CN111129735A - 宽频辐射单元及阵列天线 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种宽频辐射单元及阵列天线,宽频辐射单元包括辐射片。所述辐射片的中部开设有第一辐射缝隙。所述第一辐射缝隙包括相互连通并呈十字正交的横向缝隙和纵向缝隙。所述横向缝隙和所述纵向缝隙的长度均小于辐射片在对应辐射缝隙延伸方向上的长度。所述辐射片上还设有第二辐射缝隙。所述第二辐射缝隙与所述横向缝隙相连通并与所述横向缝隙交叉设置。在第二辐射缝隙的作用下,可产生多个频段的谐振信号,不仅是将十字正交的第一辐射缝隙矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,同时还将第二辐射缝隙矢量合成的辐射叠加到沿极化方向上的辐射,能达到矢量叠加增强的效果,从而大大展宽了宽频辐射单元的工作频带宽度。
Description
技术领域
本发明涉及通信装置技术领域,特别是涉及一种宽频辐射单元及阵列天线。
背景技术
传统的5G基站产品的特点是多端口,窄频段,全电子赋形,端口一般为64收发通道,频段多集中在2.5GHz~2.7GHz及3.4GHz~3.6GHz。对应的天线系统也是由工作在相应的窄频段金属或PCB对称阵子构成,结构简单,成本低廉适合自动化焊接。随着5G天线系统向着宽带化的方向发展,其特点是工作频段往往跨越两个或者多个频段,例如2.5GHz~3.8GHz或者3.3GHz~4.2GHz甚至更宽的频段。然而,对于传统基站天线的辐射单元来说,增加频带宽度的主要手段就是采用折合阵子以及增加馈电片的匹配支节,或者增加寄生耦合片的方式。这些措施在5G天线中由于成本和空间的原因无法实现。
发明内容
基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种宽频辐射单元及阵列天线,它能够增加工作频段宽度。
其技术方案如下:一种宽频辐射单元,包括:辐射片,所述辐射片的中部开设有第一辐射缝隙,所述第一辐射缝隙包括相互连通并呈十字正交的横向缝隙和纵向缝隙,所述横向缝隙和所述纵向缝隙的长度均小于辐射片在对应辐射缝隙延伸方向上的长度;所述辐射片上还设有第二辐射缝隙,所述第二辐射缝隙与所述横向缝隙相连通并与所述横向缝隙交叉设置。
上述的宽频辐射单元,一方面,通过在辐射片上增设第一辐射缝隙,该辐射片在具有其自身外边缘与天线反射板之间产生的辐射外,还增加了第一辐射缝隙的辐射,使得该宽频辐射单元在天线系统中工作时,可同步产生两种辐射,达到了极化矢量叠加增强的效果,并且通过增加辐射片的对外辐射窗口,可降低微带辐射结构的Q值(Quality factor,品质因数),有利于拓宽工作频段;并且在辐射片上开设缝隙还可延长电路分布的路径,降低辐射结构的谐振频率,达到小型化设计目的。此外,成十字正交设置的横向缝隙和纵向缝隙可以约束电流分布,形成两种谐振频率接近的电流模式,实现宽带化的设计目的;同时通过成十字型设置的辐射缝隙可约束电流分布,还可以提高辐射场的极化纯度,起到提升交叉极化抑制比的目的。即仅用一层辐射片便可达到传统天线中采用多层贴片结构的同等辐射效率及辐射增益,从而减少了零部件的使用,结构简单,并可降低天线剖面,有利于实现天线小型化。另一方面,在第二辐射缝隙的作用下,可产生多个频段的谐振信号,不仅是将十字正交的第一辐射缝隙矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,同时还将第二辐射缝隙矢量合成的辐射叠加到沿极化方向上的辐射,能达到矢量叠加增强的效果,从而大大展宽了宽频辐射单元的工作频带宽度。
在其中一个实施例中,所述辐射片为设有蚀刻电路的PCB板或金属片。
在其中一个实施例中,所述第二辐射缝隙的设置方向与所述横向缝隙的设置方向呈夹角设置,所述第二辐射缝隙与所述横向缝隙之间的夹角为45°~135°。
在其中一个实施例中,所述的宽频辐射单元还包括第三辐射缝隙,所述第三辐射缝隙与所述纵向缝隙相连通并与所述纵向缝隙交叉设置;所述第三辐射缝隙的设置方向与所述纵向缝隙的设置方向呈夹角设置,所述第三辐射缝隙与所述纵向缝隙之间的夹角为45°~135°。
