CN110950475A - 一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，首先用保安过滤器去除废水中的颗粒杂质，去除杂质后的含钯电镀废水经纳滤膜进一步处理，纳滤膜出水分为产水和浓水两路，产水进入反渗透膜系统进一步去除废水中的溶解盐和钯离子，经纳滤膜和反渗透膜系统处理后的浓水进入低温真空蒸发浓缩装置进一步蒸发浓缩，经浓缩的废水进入光电催化装置，通过紫外光的催化和电化学氧化的作用，去除废水中有机污染物，本发明涉及电子化学品制备及应用技术领域。该电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，达到了有效去除废水中有机污染物，废水中的贵重金属钯得到高效的回收，处理成本低，无二次污染的目的。
Description
技术领域
本发明涉及电子化学品制备及应用技术领域，具体为一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法。
背景技术
伴随印刷电路板制造业，钯表面处理业及电镀业在中国台湾的发展，重金属废液与废水如未经适当处理，任意排放，将对生态环境造成极为严重的破坏，因此含重金属废弃物与废水的回收与处理一直受到主管机关与环保团体相当的关注，工厂内含重金属废水的主要来源为高浓度但量少的废溶液，废电镀液或废清洁液等与低浓度但量大的清洗废水，故水中重金属浓度视来源有极大差异，传统重金属废液与废水的处理方式以混凝沉淀法为主，但此方法会产生大量的有害污泥，造成严重的污泥处置问题，且有价金属无法回收造成资源浪费，现行采用树脂吸附焚烧处理方法，造成二次污染，且回收效率低下，无法体现废水价值，且易于暗箱操作，无法确保PCB加工企业应有的合理收益。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，解决了上述背景技术中提出的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，首先用保安过滤器去除废水中的颗粒杂质，去除杂质后的含钯电镀废水经纳滤膜进一步处理，纳滤膜出水分为产水和浓水两路，产水进入反渗透膜系统进一步去除废水中的溶解盐和钯离子，经纳滤膜和反渗透膜系统处理后的浓水进入低温真空蒸发浓缩装置进一步蒸发浓缩，经浓缩的废水进入光电催化装置，通过紫外光的催化和电化学氧化的作用，去除废水中有机污染物，同时回收废水中的贵重金属钯；针对含钯废水而生产的特种有机离子交换树脂，相比于市面常见之树脂产品，其具有更发达的内表面(2倍～4倍)，其表面积可达1400㎡～2500㎡/g,并在其内表面上嫁接了各种基团如羧基、内脂、酚羟基，荧光内脂，羰基等，并强化嫁接了对钯有强烈吸附作用的肟基和羟基的冠能团，从而提高了选择性吸附钯、铂贵金属离子且不吸附非贵金属离子的特性，从而使得对钯离子的吸附能力高达20～30g/L，特种吸附树脂与含钯废水的反应可以表示为：
CARBON-(CNH)2+Pd2+＝Pd(CN)2-CARBON+2H+
2CARBON-(CNH)2+Pd4+＝Pd[(CN)2-CARBON]2+4H+
(三)有益效果
本发明提供了一种电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法。
具备以下有益效果：
(1)、该电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，通过过滤器去除废水中的颗粒杂质，去除杂质后的含钯电镀废水经纳滤膜进一步处理。纳滤膜出水分为产水和浓水两路。纳滤膜可截留废水中的有机络合物、80％以上的溶解盐及钯离子。产水进入反渗透膜系统进一步去除废水中的溶解盐和钯离子，使产水达到回用标准后，注入回用水箱。经纳滤膜和反渗透膜系统处理后，可回收废水中50％以上的水资源。没有透过纳滤膜和反渗透膜的浓水进入低温真空蒸发浓缩装置进一步蒸发浓缩，一方面提高废水中钯离子的含量，另一方面通过冷凝水蒸气进一步回收废水中的清洗水资源。经低温真空蒸发进一步浓缩的废水，进入光电催化装置，通过紫外光的催化和电化学氧化的作用，有效去除废水中有机污染物。
(2)、该电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，通过废水中的钯离子在外电场的作用下向阴极转移并在阴极还原成为一层可剥离的金属层，从而使废水中的贵重金属钯得到高效的回收。
(3)、该电路板制作过程含钯废水在线加收及其钯处理方法，整个工艺流程简洁、高效，用于含钯电镀废水的处理，可以回收含钯废水中90％以上的清洗水以及几乎所有的钯离子，在高效的回收废水中的钯和清洗水的同时，无需添加其他药剂，处理成本低，无二次污染，具有很高的经济效益和环境效益。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
实施例一
