CN111063699B - 阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板包括基底、设置在基底上的减反射层和设置在减反射层上的阵列结构层，阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影位于减反射层在基底上的正投影的范围内。本发明通过在基底与阵列结构层之间设置减反射层，来降低栅线、栅电极和栅连接电极对背光源光线的反射，解决了无边框显示产品侧面渗光的问题，提升了无边框显示产品的品质，促进了无边框显示产品大面积普及化。

Description

阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-liquid Crystal Display，TFT-LCD)技术的不断发展，超薄、超轻、无边框显示产品越来越广泛，且逐渐成为市场主流。无边框显示产品设计美观，在一定程度上给用户带来更加宽广的可视面积。
但是现有无边框显示产品还存在不同程度的侧面渗光问题，侧面渗光严重影响了无边框显示产品的高品质化，使无边框显示产品无法大面积普及。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板，用以解决现有无边框显示产品存在的侧面渗光问题。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括基底、设置在基底上的减反射层和设置在减反射层上的阵列结构层，阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影位于减反射层在基底上的正投影的范围内。
可选的，减反射层为单层结构，减反射层的材料包括钼铌合金、氧化钼、钼铬氮、氮化硅、碳化硅、氧化硅或非晶硅。
可选的，减反射层的材料包括钼铌合金、氧化钼或钼铬氮时，减反射层的厚度小于或等于
Figure BDA0002326787920000011
减反射层的材料包括氮化硅、碳化硅、氧化硅或非晶硅时，减反射层的厚度小于或等于
Figure BDA0002326787920000012
可选的，减反射层包括叠设的第一减反射层和第二减反射层，第一减反射层位于第二减反射层与基底之间；第一减反射层的材料包括氮化硅，第二减反射层的材料包括非晶硅。
可选的，第一减反射层覆盖整个基底，第二减反射层在基底上的正投影与栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影完全重叠。
可选的，第一减反射层的厚度为
Figure BDA0002326787920000021
第二减反射层的厚度为
Figure BDA0002326787920000022
可选的，减反射层在可见光波长范围内的反射率小于或等于38％。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板、中框和背光源，中框包括支撑板和设置于支撑板周边的挡墙，挡墙和支撑板之间形成容置空间，显示面板设置在容置空间内，背光源设置在支撑板背离显示面板的一侧，显示面板包括上述的阵列基板。
可选的，显示面板包括彩膜基板，彩膜基板设置于阵列基板背离背光源的一侧，彩膜基板包括衬底和设置于衬底靠近阵列基板一侧的黑矩阵，黑矩阵的边缘与衬底的边缘齐平。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
在基底上形成减反射层，在减反射层上形成阵列结构层；阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影位于减反射层在基底上的正投影的范围内。
可选的，在基底上形成减反射层，在减反射层上形成阵列结构层，包括：在基底上依次沉积减反射薄膜和第一金属薄膜，形成减反射层和位于减反射层上的栅线、栅电极和栅连接电极，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与减反射层在基底上的正投影完全重叠；依次形成有源层和源漏电极层。
可选的，在基底上形成减反射层，在减反射层上形成阵列结构层，包括：在基底上依次沉积第一减反射薄膜、第二减反射薄膜和第一金属薄膜，形成第一减反射层、位于第一减反射层上的第二减反射层以及位于第二减反射层上的栅线、栅电极和栅连接电极，第一减反射层覆盖整个基底，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与第二减反射层在基底上的正投影完全重叠。
可选的，第一减反射层的材料包括氮化硅，第二减反射层的材料包括非晶硅。
