CN111030643A - 滤波电路以及半导体设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种滤波电路以及半导体设备，该滤波电路包括阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，所述第二调节结构用于调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻；所述阻抗传感器用于检测所述滤波电路的总阻抗值，并将所述总阻抗值发送给所述可调电感控制器；所述可调电感控制器用于在所述总阻抗不等于所述总阻抗设定值时，先后调节所述第一调节结构与所述第二调节结构，使所述总阻抗达到所述总阻抗设定值。通过本发明提高了滤波电路的滤波效果。

Description

滤波电路以及半导体设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种滤波电路以及半导体设备。
背景技术
随着半导体元器件制造工艺的迅速发展，对元器件性能与集成度要求越来越高，使得等离子体技术得到了广泛的应用。在等离子体刻蚀系统中，腔室中的交流滤波器主要实现对加热信号的滤波。交流滤波器的每一路滤波网络的阻抗值会影响腔室下电极阻抗值，即如果同一个交流滤波器每一路滤波网络的阻抗值不同，或两个交流滤波器之间序号相同但是同一路滤波网络的阻抗值有差别，则腔室的工艺一致性也会相应受到影响。
如图1所示，现有滤波网络的电路结构包括：RF(Radio Frequency，射频)信号输入端1’，固定电感2’，固定电容3’，接地端4’，交流供电端5’。滤波网络采用传统感容网络实现低通滤波功能，即13.56MHz或2MHz的射频信号无法通过滤波网络影响交流供电端。滤波电路首先关注对特定频率的滤波特性，如对13.56MHz频率进行滤波，需要以13.56MHz为中心频率，设计滤波电路。首先需要保证滤波器每一路通道的滤波特性参数均小于-38dB。其次，由于当前滤波电路为一阶低通滤波电路，结构简单，因此为了达到滤波网络阻抗的一致性，需对各元器件的一致性进行严格考察。
现有的滤波网络结构简单，可达到低通滤波的效果，但是有其固有的局限。例如在滤波网络中不同通道固定电感2’的绕线方式会有细微的差别，不同通道固定电容3’的值也会有差异。除此之外，相同型号不同滤波器内部的走线也会存在不可控的区别，以上的三种不一致性因素均会导致每个通道与每个通道之间的阻抗值产生不同，进而影响腔室下电极阻抗，最终造成工艺的不一致性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种滤波电路以及半导体设备。
为实现本发明的目的而提供一种滤波电路，包括：阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，
所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，所述第二调节结构用于调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻；
所述阻抗传感器用于检测所述滤波电路的总阻抗值，并将所述总阻抗值发送给所述可调电感控制器；
所述可调电感控制器用于判断所述总阻抗值是否等于预置的总阻抗设定值，并在所述总阻抗值不等于所述总阻抗设定值时，先通过所述第一调节结构调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，再通过二调节结构调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻，以调整所述可调电感的电感值，使所述总阻抗值达到所述总阻抗设定值。。
优选地，所述第一调节结构包括：第一驱动组件、多个调节滑块，其中，
所述多个调节滑块可分别与所述线圈的不同区域电连接并在该区域内滑动；
所述第一驱动组件用于选择性地驱动所述多个调节滑块中的一个调节滑块与所述线圈电连接，并控制驱动该调节滑块在所述线圈上与该调节滑块对应的区域内滑动。
