CN111053437B - 一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器 - Google Patents

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黄洁仪
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Abstract

本发明提供了一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器，所述方法包括：获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；根据初始温度和初始加热功率确定可控硅在加热过程中的实时温度；当实时温度大于可控硅对应的温度阈值时，对初始加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度降低至低于温度阈值。本发明能够根据可控硅在当前加热模式下的初始温度和当前加热功率确定可控硅在加热过程中的实时温度，并在实时温度超过可控硅本身可承受温度时，对当前的加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度控制在可控硅可承受温度范围内，保护器件，提升产品使用寿命以及降低对器件的性能要求，进而降低产品生产成本。

Description

一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器
技术领域
本发明涉及家用电器技术领域，尤其涉及一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器。
背景技术
水壶加热时，在持续加热过程中，可控硅温度会持续上升，由于可控硅以不同的功率加热，可控硅的温升系数不同，而水壶长时间加热会导致在加热过程中，温度上升过快导致温度超出可控硅本身承受温度，造成可控硅损坏，从而降低产品使用寿命，影响用户使用体验。
发明内容
本发明的目的在于克服上述技术问题，提供一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器。
本发明的一个方面，提供了一种可控硅加热控制方法，所述方法包括：
获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；
根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；
当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
可选地，在对所述初始加热功率进行调整之后，所述方法还包括：
在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。
可选地，所述根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度，包括：
将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；
根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；
根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度。
可选地，所述根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数，包括：
根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
可选地，所述当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，包括：
将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；
根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；
将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
本发明的另一个方面，提供了一种可控硅加热控制装置，所述装置包括：
获取模块，用于获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；
处理模块，用于根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；
控制模块，用于当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
可选地，所述控制模块，还用于在对所述初始加热功率进行调整之后，在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。
可选地，所述处理模块，包括：
匹配单元，用于将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；
获取单元，用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；
计算单元，用于根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度。
可选地，所述获取单元，具体用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
可选地，所述匹配单元，还用于将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；
所述计算单元，还用于根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；
相应的，所述控制模块，还用于将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
此外，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
此外，本发明还提供了一种家用电器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上所述方法的步骤。
本发明实施例提供的可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器，能够根据可控硅在当前加热模式下的初始温度和初始加热功率确定可控硅在加热过程中的实时温度，并在实时温度超过可控硅本身可承受温度时，对当前的加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度控制在可控硅可承受温度范围内，保护器件，提升产品使用寿命以及降低对器件的性能要求，进而降低产品生产成本。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本发明实施例的可控硅加热控制方法的流程示意图；
图2为本发明实施例的可控硅加热控制方法中步骤S12的内部流程示意图；
图3为本发明实施例的可控硅加热控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
图1示意性示出了本发明一个实施例的可控硅加热控制方法的流程图。参照图1，本发明实施例提出的可控硅加热控制方法具体包括步骤S11～S13，如下所示：
S11、获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率。
实际用用中，很多家用电器利用可控硅实现加热控制，需要通过控制可控硅的开关去控制加热功率。具体的，在家用电器的加热过程中，通过获取可控硅在不同加热阶段的初始温度和初始加热功率，以实现对可控硅的加热控制，避免由于长时间开启可控硅导致可控硅的温度过高，超出器具可承受的范围。
本发明实施例提出的可控硅加热控制方法，可以应用于如加热水壶等应用可控硅实现器具加热控制的家用电器。
S12、根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度。
本实施例中，在加热过程中，可控硅的实时温度与可控硅的初始温度、加热时间以及当前的加热功率有关，本发明可根据可控硅的实时温度与可控硅的初始温度、加热时间以及当前的加热功率之间的关系模型，基于获取到的初始温度和对应的初始加热功率计算可控硅在加热过程中的实时温度。
S13、当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
本实施例中，所述可控硅对应的温度阈值为可控硅本身可承受的最高温度。可控硅的最大承受温度是可控硅物料本身的特性，为固定值。
本发明实施例提供的可控硅加热控制方法，能够根据可控硅在当前加热模式下的初始温度和初始加热功率确定可控硅在加热过程中的实时温度，并在实时温度超过可控硅本身可承受温度时，对当前的加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度控制在可控硅可承受温度范围内，保护器件，提升产品使用寿命以及降低对器件的性能要求，进而降低产品生产成本。
本发明实施例中，当所述实时温度超过可控硅本身可承受温度时，对当前的加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度控制在可控硅可承受温度范围内，并在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。本发明实施例，通过如此反复控制，将可控硅的温度控制在理想的温度下；合理利用加热的控制过程，在不影响加热速度的前提下，不仅解决可控硅的温升超标问题，而且大大提升产品的可靠性。
本发明实施例中，步骤S12中的根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度，具体包括以下实现流程：
S121、将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间。
