CN111045603B - 一种固态硬盘的坏块替换方法和装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 12
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 28
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 206010019233 Headaches Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013523 data management Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 231100000869 headache Toxicity 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
- G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
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- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
- G06F3/064—Management of blocks
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
- G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
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- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
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Abstract
本发明提供一种固态硬盘的坏块替换方法,包括以下步骤:扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表;维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;根据所述备用坏块表,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换。本发明可以提前发现NAND弱块,提高了固态硬盘性能稳定性,保证了数据安全性。
Description
技术领域
本发明涉及计算机领域,并且更具体地,涉及一种固态硬盘的坏块替换方法和装置。
背景技术
SSD(Solid State Disk)俗称固态硬盘,相对HDD并无机械部分,由控制单元和存储单元组成,存储单元负责存储数据,控制单元负责控制数据的读取写入,目前最为成熟应用最广泛的存储介质为NAND FLASH存储颗粒。
NAND FLASH有很多的优良特性,但是有一问题一直令使用者头痛——NAND的坏块问题,NAND在使用过程中坏块的产生有不可预见性和随机性,坏块的产生严重影响固态硬盘的性能和稳定性,这样及时地发现坏块或弱块并快速的替换显得尤为重要。
发明内容
鉴于此,本发明实施例的目的在于提出一种固态硬盘的坏块替换方法和装置,包含NAND FLASH的原厂坏块扫描、弱块提前筛选及新增坏块的标记和替换。
基于上述目的,本发明实施例的一方面提供了一种固态硬盘的坏块替换方法,包括以下步骤:
扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;
将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表(Backup Bad Block Table,BBBT);
维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
根据所述备用坏块表,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换。
在一些实施方式中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:
采用汉明距离算法以判断坏块是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表(FactoryBad Block Table,FBBT)。
在一些实施方式中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:
分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述原厂坏块表中,以生成生长坏块表(Grown Bad Block Table,GBBT)。
在一些实施方式中,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表包括:
根据所述生长坏块表进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。
本发明实施例的另一方面提供了一种固态硬盘的坏块替换装置,包括:
至少一个处理器;和
存储器,所述存储器存储有处理器可运行的程序代码,所述程序代码在被处理器运行时实施以下步骤:
扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;
将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表;
维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
根据所述备用坏块表,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换。
在一些实施方式中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:
采用汉明距离算法以判断坏块是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表。
在一些实施方式中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:
分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述原厂坏块表中,以生成生长坏块表。
在一些实施方式中,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表包括:
根据所述生长坏块表进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表。
在一些实施方式中,所述方法还包括:
维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。
本发明具有以下有益技术效果:本发明实施例提供的一种固态硬盘的坏块替换方法和装置能够提前发现NAND弱块并标记为坏块,并且实现了新增坏块的快速替换,提高了固态硬盘性能稳定性,保证了数据安全性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1是根据本发明的一种固态硬盘的坏块替换方法的流程图;
图2是根据本发明的一种固态硬盘的坏块替换装置的硬件结构示意图。
具体实施方式
以下描述了本发明的实施例。然而,应该理解,所公开的实施例仅仅是示例,并且其他实施例可以采取各种替代形式。附图不一定按比例绘制;某些功能可能被夸大或最小化以显示特定部件的细节。因此,本文公开的具体结构和功能细节不应被解释为限制性的,而仅仅是作为用于教导本领域技术人员以各种方式使用本发明的代表性基础。如本领域普通技术人员将理解的,参考任何一个附图所示出和描述的各种特征可以与一个或多个其他附图中所示的特征组合以产生没有明确示出或描述的实施例。所示特征的组合为典型应用提供了代表性实施例。然而,与本发明的教导相一致的特征的各种组合和修改对于某些特定应用或实施方式可能是期望的。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明实施例进一步详细说明。
