CN110993279B - 一种平面变压器及开关电源 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于开关电源技术领域，提供了一种平面变压器及开关电源，所述平面变压器包括：至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接。本申请采用PCB板组成的平面变压器优化了变压器结构，能够减小磁元件体积，同时其PCB板间的连接方式能够有效减小变压器漏感，减小电路寄生参数，使应用该平面变压器的开关电源在兆赫兹频率下次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到有效控制，从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。

Description

一种平面变压器及开关电源
技术领域
本发明属于开关电源技术领域，尤其涉及一种平面变压器及开关电源。
背景技术
DC/DC电源在计算机、通信、工业、航空等众多领域有着广泛的应用，随着这些领域的快速发展，对电源的要求也在逐步提高，小、轻、薄、高效已成为电源的主要发展趋势。
目前，开关电源中的主流器件Si基材料功率半导体器件的研究和应用已经很成熟，性能也在逐渐逼近其理论极限。比如，在36-75V输入的DC/DC模块电源中，开关频率一般在兆赫兹以下，但是进一步提高开关频率，会使开关损耗增加，效率下降，随之带来的散热问题很难使电源的体积减小，因而阻碍功率密度的提高。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种平面变压器及开关电源，以解决现有技术中DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
本发明实施例的第一方面提供了一种平面变压器，包括：磁芯、至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；
各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；
各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接。
本发明实施例的第二方面提供了一种开关电源，包括如上所述的平面变压器、输入滤波模块、功率变换模块和输出整流滤波模块；
所述输入滤波模块的输出端与所述功率变换模块的输入端连接，所述功率变换模块的输出端与所述平面变压器的初级绕组连接，所述平面变压器的次级绕组与所述输出整流滤波模块连接；
所述输入滤波模块用于对输入电压源发送的输入电压进行滤波处理，得到第一电压；
所述功率变换模块用于将所述第一电压由直流转换为交流，并通过所述平面变压器输入至所述输出整流滤波模块；
所述输出整流滤波模块用于将所述第一电压转换为直流，并对转换为直流的第一电压进行滤波处理，得到输出电压。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例提供了一种平面变压器及开关电源，该平面变压器包括至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接。本实施例采用PCB板组成的平面变压器，优化了变压器结构，能够减小磁元件体积，同时其PCB板间的连接方式能够有效减小变压器漏感，减小电路寄生参数，使应用该平面变压器的开关电源在兆赫兹频率下的次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到有效控制，从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的平面变压器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的开关电源的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的开关电源的电路示意图；
