CN111049534A - 毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置 - Google Patents

毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置 Download PDF

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CN111049534A CN201911136584.4A CN201911136584A CN111049534A CN 111049534 A CN111049534 A CN 111049534A CN 201911136584 A CN201911136584 A CN 201911136584A CN 111049534 A CN111049534 A CN 111049534A
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Abstract

本发明提供一种毫米波功率放大装置，该毫米波功率放大装置具有多个毫米波功率放大电路，该每一毫米波功率放大电路包括一电晶体、一第一、二串联谐振单元及多个第一、二频段调整单元，该电晶体具有一连接一输入端的第一端、一连接一接地端的第二端及一连接一输出端的第三端，该第一、二频段调整单元各具有一开关件及二储存元件，该第一、二频段调整单元各的开关件与二储存元件串联连接，通过本发明设计，可达到多频段可供调整的效果及降低成本。

Description

毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置
技术领域
本发明有关于一种毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置，尤指一种可达到多频段可供调整效果的毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置。
背景技术
使用毫米波(mm-wave)讯号的装置已存在着许多发展。涉及毫米波应用的半导体装置，包括基于无线电波带频率(介于约30GHz(赫兹)至约300GHz(赫兹)的范围中)的电磁光谱来操作的装置。毫米波装置具有介于1毫米(mm)至约10mm的范围中的波长，其对应30GHz至约300GHz的无线电频率。此频率波带有时称为极高频率(EHF)频率波带范围。应用毫米波的例子包括雷达装置、通讯装置等。其中雷达装置已经实施在各种应用，诸如车辆安全。
而现有雷达装置(如汽车防撞雷达系统)的多频段毫米波功率放大器的设计，大致上有一种作法是使用单一可变电容作多总频率选择，但此作法实际上在调整频率上误差很大且频率不易调整，且要涵盖越多频率所选用的电容会越昂贵，另一种作法则是将多个单独不同频段的毫米波功率放大电路组合一起构成一个多频段毫米功率放大器，例如24G、60G、70G三个频段的毫米波功率放大电路整合在同一个电路板上，且三个频段的毫米波功率放大电路在同一电路板上是各自独立连接一发射天线，且彼此之间没有电性连接，以导致整体电路结构复杂，且毫米波功率放大器内要包含更多频段(如24G、60G、70G、80G、120G)整体电路体积会越庞大(包含电路板与电子元件)，且还会造成成本提高及可调整的频段固定。
发明内容
本发明的一目的在提供一种可达到多频段可供调整效果及降低成本的毫米波功率放大电路。
本发明的另一目的在提供一种可达到多组频段可供调整效果及降低成本的毫米波功率放大装置。
本发明的另一目的在提供一种可简化电路设计与增加设计弹性的毫米波功率放大电路。
本发明的另一目的在提供一种可简化电路设计与增加设计弹性的毫米波功率放大装置。
本发明的另一目的在提供一种通过多个第一、二频段调整单元可自行调整选择想要的工作频段，以有效达到操作便利性佳及电路使用的弹性化调整的毫米波功率放大电路。
本发明的另一目的在提供一种通过多个第一、二频段调整单元可自行调整选择想要的工作频段，以有效达到操作便利性佳及电路使用的弹性化调整的毫米波功率放大装置。
为达上述目的，本发明提供一种毫米波功率放大电路，该毫米波功率放大电路包括一电晶体、一第一串联谐振单元、一第二串联谐振单元、多个第一频段调整单元及多个第二频段调整单元，该电晶体具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一端连接一输入端，该第二端连接一接地端，该第三端分别连接一输入电源及一输出端，该第一串联谐振单元连接在该第一端与该输入端之间，该第二串联谐振单元连接在该第三端与该输出端之间，该多个第一频段调整单元具有一第一开关件、一第一储存元件及一第二储存元件，该第一开关件的一端连接该第一端，该第一开关件的另一端与该第一、第二储存元件串联连接，该第二储存元件连接该接地端，该多个第二频段调整单元具有一第二开关件、一第三储存元件及一第四储存元件，该第二开关件的一端连接该第三端，该第二开关件的另一端与该第三、第四储存元件串联连接，该第四储存元件连接该接地端。