NAND FLASH有如下物理特性:无机械延迟,作为一种纯电子设备,闪存没有机器延迟,随机访问和顺序访问的开销相当,具有很高的随机读性能;读写不对称,闪存对不同类型访问操作表现的性能差别很大,一般来说,读速度很快,写入数据时,因为需要通过加压的方式对存储单元进行电子填充,所以速度较慢;异位更新,与磁盘的原位更新不同,对闪存数据进行重写需要先执行擦除操作,即便是只更新物理块中的一条数据也需要将整个块擦除,频繁的擦除操作会使系统性能显著降低,因此,闪存设备在更新数据时并不会直接在原位进行更新,而是先将原数据置为无效,然后把修改后的数据写到一个新的空闲页;擦除次数有限,闪存芯片的块擦除次数是有限制的.通常SLC闪存支持10万次擦除操作,MLC闪存数据存储密度高,可擦除次数在1万次左右,超过一定擦除次数的闪存单元将很变为坏块而不再可用;低能耗,与磁盘相比,闪存的能耗更低,每GB读数据能耗只有磁盘的2%,写操作能耗不足磁盘的30%。闪存的出现为建设绿色数据中心以及低能耗数据管理系统提供了有力支持。
NAND FLASH(闪存记忆体)有如下基本操作特性:
Die是执行读、写、擦除等命令的最小单位;
Block是最小擦除单位;
Page是最小读、写单位;
NAND在使用过程中坏块的产生有不可预见性和随机性,坏块的产生严重影响固态硬盘的性能和稳定性,为实现及时地发现坏块或弱块并快速进行替换,本发明的实施例一方面提出了一种固态硬盘的坏块替换方法,如图1所示,包括以下步骤:
步骤S101:扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块(super block);
步骤S102:将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT;
步骤S103:维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
步骤S104:根据所述备用坏块表BBBT,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换。
在一些实施例中,对全盘物理块进行擦写读操作,其过程包括:进行擦操作,若擦失败,则将该物理块标记为坏块,否则标记为好块;进行写操作,若写失败,则将该物理块标记为坏块,否则标记为好块;进行读操作,检查读回来的数据,若其错误比特数超过预定阈值,则将该物理块标记为坏块,否则标记为好块。执行预定次数的上述擦写读操作过程,以确定新增坏块较多的超级物理块。
在一些实施例中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:采用汉明距离算法以判断是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表FBBT。对于全新的固态硬盘SSD,首先扫描存储的NAND颗粒中的原厂坏块标记,为保证扫描的准确性,读取结果采用汉明距离(hamming distance)的算法判别是否为原厂坏块,扫描完成会生成一份原厂坏块表计为FBBT,存储在DDR(双倍数据速率)缓存中。
在一些实施例中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述FBBT中,以生成生长坏块表GBBT。分别在常温和高温下进行全盘的擦写读操作,常温和高温下全盘的擦写读的轮数可设置,将期间产生的新增坏块补充到上述FBBTDDR缓存中,这样得到一份GBBT。
在一些实施例中,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT包括:根据所述GBBT进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT。
在根据本发明的一个实施例中,首次上电扫描全盘的坏块情况后,根据每一个super block的物理坏块个数确定用来做备用替换的super block,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的super block添加到坏块替换区的super block池子中。根据GBBT对用户区原厂坏块进行坏块替换,使用过程中有新增坏块产生时,对新增坏块替换,对于预留作为替换的用的物理块维护一张坏块表计为BBBT,坏块替换过程被选中的物理块(victim物理块)对应的坏块表位置做坏块标记。
在根据本发明的一个实施例中,SSD每个die上会维护一个表示每个die实时新增坏块数的数据结构,每产生一个新增坏块,对应die的坏块数自加1。从替换区的池子中选择替换块,具体操作为在池子中从前向后跨过数据结构中统计的新增坏块个数,读取其BBBT,若为好块,则选择为victim物理块,若为坏块则判断下一个物理块是否为好块,直到找到好块作为victim物理块,对应die的坏块数自加1。
在一些实施例中,所述方法还包括:维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。在superblock的信息数据结构中,维护一个super block到物理block的L2P表,扫描原厂坏块时,构建此L2P表,当发生坏块替换时,坏块替换同时也要更新对应super block的L2P表,即superblock对应物理block的实际物理地址(替换区的地址)。
上述super block为FTL层(闪存转换层)进行NAND FLASH管理的基本单位,一个super block由16个物理block组成,L2P表为16个数据类型为unsigned short(无符号短整型)的数据结构。
在技术上可行的情况下,以上针对不同实施例所列举的技术特征可以相互组合,或者改变、添加以及省略等等,从而形成本发明范围内的另外实施例。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的一种固态硬盘的坏块替换方法能够提前发现NAND弱块并标记为坏块,并且实现了新增坏块的快速替换,提高了固态硬盘性能稳定性,保证了数据安全性。
基于上述目的,本发明实施例的另一个方面,提出了一种固态硬盘的坏块替换装置,包括:
至少一个处理器;和
存储器,所述存储器存储有处理器可运行的程序代码,所述程序代码在被处理器运行时实施以下步骤:
扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;
将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT;
维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
根据所述备用坏块表BBBT,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换。
在一些实施例中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:采用汉明距离算法以判断坏块是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表FBBT。
在一些实施例中,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述FBBT中,以生成生长坏块表GBBT。
在一些实施例中,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT包括:根据所述GBBT进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表BBBT。
在一些实施例中,所述方法还包括:维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。
如图2所示,为本发明提供的固态硬盘的坏块替换装置的一个实施例的硬件结构示意图。
以如图2所示的计算机设备为例,在该计算机设备中包括处理器201以及存储器202,并还可以包括:输入装置203和输出装置204。