图4是本发明实施例提供的控制模块和驱动模块的电路连接示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
如图1所示，图1示出了本发明实施例提供的平面变压器的结构示意图，其包括：磁芯、至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；
各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；
各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接。
在本实施例中，变压器磁芯规格为ER14.5，绕组使用PCB制作。初级绕组包括至少两圈初级线圈，且每圈初级线圈包括至少两层PCB板，在每圈初级线圈中的每一层PCB板并联连接，然后由至少两层PCB板并联组成的初级线圈与其他圈初级线圈串联连接，以满足大电流需求。
在本实施例中，次级绕组包括两个，两个次级绕组串联连接，且每个次级绕组包括四层PCB板，每层PCB板也串联连接。这种连接方式能够减小变压器的漏感，将漏感值控制在励磁电感的0.2％之内。
在本实施例中，初级绕组的各PCB板与次级绕组的各PCB板堆叠放置，具体地，初级绕组的各PCB板可以与次级绕组的各PCB板交叉着堆叠放置。
在一个实施例中，所述初级绕组包括两圈初级线圈，且每圈初级线圈包括两层PCB板，每组次级绕组分别包括四圈次级线圈。
在一个实施例中，所述次级绕组的PCB板总层数大于所述初级绕组的PCB板总层数。
优选地，次级绕组的PCB板层数为8层，初级绕组的PCB板层数为4层。
在一个实施例中，所述初级绕组的每层PCB板及所述次级绕组的每层PCB板重叠放置，所述PCB板自上而下的放置顺序依次为：第一次级绕组的第一层PCB板、第二次级绕组的第一层PCB板、第一圈初级线圈的第一层PCB板、第一次级绕组的第二层PCB板、第二次级绕组的第二层PCB板、第二圈初级线圈的第一层PCB板、第一次级绕组的第三层PCB板、第二次级绕组的第三层PCB板、第一圈初级线圈的第二层PCB板、第一次级绕组的第四层PCB板、第二次级绕组的第四层PCB板、第二圈初级线圈的第二层PCB板。
在本实施例中，如图1所示，NS11表示第一个次级绕组的第一层PCB板，NS12表示第一个次级绕组的第二层PCB板，NS13表示第一个次级绕组的第三层PCB板，NS14表示第一个次级绕组的第四层PCB板；NS21表示第二个次级绕组的第一层PCB板，NS22表示第二个次级绕组的第二层PCB板，NS23表示第二个次级绕组的第三层PCB板，NS24表示第二个次级绕组的第四层PCB板；NP11表示所述初级绕组的第一圈初级线圈的第一层PCB板，NP12表示所述初级绕组的第一圈初级线圈的第二层PCB板，NP21表示所述初级绕组的第二圈初级线圈的第一层PCB板，NP22表示所述初级绕组的第二圈初级线圈的第二层PCB板。因此，绕组的所有PCB板自上而下的放置顺序为：
NS11-NS21-NP11-NS12-NS22-NP21-NS13-NS23-NP12-NS14-NS24-NP22；
如图1所示，绕组的顶层PCB板为NS11，绕组的底层PCB板为NP22，NP11与NP21串联，NP12与NP22串联，然后两个串联后的初级线圈再并联，组成初级绕组。次级绕组的PCB板间串联连接。采用这种放置顺序能够最大限度的减小变压器漏感。
在本发明的一个实施例中，如图2所示，图2示出了本发明实施例提供的一种开关电源100的结构，其包括：如上所述的平面变压器T1、输入滤波模块110、功率变换模块120和输出整流滤波模块130；
所述输入滤波模块110的输出端与所述功率变换模块的输入端连接，所述功率变换模块的输出端与所述平面变压器T1的初级绕组连接，所述平面变压器T1的次级绕组与所述输出整流滤波模块130连接；
所述输入滤波模块110用于对输入电压源发送的输入电压进行滤波处理，得到第一电压；
所述功率变换模块用于将所述第一电压由直流转换为交流，并通过所述平面变压器T1输入至所述输出整流滤波模块130；