其中，该电晶体的第一端为一闸极端，该第二端为一源极端，该第三端为一汲极端，该第一串联谐振单元设有一第一电感器及一第一电容器，该第一电感器的两端分别连接该输入端与该第一电容器的一端，该第一电容器的另一端连接该闸极端。
其中，该第二串联谐振单元设有一第二电感器及一第二电容器，该第二电感器的两端分别连接该输出端与该第二电容器的一端，该第二电容器的另一端连接该汲极端。
其中，该毫米波功率放大电路还包括一第三串联谐振单元，该第三串联谐振单元连接在该第三端与该输入电源之间，该第三串联谐振单元设有一第三电感器及一第三电容器，该第三电感器的两端分别连接该输入电源与该第三电容器的一端，该第三电容器的另一端连接该汲极端与该第二电容器的另一端。
其中，该毫米波功率放大电路还包括一第四串联谐振单元，该第四串联谐振单元连接在该第二端与该接地端之间，该第四串联谐振单元设有一第四电感器及一第四电容器，该第四电容器的两端分别连接该源极端与该第四电感器的一端，该第四电感器的另一端连接该接地端。
其中，该第一储存元件的两端分别连接该第一开关件的另一端与该第二储存元件的一端，该第二储存元件的另一端连接该接地端，并该第一储存元件与该第二储存元件之间连接一第一输入偏压。
其中，该第三储存元件的两端分别连接该第二开关件的另一端与该第四储存元件的一端，该第四储存元件的另一端连接该接地端，并该第三储存元件与该第四储存元件之间连接一第二输入偏压。
其中，该第一储存元件为一电容器或一电感器，该第二储存元件为一电感器或一电容器，该第一开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
其中，该第三储存元件为一电容器或一电感器，该第四储存元件为一电感器或一电容器，该第二开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
其中，该电晶体为互补式金氧半电晶体(Complementary Metal-.Oxidesemiconductor,CMOS)、硅锗(SiGe)电晶体、砷化镓(GaAs)电晶体、场效电晶体(FieldEffect Transistor,FET)、氮化镓(GaN)电晶体或双极性(BJT)电晶体。
本发明另提供一种毫米波功率放大装置，包括多个毫米波功率放大电路，该多个毫米波功率放大电路具有一输入端与一输出端，且该每两相邻毫米波功率放大电路之间中的前一毫米波功率放大电路的该输出端与相邻后一毫米波功率放大电路的该输入端相连接，并该每一毫米波功率放大电路包括一电晶体、一第一串联谐振单元、一第二串联谐振单元、多个第一频段调整单元及多个第二频段调整单元，该电晶体具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一端连接自身该输入端，该第二端连接一接地端，该第三端分别连接一输入电源及对应自身该输出端，该第一串联谐振单元连接在该第一端与该输入端之间，该第二串联谐振单元连接在该第三端与该输出端之间，该多个第一频段调整单元具有一第一开关件、一第一储存元件及一第二储存元件，该第一开关件的一端连接该第一端，该第一开关件的另一端与该第一、第二储存元件串联连接，该第二储存元件连接该接地端，该多个第二频段调整单元具有一第二开关件、一第三储存元件及一第四储存元件，该第二开关件的一端连接该第三端，该第二开关件的另一端与该第三、第四储存元件串联连接，该第四储存元件连接该接地端。
其中，该电晶体的第一端为一闸极端，该第二端为一源极端，该第三端为一汲极端，该第一串联谐振单元设有一第一电感器及一第一电容器，该第一电感器的两端分别连接该输入端与该第一电容器的一端，该第一电容器的另一端连接该闸极端。
其中，该第二串联谐振单元设有一第二电感器及一第二电容器，该第二电感器的两端分别连接该输出端与该第二电容器的一端，该第二电容器的另一端连接该汲极端。
其中，该毫米波功率放大装置还包括一第三串联谐振单元，该第三串联谐振单元连接在该第三端与该输入电源之间，该第三串联谐振单元设有一第三电感器及一第三电容器，该第三电感器的两端分别连接该输入电源与该第三电容器的一端，该第三电容器的另一端连接该汲极端与该第二电容器的另一端。