处理器201、存储器202、输入装置203和输出装置204可以通过总线或者其他方式连接,图2中以通过总线连接为例。
存储器202作为一种非易失性计算机可读存储介质,可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块,如本申请实施例中的所述固态硬盘的坏块替换方法对应的程序指令/模块。处理器201通过运行存储在存储器202中的非易失性软件程序、指令以及模块,从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理,即实现上述方法实施例的固态硬盘的坏块替换方法。
存储器202可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储根据固态硬盘的坏块替换方法所创建的数据等。此外,存储器202可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中,存储器202可选包括相对于处理器201远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至本地模块。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
输入装置203可接收输入的数字或字符信息,以及产生与固态硬盘的坏块替换方法的计算机设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置204可包括显示屏等显示设备。
所述一个或者多个固态硬盘的坏块替换方法对应的程序指令/模块存储在所述存储器202中,当被所述处理器201执行时,执行上述任意方法实施例中的固态硬盘的坏块替换方法。
所述执行所述固态硬盘的坏块替换方法的计算机设备的任何一个实施例,可以达到与之对应的前述任意方法实施例相同或者相类似的效果。
最后需要说明的是,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,可以通过计算机程序来指令相关硬件来完成,所述的程序可存储于计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ROM)或随机存储记忆体(RAM)等。
此外,典型地,本发明实施例公开所述的装置、设备等可为各种电子终端设备,例如手机、个人数字助理(PDA)、平板电脑(PAD)、智能电视等,也可以是大型终端设备,如服务器等,因此本发明实施例公开的保护范围不应限定为某种特定类型的装置、设备。本发明实施例公开所述的客户端可以是以电子硬件、计算机软件或两者的组合形式应用于上述任意一种电子终端设备中。
此外,根据本发明实施例公开的方法还可以被实现为由CPU执行的计算机程序,该计算机程序可以存储在计算机可读存储介质中。在该计算机程序被CPU执行时,执行本发明实施例公开的方法中限定的上述功能。
此外,上述方法步骤以及系统单元也可以利用控制器以及用于存储使得控制器实现上述步骤或单元功能的计算机程序的计算机可读存储介质实现。
此外,应该明白的是,本文所述的计算机可读存储介质(例如,存储器)可以是易失性存储器或非易失性存储器,或者可以包括易失性存储器和非易失性存储器两者。作为例子而非限制性的,非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦写可编程ROM(EEPROM)或快闪存储器。易失性存储器可以包括随机存取存储器(RAM),该RAM可以充当外部高速缓存存储器。作为例子而非限制性的,RAM可以以多种形式获得,比如同步RAM(DRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据速率SDRAM(DDR SDRAM)、增强SDRAM(ESDRAM)、同步链路DRAM(SLDRAM)、以及直接Rambus RAM(DRRAM)。所公开的方面的存储设备意在包括但不限于这些和其它合适类型的存储器。
本领域技术人员还将明白的是,结合这里的公开所描述的各种示例性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性,已经就各种示意性组件、方块、模块、电路和步骤的功能对其进行了一般性的描述。这种功能是被实现为软件还是被实现为硬件取决于具体应用以及施加给整个系统的设计约束。本领域技术人员可以针对每种具体应用以各种方式来实现所述的功能,但是这种实现决定不应被解释为导致脱离本发明实施例公开的范围。
结合这里的公开所描述的各种示例性逻辑块、模块和电路可以利用被设计成用于执行这里所述功能的下列部件来实现或执行:通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合。通用处理器可以是微处理器,但是可替换地,处理器可以是任何传统处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可以被实现为计算设备的组合,例如,DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP和/或任何其它这种配置。
结合这里的公开所描述的方法或算法的步骤可以直接包含在硬件中、由处理器执行的软件模块中或这两者的组合中。软件模块可以驻留在RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其它形式的存储介质中。示例性的存储介质被耦合到处理器,使得处理器能够从该存储介质中读取信息或向该存储介质写入信息。在一个替换方案中,所述存储介质可以与处理器集成在一起。处理器和存储介质可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在用户终端中。在一个替换方案中,处理器和存储介质可以作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性设计中,所述功能可以在硬件、软件、固件或其任意组合中实现。如果在软件中实现,则可以将所述功能作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或通过计算机可读介质来传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质,该通信介质包括有助于将计算机程序从一个位置传送到另一个位置的任何介质。存储介质可以是能够被通用或专用计算机访问的任何可用介质。作为例子而非限制性的,该计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储设备、磁盘存储设备或其它磁性存储设备,或者是可以用于携带或存储形式为指令或数据结构的所需程序代码并且能够被通用或专用计算机或者通用或专用处理器访问的任何其它介质。此外,任何连接都可以适当地称为计算机可读介质。例如,如果使用同轴线缆、光纤线缆、双绞线、数字用户线路(DSL)或诸如红外线、无线电和微波的无线技术来从网站、服务器或其它远程源发送软件,则上述同轴线缆、光纤线缆、双绞线、DSL或诸如红外线、无线电和微波的无线技术均包括在介质的定义。如这里所使用的,磁盘和光盘包括压缩盘(CD)、激光盘、光盘、数字多功能盘(DVD)、软盘、蓝光盘,其中磁盘通常磁性地再现数据,而光盘利用激光光学地再现数据。上述内容的组合也应当包括在计算机可读介质的范围内。
应当理解的是,在本文中使用的,除非上下文清楚地支持例外情况,单数形式“一个”旨在也包括复数形式。还应当理解的是,在本文中使用的“和/或”是指包括一个或者一个以上相关联地列出的项目的任意和所有可能组合。
上述本发明实施例公开实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器、磁盘或光盘等。