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，通过在基底与阵列结构层之间设置减反射层，来降低栅线、栅电极和栅连接电极对背光源光线的反射，解决了无边框显示产品侧面渗光的问题，提升了无边框显示产品的品质，促进了无边框显示产品大面积普及化。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有无边框显示产品结构图；
图2为现有无边框显示产品侧面渗光测试结果图；
图3为不同金属膜层反射率图；
图4为本发明阵列基板有效显示区域的结构示意图；
图5为本发明阵列基板外围区域的结构示意图；
图6为本发明阵列基板形成栅金属层图案后有效显示区域的结构图；
图7为本发明阵列基板形成栅金属层图案后外围区域的结构图；
图8为本发明阵列基板形成有源层图案后有效显示区域的结构图；
图9为本发明阵列基板形成有源层图案后外围区域的结构图；
图10为本发明阵列基板形成源漏金属层图案后有效显示区域的结构图；
图11为本发明阵列基板形成源漏金属层图案后外围区域的结构图；
图12为本发明阵列基板形成过孔图案后有效显示区域的结构图；
图13为本发明实施例显示装置的结构图。
附图标记
10-显示面板； 100-阵列基板； 110-基底；
120-减反射层； 130-金属膜层； 131-栅电极；
132-栅连接电极； 140-第一绝缘层； 150-有源层；
161-源电极； 162-漏电极； 163-源漏连接电极；
170-第二绝缘层； 181-像素电极； 20-中框；
21-挡墙； 22-支撑板； 30-背光源；
200-彩膜基板； 210-衬底； 220-黑矩阵。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
现有无边框显示产品背光模组通常采用一体式设计的中框。如图1所示，虚线右边为阵列基板的有效显示区域，虚线左边为阵列基板的外区区域。一体式设计的中框20仅在显示面板10周边设计了挡墙21，挡墙21高度一般与显示面板10平行或者略低于显示面板10高度。显示面板10和周边挡墙21之间需要存在一定的间隙，以避免挡墙21与显示面板10之间的干涉。
本申请发明人对市面上不同厂家的无边框显示产品进行测试。其中，斜视亮线和衰弱临界视角具体为：如图2左图所示，观察视角从水平视角逐渐增加到垂直视角，最亮视角为亮度最大的角度，斜视亮线为随着观察角度的增加，侧面渗光从面到线的变化角度，衰弱临界角度是侧面渗光亮度突然降低的临界角度，如图2中右图所示，最亮视角为图2中右图中的A点，斜视亮线为图2中右图中的B点，衰弱临界角度为图2中右图中的C点。有时侧面渗光测试中，还测量不可见角度，不可见角度为侧面渗光消失的角度，不可见角度为图2中右图中的D点。表1为现有无边框显示产品测试结果。
表1：现有无边框显示产品测试结果
序号 项目 A产品 B产品 C产品 D产品
1 最亮视角 0° 0° 0° 0°
2 斜视亮线 32° 34° 30° 33°
3 衰弱临界角度 51° 49° 42° 46°
测试结果表明，大多厂家的显示面板都存在周边渗光的情况，区别仅在于斜视亮线和衰弱临界视角不同。
经本申请发明人研究发现，现有无边框显示产品存在周边渗光，很大程度上是阵列基板的反射光造成的。具体地说，如图1所示，背光源30的光线透过阵列基板的基底110时，由于基底110上设置有金属膜层130，光线在金属膜层130处发生反射，使部分光线进入到周边挡墙21区域，由于周边挡墙21与显示面板10之间存在一定间隙，这部分光线从间隙处出射，因而发生侧面渗光现象。不同厂家出光可见视角和衰弱临界视角的区别是因为各家阵列基板内部金属膜层结构设计以及档墙高度不同导致的。如图3所示，金属铜Cu或者铝Al形成的金属膜层的反射率在特定波长下可以达到90％以上，常见的钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)在可见光波长内的反射率也有50％左右。虽然通过调整挡墙的高度、挡墙与显示面板间的间隙可以改善侧面渗光现象，但是此种方法需要重新修改模具，且不同的显示面板因内部结构设计差异使得出光角度不同，导致背光模组的兼容性变差，每搭配一种显示面板就要修改模具一次，造成产品成本大幅度增加。
为了解决无边框显示产品侧面渗光的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括基底、设置在基底上的减反射层和设置在减反射层上的阵列结构层，阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影位于减反射层在基底上的正投影的范围内。