其中，该毫米波功率放大装置还包括一第四串联谐振单元，该第四串联谐振单元连接在该第二端与该接地端之间，该第四串联谐振单元设有一第四电感器及一第四电容器，该第四电容器的两端分别连接该源极端与该第四电感器的一端，该第四电感器的另一端连接该接地端。
其中，该第一储存元件的两端分别连接该第一开关件的另一端与该第二储存元件的一端，该第二储存元件的另一端连接该接地端，并该第一储存元件与该第二储存元件之间连接一第一输入偏压。
其中，该第三储存元件的两端分别连接该第二开关件的另一端与该第四储存元件的一端，该第四储存元件的另一端连接该接地端，并该第三储存元件与该第四储存元件之间连接一第二输入偏压。
其中，该第一储存元件为一电容器或一电感器，该第二储存元件为一电感器或一电容器，该第一开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
其中，该第三储存元件为一电容器或一电感器，该第四储存元件为一电感器或一电容器，该第二开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
其中，该电晶体为互补式金氧半电晶体(Complementary Metal-.Oxidesemiconductor,CMOS)、硅锗(SiGe)电晶体、砷化镓(GaAs)电晶体、场效电晶体(FieldEffect Transistor,FET)、氮化镓(GaN)电晶体或双极性(BJT)电晶体。
因此，上述各实施例，通过本发明此设计，使得有效可达到多频段(多频率)调整的效果及降低成本，且还能有效达到简化电路设计与增加设计弹性的效果。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1：本发明的第一实施例的方块示意图；
图2：本发明的第一实施例的另一方块示意图；
图3：本发明的第一实施例的电路示意图；
图4：本发明的毫米波功率放大电路的输出功率对应频率的测量图；
图5：本发明的第二实施例的方块示意图；
图6：本发明的第二实施例的电路示意图。
附图标记说明
1：毫米波功率放大电路
10：电晶体
101、102、103：第一、二、三端
11：输入端
12：输出端
13、14、15、18：第一、二、三、四串联谐振单元
16、17：第一、二频段调整单元
161、171：第一、二开关件
162、163、172、173：第一、二、三、四储存元件
L1、L2、L3、L4：第一、二、三、四电感器
C1、C2、C3、C4：第一、二、三、四电容器
Gnd：接地端
V：输入电源
B1、B2、B3：第一、二、三输入偏压
2：毫米波功率放大装置。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明提供一种毫米波功率放大电路及毫米波功率放大装置。请参阅图1本发明的第一实施例的方块示意图；图2本发明的第一实施例的另一方块示意图；图3本发明的第一实施例的电路示意图；图4本发明的毫米波功率放大电路1的输出功率对应频率的测量图。如图所示，该毫米波功率放大电路1是应于一毫米波系统(图中未示)，例如胎压检测系统、车用雷达检测系统、汽车防撞雷达系统、无线通信系统(如5G系统)、医疗扫描系统或类似者。该毫米波功率放大电路1包括一电晶体10、一第一串联谐振单元13、一第二串联谐振单元14、多个第一频段调整单元16、多个第二频段调整单元17、一输入端11与一输出端12，该电晶体10于本实施例表示为如一场效电晶体(Field Effect Transistor,FET)为如NMOS电晶体，但并不局限于此，于具体实施时，凡是可具放大功能的半导体元件，即为本发明所称的电晶体10。其中该输入端11是用以接收如毫米波系统内的一处理器(如CPU、MCU、DSP)或单晶片(如射频晶片，RF)传送的一射频讯号(或称无线讯号)，该输出端12用以将放大后的射频讯号输出，例如该毫米波功率放大电路1的输出端12输出放大后的射频讯号通过一天线(如多频天线)传送出去。
该电晶体10具有一第一端101、一第二端102及一第三端103，该第一、二、三端101、102、103于本实施例依序为一闸极端、一源极端及一汲极端，该第一端101(即闸极端)电性连接自身该输入端11，该第二端102(即源极端) 电性连接一接地端Gnd，该第三端103电性连接一输入电源V(如5伏特(V)或12伏特(V))及自身该输出端12，该第一串联谐振单元13电性连接在该第一端101与该输入端11之间，该第一串联谐振单元13只能使特定一个频段的讯号通过，而阻绝此频段以外的讯号通过，该第一串联谐振单元13设有一第一电感器L1及一第一电容器C1，该第一电感器L1的两端分别电性连接该输入端11与该第一电容器C1的一端，该第一电容器C1的另一端连接该电晶体10的闸极端(即第一端101)。该第二串联谐振单元14电性连接在该第三端103与该输出端12之间，该第二串联谐振单元14设有一第二电感器L2及一第二电容器C2，该第二电感器L2的两端分别电性连接该输出端12与该第二电容器C2的一端，该第二电容器C2的另一端连接该电晶体10的汲极端。在一实施例，该电晶体10为互补式金氧半电晶体(Complementary Metal-.Oxide semiconductor,CMOS)、硅锗(SiGe)电晶体、砷化镓(GaAs)电晶体、氮化镓(GaN)电晶体或双极性(BJT)电晶体。