优选地，所述调节滑块包括滑块本体和至少两个金属滑片，所述至少两个金属滑片均设置在所述滑块本体的侧壁上，所述调节滑块与所述线圈电连接时，所述至少两个金属滑片从所述线圈的两侧与所述线圈电接触。
优选地，所述磁芯内设置有空腔；
所述第二调节结构包括：第二驱动组件、磁阻调整板，其中，
所述磁阻调整板可转动地设置在所述空腔中，所述磁阻调整板的磁导率小于所述磁芯的磁导率；
所述第二驱动组件用于驱动所述磁阻调整板转动，调节所述磁阻调整板的板面与所述磁芯的径向截面之间的夹角，以改变所述可调电感的磁阻。
优选地，所述磁阻调整板的材料包括树脂。
优选地，所述磁阻调整板的厚度小于或等于1cm。
优选地，还包括：固定电感，所述固定电感串接在所述阻抗传感器和所述可调电感之间。
优选地，滤波电路中的滤波电容为固定电容，所述可调电感与所述固定电容的一端连接，所述固定电容的另一端接地。
一种半导体设备，包括：射频源、交流滤波器以及本申请中所述的滤波电路，所述射频源通过所述滤波电路连接至所述交流滤波器器。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的技术方案中，滤波电路包括：阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，线圈缠绕在磁芯上，第一调节结构用于调节线圈接入滤波电路的长度，第二调节结构用于调节磁芯以改变可调电感的磁阻，阻抗传感器用于检测滤波电路的总阻抗值，并将总阻抗值发送给可调电感控制器，由此可调电感控制器可分别通过第一调节机构与第二调节结构对滤波网络的阻抗进行不同精度的调节，最终使滤波电路的阻抗达到总阻抗设定值，实现了滤波电路的阻抗的可调，进一步，通过使用可调电感还可以减弱分布参数对滤波网络的阻抗带来的影响，从而提高了滤波电路的滤波效果。
本发明提供的技术方案中，半导体设备包括本发明提供的滤波电路，可分别通过第一调节机构与第二调节结构对滤波网络的阻抗进行不同精度的调节，最终使滤波电路的阻抗达到总阻抗设定值，实现了滤波电路的阻抗的可调，进一步，通过使用可调电感还可以减弱分布参数对滤波网络的阻抗带来的影响，从而提高了滤波电路的滤波效果，进而提升了半导体设备工艺一致性。
附图说明
图1为现有滤波网络的电路结构。
图2为本发明一个实施例提供的滤波电路的结构示意图；
图3为本发明另一个实施例提供的滤波电路的结构示意图；
图4为本发明实施例中磁阻调整板与磁芯的位置示意图；
图5为本发明实施例提供的半导体设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的滤波电路以及半导体设备进行详细描述。
如图2所示为本发明一个实施例提供的滤波电路的示意图，该滤波电路包括：阻抗传感器1、可调电感2、可调电感控制器3。
其中，可调电感2包括：磁芯21、线圈22、第一调节结构23、第二调节结构24；线圈22缠绕在磁芯21上，第一调节结构23用于调节线圈22接入滤波电路的长度，第二调节结构24用于调节磁芯21以改变可调电感2的磁阻。
阻抗传感器1用于检测滤波电路的总阻抗值，并将总阻抗值发送给可调电感控制器3。
可调电感控制器3用于判断总阻抗值是否等于预置的总阻抗设定值，并在总阻抗值不等于总阻抗设定值时，先通过第一调节结构23调节线圈接入滤波电路的长度，再通过第二调节结构24调节磁芯21以改变可调电感2的磁阻，以调整可调电感2的电感值，使总阻抗值达到总阻抗设定值。
本发明实施例提供的滤波电路，包括：阻抗传感器、可调电感、
可调电感控制，可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，线圈缠绕在磁芯上，第一调节结构用于调节线圈接入滤波电路的长度，第二调节结构用于调节磁芯以改变可调电感的磁阻，阻抗传感器用于检测滤波电路的总阻抗值，并将总阻抗值发送给可调电感控制器，由此可调电感控制器可分别通过第一调节机构与第二调节结构对滤波网络的阻抗进行不同精度的调节，最终使滤波电路的阻抗达到总阻抗设定值，实现了滤波电路的阻抗的可调，进一步，通过使用可调电感还可以减弱分布参数对滤波网络的阻抗带来的影响，从而提高了滤波电路的滤波效果。