图4和图5为本发明阵列基板的结构示意图。其中，图4为本发明阵列基板有效显示区域的结构示意图，图5为本发明阵列基板外围区域的结构示意图。如图4和图5所示，本发明实施例阵列基板的主体结构包括：
基底110；
设置在基底110减反射层120；
设置在减反射层120上的栅金属层，其中，栅金属层包括位于阵列基板有效显示区域的栅电极131、栅线(未示出)，以及位于阵列基板外围区域的栅连接电极132，栅电极131、栅线(未示出)和栅连接电极132在基底110上的正投影位于减反射层120在基底110上正投影的范围内；
覆盖栅线、栅电极131和栅连接电极132的第一绝缘层140；
设置在第一绝缘层140上的有源层150，有源层150位于有效显示区域，且位置与栅电极131相对应；
设置在第一绝缘层140上的源漏金属层，源漏金属层包括数据线(未示出)、源电极161、漏电极162和源漏连接电极163，数据线、源电极161和漏电极162位于有效显示区域，源电极161邻近漏电极162的一端设置在有源层150上，漏电极162邻近源电极161的一端也设置在有源层150上，源电极161与漏电极162之间形成导电沟道，源漏连接电极163位于外围区域；
覆盖数据线、源电极161、漏电极162和源漏连接电极163的第二绝缘层170，第二绝缘层170上开设有暴露出漏电极162的过孔；
设置在第二绝缘层170上的像素电极181，像素电极181位于有效显示区域，并通过过孔与漏电极162连接。
其中，栅金属层、第一绝缘层140、有源层150，源漏金属层、第二绝缘层170和像素电极181，构成本发明实施例的阵列结构层。
本实施例中，减反射层可以为单层结构。减反射层的材料包括钼铌合金(MoNb)、氧化钼(MoOx)、钼铬氮(CrMoN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化硅(SiOx)或非晶硅(a-Si)。减反射层的材料包括氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化硅(SiOx)或非晶硅(a-Si)时，减反射层的厚度小于或等于
Figure BDA0002326787920000072
本申请发明人发现，某些材料制成的减反射层的厚度增加会使其反射率增加，例如当MoNb层厚度增加到
Figure BDA0002326787920000073
时，MoNb膜层反射率就会上升到45％左右。因此，减反射层的材料包括钼铌合金(MoNb)、氧化钼(MoOx)或钼铬氮(CrMoN)时，减反射层的厚度小于或等于
Figure BDA0002326787920000074
在本实施例中，减反射层可以为多层结构。减反射层包括叠设的第一减反射层和第二减反射层，第一减反射层设置于第二减反射层和基底之间。第一减反射层的材料为氮化硅(Si3N4)，第二减反射层的材料为非晶硅(a-Si)；或者，第一减反射层的材料包括碳化硅或氧化硅，第二减反射层的材料包括钼铌合金、氧化钼或钼铬氮。例如，第一减反射层为氧化硅，第二减反射层为钼铌合金，或者第一减反射层为碳化硅，第二减反射层为氧化钼等，在此不一一列举。
第一减反射层的材料为氮化硅(Si3N4)，第二减反射层的材料为非晶硅(a-Si)时，因为氮化硅为透明材料，所以第一减反射层可以覆盖整个基底，而第二减反射层在基底上的正投影与栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影完全重叠。第一减反射层的厚度为
Figure BDA0002326787920000075
第二减反射层的厚度为
Figure BDA0002326787920000076
由于非晶硅(a-Si)具有很大的吸光系数，可以对可见光有效的吸收，所以第二减反射层可以降低对背光源光线的反射。
本实施例中，减反射层在可见光波长范围内的反射率小于或等于38％。优选的，减反射层在可见光波长范围内的反射率小于或等于30％。例如，MoNb膜层、MoOx膜层、MoNb/MoOx复合膜层和Si3N4/a-Si复合层材料在可见光波长范围内的反射率分别为27％、17％、19％和19％，大大低于Al、Cu、Mo/Al/Mo等材料的反射率。
表2为本实施例阵列基板改进前后显示面板侧面渗光测量对比。如表2所示，在栅金属层和基底之间设置钼铌合金(MoNb)减反射层后，显示面板的衰弱临界角度降低，侧面渗光的不可见角度降低。在同样的挡墙高度以及挡墙与显示面板的间隙下，改进后的显示面板制备的无边框显示产品的侧面渗光很好的解决。