该毫米波功率放大电路1还包括一第三串联谐振单元15与一第四串联谐振单元18，该第三串联谐振单元15连接在该第三端103与该输入电源V之间，该第三串联谐振单元15设有一第三电感器L3及一第三电容器C3，该第三电感器L3的两端分别电性连接该输入电源V与该第三电容器C3的一端，该第三电容器C3的另一端电性连接该电晶体10的汲极端(即第三端103)与该第二电容器C2的另一端。该第四串联谐振单元18连接在该第二端102与该接地端Gnd之间，该第四串联谐振单元18设有一第四电感器L4及一第四电容器C4，该第四电容器C4的两端分别连接该源极端(即第二端102)与该第四电感器L4的一端，该第四电感器L4的另一端连接该接地端Gnd，并该第四电容器C4与第四电感器L4之间连接一第三输入偏压B3(如5伏特或12伏特)。在其他实施例，也可省掉该第三串联谐振单元15与第四串联谐振单元18。
该多个第一频段调整单元16于本实施例表示以如11个第一频段调整单元16彼此并联连接在该电晶体10的闸极端与第一串联谐振单元13之间，该多个第一频段调整单元16具有一第一开关件161、一第一储存元件162及一第二储存元件163，该第一、二储存元件162、163于本实施例分别为如电容器与电感器，该第一开关件161于本实施例为如一按压开关，该第一开关件161的一端连接该第一端101，该第一开关件161的另一端与该第一、二储存元件162、163串联连接，也即该第一储存元件162的两端分别电性连接该第一开关件161的另一端与该第二储存元件163的一端，该第二储存元件163的另一端电性连接该接地端Gnd，并且该第一储存元件162与该第二储存元件163之间连接一第一输入偏压B1(如5伏特或12伏特)。
该多个第二频段调整单元17于本实施例表示以如9个第二频段调整单元17彼此并联连接在该电晶体10的汲极端与第二串联谐振单元14之间，该多个第二频段调整单元17具有一第二开关件171、一第三储存元件172及一第四储存元件173，该第三、四储存元件172、173于本实施例分别为如电容器与电感器，该第二开关件171于本实施例为如一按压开关，该第二开关件171的一端电性连接该第三端103，该第二开关件171的另一端与该第三、四储存元件172、173串联连接，也即该第三储存元件172的两端分别电性连接该第二开关件171的另一端与该第四储存元件173的一端，该第四储存元件173的另一端电性连接该接地端Gnd，并且该第三储存元件172与该第四储存元件173之间连接一第二输入偏压B2(如5伏特或12伏特)。于本实施例的该第一、二、三输入偏压B1、B2、B3的电压值为相同。在其他实施例，该第一、三储存元件162、172可分别为电感器，该第二、四储存元件163、173为电容器，该第一、二开关件161、171为一指拨开关、一触控开关或其他可开启或断开的开关件。
此外，上述实施例的多个第一、二频段调整单元16、17的数量仅是为了方便说明，但并不局限于此，于具体实施时，使用者可以根据所需多频段与频率范围需求设计，调整前述第一、二频段调整单元16、17的数量，且该第一频段调整单元16的数量可与第二频段调整单元17的数量相同或不相同，例如该多个第一、二频段调整单元16、17皆为如11个，或是该多个第一频段调整单元16为如5个和该多个第二频段调整单元17为如16个。
所以当想调整(或切换)该毫米波功率放大电路1输出放大后的射频讯号的中心频率为如3.5GHZ(赫兹)时，使用者只要按压开启如第一个、第三个的第一频段调整单元16的第一开关件161和如第二个、第七个的第二频段调整单元17的第二开关件171后，使受按压对应的第一、二开关件161、171导通，而其余第一、二频段调整单元16、17的第一、二开关件161、171则关闭，使该输出端12输出放大后的射频讯号的中心频率为如3.5GHZ(赫兹)。若是想调整该毫米波功率放大电路1输出放大后的射频讯号的中心频率为如28GHZ(赫兹)时，使用者只要按压如第六个、第十一个的第一频段调整单元16的第一开关件161和如第三个、第九个的第二频段调整单元17的第二开关件171后，使受按压对应的第一、二开关件161、171导通，而其余第一、二频段调整单元16、17的第一、二开关件161、171则关闭，使该输出端12输出放大后的射频讯号的中心频率为如28GHZ(赫兹)。