在其中一个实施例中,所述第二辐射缝隙为两个以上,所述纵向缝隙的两侧均分布有所述第二辐射缝隙;所述第三辐射缝隙为两个以上,所述横向缝隙的两侧均分布有所述第三辐射缝隙。
在其中一个实施例中,所述第二辐射缝隙关于所述纵向缝隙轴对称设置,所述第二辐射缝隙还关于所述横向缝隙轴对称设置;所述第三辐射缝隙关于所述横向缝隙轴对称设置,所述第三辐射缝隙还关于所述纵向缝隙轴对称设置。
在其中一个实施例中,所述横向缝隙和所述纵向缝隙分别沿所述辐射片的极化方向成±45°夹角的方向延伸。
在其中一个实施例中,所述的宽频辐射单元还包括用于连接所述辐射片与馈电线路的馈电柱。
在其中一个实施例中,所述馈电柱对应辐射片的两个极化方向设有两组,且每组所述馈电柱包括沿极化方向的轴线排列的两个馈电柱;所述馈电柱与所述辐射片一体成型,或者所述馈电柱与所述辐射片焊接或者卡合而连接。
在其中一个实施例中,所述馈电柱为在远离于辐射片的方向上截面逐渐变小的锥状柱;所述馈电柱为中空馈电柱;所述辐射片的背面设有镂空部;所述辐射片的四个角部均设有垂柱。
一种阵列天线,包括反射板及设于反射板上的至少一个天线阵列,每个所述天线阵列设置多个所述的宽频辐射单元。
上述的阵列天线,一方面,通过在辐射片上增设第一辐射缝隙,该辐射片在具有其自身外边缘与天线反射板之间产生的辐射外,还增加了第一辐射缝隙的辐射,使得该宽频辐射单元在天线系统中工作时,可同步产生两种辐射,达到了极化矢量叠加增强的效果,并且通过增加辐射片的对外辐射窗口,可降低微带辐射结构的Q值(Quality factor,品质因数),有利于拓宽工作频段;并且在辐射片上开设缝隙还可延长电路分布的路径,降低辐射结构的谐振频率,达到小型化设计目的。此外,成十字正交设置的横向缝隙和纵向缝隙可以约束电流分布,形成两种谐振频率接近的电流模式,实现宽带化的设计目的;同时通过成十字型设置的辐射缝隙可约束电流分布,还可以提高辐射场的极化纯度,起到提升交叉极化抑制比的目的。即仅用一层辐射片便可达到传统天线中采用多层贴片结构的同等辐射效率及辐射增益,从而减少了零部件的使用,结构简单,并可降低天线剖面,有利于实现天线小型化。另一方面,在第二辐射缝隙的作用下,可产生多个频段的谐振信号,不仅是将十字正交的第一辐射缝隙矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,同时还将第二辐射缝隙矢量合成的辐射叠加到沿极化方向上的辐射,能达到矢量叠加增强的效果,从而大大展宽了宽频辐射单元的工作频带宽度。
在其中一个实施例中,相邻两列天线阵列之间设有去耦隔离条。
附图说明
图1为本发明一实施例所述的宽频辐射单元的俯视结构图;
图2为本发明一实施例所述的宽频辐射单元的侧视结构图;
图3为本发明一实施例所述的宽频辐射单元的背面的结构示意图;
图4为本发明另一实施例所述的宽频辐射单元的结构示意图;
图5为本发明又一实施例所述的宽频辐射单元的结构示意图;
图6为本发明再一实施例所述的宽频辐射单元的结构示意图;
图7为本发明再又一实施例所述的宽频辐射单元的背面的结构示意图;
图8为本发明一实施例所述的天线阵列的结构示意图;
图9为本发明一实施例所述的宽频辐射单元在工作频带内的电压驻波比曲线图;
图10为一实施例单纯十字缝隙的辐射单元在工作频带内的电压驻波比曲线图;
图11为本发明一实施例宽频辐射单元对其他5G频段内的电压驻波比曲线图;
图12为本发明一实施例天线阵列的同极化隔离度曲线图;
图13为本发明一实施例天线阵列的异极化隔离度曲线图。
附图标记:
10、宽频辐射单元;11、辐射片;111、第一辐射缝隙;1111、横向缝隙;1112、纵向缝隙;12、第二辐射缝隙;13、第三辐射缝隙;14、馈电柱;15、垂柱;16、镂空部;20、馈电线路;30、反射板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要理解的是,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反,当元件为称作“直接”与另一元件连接时,不存在中间元件。