所述输出整流滤波模块130用于将所述第一电压转换为直流，并对转换为直流的第一电压进行滤波处理，得到输出电压。
在本实施例中，如图3所示，图3示出了开关电源100的具体电路示意图，其中，所述输入滤波模块110包括第一滤波电容C1、第二滤波电容C2和第一滤波电感L1；所述功率变换模块包括第一电容C3、第二电容C4、第一开关管Q1和第二开关管Q2；所述输出整流滤波模块130包括第三开关管Q3、第四开关管Q4、第一输出电感L2和第一输出电容C5；
所述输入滤波模块110的输入端包括第一输入端和第二输入端，所述输入滤波模块110的输出端包括第一输出端和第二输出端；所述输入滤波模块110的第一输入端与所述输入电压源的第一端连接，所述输入滤波模块110的第二输入端与所述输入电压源的第二端连接；
所述第一滤波电容C1并联在所述输入滤波模块110的第一输入端及第二输入端之间，所述第一滤波电感L1的第一端与所述输入滤波模块110的第一输入端连接，所述第一滤波电感L1的第二端分别与所述输入滤波模块110的第一输出端及所述第二滤波电容C2的第一端连接，所述第二滤波电容C2的第二端分别与所述输入滤波模块110的第二输出端及所述输入滤波模块110的第二输入端连接；
所述功率变换模块的输入端包括第一输入端和第二输入端，所述功率变换模块的输出端包括第一输出端和第二输出端。
所述功率变换模块的第一输入端与所述输入滤波模块110的第一输出端连接，所述功率变换模块的第二输入端与所述输入滤波模块110的第二输出端连接，所述功率变换模块的第一输出端与所述变压器初级绕组的第一端连接，所述功率变换模块的第二输出端与所述平面变压器T1初级绕组的第二端连接；
具体地，所述功率变换模块之中，第一电容C3的第一端分别与功率变换模块的第一输入端及所述第一开关管Q1的源极连接，所述第一电容C3的第二端分别与所述功率变换模块的第二输出端及所述第二电容C4的第一端连接，所述第二电容C4的第二端与所述第二开关管Q2的漏极连接，所述第一开关管Q1的漏极分别与所述第二开关管Q2的源极及所述功率变换模块的第一输入端连接；
所述输出整流滤波模块130的输入端包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；
所述输出整流滤波模块130的第一输入端与所述平面变压器T1的第一组次级绕组的第一端连接，所述输出整流滤波模块130的第二输入端与所述平面变压器T1的次级绕组的中心抽头Nc连接(中心抽头为第一组次级绕组的第二端与第二组次级绕组的第一端的连接线)，所述输出整流滤波模块130的第三输入端与所述平面变压器T1的第二组次级绕组的第二端连接；
所述第三开关管Q3的源极与所述输出整流滤波模块130的第一输入端连接，所述第三开关管Q3的漏极与所述第四开关管Q4的漏极连接，所述第四开关管Q4的源极与所述输出整流滤波模块130的第三输入端连接，所述第一输出电感L2的第一端与所述输出整流滤波模块130的第二输入端连接，所述第一输出电感L2的第二端与所述第一输出电容C5的第一端连接，所述第一输出电容C5的第二端连接所述第四开关管Q4的漏极，所述第一输出电容C5的两端为输出整流滤波模块130的输出端。
在本实施例中，功率转换模块可以为半桥功率变换电路。本实施例中第一电容C3、第二电容C4、第一开关管Q1和第二开关管Q2组成半桥功率变换电路。输出整流滤波模块130包括输出整流电路和输出滤波电路，其中输出整流电路为全波整流电路。输入滤波模块110将输入电压进行滤波处理，功率变换模块将直流的第一电压转换为高频交流电压；高频交流电压经输出整流电路后整流成直流，再经输出滤波电路发送至输出端。
在一个实施例中，所述功率变换模块包括第一开关管Q1和第二开关管Q2，所述整流滤波输出模块包括第三开关管Q3和第四开关管Q4，且所述第一开关管Q1、所述第二开关管Q2、所述第三开关管Q3和所述第四开关管Q4均为氮化镓晶体管。
在本实施例中，本申请采用氮化镓晶体管作为功率开关管，与常用的Si基开关管相比，氮化镓晶体管具有较低的导通电阻和寄生电容，使其具有损耗小、开关速度快的优点。使用氮化镓功率器件可以有效提高功率变换器的工作频率，并取得更高的效率和功率密度，在几纳秒内切换上百伏电压的能力，使其可应用于上兆赫兹的场合。