若是想调整该毫米波功率放大电路1输出放大后的射频讯号的中心频率为如60GHZ(赫兹)时，使用者只要按压如第五个、第十个的第一频段调整单元16的第一开关件161和如第四个、第七个的第二频段调整单元17的第二开关件171后，使受按压对应的第一、二开关件161、171导通，而其余第一、二频段调整单元16、17的第一、二开关件161、171则关闭，使该输出端12输出放大后的射频讯号的中心频率为如60GHZ(赫兹)，如第4图为本发明的毫米波功率放大电路1的输出功率对应频率的测量图，其中纵轴为输出功率(分贝毫瓦，dBm)，横轴为频率(GHZ)。
所以通过可供调整的多个第一频段调整单元16中部分第一开关件161为导通配合该多个第二频段调整单元17中部分第二开关件171为导通，使使用者可自行调整选择想要的工作频段，故本发明的毫米波功率放大电路1输出能符合(或适用)不同毫米波系统，藉以达到电路使用的弹性化调整及达到多频段可供调整的效果，且还能简化电路设计。
因此，本发明此毫米波功率放大电路1的设计，使得可以达到多频段可供调整的效果及降低成本，且还能增加设计弹性的效果。
请参阅图5本发明的第二实施例的方块示意图；图6本发明的第二实施例的电路示意图，并辅以参阅图2。该本实施例的毫米波功率放大电路1的结构及连结关系及其功效与前述第一实施例的毫米波功率放大电路1的结构及连结关系及其功效相同，故在此不重新赘述，而本实施例主要是将前述第一实施例的毫米波功率放大电路1改为多个毫米波功率放大电路1串接一起构成一个毫米波功率放大装置2，也即该毫米波功率放大装置2包括多个毫米波功率放大电路1，该多个毫米波功率放大电路2具有一输入端11与一输出端12，于本实施例表示为如2个毫米波功率放大电路1相串接，也即该每两相邻毫米波功率放大电路1之间中的前一毫米波功率放大电路1(如第一个毫米波功率放大电路1)的输出端12与相邻后一毫米波功率放大电路1(如第二个毫米波功率放大电路1)的输入端11相连接，且最前面的毫米波功率放大电路1(如第一个毫米波功率放大电路1)的输入端11用以接收如毫米波系统内的处理器(如CPU、MCU、DSP)或单晶片(如射频晶片，RF)传送的射频讯号，最后面的毫米波功率放大电路1(如第二个毫米波功率放大电路1)的用以将放大后的射频讯号输出。
于本实施例的毫米波功率放大装置2内的毫米波功率放大电路1不局限于上述2个，于具体实施时，使用者可以根据所需多频段及扩大频段范围(如3GHZ~300GZ)需求设计，来调整该毫米波功率放大装置2内设置毫米波功率放大电路1的组数(如二组以上毫米波功率放大电路1)，例如一个毫米波功率放大电路1视为一组毫米波功率放大电路1，且一组毫米波功率放大电路1内有五个频段可供调整，若使用者需要该毫米波功率放大装置2有十五个频段可供调整时，仅需将三组毫米波功率放大电路1串接一起，通过该毫米波功率放大装置2内的多组毫米波功率放大电路1中的多组第一、二开关件161、171相配合来达到多组频段可供调整的效果及达到电路使用的弹性化调整，且还能简化电路设计。
因此，本发明此毫米波功率放大装置2的设计，使得可以达到多组频段可供调整的效果及降低成本，且还能增加设计弹性的效果。
以上说明内容仅为本发明较佳实施例，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

Claims (20)

1.一种毫米波功率放大电路，其特征在于，包括： 一电晶体，具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一端连接一输入端，该第二端连接一接地端，该第三端分别连接一输入电源及一输出端；
一第一串联谐振单元，连接在该第一端与该输入端之间；一第二串联谐振单元，连接在该第三端与该输出端之间；
多个第一频段调整单元，具有一第一开关件、一第一储存元件及一第二储存元件，该第一开关件的一端连接该第一端，该第一开关件的另一端与该第一、第二储存元件串联连接，该第二储存元件连接该接地端；及
多个第二频段调整单元，具有一第二开关件、一第三储存元件及一第四储存元件，该第二开关件的一端连接该第三端，该第二开关件的另一端与该第三、第四储存元件串联连接，该第四储存元件连接该接地端。