在一个实施例中,请参阅图1至图6,一种宽频辐射单元10,包括辐射片11。所述辐射片11的中部开设有第一辐射缝隙111。所述第一辐射缝隙111包括相互连通并呈十字正交的横向缝隙1111和纵向缝隙1112。所述横向缝隙1111和所述纵向缝隙1112的长度均小于辐射片11在对应辐射缝隙延伸方向上的长度。所述辐射片11上还设有第二辐射缝隙12。所述第二辐射缝隙12与所述横向缝隙1111相连通并与所述横向缝隙1111交叉设置。
上述的宽频辐射单元10,一方面,通过在辐射片11上增设第一辐射缝隙111,该辐射片11在具有其自身外边缘与天线反射板30之间产生的辐射外,还增加了第一辐射缝隙111的辐射,使得该宽频辐射单元10在天线系统中工作时,可同步产生两种辐射,达到了极化矢量叠加增强的效果,并且通过增加辐射片11的对外辐射窗口,可降低微带辐射结构的Q值(Quality factor,品质因数),有利于拓宽工作频段;并且在辐射片11上开设缝隙还可延长电路分布的路径,降低辐射结构的谐振频率,达到小型化设计目的。此外,成十字正交设置的横向缝隙1111和纵向缝隙1112可以约束电流分布,形成两种谐振频率接近的电流模式,实现宽带化的设计目的;同时通过成十字型设置的辐射缝隙可约束电流分布,还可以提高辐射场的极化纯度,起到提升交叉极化抑制比的目的。即仅用一层辐射片11便可达到传统天线中采用多层贴片结构的同等辐射效率及辐射增益,从而减少了零部件的使用,结构简单,并可降低天线剖面,有利于实现天线小型化。另一方面,在第二辐射缝隙12的作用下,可产生多个频段的谐振信号,不仅是将十字正交的第一辐射缝隙111矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,同时还将第二辐射缝隙12矢量合成的辐射叠加到沿极化方向上的辐射,能达到矢量叠加增强的效果,从而大大展宽了宽频辐射单元10的工作频带宽度。
可以理解的是,所述横向缝隙1111和纵向缝隙1112的长度均小于辐射片11在对应辐射缝隙延伸方向上的长度,也就是横向缝隙1111和纵向缝隙1112均为封闭结构。
具体而言,所述辐射片11为设有蚀刻电路的PCB板或金属片。
进一步地,请参阅图1至图3,所述第二辐射缝隙12的设置方向与所述横向缝隙1111的设置方向呈夹角设置,所述第二辐射缝隙12与所述横向缝隙1111之间的夹角为45°~135°。
进一步地,请参阅图1至图3,所述的宽频辐射单元10还包括第三辐射缝隙13。所述第三辐射缝隙13与所述纵向缝隙1112相连通并与所述纵向缝隙1112交叉设置。
其中,通过对第二辐射缝隙12和/或第三辐射缝隙13的缝隙长度尺寸的控制,能使得宽频辐射单元10工作在特定的工作频段带宽内,并能对其它频段(尤其是超高频的频段)形成高阻状态,从而有利于提高两个工作频段的相互隔离度。相对于传统的采用合路器将一个全频段的辐射单元进行分频工作的方式,本实施例由于是在宽频辐射单元10的辐射片11上进行控制,便能解决分频工作的问题,如此极大地节约了成本,且操作更加方便。
进一步地,所述第三辐射缝隙13的设置方向与所述纵向缝隙1112的设置方向呈夹角设置,所述第三辐射缝隙13与所述纵向缝隙1112之间的夹角为45°~135°。具体而言,所述第二辐射缝隙12与所述横向缝隙1111之间的夹角为90°,所述第三辐射缝隙13与所述纵向缝隙1112之间的夹角为90°。如此,由于增加了第三辐射缝隙13,在第一辐射缝隙111的基础上增加了缝隙的长度尺寸,工作带宽相对于单纯十字缝隙增加一倍,达到40%,即展宽了工作频段;且未对辐射片11的外形主体进行开槽,保证了在宽带下方向图的一致性。此外,也可以通过调整第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13的长度,或者增加第二辐射缝隙12与第三缝隙的数量来增加缝隙的长度尺寸。