可选地，第一调节结构23包括：第一驱动组件231、多个调节滑块232。
其中，多个调节滑块232可分别与线圈22的不同区域电连接并在该区域内滑动。
第一驱动组件231用于选择性地驱动多个调节滑块232中一个调节滑块232与线圈22电连接，并控制驱动该调节滑块232在线圈22上与该调节滑块232对应的区域内滑动。
本实施例提供的滤波电路，可通过选择不同的调节滑块232与线圈22电连接以较大的粒度调整线圈22接入滤波电路的长度，再通过滑动以较小的粒度进行调整线圈22接入滤波电路的长度，如此可以实现更为快速地调节。
进一步，调节滑块232包括滑块本体(图中未示)和至少两个金属滑片(图中未示)，至少两个金属滑片均设置在滑块本体的侧壁上，调节滑块232与线圈22电连接时，至少两个金属滑片从线圈22的两侧与线圈22电接触。
本实施例中，调节滑块可以包括至少两个金属滑片，调节滑块与线圈电连接时，至少两个金属滑片从线圈的两侧与线圈电接触，可以保证调节滑片与线圈接触的可靠性。
进一步，磁芯21内设置有空腔，第二调节结构24包括：第二驱动组件241、磁阻调整板242。
其中，磁阻调整板242可转动地设置在空腔中，磁阻调整板242的磁导率小于磁芯21的磁导率。
第二驱动组件241用于驱动磁阻调整板242转动，调节磁阻调整板242的板面与磁芯21的径向截面之间的夹角，以改变可调电感2的磁阻。
本发明实施例提供的第二调节结构，通过调节磁阻调整板的板面与磁芯的径向截面之间的夹角的大小，可以调节可调电感产生的磁阻，从而达到细调滤波网络阻抗的目的，该第二调节结构的结构简单，容易实现。
优选地，磁阻调整板242的材料包括树脂。具体地，磁阻调整板242为树脂板。进一步，树脂的材料可选择聚四氟乙烯(特氟龙)，由于聚四氟乙烯具有耐高温(最高工作温度可达250℃)、高润滑性(摩擦系数0.04，是所有固体材料中摩擦系数最低者)、优良的电绝缘性(可以抵抗1500V高压电)等特性。因此，聚四氟乙烯可承受调节阻抗过程中大电流通过滤波网络时可能产生的高温高压，并以其高润滑性耐受调节过程中产生的多次摩擦。
优选地，磁阻调整板242的厚度小于或等于1cm。本实施例中，磁阻调整板的厚度设置为小于或等于1cm，可以保证磁阻调整板调节的轻便性。
需要说明的是，本发明的提供的滤波电路中具有滤波电容4，滤波电容4一端与可调电感2一端连接，滤波电容4的另一端接地。进一步，滤波电路中的滤波电容4为固定电容。
如图3所示，为本发明另一个实施例提供的滤波电路的结构示意图，相对于图2所示的实施例，图3所示的发明实施例中，滤波电路还包括：固定电感5，固定电感5串接在阻抗传感器1和可调电感2之间。
具体地，定义滤波网络内的固定电感5的电感值为L0，固定电容4的电容值为C0，工作频率为f，滤波网络在工作频率f下的分布电阻为R0(可在离线测试中由频谱仪测出)，滤波网络的总阻抗为Z，可调电感组件2接入滤波网络的电感值为L。则总阻抗Z可以由下面的式子表示：
Figure BDA0002284434400000061
在式(1)中，R0、L0、C0、f均为固定值，如设置Z为设定值，则可调电感2接入滤波电路的电感值L可以被计算出来。
在电感值L被计算出来之后，可判定L的值与可调电感接入点的关系，并具体选择由哪个调节滑块232接入滤波电路。调节滑片块232有至少两个金属滑片，在金属滑块接入滤波电路时能固定在线圈22的两侧，以稳定可调电感组件的电感值L。如图2所示，调节滑块232的接入位置越靠右，线圈22接入滤波网络的线圈数越多，而可线圈22接入滤波网络的线圈数越多，其电感值就越大，整个滤波网络的阻抗值的感性也会随之增强，其原理类似于滑动变阻器的调节原理。图2中可调电感2使用4个调节滑块232，而不使用1个调节滑块232，其目的是让每个调节滑块大致负责调节整个线圈22的1/4范围。相比于仅仅使用1个或2个调节滑块232，使用4个调节滑块232降低了每个滑块的调节范围，可以有效提高调节可变电感的电感值的改变速度。