2.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该电晶体的第一端为一闸极端，该第二端为一源极端，该第三端为一汲极端，该第一串联谐振单元设有一第一电感器及一第一电容器，该第一电感器的两端分别连接该输入端与该第一电容器的一端，该第一电容器的另一端连接该闸极端。
3.根据权利要求2所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中第二串联谐振单元设有一第二电感器及一第二电容器，该第二电感器的两端分别连接该输出端与该第二电容器的一端，该第二电容器的另一端连接该汲极端。
4.根据权利要求3所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，还包括一第三串联谐振单元，该第三串联谐振单元连接在第三端与输入电源之间，该第三串联谐振单元设有一第三电感器及一第三电容器，该第三电感器的两端分别连接该输入电源与该第三电容器的一端，该第三电容器的另一端连接该汲极端与该第二电容器的另一端。
5.根据权利要求4所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，还包括一第四串联谐振单元，该第四串联谐振单元连接在第二端与接地端之间，该第四串联谐振单元设有一第四电感器及一第四电容器，该第四电容器的两端分别连接源极端与该第四电感器的一端，该第四电感器的另一端连接该接地端。
6.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该第一储存元件的两端分别连接该第一开关件的另一端与该第二储存元件的一端，该第二储存元件的另一端连接该接地端，该第一储存元件与该第二储存元件之间连接一第一输入偏压。
7.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该第三储存元件的两端分别连接该第二开关件的另一端与该第四储存元件的一端，该第四储存元件的另一端连接该接地端，该第三储存元件与该第四储存元件之间连接一第二输入偏压。
8.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该第一储存元件为一电容器或一电感器，该第二储存元件为一电感器或一电容器，该第一开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
9.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该第三储存元件为一电容器或一电感器，该第四储存元件为一电感器或一电容器，该第二开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
10.根据权利要求1所述的毫米波功率放大电路，其特征在于，其中该电晶体为互补式金氧半电晶体、硅锗电晶体、砷化镓电晶体、场效电晶体、氮化镓电晶体或双极性电晶体。
11.一种毫米波功率放大装置，其特征在于，包括多个毫米波功率放大电路，多个毫米波功率放大电路分别具有一输入端与一输出端，且每两个相邻毫米波功率放大电路之间中的前一毫米波功率放大电路的输出端与相邻的后一毫米波功率放大电路的输入端相连接，该每一毫米波功率放大电路包括：
一电晶体，具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一端连接自身该输入端，该第二端连接一接地端，该第三端分别连接自身该输出端及一输入电源；
一第一串联谐振单元，连接在该第一端与该输入端之间；
一第二串联谐振单元，连接在该第三端与该输出端之间；
多个第一频段调整单元，具有一第一开关件、一第一储存元件及一第二储存元件，该第一开关件的一端连接该第一端，该第一开关件的另一端与该第一、第二储存元件串联连接，该第二储存元件连接该接地端；及
多个第二频段调整单元，具有一第二开关件、一第三储存元件及一第四储存元件，该第二开关件的一端连接该第三端，该第二开关件的另一端与该第三、第四储存元件串联连接，该第四储存元件连接该接地端。
12.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该电晶体的第一端为一闸极端，该第二端为一源极端，该第三端为一汲极端，该第一串联谐振单元设有一第一电感器及一第一电容器，该第一电感器的两端分别连接该输入端与该第一电容器的一端，该第一电容器的另一端连接该闸极端。
13.根据权利要求12所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中第二串联谐振单元设有一第二电感器及一第二电容器，该第二电感器的两端分别连接输出端与该第二电容器的一端，该第二电容器的另一端连接汲极端。