上述实施例是实施方式的可能示例,并且仅仅为了清楚理解本发明的原理而提出。所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本发明实施例的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,并存在如上所述的本发明实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。因此,凡在本发明实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明实施例的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种固态硬盘的坏块替换方法,其特征在于,包括以下步骤:
扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;
将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表;
维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
根据所述备用坏块表,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换;
维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:
采用汉明距离算法以判断坏块是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:
分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述原厂坏块表中,以生成生长坏块表。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表包括:
根据所述生长坏块表进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表。
5.一种固态硬盘的坏块替换装置,其特征在于,包括:
至少一个处理器;和
存储器,所述存储器存储有处理器可运行的程序代码,所述程序代码在被处理器运行时实施以下步骤:
扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块;
将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表;
维护表示用户区实时新增坏块数的数据结构,其中,每产生一个新增坏块,使所述数据结构中的坏块数加1;
根据所述备用坏块表,在所述替换区中跨过所述数据结构统计的新增坏块个数后选择好的物理块对所述用户区的坏块进行替换
维护所述超级物理块到相应的物理块的实际物理地址的L2P映射表,以在发生坏块替换时,更新所述超级物理块的L2P映射表。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块包括:
采用汉明距离算法以判断坏块是否为原厂坏块,并生成一份原厂坏块表。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,扫描原厂坏块,并进行全盘的擦写读操作,以确定新增坏块较多的超级物理块还包括:
分别在常温和高温下进行全盘预定次数的擦写读操作,并将新增坏块补充到所述原厂坏块表中,以生成生长坏块表。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,将坏块个数较高和/或新增坏块较多的超级物理块添加到坏块替换区中,其余超级物理块作为用户区,使用所述替换区中的好的物理块对所述用户区的原厂及新增坏块进行替换,并将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表包括:
根据所述生长坏块表进行所述用户区的原厂及新增坏块的替换,并在替换完成后将所述替换区的物理块维护一个备用坏块表。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911203903.9A CN111045603B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种固态硬盘的坏块替换方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911203903.9A CN111045603B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种固态硬盘的坏块替换方法和装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111045603A CN111045603A (zh) | 2020-04-21 |
CN111045603B true CN111045603B (zh) | 2022-11-22 |
Family
ID=70234455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911203903.9A Active CN111045603B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种固态硬盘的坏块替换方法和装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111045603B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112527201B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-08-09 | 成都佰维存储科技有限公司 | Ssd坏块替换方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
CN112837736A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-05-25 | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司 | 记忆体装置以及其修补方法 |
CN113220508B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-09-23 | 联芸科技(杭州)股份有限公司 | 存储器块的管理方法、存储器的写操作方法以及存储器 |
CN113485948B (zh) * | 2021-06-29 | 2023-11-14 | 成都忆芯科技有限公司 | Nvm坏块管理方法与控制部件 |
CN113823350B (zh) * | 2021-09-23 | 2024-03-12 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种固态存储设备坏块表的生成与维护方法 |
CN113688070A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-11-23 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种nand中坏块替换的方法、装置、设备及可读介质 |
CN116755642B (zh) * | 2023-08-24 | 2023-10-27 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置 |
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CN110297606A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 基于固态硬盘的坏块管理方法、装置和计算机设备 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911203903.9A patent/CN111045603B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111045603A (zh) | 2020-04-21 |
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