本发明分步调节滤波网络的阻抗可分二步，其中第一步是调节第一调节结构，即通过滑动调节滑块来调节可调电感2，以改变可调电感2接入滤波电路的电感值，进而使整个滤波电路的阻抗大致贴近总阻抗设定值，第一步属于粗调的步骤。进一步，第二步是调节第二调节结构，改变可调电感2在滤波电路中产生的磁阻，进而使滤波电路的阻抗等于总阻抗设定值，第二步属于细调的步骤。
如图3所示，首先移动调节滑块，调节可变电感2的电感值，粗调整个滤波网络的阻抗。接下来，转动可变电感中磁芯的空腔中嵌入的磁阻调整板，改变可变电感在滤波电路中产生的磁阻，进而微调可变电感的电感值，使滤波网络的阻抗趋近总阻抗设定值。
如前所叙，需要转动可变电感中磁芯的空腔中嵌入的磁阻调整板，以改变线圈22在滤波网络中产生的磁阻，进而达到调节电感的电感值的目的，其具体结构如图4所示。其中，d为磁阻调整板的长度，磁芯的磁导率远大于磁阻调整板的磁导率，而其中空气部分的磁导率接近于真空磁导率。当驱动磁阻调整板旋转至一定角度时，参见图4所示，树脂板的板面与磁芯21的径向截面之间的夹角为ɑ，树脂板的长度为d。已知在第一调节结构23调节结束之后，可调电感中接入滤波网络中的线圈22的匝数已固定，设此时接入滤波网络的匝数为N，滤波电路中的总磁阻为R(单位：H)，则根据电感计算公式，此时可调电感组件的电感值L为：
Figure BDA0002284434400000081
式(2)中，滤波网络中可调电感组件的总磁阻由两部分构成，一部分是磁芯部分，设磁芯的长度为p，则计入磁阻计算过程的总长度为2p，另一部分是磁阻调整板，计入磁阻计算过程的总长度为2dcosα，设空气的相对磁导率为μ0，磁芯的相对磁导率为μ1，磁阻调整板的相对磁导率为μ2，可调电感横截面积为S，磁芯产生的磁阻为R1，磁阻调整板产生的磁阻为R2，则可调电感的电感值L可以表示为：
Figure BDA0002284434400000082
由以上的式(3)可以看出，随着磁阻调整板的旋转角度α变化，cosα的值会在0到1之间变化，电感值L会小幅度变化，滤波网络的阻抗值也会随之而微调。
针对上述实施例中的滤波电路，本发明还提供了一种半导体设备，该半导体设备包括：射频源6、交流滤波器7以及上述任意一个实施例的滤波电路，射频源6通过滤波电路连接至交流滤波器7。
本实施例提供的半导体设备，包括滤波电路，可分别通过第一调节结构与第二调节结构对滤波网络的阻抗进行不同精度的调节，最终使滤波电路的阻抗达到总阻抗设定值，实现了滤波电路的阻抗的可调，进一步，通过使用可调电感减弱了分布参数对滤波网络的阻抗带来的影响，提高了滤波电路的滤波效果，提升了半导体设备工艺一致性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种滤波电路，其特征在于，包括：阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，
所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，所述第二调节结构用于调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻；
所述阻抗传感器用于检测所述滤波电路的总阻抗值，并将所述总阻抗值发送给所述可调电感控制器；
所述可调电感控制器用于判断所述总阻抗值是否等于预置的总阻抗设定值，并在所述总阻抗值不等于所述总阻抗设定值时，先通过所述第一调节结构调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，再通过二调节结构调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻，以调整所述可调电感的电感值，使所述总阻抗值达到所述总阻抗设定值。
2.根据权利要求1所述的滤波电路，其特征在于，所述第一调节结构包括：第一驱动组件、多个调节滑块，其中，
所述多个调节滑块可分别与所述线圈的不同区域电连接并在该区域内滑动；