14.根据权利要求13所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，还包括一第三串联谐振单元，该第三串联谐振单元连接在第三端与输入电源之间，该第三串联谐振单元设有一第三电感器及一第三电容器，该第三电感器的两端分别连接该输入电源与该第三电容器的一端，该第三电容器的另一端连接汲极端与该第二电容器的另一端。
15.根据权利要求14所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，还包括一第四串联谐振单元，该第四串联谐振单元连接在第二端与接地端之间，该第四串联谐振单元设有一第四电感器及一第四电容器，该第四电容器的两端分别连接源极端与该第四电感器的一端，该第四电感器的另一端连接该接地端。
16.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该第一储存元件的两端分别连接该第一开关件的另一端与该第二储存元件的一端，该第二储存元件的另一端连接该接地端，该第一储存元件与该第二储存元件之间连接一第一输入偏压。
17.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该第三储存元件的两端分别连接该第二开关件的另一端与该第四储存元件的一端，该第四储存元件的另一端连接该接地端，该第三储存元件与该第四储存元件之间连接一第二输入偏压。
18.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该第一储存元件为一电容器或一电感器，该第二储存元件为一电感器或一电容器，该第一开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
19.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该第三储存元件为一电容器或一电感器，该第四储存元件为一电感器或一电容器，该第二开关件为一按压开关、一指拨开关或一触控开关。
20.根据权利要求11所述的毫米波功率放大装置，其特征在于，其中该电晶体为互补式金氧半电晶体、硅锗电晶体、砷化镓电晶体、场效电晶体、氮化镓电晶体或双极性电晶体。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101432973A (zh) * 2006-03-17 2009-05-13 诺基亚公司 发射机、功率放大器和滤波方法
TWI369070B (en) * 2009-03-30 2012-07-21 Univ Nat Taiwan Distributed active transformer type millimeter-wave power amplifier circuit
CN104158502A (zh) * 2014-08-13 2014-11-19 豪芯微电子科技（上海）有限公司 宽带功率放大模块
CN104753476A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 国民技术股份有限公司 多模多频功率放大器
CN110350872A (zh) * 2019-08-06 2019-10-18 天津城建大学 一种多模八频高效率高增益功率放大器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101432973A (zh) * 2006-03-17 2009-05-13 诺基亚公司 发射机、功率放大器和滤波方法
TWI369070B (en) * 2009-03-30 2012-07-21 Univ Nat Taiwan Distributed active transformer type millimeter-wave power amplifier circuit
CN104753476A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 国民技术股份有限公司 多模多频功率放大器
CN104158502A (zh) * 2014-08-13 2014-11-19 豪芯微电子科技（上海）有限公司 宽带功率放大模块
CN110350872A (zh) * 2019-08-06 2019-10-18 天津城建大学 一种多模八频高效率高增益功率放大器

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