在一个实施例中,请参阅图1至图3,所述第二辐射缝隙12为两个以上,所述纵向缝隙1112的两侧均分布有所述第二辐射缝隙12。所述第三辐射缝隙13为两个以上,所述横向缝隙1111的两侧均分布有所述第三辐射缝隙13。如此,与辐射片11的几何中心距离不同的第二辐射缝隙12、第三辐射缝隙13均产生对应频段的谐振信号,这样能达到矢量叠加增强的效果,大大展宽了宽频辐射单元10的工作屏带宽度。
在一个实施例中,请参阅图1至图3,所述第二辐射缝隙12关于所述纵向缝隙1112轴对称设置,所述第二辐射缝隙12还关于所述横向缝隙1111轴对称设置。所述第三辐射缝隙13关于所述横向缝隙1111轴对称设置,所述第三辐射缝隙13还关于所述纵向缝隙1112轴对称设置。如此,辐射对称性较好,能提升天线的性能指标。
具体例如,第二辐射缝隙12为两个,第三辐射缝隙13为两个,两个第二辐射缝隙12、两个第三辐射缝隙13均分别关于横向缝隙1111与纵向缝隙1112轴对称设置。此外,第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13的长度相同,两个第二辐射缝隙12与两个第三辐射缝隙13处于以辐射片11的几何中心为中心的正方形上。如此,一方面,能够拓宽宽频辐射单元10的工作频段的宽度,另一方面,辐射对称性较好,能提升天线的性能指标。
进一步地,请参阅图1至图3或图4至图6,再例如,第二辐射缝隙12为四个,第三辐射缝隙13为四个,靠近于辐射片11的几何中心的其中两个第二辐射缝隙12与其中两个第三辐射缝隙13处于以辐射片11的几何中心为中心的一个正方形上;远离于辐射片11的几何中心的其中两个第二辐射缝隙12与其中两个第三辐射缝隙13处于以辐射片11的几何中心为中心的另一个正方形上。如此,一方面,能够进一步拓宽宽频辐射单元10的工作频段的宽度,另一方面,辐射对称性较好,能提升天线的性能指标。
需要说明的是,请参阅图4至图6,第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13可以是宽度不变或宽度变化的狭长的条形缝。第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13的两端例如可以设置成圆弧状、方形状或其它形状。
需要说明的是,请参阅图1、图4至图6,第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13的长度可以相同,也可以不同,不进行限定。
此外,靠近于辐射片11的几何中心的第二辐射缝隙12的长度一般小于远离于辐射片11的几何中心的第二辐射缝隙12的长度,当然,靠近于辐射片11的几何中心的第二辐射缝隙12的长度一般也可以大于或等于远离于辐射片11的几何中心的第二辐射缝隙12的长度。第三辐射缝隙13类似,不进行赘述。
在一个实施例中,所述横向缝隙1111和所述纵向缝隙1112分别沿所述辐射片11的极化方向成±45°夹角的方向延伸。如此,在辐射片11上开设相互连通的横向缝隙1111和纵向缝隙1112,可减少辐射片11上两个极化方向上的公共体,以达到减少两个极化之间的电磁耦合的目的,从而可提高该宽频辐射单元10的两个极化方向之间的隔离度。
进一步地,所述第一辐射缝隙111的相邻缝隙在该相邻缝隙之间的极化方向上的矢量合成长度不小于所述辐射片11在该极化方向上的长度。如此,可将十字正交的第一辐射缝隙111矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,进而提高辐射效率。进一步地,所述横向缝隙1111和纵向缝隙1112的相交点位于辐射片11的几何中心,且横向缝隙1111和纵向缝隙1112的长度均为0.7λ,其中λ与天线工作中心频率相关,长度均为0.7λ的横向缝隙1111和纵向缝隙1112在两者之间的极化方向上的矢量合成辐射长度等于辐射片11在该极化方向上的长度。此外,第二辐射缝隙12与第三辐射缝隙13的长度例如为0.25λ。