一种电路板制作过程含钯废水在线加收，包括以下步骤：保安过滤器去除废水中的颗粒杂质，去除杂质后的含钯电镀废水经纳滤膜进一步处理，纳滤膜出水分为产水和浓水两路，产水进入反渗透膜系统进一步去除废水中的溶解盐和钯离子，经纳滤膜和反渗透膜系统处理后的浓水进入低温真空蒸发浓缩装置进一步蒸发浓缩，经浓缩的废水进入光电催化装置，通过紫外光的催化和电化学氧化的作用，去除废水中有机污染物。
实施例二
一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，包括以下步骤：含钯电镀废水分类收集或直接与电镀清洗槽连接，不与其它重金属废水混合；含钯电镀废水首先经过保安过滤器过滤，其过滤孔径为0.1～5左右，去除废水中的颗粒杂质；进入由纳滤膜和反渗透膜组成的组合膜处理系统进行处理：通过纳滤膜截留废水中的大分子有机物、络合物以及废水中约80％以上的溶解盐离子，通过反渗透膜进一步去除废水中所有的离子，使产水不含金离子以及其他离子，产水电导率低于40us/cm，进入回用水箱；纳滤膜和反渗透膜浓水进入蒸发浓缩器，所述蒸发浓缩器为低温真空蒸发浓缩装置，其运行压力控制在3～5kPa，蒸发温度控制在20～30℃左右，通过蒸发浓缩器蒸发后形成的冷凝水进入回用水箱，回收40-90％的清洗水，同时将电镀废水中钯的浓度提高6-10倍；采用光电催化装置同步去除废水中的有机物和回收贵重金属金：蒸发浓缩后的电镀废水中加入0.01-0.03％的非离子表面活性剂，选用二氧化钛作为光催化电极，阴极和阳极之间靠近阳极处设有阳离子交换膜，选用紫外光为光源，电流密度为0.6～1.0mA/cm2，紫外光波长为250nm～310nm，功率为98W，光电催化反应时间为1～1.2h，在阳极光电的催化氧化去除废水中的有机物，在阴极还原回收废水中的金属钯。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下。由语句“包括一个......限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素”。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种电路板制作过程含钯废水在线加收，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、用保安过滤器去除废水中的颗粒杂质；
步骤二、去除杂质后的含钯电镀废水经纳滤膜进一步处理；
步骤三、纳滤膜出水分为产水和浓水两路，经纳滤膜和反渗透膜系统处理后的浓水进入低温真空蒸发浓缩装置进一步蒸发浓缩；
步骤四、经浓缩的废水进入光电催化装置，通过紫外光的催化和电化学氧化的作用，去除废水中有机污染物。
2.根据权利要求1所述的一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、含钯电镀废水分类收集或直接与电镀清洗槽连接，不与其它重金属废水混合；
步骤二、含钯电镀废水首先经过保安过滤器过滤，其过滤孔径为0.1～5左右，去除废水中的颗粒杂质；
步骤三、进入由纳滤膜和反渗透膜组成的组合膜处理系统进行处理：通过纳滤膜截留废水中的大分子有机物、络合物以及废水中大于80％的溶解盐离子，通过反渗透膜进一步去除废水中所有的离子，使产水不含金离子以及其他离子，产水电导率低于40us/cm，进入回用水箱；
步骤四、纳滤膜和反渗透膜浓水进入蒸发浓缩器，所述蒸发浓缩器为低温真空蒸发浓缩装置，通过蒸发浓缩器蒸发后形成的冷凝水进入回用水箱，回收40-90％的清洗水；
步骤五、采用光电催化装置同步去除废水中的有机物和回收贵重金属金，将步骤四中蒸发浓缩后的电镀废水中加入0.01-0.03％的非离子表面活性剂，在阳极光电的催化氧化去除废水中的有机物，在阴极还原回收废水中的金属钯。
3.根据权利要求1所述的一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，其特征在于：所述步骤三中产水进入反渗透膜系统进一步去除废水中的溶解盐和钯离子。
4.根据权利要求2所述的一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，其特征在于：所述步骤四中蒸发浓缩器的运行压力控制在3～5kPa，蒸发温度控制在20～30℃。
5.根据权利要求2所述的一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，其特征在于：所述步骤五中选用二氧化钛作为光催化电极，阴极和阳极之间靠近阳极处设有阳离子交换膜。
6.根据权利要求5所述的一种电路板制作过程含钯废水在线加收的钯处理方法，其特征在于：所述步骤五中选用紫外光为光源，电流密度为0.6～1.0mA/cm2，紫外光波长为250nm～310nm，功率为98W，光电催化反应时间为1～1.2h。
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2019
- 2019-11-18 CN CN201911128226.9A patent/CN110950475A/zh active Pending
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