表2本实施例阵列基板改进前后显示面板侧面渗光测量对比。
Figure BDA0002326787920000071
Figure BDA0002326787920000081
本发明实施例提供了一种阵列基板，通过在基底和阵列结构之间设置减反射层，能够有效的降低栅金属层对背光源光线的反射，减小显示面板侧面渗光的衰弱临界角度和不可见角度，在不改变中框结构的情况下，即在不重新修改模具的情况下，很好的解决了无边框显示产品侧面渗光的问题，提升了无边框显示产品的品质，促进了无边框显示产品大面积普及化。
下面通过本实施例阵列基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案,其中减反射层以金属为例。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺。刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
(1)形成栅金属层图案。形成栅金属层图案包括：在基底110上依次沉积减反射薄膜和第一金属薄膜，采用构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成减反射层和栅金属图案，如图6和图7所示，图6为本发明阵列基板形成栅金属层图案后有效显示区域的结构图，图7为本发明阵列基板形成栅金属层图案后外围区域的结构图。其中，栅金属层构图过程中，减反射薄膜和第一金属薄膜同时被构图。栅金属层图案包括栅电极131、栅线(未示出)和栅连接电极132图案。栅电极131、栅线(未示出)和栅连接电极132在基底110上的正投影位于减反射层120在基底110正投影的范围内。
(2)形成有源层图案。形成有源层图案包括：在形成有前述图案的基底上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，采用构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在第一绝缘层140上的有源层150图案，如图8和图9所示，图8为本发明阵列基板形成有源层图案后有效显示区域的结构图，图9为本发明阵列基板形成有源层图案后外围区域的结构图。其中，第一绝缘层140覆盖前述图案的基底整个表面，有源层150位于有效显示区域，并与栅电极131的位置对应。在本制备过程中，第一绝缘薄膜无需构图工艺或光刻工艺，可以称为第一绝缘层。
(3)形成源漏金属层图案。形成源漏金属层图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二金属薄膜，采用构图工艺对第二金属薄膜构图，形成数据线(未示出)、源电极161、漏电极162和源漏连接电极163图案。数据线、源电极161和漏电极162位于有效显示区域，源电极161邻近漏电极162的一端设置在有源层150上，漏电极162邻近源电极161的一端也设置在有源层150上，源电极161与漏电极162之间形成导电沟道，源漏连接电极163位于外围区域，如图10和图11所示，图10为本发明阵列基板形成源漏金属层图案后有效显示区域的结构图，图11为本发明阵列基板形成源漏金属层图案后外围区域的结构图。
(4)形成过孔图案。形成过孔图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成过孔图案，过孔位于有效显示区域，过孔内的第二绝缘层170被刻蚀掉，暴露出漏电极162的表面，如图12所示，图12为本发明阵列基板形成过孔图案后有效显示区域的结构图。
(5)形成像素电极图案。形成像素电极图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成像素电极181，像素电极181位于有效显示区域的第二绝缘层170上，通过过孔与漏电极162连接，如图4和图5所示。
在本实施例阵列基板的制备过程中，基底可以采用玻璃基底、石英基底、塑料基底或者柔性基底。第一金属薄膜和第二金属薄膜的材料包括但不限于选自铬(Cr)、铜(Cu)、铝(A1)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、锰(Mn)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)中的金属元素、包含上述金属元素作为成分的合金或者包含上述金属元素的组合的合金等形成。也可以使用Cu-X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。