在本实施例中，第三开关管Q3和第四开关管Q4均使用氮化镓晶体管代替Si基MOSFET，避免了二极管反向恢复造成的损耗和电压尖峰，同时可配合初级电路实现兆赫兹的开关频率。
本实施例使用氮化镓晶体管替代Si基开关管，并通过平面变压器T1的结构减小电路寄生参数，使开关频率提升至MHz水平，有效减小磁元件体积，在损耗没有增加的前提下提高DC/DC开关电源100的功率密度。
在一个实施例中，所述开关电源100还包括采样模块140、控制模块150和驱动模块160；
所述采样模块140用于获取所述输出电压，并根据所述输出电压及预存的参考电压，得到误差电压，以及将所述误差电压发送至所述控制模块150；
所述控制模块150用于根据所述误差电压生成PWM控制信号，并将所述PWM控制信号发送至所述驱动模块160；
所述驱动模块160用于根据所述PWM控制信号生成PWM波，并将所述PWM波发送至所述功率变换模块，所述PWM波用于控制所述第一开关管Q1和所述第二开关管Q2的通断状态。
在本实施例中，采样模块140对输出整流滤波模块130的输出端的输出电压进行采样，并将输出电压与预存的参考电压通过误差放大器比较补偿后输出误差电压，以及将误差电压发送至控制模块150。控制模块150根据误差电压生成PWM控制信号，驱动模块160对PWM控制信号进行电平转换和功率放大后得到PWM波，并将PWM波输入至功率变换模块的各个开关管的栅极，对各个开关管进行驱动。
在本实施例中，开关电源100还包括保护模块，保护模块对输入电压、输出电压以及电流信号进行采样，以实现对开关电源100电路的保护。
在一个实施例中，所述控制模块150包括控制芯片U1和充电单元151；所述驱动模块160包括驱动芯片U2、第一驱动电阻R1、第二驱动电阻R2、第三驱动电阻R3和第四驱动电阻R4；所述充电单元151包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；
所述控制芯片U1的自举供电引脚BST与外部供电电压端连接，所述控制芯片U1的开关控制引脚接地；所述控制芯片U1的第一输出引脚HSG与所述充电单元151的第一输入端连接；所述控制芯片U1的第二输出引脚LSG与所述充电单元151的第二输入端连接；
所述充电单元151的第一输出端与所述驱动芯片U2的第一输入引脚连接；所述充电单元151的第二输出端与所述驱动芯片U2的第二输入引脚连接；
所述驱动芯片U2的第一高电平引脚HOH通过所述第一驱动电阻R1与所述第一开关管Q1的栅极连接；所述驱动芯片U2的第一低电平引脚HOL通过所述第二驱动电阻R2与所述第一开关管Q1的栅极连接；所述驱动芯片U2的第二高电平引脚LOH通过所述第三驱动电阻R3与所述第二开关管Q2的栅极连接；所述驱动芯片U2的第二低电平引脚LOL通过所述第四驱动电阻R4与所述第二开关管Q2的栅极连接。
在本实施例中，如图4所示，图4示出了控制模块150和驱动模块160的电路示意图，其中U1为控制芯片U1，本实施例选取型号为LM5036的芯片作为控制芯片U1，LM5036芯片是一款专为半桥电路设计的PWM控制器，VCC为U1供电电压，推荐值为7.8V，最大值为16V。U1内部集成了100V、2A的半桥MOSFET驱动器。BST引脚为半桥功率变换电路的高侧(Q1)栅驱动自举供电引脚，在使用Si基MOSFET作为功率开关管时，BST引脚通过自举二极管连接到VCC。SW引脚为开关控制引脚，在使用Si基MOSFET作为功率开关管时，此引脚是半桥高侧栅驱动的参考地，需要连接到图3中Q1源极和Q2漏极连接的点。HSG引脚和LSG引脚分别是功率转换模块高侧开关管栅极和低侧开关管栅极驱动的输出，在使用Si基MOSFET作为功率开关管时，可直接驱动半桥电路的两个开关管。HSG引脚和LSG引脚的输出电压为VCC电压。