所述第一驱动组件用于选择性地驱动所述多个调节滑块中的一个调节滑块与所述线圈电连接，并控制驱动该调节滑块在所述线圈上与该调节滑块对应的区域内滑动。
3.根据权利要求2所述的滤波电路，其特征在于，所述调节滑块包括滑块本体和至少两个金属滑片，所述至少两个金属滑片均设置在所述滑块本体的侧壁上，所述调节滑块与所述线圈电连接时，所述至少两个金属滑片从所述线圈的两侧与所述线圈电接触。
4.根据权利要求1所述的滤波电路，其特征在于，所述磁芯内设置有空腔；
所述第二调节结构包括：第二驱动组件、磁阻调整板，其中，
所述磁阻调整板可转动地设置在所述空腔中，所述磁阻调整板的磁导率小于所述磁芯的磁导率；
所述第二驱动组件用于驱动所述磁阻调整板转动，调节所述磁阻调整板的板面与所述磁芯的径向截面之间的夹角，以改变所述可调电感的磁阻。
5.根据权利要求4所述的滤波电路，其特征在于，所述磁阻调整板的材料包括树脂。
6.根据权利要求4所述的滤波电路，其特征在于，所述磁阻调整板的厚度小于或等于1cm。
7.根据权利要求1-6所述的滤波电路，其特征在于，还包括：固定电感，所述固定电感串接在所述阻抗传感器和所述可调电感之间。
8.根据权利要求1-6所述的滤波电路，其特征在于，滤波电路中的滤波电容为固定电容，所述可调电感与所述固定电容的一端连接，所述固定电容的另一端接地。
9.一种半导体设备，其特征在于，包括：射频源、交流滤波器以及权利要求1-8任一项所述的滤波电路，所述射频源通过所述滤波电路连接至所述交流滤波器。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102347743A (zh) * 2011-05-19 2012-02-08 南京信息工程大学 一种调节滤波器通频带的方法及滤波器
DE102014102521A1 (de) * 2014-02-26 2015-08-27 Epcos Ag Abstimmbare HF-Filterschaltung
CN105958809A (zh) * 2016-06-21 2016-09-21 南京航空航天大学 带有耦合电感的滤波器及其参数确定方法
CN106356364A (zh) * 2016-08-27 2017-01-25 天津大学 一种柔性射频应变可调无源带阻滤波器及其制造方法
CN107306079A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 珠海格力电器股份有限公司 滤波方法、系统和装置
CN107612307A (zh) * 2017-10-19 2018-01-19 青岛海信日立空调系统有限公司 一种滤波器、电源电路及空调器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102347743A (zh) * 2011-05-19 2012-02-08 南京信息工程大学 一种调节滤波器通频带的方法及滤波器
DE102014102521A1 (de) * 2014-02-26 2015-08-27 Epcos Ag Abstimmbare HF-Filterschaltung
CN107306079A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 珠海格力电器股份有限公司 滤波方法、系统和装置
CN105958809A (zh) * 2016-06-21 2016-09-21 南京航空航天大学 带有耦合电感的滤波器及其参数确定方法
CN106356364A (zh) * 2016-08-27 2017-01-25 天津大学 一种柔性射频应变可调无源带阻滤波器及其制造方法
CN107612307A (zh) * 2017-10-19 2018-01-19 青岛海信日立空调系统有限公司 一种滤波器、电源电路及空调器

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