第一金属薄膜和第二金属薄膜可以是单层结构，也可以是多层复核结构，采用物理气象沉积(PVD)方式沉积，物理气相沉积法包括但不限于磁控溅射法和热蒸镀法。第一绝缘层和第二绝缘层包括但不限于氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜和氧化钕膜，可以是单层、多层或复合层，采用化学气相沉积(CVD)方式沉积。第一绝缘层也称之为栅绝缘(GI)层，第二绝缘层也称之为钝化(PVX)层。透明导电薄膜可以使用包含铟和锡的氧化物、包含钨和铟的氧化物、包含钨和铟和锌的氧化物、包含钛和铟的氧化物、包含钛和铟和锡的氧化物、包含铟和锌的氧化物、包含硅和铟和锡的氧化物、包含铟和镓和锌的氧化物等氧化物导电体形成。
通过前述阵列基板的制备过程可以看出，本发明实施例阵列基板先沉积减反射薄膜，再沉积第一金属薄膜，然后对第一金属薄膜构图，第一金属薄膜形成栅金属层图案，减反射薄膜形成减反射层图案，这样栅金属层与基板之间形成减反射层，减反射层降低了栅金属层对背光源光线的反射，进而可以减小显示面板侧面渗光的衰弱临界角度和不可见角度，在不改变中框结构的情况下，很好的解决了无边框显示产品侧面渗光的问题。同时，本发明实施例阵列基板的制备过程适用于阵列基板生产的所有机型，在制作上不需要新增加设备，整个制程的成本基本维持不变，对于解决侧面渗光提高背光兼容性意义十分巨大。
基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成减反射层，在所述减反射层上形成阵列结构层，所述阵列结构层中的栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影位于所述减反射层在基底上的正投影的范围内。
阵列基板的制备方法具体包括：(1)在基底上依次沉积减反射薄膜和第一金属薄膜，形成减反射层和位于所述减反射层上的栅线、栅电极和栅连接电极，所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与所述减反射层在基底上的正投影完全重叠；
然后，依次形成有源层和源漏电极层。
依次形成有源层和源漏电极层具体包括：
(2)形成覆盖栅线、栅电极和栅连接电极的第一绝缘层；
(3)在第一绝缘层上形成有源层；
(4)在有源层上形成源漏电极层；
(5)在形成覆盖源漏电极层的第二绝缘层；
(6)在第二绝缘层上形成像素电极。
减反射层包括叠设的第一减反射层和第二减反射层，第一减反射层设置于第二减反射层和基底之间，阵列基板的制备方法可以包括：
(1)在基底上依次沉积第一减反射薄膜、第二减反射薄膜和第一金属薄膜，形成第一减反射层、位于所述第一减反射层上的第二减反射层以及位于所述第二减反射层上的栅线、栅电极和栅连接电极，所述第一减反射层覆盖整个基底，所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与所述第二减反射层在基底上的正投影完全重叠。
然后重复上述阵列基板制备方法中的(2)-(6)。
第一减反射层的材料为氮化硅，第二减反射层的材料为非晶硅，
由于对于本领域技术人员来讲，在构图工艺中，通过控制刻蚀的工艺时间和速度，就可以实现仅对第二减反射薄膜刻蚀而不对第一减反射薄膜刻蚀是常规技术手段，所以具体实现过程在此不做具体说明。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板、中框和背光源，中框包括支撑板和设置于支撑板周边的挡墙，挡墙和支撑板之间形成容置空间，显示面板设置于容置空间内，背光源设置在支撑板背离显示面板的一侧，显示面板包括上述实施例提到的阵列基板。
图13为本发明实施例显示装置的结构图。
如图13所示，显示装置包括显示面板10、中框20和背光源30，中框10包括挡墙21和支撑板22，挡墙21设置支撑板22的周边，并位于支撑板22的上表面，挡墙21垂直于支撑板22。挡墙21与支撑板22之间形成容纳显示面板10的容置空间。显示面板10设置于支撑板22的上表面并位于容置空间内，显示面板10通过黑色双面胶带40固定在支撑板22上。背光源30设置于支撑板22的下表面。显示面板10包括阵列基板100和彩膜基板200，阵列基板100的基底110靠近彩膜基板200的一侧设置减反射层120。
如图13所示，彩膜基板200包括衬底210和设置于衬底210靠近阵列基板100一侧的黑矩阵220，黑矩阵220的边缘与衬底210的边缘齐平。黑矩阵的边缘与衬底的边缘齐平的架构设计可以有效的阻挡背光源的光线从彩膜基板的衬底边缘出射，防止显示装置正面渗光，提升无边框显示产品的品质。