本实施例中，氮化镓晶体管栅极驱动电压比Si基MOSFET要低，允许的栅源电压最大值为6V，正常工作时推荐值为5V。显而易见，当图3中Q1-Q4使用氮化镓晶体管后，选择的控制芯片U1无法直接驱动开关管，需要进行一级电平和功率转换的驱动模块160。如图4所示，U2为驱动模块160选择的电平和功率转换电路芯片LMG1205。当使用U2后，U1中集成的半桥驱动器不再执行驱动开关管的任务，而是作为控制信号送入U2，控制U2的输出以驱动氮化镓晶体管，因此U1中的半桥驱动器无需再配置成自举电路模式以满足半桥功率变换电路中高侧开关管的驱动要求。在本发明的实施例中，U1的BST引脚直接接到供电电压VCC，开关控制引脚SW直接接地。U1的输出信号HSG和LSG分别经过充电单元151送入U2的输入引脚HI和LI，作为氮化镓晶体管驱动的控制信号。
在本实施例中，U2是一款80V、5A的半桥氮化镓晶体管驱动器，内部集成了自举二极管。HOH引脚、HOL引脚分别为半桥功率变换电路的半桥高侧开关管栅驱动的开通和关断引脚，LOH、LOL分别为半桥功率变换电路的半桥低侧开关管栅驱动的开通和关断引脚，在驱动回路中加入驱动电阻R3-R6可防止高频下寄生参数引起的栅压振荡。通过驱动模块160，可实现U1控制基于氮化镓晶体管的半桥功率变换电路并使其工作在兆赫兹的开关频率下。
在兆赫兹开关频率下，变压器漏感的影响较为严重，因此采用本申请提供的平面变压器T1，能够有效的减小变压器漏感，提高开关电源100的功率密度。
在一个实施例中，所述充电单元151包括第一充电电阻R5、第二充电电阻R6、第一充电电容C6和第二充电电容C7；
所述第一充电电阻R5的第一端为所述充电单元151的第一输入端，所述第一充电电阻R5的第二端为所述充电单元151的第一输出端，所述第二充电电阻R6的第一端为所述充电单元151的第二输入端，所述第二充电电阻R6的第二端为所述充电单元151的第二输出端；
所述第一充电电阻R5的第二端通过所述第一充电电容C6接地，所述第二充电电阻R6的第二端通过所述第二充电电容C7接地。
在本实施例中，第一充电电阻R5、第一充电电容C6和第二充电电阻R6、第二充电电容C7分别组成RC充电电路，调整其参数可调整控制芯片U1输出的控制信号的延迟时间。
在一个实施例中，所述控制芯片U1为型号为LM5036的芯片，所述驱动芯片U2为型号为LMG1205的芯片。
本实施例选用了一款适合于Si基MOSFET的硬开关半桥控制芯片U1，开关电源100的输入、输出依靠高频变压器实现隔离。功率转换模块使用氮化镓晶体管作为功率开关管，次级的输出整流滤波模块130采用同步整流方式以提高效率并使用氮化镓晶体管作为同步整流管。所选控制芯片U1为LM5036，内部时钟振荡频率可到2MHz，通过增加一级功率和电压等级变换电路，使控制芯片U1能够控制氮化镓晶体管的开关。优化半桥变压器的绕组结构，使其漏感仅有励磁电感的0.2％，使兆赫兹频率下的次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到了有效控制。本实施例能够实现硬开关半桥变换器的高频化(MHz)，有效减小磁元件的体积而没有带来效率降低的问题，实现功率密度的提高。且由于氮化镓晶体管的优良特性，提高频率并没有带来功率开关管开关损耗的增加。从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种平面变压器，其特征在于，包括：磁芯、至少两圈初级线圈组成的初级绕组和两个次级绕组；
各初级线圈分别包括至少两层PCB板；
各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接；
所述初级绕组包括两圈初级线圈，且每圈初级线圈包括两层PCB板，每组次级绕组分别包括四圈次级线圈；
所述初级绕组的每层PCB板及所述次级绕组的每层PCB板重叠放置，所述PCB板自上而下的放置顺序依次为：第一次级绕组的第一层PCB板、第二次级绕组的第一层PCB板、第一圈初级线圈的第一层PCB板、第一次级绕组的第二层PCB板、第二次级绕组的第二层PCB板、第二圈初级线圈的第一层PCB板、第一次级绕组的第三层PCB板、第二次级绕组的第三层PCB板、第一圈初级线圈的第二层PCB板、第一次级绕组的第四层PCB板、第二次级绕组的第四层PCB板、第二圈初级线圈的第二层PCB板；