在一个实施例中,请参阅图1至图3及图7,所述的宽频辐射单元10还包括用于连接所述辐射片11与馈电线路20的馈电柱14。辐射片11与馈电柱14的连接无需加设额外零部件进行紧固与互连,天线部件少,以达到小型化、低剖面、轻量化的效果;并且通过一层结构简单的辐射片11即可实现宽频辐射单元10所需要的带宽,可提高宽频辐射单元10的隔离度,进而提高天线的辐射增益。
在一个实施例中,请参阅图1至图3及图7,所述馈电柱14对应辐射片11的两个极化方向设有两组,且每组所述馈电柱14包括沿极化方向的轴线排列的两个馈电柱14;所述馈电柱14与所述辐射片11一体成型,或者所述馈电柱14与所述辐射片11焊接或者卡合而连接。
进一步的,所述馈电柱14的位置及长度可根据实际情况进行调整,通过调节馈电柱14的位置以达到提高天线辐射方向图的对称性的目的。
在一个实施例中,请参阅图1至图3及图7,所述馈电柱14为在远离于辐射片11的方向上截面逐渐变小的锥状柱。如此,具有渐变的阻抗变换效果,能拓展宽频辐射单元10的阻抗带宽。
在一个实施例中,所述辐射片11的四个角部均设有垂柱15。如此,能够起到缩小宽频辐射单元10的口径的作用。此外,面状的辐射片11为低阻结构,表面电流传输时损耗较小,有利于增大阻抗的带宽。
在一个实施例中,所述馈电柱14为中空馈电柱14。或者,所述辐射片11的背面设有镂空部16。如此,能够大大减轻宽频辐射单元10的重量。
在一个实施例中,请参见图8和图9,一种阵列天线,包括反射板30及设于所述反射板30上的至少一个天线阵列,所述天线阵列中包括多个若上所述的宽频辐射单元10。
上述的阵列天线,一方面,通过在辐射片11上增设第一辐射缝隙111,该辐射片11在具有其自身外边缘与天线反射板30之间产生的辐射外,还增加了第一辐射缝隙111的辐射,使得该宽频辐射单元10在天线系统中工作时,可同步产生两种辐射,达到了极化矢量叠加增强的效果,并且通过增加辐射片11的对外辐射窗口,可降低微带辐射结构的Q值(Quality factor,品质因数),有利于拓宽工作频段;并且在辐射片11上开设缝隙还可延长电路分布的路径,降低辐射结构的谐振频率,达到小型化设计目的。此外,成十字正交设置的横向缝隙1111和纵向缝隙1112可以约束电流分布,形成两种谐振频率接近的电流模式,实现宽带化的设计目的;同时通过成十字型设置的辐射缝隙可约束电流分布,还可以提高辐射场的极化纯度,起到提升交叉极化抑制比的目的。即仅用一层辐射片11便可达到传统天线中采用多层贴片结构的同等辐射效率及辐射增益,从而减少了零部件的使用,结构简单,并可降低天线剖面,有利于实现天线小型化。另一方面,在第二辐射缝隙12的作用下,可产生多个频段的谐振信号,不仅是将十字正交的第一辐射缝隙111矢量合成的辐射叠加至沿极化方向上的辐射,同时还将第二辐射缝隙12矢量合成的辐射叠加到沿极化方向上的辐射,能达到矢量叠加增强的效果,从而大大展宽了宽频辐射单元10的工作频带宽度。
在一个实施例中,相邻两列天线阵列之间设有去耦隔离条。
进一步地,所述天线阵列中包括设置于反射板30上的馈电线路20,多个上述辐射片11及馈电柱14所构成的宽频辐射单元10。多个宽频辐射单元10通过馈电线路20相连。反射板30背对设有馈电线路20的一侧连接有接地层。
进一步地,反射板30采用厚度为0.76mm,介电常数为3.0的板材。
进一步地,所述馈电线路20与馈电柱14电连接,以实现宽频辐射单元10的馈电,达到并联谐振馈电的目的。再通过±45°极化一分四功分器将沿纵向排列的四个宽频辐射单元10及其馈电线路20连接,四个宽频辐射单元10的垂直间距DZ=0.5λ~1.0λ,其中λ为天线工作的中心频点对应的波长。
应当理解的是,若每个天线阵列中宽频辐射单元10的数量为N(N>2),则在同一个天线阵列中,各个宽频辐射单元10通过一分N端口功分网络进行电连接。
作为一个可选的实施例,请结合图9,一实施例的阵列天线包括3行8列的天线阵列,每列天线阵列构成一个小的天线阵列,并且相邻天线阵列之间的间距为DY=0.5λ~0.75λ。此外,在相邻两列天线阵列之间还设有去耦隔离条,可在天线工作频段内减小天线阵列之间的互耦,从而提高相邻列之间天线阵列的隔离度。