本发明实施例提供了一种显示装置，通过在阵列基板的基底上设置减反射层，可以有效的降低显示装置侧面渗光不可见角度和衰弱临界角度，通过将彩膜基板的衬底与黑矩阵的边缘齐平，可以防止显示装置的正面渗光，进而提升了无边框显示产品的品质，促进了无边框显示产品大面积普及化。
在本发明中的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、“口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (4)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的减反射层和设置在所述减反射层上的阵列结构层，所述阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与所述减反射层在基底上的正投影完全重叠；所述减反射层包括叠设的第一减反射层和第二减反射层，所述第一减反射层位于第二减反射层与基底之间；所述第一减反射层覆盖整个基底，所述第二减反射层在基底上的正投影与所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影完全重叠；所述第一减反射层的材料包括透明材料的氮化硅，所述第一减反射层的厚度为
Figure FDA0003562600830000011
所述第二减反射层的材料包括非晶硅，所述第二减反射层的厚度为
Figure FDA0003562600830000012
所述非晶硅被配置为对可见光有效的吸收，以降低第二减反射层对背光源光线的反射，使所述减反射层在可见光波长范围内的反射率小于或等于38％。
2.一种显示装置，其特征在于：包括显示面板、中框和背光源，所述中框包括支撑板和设置于所述支撑板周边的挡墙，所述挡墙和支撑板之间形成容置空间，所述显示面板设置在容置空间内，所述背光源设置在支撑板背离显示面板的一侧，所述显示面板包括权利要求1所述的阵列基板。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：所述显示面板包括彩膜基板，所述彩膜基板设置于阵列基板背离背光源的一侧，所述彩膜基板包括衬底和设置于衬底靠近阵列基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵的边缘与衬底的边缘齐平。
4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成减反射层，在所述减反射层上形成阵列结构层；所述阵列结构层包括位于显示区域的栅线和栅电极以及位于外围区域的栅连接电极，所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影与所述减反射层在基底上的正投影完全重叠；
所述减反射层包括叠设的第一减反射层和第二减反射层，所述第一减反射层位于第二减反射层与基底之间；所述第一减反射层覆盖整个基底，所述第二减反射层在基底上的正投影与所述栅线、栅电极和栅连接电极在基底上的正投影完全重叠；所述第一减反射层的材料包括透明材料的氮化硅，所述第一减反射层的厚度为
Figure FDA0003562600830000021
所述第二减反射层的材料包括非晶硅，所述第二减反射层的厚度为
Figure FDA0003562600830000022
所述非晶硅被配置为对可见光有效的吸收，以降低第二减反射层对背光源光线的反射，使所述减反射层在可见光波长范围内的反射率小于或等于38％。
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US9000665B2 (en) * 2012-03-20 2015-04-07 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
US10180700B2 (en) * 2013-07-01 2019-01-15 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN105842904B (zh) * 2016-05-25 2024-02-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制备方法
CN107302032B (zh) * 2017-06-19 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
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