所述初级绕组中各个PCB板的连接关系为：
所述第一圈初级线圈的第一层PCB板的第一端与所述第二圈初级线圈的第一层PCB板的第一端连接；所述第一圈初级线圈的第一层PCB板的第二端与所述第一圈初级线圈的第二层PCB板的第二端连接；所述第一圈初级线圈的第二层PCB板的第一端与所述第二圈初级线圈的第二层PCB板的第一端连接；所述第二圈初级线圈的第二层PCB板的第二端与所述第二圈初级线圈的第一层PCB板的第二端连接。
2.如权利要求1所述的平面变压器，其特征在于，所述次级绕组的PCB板总层数大于所述初级绕组的PCB板总层数。
3.一种开关电源，其特征在于，包括如权利要求1至2任一项所述的平面变压器、输入滤波模块、功率变换模块和输出整流滤波模块；
所述输入滤波模块的输出端与所述功率变换模块的输入端连接，所述功率变换模块的输出端与所述平面变压器的初级绕组连接，所述平面变压器的次级绕组与所述输出整流滤波模块连接；
所述输入滤波模块用于对输入电压源发送的输入电压进行滤波处理，得到第一电压；
所述功率变换模块用于将所述第一电压由直流转换为交流，并通过所述平面变压器输入至所述输出整流滤波模块；
所述输出整流滤波模块用于将所述第一电压转换为直流，并对转换为直流的第一电压进行滤波处理，得到输出电压。
4.如权利要求3所述的开关电源，其特征在于，所述功率变换模块包括第一开关管和第二开关管，所述输出整流滤波模块包括第三开关管和第四开关管，且所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管均为氮化镓晶体管。
5.如权利要求4所述的开关电源，其特征在于，所述开关电源还包括采样模块、控制模块和驱动模块；
所述采样模块用于获取所述输出电压，并根据所述输出电压及预存的参考电压，得到误差电压，以及将所述误差电压发送至所述控制模块；
所述控制模块用于根据所述误差电压生成PWM控制信号，并将所述PWM控制信号发送至所述驱动模块；
所述驱动模块用于根据所述PWM控制信号生成PWM波，并将所述PWM波发送至所述功率变换模块，所述PWM波用于控制所述第一开关管和所述第二开关管的通断状态。
6.如权利要求5所述的开关电源，其特征在于，所述控制模块包括控制芯片和充电单元；所述驱动模块包括驱动芯片、第一驱动电阻、第二驱动电阻、第三驱动电阻和第四驱动电阻；所述充电单元包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端；
所述控制芯片的自举供电引脚与外部供电电压端连接，所述控制芯片的开关控制引脚接地；
所述控制芯片的第一输出引脚与所述充电单元的第一输入端连接；
所述控制芯片的第二输出引脚与所述充电单元的第二输入端连接；
所述充电单元的第一输出端与所述驱动芯片的第一输入引脚连接；
所述充电单元的第二输出端与所述驱动芯片的第二输入引脚连接；
所述驱动芯片的第一高电平引脚通过所述第一驱动电阻与所述第一开关管的栅极连接；所述驱动芯片的第一低电平引脚通过所述第二驱动电阻与所述第一开关管的栅极连接；所述驱动芯片的第二高电平引脚通过所述第三驱动电阻与所述第二开关管的栅极连接；所述驱动芯片的第二低电平引脚通过所述第四驱动电阻与所述第二开关管的栅极连接。
7.如权利要求6所述的开关电源，其特征在于，所述充电单元包括第一充电电阻、第二充电电阻、第一充电电容和第二充电电容；
所述第一充电电阻的第一端为所述充电单元的第一输入端，所述第一充电电阻的第二端为所述充电单元的第一输出端，所述第二充电电阻的第一端为所述充电单元的第二输入端，所述第二充电电阻的第二端为所述充电单元的第二输出端；
所述第一充电电阻的第二端通过所述第一充电电容接地，所述第二充电电阻的第二端通过所述第二充电电容接地。
8.如权利要求7所述的开关电源，其特征在于，所述控制芯片为型号为LM5036的芯片，所述驱动芯片为型号为LMG1205的芯片。
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