S122、根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数。本实施例中，该步骤具体实现方式如下所示：根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
表1升温系数对应表
Figure BDA0002300210180000071
S123、根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度。
本发明实施例中，预先测试可控硅在不同的加热功率下的温度上升曲线以及通过测试不同的加热功率下可控硅上升的温度，在测试多组数据后，得到可控硅在不同的功率下的平均上升曲线；在不同的加热功率下建立温升曲线的模型；在可控硅的温度区间1以及功率1加热状态下的温升曲线模型为：y＝N11t1+b1其中，t1为在该加热状态下的工作时间，b1可控硅进入该加热状态下开始工作时的初始温度，在可控硅的温度区间n以及功率n加热状态下的温升曲线模型为：y＝Nnntn+bn，其中tn为在该加热状态下的工作时间，bn可控硅进入该加热状态下开始工作时的初始温度；在开启加热过程后，通过以上模型可计算可控硅的实时温度。
进一步地，步骤S13中的当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，具体包括以下实现流程：将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
本发明实施例中，当可控硅的实时温度超过可控硅的最大承受温度t°之后，对所述初始加热功率进行调整，具体包括：将可控硅的加热功率调整到目标加热功率。可理解的是，在某个温度下以及加热功率下，可控硅的温度会呈下降趋势，因此，可根据可控硅的温升曲线模型以及可控硅的实时温度确定目标加热功率，通过降低初始加热功率至目标加热功率，以降低可控硅的实时温度。在以目标加热功率加热预设时间T后，可控硅温度降低XT，其中，XT是指根据本实施例描述的温升曲线，在以上目标加热功率加热T时间后可控硅下降的温度，使可控硅的温度能够控制在可承受的温度范围之内，然后重新恢复之前的加热功率，开启加热过程；如此反复控制，将可控硅的温度控制在理想的温度下；合理利用加热的控制过程，在不影响加热的速度前提下，不仅解决可控硅的温升超标问题，而且大大提升产品的可靠性。
对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
图3示意性示出了本发明一个实施例的可控硅加热控制装置的结构示意图。参照图3，本发明实施例的可控硅加热控制装置具体包括获取模块301、处理模块302和控制模块303，其中：
获取模块301，用于获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；
处理模块302，用于根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；
控制模块303，用于当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
本发明实施例中，所述控制模块303，还用于在对所述初始加热功率进行调整之后，在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。
本发明实施例中，所述处理模块302，包括匹配单元、获取单元和计算单元，其中：
匹配单元，用于将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；
获取单元，用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；
计算单元，用于根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度。
进一步地，所述获取单元，具体用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
进一步地，所述匹配单元，还用于将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；
所述计算单元，还用于根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；
相应的，所述控制模块303，还用于将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
本发明实施例提供的可控硅加热控制方法、装置，能够根据可控硅在当前加热模式下的初始温度和初始加热功率确定可控硅在加热过程中的实时温度，并在实时温度超过可控硅本身可承受温度时，对当前的加热功率进行调整，以使可控硅的实时温度控制在可控硅可承受温度范围内，保护器件，提升产品使用寿命以及降低对器件的性能要求，进而降低产品生产成本。
此外，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
本实施例中，所述可控硅加热控制装置集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
本发明实施例提供的家用电器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述各个可控硅加热控制方法实施例中的步骤，例如图1所示的S11～S13。或者，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述各可控硅加热控制装置实施例中各模块/单元的功能，例如图3所示的获取模块301、处理模块302和控制模块303。
示例性的，所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器中，并由所述处理器执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述可控硅加热控制装置中的执行过程。例如，所述计算机程序可以被分割成获取模块301、处理模块302和控制模块303。
所述处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述家用电器的控制中心，利用各种接口和线路连接整个家用电器的各个部分。
所述存储器可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述家用电器的各种功能。所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种可控硅加热控制方法，其特征在于，所述方法包括：
获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；
根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；
将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；
根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；
根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度；
当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述初始加热功率进行调整之后，所述方法还包括：
在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数，包括：
根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，包括：
将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；
根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；
将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
5.一种可控硅加热控制装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；
处理模块，用于根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；
所述处理模块，包括：
匹配单元，用于将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；
获取单元，用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；
计算单元，用于根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度；
控制模块，用于当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述控制模块，还用于在对所述初始加热功率进行调整之后，在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。
7.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述获取单元，具体用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。
8.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述匹配单元，还用于将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；
所述计算单元，还用于根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；
相应的，所述控制模块，还用于将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述方法的步骤。
10.一种家用电器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-4任一项所述方法的步骤。
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