图9为本发明一实施例宽频辐射单元10在工作频带内的电压驻波比曲线图。从图9可以看出,在驻波比小于1.5的情况下具有超过24%的阻抗带宽,结合图11,在驻波小于2的情况下具有超过40%的阻抗带宽。
图10为一实施例单纯十字缝隙的辐射单元在工作频带内的电压驻波比曲线图。从图10可以看出,作为对比,在驻波小于1.5的情况下带宽仅为7%;在驻波小于2的情况下带宽为20%。
图11为本发明一实施例宽频辐射单元10对其他5G频段内的电压驻波比曲线图。从图11可以看出,在2.5GHz~2.7GHz频段内驻波大于3,在高频段4.6GHz以外大于2.5,具有良好的抑制能力。
图12为本发明一实施例天线阵列的同极化隔离度曲线图。从图12可以看出,在频率3.4GHz~4.2GHz范围内,同极化隔离度大于-20dB。
图13为本发明一实施例天线阵列的异极化隔离度曲线图。从图13可以看出,在频率3.4GHz~4.2GHz范围内,同极化隔离度大于-17dB。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种宽频辐射单元,其特征在于,包括:
辐射片,所述辐射片的中部开设有第一辐射缝隙,所述第一辐射缝隙包括相互连通并呈十字正交的横向缝隙和纵向缝隙,所述横向缝隙和所述纵向缝隙的长度均小于辐射片在对应辐射缝隙延伸方向上的长度;所述辐射片上还设有第二辐射缝隙,所述第二辐射缝隙与所述横向缝隙相连通并与所述横向缝隙交叉设置。
2.根据权利要求1所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述辐射片为设有蚀刻电路的PCB板或金属片。
3.根据权利要求1所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述第二辐射缝隙的设置方向与所述横向缝隙的设置方向呈夹角设置,所述第二辐射缝隙与所述横向缝隙之间的夹角为45°~135°。
4.根据权利要求3所述的宽频辐射单元,其特征在于,还包括第三辐射缝隙,所述第三辐射缝隙与所述纵向缝隙相连通并与所述纵向缝隙交叉设置;所述第三辐射缝隙的设置方向与所述纵向缝隙的设置方向呈夹角设置,所述第三辐射缝隙与所述纵向缝隙之间的夹角为45°~135°。
5.根据权利要求4所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述第二辐射缝隙为两个以上,所述纵向缝隙的两侧均分布有所述第二辐射缝隙;所述第三辐射缝隙为两个以上,所述横向缝隙的两侧均分布有所述第三辐射缝隙。
6.根据权利要求5所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述第二辐射缝隙关于所述纵向缝隙轴对称设置,所述第二辐射缝隙还关于所述横向缝隙轴对称设置;所述第三辐射缝隙关于所述横向缝隙轴对称设置,所述第三辐射缝隙还关于所述纵向缝隙轴对称设置。
7.根据权利要求1所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述横向缝隙和所述纵向缝隙分别沿所述辐射片的极化方向成±45°夹角的方向延伸。
8.根据权利要求1所述的宽频辐射单元,其特征在于,还包括用于连接所述辐射片与馈电线路的馈电柱,所述馈电柱对应辐射片的两个极化方向设有两组,且每组所述馈电柱包括沿极化方向的轴线排列的两个馈电柱;所述馈电柱与所述辐射片一体成型,或者所述馈电柱与所述辐射片焊接或者卡合而连接。
9.根据权利要求8所述的宽频辐射单元,其特征在于,所述馈电柱为在远离于辐射片的方向上截面逐渐变小的锥状柱;所述馈电柱为中空馈电柱;所述辐射片的背面设有镂空部;所述辐射片的四个角部均设有垂柱。
10.一种阵列天线,包括反射板及设于反射板上的至少一个天线阵列,其特征在于,每个所述天线阵列设置多个如权利要求1至9中任意一项所述的宽频辐射单元。
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