到Nd:YVO4晶体(10)中进行双程放大，所述的LD泵浦源(14)出射的泵浦光经第一透镜(12)和第二透镜(13)组成的耦合系统进入所述的Nd:YVO4晶体(10)中，
放大后的脉冲激光经过所述的直角棱镜(9)反射进入由二分之一波片(15)、PBS(16)、布儒斯特角切割的Nd:YAG板条晶体(17)、0.57波片(18)和porro镜(19)组成的双程前放大模块，激光能量进一步放大后透过所述的PBS(16)输出；
经所述的双程前放大模块放大后的脉冲激光，依次经过镀有1.0μm高反膜45°第一反射镜(20)、第二反射镜(21)、第三隔离器(22)进入布儒斯特角切割的主放一级Nd:YAG板条晶体(23)进行能量放大；
经主放一级放大后的激光依次经过由凹透镜(24)和凸透镜(25)组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜45°第三反射镜(26)和镀有1.0μm高反膜27°第四反射镜(27)进入主放二级Nd:YAG板条晶体(28)进行主放二级放大；
主放二级放大后的激光依次经过镀有1.0μm高反膜27°的第五反射镜(29)、由凹透镜(30)和凸透镜(31)组成的扩束系统、镀有1.0μm高反膜27°第六反射镜(32)进入主放三级Nd:YAG板条晶体(33)进行最终的脉冲能量放大。
2.根据权利要求1所述的大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征是：所述的连续DFB半导体种子源(1)输出激光的线宽小于2MHz。
3.根据权利要求1所述的大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征是：所述的布儒斯特角切割的Nd:YAG板条晶体(17)的切割角为布儒斯特角，尺寸为3x3x45mm3。
4.根据权利要求1所述的大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征是：所述的主放一级Nd:YAG板条晶体(23)的晶体尺寸为6x6x113 mm3。
5.根据权利要求1所述的大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征是：所述的主放二级Nd:YAG板条晶体(28)的晶体尺寸为6x8x126 mm3。
6.根据权利要求1至5任一项所述的大能量百ns脉冲宽度的1.0μm激光放大系统，其特征是：所述的主放三级Nd:YAG板条晶体(33)的晶体尺寸为8x10x136 mm3。
CN201911247865.7A 2019-12-09 2019-12-09 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统 Active CN111129922B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911247865.7A CN111129922B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911247865.7A CN111129922B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111129922A CN111129922A (zh) 2020-05-08
CN111129922B true CN111129922B (zh) 2021-05-04

Family

ID=70497808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911247865.7A Active CN111129922B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111129922B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113809620B (zh) * 2021-09-06 2023-06-02 山东大学 一种激光相干测风雷达用大能量、长脉冲1μm单频纳秒激光器
CN114389135A (zh) * 2021-12-09 2022-04-22 中国电子科技集团公司第五十三研究所 一种三级放大的激光固体放大器系统
CN115117721A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 中国科学院上海光学精密机械研究所 窄线宽多波长纳秒单频脉冲激光器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897849A (en) * 1986-01-30 1990-01-30 Austral Asian Lasers Ltd. Compact slab laser oscillator-amplifier system
CN103794981A (zh) * 2014-01-28 2014-05-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 高能量混合式掺铥脉冲激光单频放大器
CN106451042A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 南方科技大学 用于光纤激光器的啁啾脉冲放大系统
CN108493747A (zh) * 2018-03-12 2018-09-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于光纤固体级联放大的2μm高能量单频脉冲激光器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897849A (en) * 1986-01-30 1990-01-30 Austral Asian Lasers Ltd. Compact slab laser oscillator-amplifier system
CN103794981A (zh) * 2014-01-28 2014-05-14 中国科学院上海光学精密机械研究所 高能量混合式掺铥脉冲激光单频放大器
CN106451042A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 南方科技大学 用于光纤激光器的啁啾脉冲放大系统
CN108493747A (zh) * 2018-03-12 2018-09-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于光纤固体级联放大的2μm高能量单频脉冲激光器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111129922A (zh) 2020-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111129922B (zh) 大能量百ns脉冲宽度1.0μm单频激光放大系统
CN111541140B (zh) 一种基于亮度级联泵浦的Yb:YAG超短脉冲激光放大器
CN110932077A (zh) 一种端泵多程板条激光放大器
CN113131323A (zh) 一种基于双波长双端泵浦结构的Yb:YAG激光放大器
CN209516304U (zh) 高效率光纤固体相结合皮秒激光行波放大器
CN117096718B (zh) 一种大能量纳秒脉冲激光器
CN113809620B (zh) 一种激光相干测风雷达用大能量、长脉冲1μm单频纳秒激光器
CN110190492B (zh) 激光放大器
CN101499609B (zh) 级联双通激光放大器光路结构
US9728932B2 (en) Fiber coupled modular laser system
CN111653928A (zh) 一种双同步泵浦拉曼激光放大装置及方法
CN212875032U (zh) 一种环形单晶光纤激光放大器
CN212725943U (zh) 功率任意可调的高耦合效率千瓦级光纤输出纳秒激光器
CN102248286A (zh) 线偏振脉冲光纤激光加工装置
US20030161035A1 (en) Three-dimensional optical amplifier structure
CN212875036U (zh) 一种高能量环形双通激光放大器
CN213660863U (zh) 一种模块化拉曼组束激光器
CN114552344A (zh) 高能量高光束质量的光纤固体混合皮秒激光放大器
CN210040867U (zh) 一种皮秒激光放大器
CN103117503B (zh) 一种提高光束质量的双程通过激光放大器及提高光束质量的方法
WO2020034803A1 (zh) 增益介质复用的薄片混合放大激光器及其激光输出方法
CN112636147A (zh) 一种星载大能量全固态板条激光器系统
US20230402813A1 (en) Passive high energy q-switched laser system with optically synchronized multi-stage/multi-pass amplification
CN217789033U (zh) 混合脉冲激光器
JP5733710B2 (ja) 光増幅器及びそれを用いた光増幅システム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant