CN110932070A - 双波长交替调q窄脉冲激光器及输出方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双波长交替调Q窄脉冲激光器及输出方法。所述激光器包括：第一泵浦源、第一光纤、第一耦合透镜组、第一激光全反射镜、第一激光增益介质、第一起偏器、第一棱镜、第一45°反射镜、电光调Q晶体、第二45°反射镜、四分之一波片、第二棱镜、激光腔前腔镜、第二起偏器、第二激光增益介质、第二激光全反射镜、第二耦合透镜组、第二光纤和第二泵浦源。本发明可以获得较宽波长范围的双波长激光、较大的波长之间差值，在输出脉冲序列上呈现出双波长脉冲交替状态，并且激光增益介质的种类不受限定，另外本发明采用双泵浦源交替泵浦双激光增益介质，两个激光增益介质轮流工作，这样在高泵浦功率条件下能够极大地降低激光器的热效应。

Description

双波长交替调Q窄脉冲激光器及输出方法
技术领域
本发明涉及固体激光器领域，特别是一种双波长交替调Q窄脉冲激光器及输出方法。
背景技术
双波长脉冲激光器可在精细激光光谱、原子和分子的多光子分步电离、非线性频率变换、激光医学等技术领域得到广泛的应用。当双波长脉冲激光为高重频窄脉冲激光时，则可在上述研究领域中进一步提高研究精度。目前，普通的调Q双波长激光器采用单一激光增益介质从输出镜获得双波长激光同时输出，但这种激光器的两种波长激光难以在时域上进行分离，而且存在严重的热效应所带来的负面影响；另外，当两种波长激光在同一增益介质中产生时，跃迁谱线之间存在着激烈的增益竞争，影响了激光输出的稳定性。普通的调Q激光器有一个增益介质储能的过程，两个脉冲的间隔时间需要大于增益介质上的能级寿命，脉冲宽度和增益介质的性质有关，而腔倒空技术是利用谐振腔储能的过程，输出激光的重频和脉宽不受增益介质的性质影响。在同样的泵浦条件下，普通的调Q技术输出的脉冲激光的脉冲宽度往往大于采用腔倒空技术获得的脉冲激光的脉冲宽度，因此，采用腔倒空技术可以输出高重频和稳定的窄脉宽激光。
目前公开报道的双波长激光交替输出的相关技术相对较少。与本发明相关的一种已知技术为申请号为CN1801548A的在先专利，其所采用的结构如图1所示。图中所示各部分分别为：半导体光电导开关101、后腔镜102、普克尔盒103、偏振片104、前腔镜105、高压脉冲电路106。但是已知技术存在以下不足：其一，无法实现两种不同波长激光在同一光轴输出；其二，调Q晶体每施加一次调Q脉冲信号，只能获得一个调Q脉冲激光输出；其三，激光增益介质限定为可调谐的，这也将导致输出的波长受限。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明提出一种双波长交替调Q窄脉冲激光器及输出方法。
根据本发明的一方面，提出一种双波长交替调Q窄脉冲激光器，所述激光器包括：第一泵浦源1、第一光纤2、第一耦合透镜组3、第一激光全反射镜4、第一激光增益介质5、第一起偏器6、第一棱镜7、第一45°反射镜8、电光调Q晶体9、第二45°反射镜10、四分之一波片11、第二棱镜12、激光腔前腔镜13、第二起偏器14、第二激光增益介质15、第二激光全反射镜16、第二耦合透镜组17、第二光纤18和第二泵浦源19，其中：
所述第一激光增益介质5与第二激光增益介质15平行放置，且与激光输出方向垂直；
所述第一耦合透镜组3置于所述第一泵浦源1的后方，用于将所述第一泵浦源1发出的光以布儒斯特角耦合进第一激光增益介质5中；
所述第二耦合透镜组17置于所述第二泵浦源19的后方，用于将所述第二泵浦源19发出的光以布儒斯特角耦合进第二激光增益介质15中；
所述第一激光全反射镜4和所述第一激光增益介质5依次置于所述第一耦合透镜组3远离所述第一泵浦源1的一侧；
所述第二激光全反射镜16和所述第二激光增益介质15依次置于所述第二耦合透镜组17远离所述第二泵浦源19的一侧。
可选地，所述第一泵浦源1和第一耦合透镜组3通过所述第一光纤2连接；
所述第二泵浦源19和第二耦合透镜组17通过所述第二光纤18连接。
可选地，所述第一起偏器6和第一45°反射镜8依次置于第一激光增益介质5远离第一激光全反射镜4的后方，且所述第一起偏器6与第一45°反射镜8平行放置；
所述第二起偏器14和第二45°反射镜10依次置于第二激光增益介质15远离第二激光全反射镜16的后方，且所述第二起偏器14和第二45°反射镜10垂直放置；
所述第一45°反射镜8与第二45°反射镜10同轴放置。
可选地，所述四分之一波片11置于所述第二起偏器14和第二45°反射镜10之间，并垂直于所述第二45°反射镜10垂直放置；
所述电光调Q晶体9置于第一45°反射镜8和第二45°反射镜10之间，且垂直于激光输出方向放置。
可选地，所述第一棱镜7置于第一45°反射镜8远离所述电光调Q晶体9的一侧，且垂直于激光输出方向放置；
所述第二棱镜12、激光腔前腔镜13依次置于第二45°反射镜10远离所述电光调Q晶体9的另一侧，且垂直于激光输出方向放置。
可选地，所述第一激光全反射镜4、第一激光增益介质5、第一起偏器6、第一棱镜7、第一45°反射镜8、电光调Q晶体9、第二45°反射镜10、第二棱镜12和激光腔前腔镜13构成第一路激光谐振腔；
所述第二激光全反射镜16、第二激光增益介质15、第二起偏器14、四分之一波片11、第二45°反射镜10、电光调Q晶体9、第一45°反射镜8、第二棱镜12和激光腔前腔镜13构成第二路激光谐振腔。
可选地，所述第一泵浦源1和第二泵浦源19均为半导体泵浦源；
所述第一激光增益介质5和所述第二激光增益介质15均为板条介质；
所述第一棱镜7和第二棱镜12均为菱形棱镜。
可选地，所述激光器还包括第一激光电源24和第二激光电源20，其中：
所述第一激光电源24与所述第一泵浦源1连接，用于为所述第一泵浦源1提供电源；
所述第二激光电源20与所述第二泵浦源19连接，用于为所述第二泵浦源19提供电源。
可选地，所述激光器还包括调Q模块驱动系统22和中央控制系统23，其中：
所述调Q模块驱动系统22与电光调Q晶体9和调Q模块21连接，用于向所述电光调Q晶体9施加调Q方波驱动信号；
所述中央控制系统23置于所述第一激光电源24和第二激光电源20的前方，与所述第一激光电源24、第二激光电源20和调Q模块驱动系统22连接，用于统一控制所述第一激光电源24、第二激光电源20和调Q模块驱动系统22。
根据本发明的另一方面，提出一种双波长交替调Q窄脉冲激光输出方法，应用于如上所述的激光器中，所述方法包括：
通过中央控制系统23控制第一泵浦源1和第二泵浦源19的时序，使其在泵浦增益介质的每一个周期内，分别对第一激光增益介质5和第二激光增益介质15进行交替脉冲泵浦；
对电光调Q晶体9施加四分之一波长电压，第二泵浦源19对第二激光增益介质15进行泵浦，第一泵浦源1处于间歇状态，第二谐振腔处于储能状态，当第二谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体9退去四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第二波长λ2脉冲激光；
第一泵浦源1对第一激光增益介质5进行泵浦，第一谐振腔处于储能状态，第二泵浦源19处于间歇状态，当第一谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体9施加四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第一波长λ1脉冲激光；
周期性重复电光调Q晶体9加压和退压，得到基于腔倒空技术的双波长交替调Q窄脉冲激光输出。
本发明提出了一种获得双波长交替调Q窄脉冲激光器方案，该方案可以获得较宽波长范围的双波长激光、较大的波长之间差值，在输出脉冲序列上呈现出双波长脉冲交替状态，并且激光增益介质的种类不受限定。该激光器采用双泵浦源交替泵浦双激光增益介质，两个激光增益介质轮流工作，这样在高泵浦功率条件下能够极大地降低激光器的热效应。除此之外，采用腔倒空技术，保证了输出重频和脉宽不受增益介质的性质影响，进而为高重频窄脉冲激光的获得提供一种有效途径。
附图说明
图1为现有技术中的腔倒空激光器的结构示意图；
图2为根据本发明一实施例的双波长交替调Q窄脉冲激光器的结构示意图；
图3为根据本发明一实施例的各驱动信号时序及形成激光时刻示意图；
图4为根据本发明一实施例的双波长交替调Q窄脉冲激光器的脉冲序列示意图；
图5为根据本发明一实施例的双波长交替调Q窄脉冲激光输出方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
图2为根据本发明一实施例的实现双波长交替调Q窄脉冲激光器的结构示意图，如图2所示，所述激光器包括：第一泵浦源1、第一光纤2、第一耦合透镜组3、第一激光全反射镜4、第一激光增益介质5、第一起偏器6、第一棱镜7、第一45°反射镜8、电光调Q晶体9、第二45°反射镜10、四分之一波片11、第二棱镜12、激光腔前腔镜13、第二起偏器14、第二激光增益介质15、第二激光全反射镜16、第二耦合透镜组17、第二光纤18和第二泵浦源19，其中：
所述第一激光增益介质5与第二激光增益介质15平行放置，且与激光输出方向垂直。
所述第一耦合透镜组3置于所述第一泵浦源1的后方，用于将所述第一泵浦源1发出的光以布儒斯特角耦合进第一激光增益介质5中。
所述第二耦合透镜组17置于所述第二泵浦源19的后方，用于将所述第二泵浦源19发出的光以布儒斯特角耦合进第二激光增益介质15中。
所述第一激光全反射镜4和所述第一激光增益介质5依次置于所述第一耦合透镜组3远离所述第一泵浦源1的一侧。
所述第二激光全反射镜16和所述第二激光增益介质15依次置于所述第二耦合透镜组17远离所述第二泵浦源19的一侧。
根据本公开的实施例，所述第一泵浦源1和第一耦合透镜组3通过所述第一光纤2连接，所述第二泵浦源19和第二耦合透镜组17通过所述第二光纤18连接。
根据本公开的实施例，所述第一起偏器6和第一45°反射镜8依次置于第一激光增益介质5远离第一激光全反射镜4的后方，且所述第一起偏器6与第一45°反射镜8平行放置。
所述第二起偏器14和第二45°反射镜10依次置于第二激光增益介质15远离第二激光全反射镜16的后方，且所述第二起偏器14和第二45°反射镜10垂直放置。
所述第一45°反射镜8与第二45°反射镜10同轴放置。
根据本公开的实施例，所述四分之一波片11置于所述第二起偏器14和第二45°反射镜10之间，并垂直于所述第二45°反射镜10垂直放置。所述电光调Q晶体9置于第一45°反射镜8和第二45°反射镜10之间，且垂直于激光输出方向放置。
根据本公开的实施例，所述第一棱镜7置于第一45°反射镜8远离所述电光调Q晶体9的一侧，且垂直于激光输出方向放置。
所述第二棱镜12、激光腔前腔镜13依次置于第二45°反射镜10远离所述电光调Q晶体9的另一侧，且垂直于激光输出方向放置。
根据本公开的实施例，所述第一激光全反射镜4、第一激光增益介质5、第一起偏器6、第一棱镜7、第一45°反射镜8、电光调Q晶体9、第二45°反射镜10、第二棱镜12和激光腔前腔镜13构成第一路激光谐振腔。
所述第二激光全反射镜16、第二激光增益介质15、第二起偏器14、四分之一波片11、第二45°反射镜10、电光调Q晶体9、第二45°反射镜8、第二棱镜12和激光腔前腔镜13构成第二路激光谐振腔。
根据本公开的实施例，所述第一路激光通过第一棱镜7、第二棱镜12后实现与第二路激光同轴输出。
根据本公开的实施侧，所述第一泵浦源1和第二泵浦源19均为半导体泵浦源。
所述第一激光增益介质5和所述第二激光增益介质15均为板条介质。
所述第一棱镜7和第二棱镜12均为菱形棱镜。
根据本公开的实施例，所述激光器还包括第一激光电源24和第二激光电源20，其中：
所述第一激光电源24与所述第一泵浦源1连接，用于为所述第一泵浦源1提供电源。
所述第二激光电源20与所述第二泵浦源19连接，用于为所述第二泵浦源19提供电源。
根据本公开的实施例，为所述第一激光增益介质5提供泵浦光的所述第一泵浦源1，由所述第一激光电源24供电。为所述第二激光增益介质15提供泵浦光的所述第二泵浦源19，由所述第二激光电源20供电。
根据本公开的实施例，所述激光器还包括调Q模块驱动系统22和中央控制系统23。
所述调Q模块驱动系统22与电光调Q晶体9和调Q模块21连接，用于向所述电光调Q晶体9施加调Q方波驱动信号，该信号的波形图如图4所示。所述中央控制系统23置于所述第一激光电源24和第二激光电源20的前方，与所述第一激光电源24、第二激光电源20和调Q模块驱动系统22连接，用于统一控制所述第一激光电源24、第二激光电源20和调Q模块驱动系统22。比如控制第一激光电源24、第二激光电源20以及调Q模块驱动系统22的触发与延时。
在本发明一实施方式中，所述电光调Q晶体9采用普通的电光调Q晶体(如LN、KD*P、KDP、LiNbO3等)。
本发明提出的基于腔倒空技术的双波长交替调Q窄脉冲输出是在有效结合退压式和加压式电光调Q原理的基础上而实现的。即当电光调Q晶体9退压时，可以实现λ2波长激光调Q输出；而当电光晶体加压时，则可以实现λ1波长激光调Q输出，如此周期性的对电光调Q晶体9进行加压和退压，则就可以实现基于腔倒空技术的双波长交替调Q窄脉冲输出。
在本发明一实施例中，所述第一激光增益介质5为Nd：YAG晶体，尺寸为100mm(z)×15mm(y)×12mm(x)，两端镀1319nm增透膜，其透过率大于99％；第二激光增益介质15为Nd：YVO4晶体，尺寸为100mm(z)×15mm(y)×12mm(x)，两端镀1064nm增透膜，其透过率大于99％。激光腔前腔镜13为平-平镜，且靠近腔内的一面镀1319nm&1064nm高反射率膜(R＞99％)。第一激光全反射镜4为平-凹镜，且凹面镀1319nm高反射率膜，其反射率大于99％；第二激光全反射镜16为平-凹镜，且凹面镀1064nm高反射率膜，其反射率大于99％。第一起偏器6镀1319nm激光布儒斯特角增透膜，其透过率大于98％；第二起偏器14镀1064nm激光布儒斯特角增透膜，其透过率大于98％。四分之一波片11对应波长为1064nm，且两通光面镀1064nm增透膜，其透过率大于98％。第一棱镜7的棱角为45°，且通光面镀1319nm增透膜，其透过率大于98％；第二棱镜12的棱角为45°，且通光面镀1319nm&1064nm激光的增透膜，其中1319nm和1064nm的透过率均大于98％。第一45°反射镜8靠近电光调Q晶体9的一侧镀1064nm高反射率膜，其反射率大于99％；第二45°反射镜10靠近电光调Q晶体9的一侧镀1319nm高反射率膜，其反射率大于99％。第一泵浦源1和第二泵浦源19均为808nm激光二极管组成的条形阵列。中央控制系统23主要控制第一激光电源24、第二激光电源20以及调Q模块驱动系统22的触发与延时。施加在第一激光电源24、第二激光电源20以及调Q模块驱动系统22各信号的时序如图4所示。其中，V1为激励第一泵浦源1的波形，V2为激励第二泵浦源19的波形，VQ为施加在电光调Q晶体9上的电压波形。对于图2中所示的结构方案而言，退压时将产生波长λ2调Q激光输出，加压时则产生波长λ1调Q激光输出。从整个时间序列上来看，则产生如图5所示的基于腔倒空技术的双波长交替调Q输出脉冲激光器的脉冲序列。
根据本发明的另一方面，还提出一种基于腔倒空技术获得双波长交替调Q窄脉冲输出激光的方法，如图3所示，所述方法包括以下步骤S301-S304：
在步骤S301中，通过中央控制系统23控制第一泵浦源1和第二泵浦源19的时序，使其在泵浦增益介质的每一个周期内，分别对于第一激光增益介质5和第二激光增益介质15进行交替脉冲泵浦，同时，对电光调Q晶体9施加方波电压；
在步骤S302中，对电光调Q晶体9施加四分之一波长电压，在这个过程中，第二泵浦源19对第二激光增益介质15进行泵浦，由于第二波长λ2激光经过第二起偏器14变成线偏振光，在四分之一波片11和外加电场的作用下，往返两次经过电光调Q晶体9后，产生2π相位差，偏振光的偏振方向不发生改变，经过第二起偏器14完全透射过去，腔内光子数不断积累，从而第二激光增益介质15所在的第二谐振腔处于储能状态；此时，第一泵浦源1处于间歇状态。当第二谐振腔的光子数达到最大时，施加在电光调Q晶体9上的电压降为零，将所有的光能从腔内迅速倒出腔外，输出第二波长λ2脉冲；
在步骤S303中，第一泵浦源1对第一激光增益介质5进行泵浦，第二泵浦源19处于间歇状态，而施加在电光调Q晶体9上的电压为零。第一波长λ1激光在第一谐振腔中往返经过电光调Q晶体9的偏振光的偏振方向不发生改变，经过第一起偏器6完全透射过去，腔内光子数不断积累，从而使得第一谐振腔处于储能状态。当第一激光增益介质5所在第一谐振腔光子数达到最大时，对电光调Q晶体9施加四分之一波长电压，在外加电场的作用下，第一波长谐振腔内偏振光两次经过电光调Q晶体9后，其偏振方向与第一起偏器6的偏振方向垂直，将所有的光能从腔内迅速倒出腔外，最终输出第一波长λ1脉冲激光输出；
在步骤S304中，周期性重复所述步骤S302和步骤S303，得到基于腔倒空技术的双波长激光器交替调Q窄脉冲输出激光。
基于上述技术方案可见，使得在对电光Q开关施加一次方波驱动信号的情况下，就能获得基于腔倒空技术的双波长脉冲激光交替输出，即超高重频窄脉冲双波长交替输出。另外，由于采用了双激光增益介质交替泵浦的方式，即当其中一个激光增益介质工作时另一个激光增益介质处于间歇散热状态，因此单个增益介质的热负担并没有加重，还可以继续维持原来的输出水平，从而使突破了脉冲激光的重复频率和单脉冲能量相互制约关系，进而为高功率、高重频激光的获得提供一种有效途径。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种双波长交替调Q窄脉冲激光器，其特征在于，所述激光器包括：第一泵浦源(1)、第一光纤(2)、第一耦合透镜组(3)、第一激光全反射镜(4)、第一激光增益介质(5)、第一起偏器(6)、第一棱镜(7)、第一45°反射镜(8)、电光调Q晶体(9)、第二45°反射镜(10)、四分之一波片(11)、第二棱镜(12)、激光腔前腔镜(13)、第二起偏器(14)、第二激光增益介质(15)、第二激光全反射镜(16)、第二耦合透镜组(17)、第二光纤(18)和第二泵浦源(19)，其中：
所述第一激光增益介质(5)与第二激光增益介质(15)平行放置，且与激光输出方向垂直；
所述第一耦合透镜组(3)置于所述第一泵浦源(1)的后方，用于将所述第一泵浦源(1)发出的光以布儒斯特角耦合进第一激光增益介质(5)中；
所述第二耦合透镜组(17)置于所述第二泵浦源(19)的后方，用于将所述第二泵浦源(19)发出的光以布儒斯特角耦合进第二激光增益介质(15)中；
所述第一激光全反射镜(4)和所述第一激光增益介质(5)依次置于所述第一耦合透镜组(3)远离所述第一泵浦源(1)的一侧；
所述第二激光全反射镜(16)和所述第二激光增益介质(15)依次置于所述第二耦合透镜组(17)远离所述第二泵浦源(19)的一侧。
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：
所述第一泵浦源(1)和第一耦合透镜组(3)通过所述第一光纤(2)连接；
所述第二泵浦源(19)和第二耦合透镜组(17)通过所述第二光纤(18)连接。
3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：
所述第一起偏器(6)和第一45°反射镜(8)依次置于第一激光增益介质(5)远离第一激光全反射镜(4)的后方，且所述第一起偏器(6)与第一45°反射镜(8)平行放置；
所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)依次置于第二激光增益介质(15)远离第二激光全反射镜(16)的后方，且所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)垂直放置；
所述第一45°反射镜(8)与第二45°反射镜(10)同轴放置。
4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：
所述四分之一波片(11)置于所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)之间，并垂直于所述第二45°反射镜(10)放置；
所述电光调Q晶体(9)置于第一45°反射镜(8)和第二45°反射镜(10)之间，且垂直于激光输出方向放置。
5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：
所述第一棱镜(7)置于第一45°反射镜(8)远离所述电光调Q晶体(9)的一侧，且垂直于激光输出方向放置；
所述第二棱镜(12)、激光腔前腔镜(13)依次置于第二45°反射镜(10)远离所述电光调Q晶体(9)的另一侧，且垂直于激光输出方向放置。
6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一激光全反射镜(4)、第一激光增益介质(5)、第一起偏器(6)、第一棱镜(7)、第一45°反射镜(8)、电光调Q晶体(9)、第二45°反射镜(10)、第二棱镜(12)和激光腔前腔镜(13)构成第一路激光谐振腔；
所述第二激光全反射镜(16)、第二激光增益介质(15)、第二起偏器(14)、四分之一波片(11)、第二45°反射镜(10)、电光调Q晶体(9)、第一45°反射镜(8)、第二棱镜(12)和激光腔前腔镜(13)构成第二路激光谐振腔。
7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：
所述第一泵浦源(1)和第二泵浦源(19)均为半导体泵浦源；
所述第一激光增益介质(5)和所述第二激光增益介质(15)均为板条介质；
所述第一棱镜(7)和第二棱镜(12)均为菱形棱镜。
8.根据权利要求1所述的激光器，所述激光器还包括第一激光电源(24)和第二激光电源(20)，其中：
所述第一激光电源(24)与所述第一泵浦源(1)连接，用于为所述第一泵浦源(1)提供电源；
所述第二激光电源(20)与所述第二泵浦源(19)连接，用于为所述第二泵浦源(19)提供电源。
9.根据权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括调Q模块驱动系统(22)和中央控制系统(23)，其中：
所述调Q模块驱动系统(22)与电光调Q晶体(9)和调Q模块(21)连接，用于向所述电光调Q晶体(9)施加调Q方波驱动信号；
所述中央控制系统(23)置于所述第一激光电源(24)和第二激光电源(20)的前方，与所述第一激光电源(24)、第二激光电源(20)和调Q模块驱动系统(22)连接，用于统一控制所述第一激光电源(24)、第二激光电源(20)和调Q模块驱动系统(22)。
10.一种双波长交替调Q窄脉冲激光输出方法，应用于如权利要求1-9任一项所述的激光器中，其特征在于，所述方法包括：
通过中央控制系统(23)控制第一泵浦源(1)和第二泵浦源(19)的时序，使其在泵浦增益介质的每一个周期内，分别对第一激光增益介质(5)和第二激光增益介质(15)进行交替脉冲泵浦；
对电光调Q晶体(9)施加四分之一波长电压，第二泵浦源(19)对第二激光增益介质(15)进行泵浦，第一泵浦源(1)处于间歇状态，第二谐振腔处于储能状态，当第二谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体(9)退去四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第二波长λ2脉冲激光；
第一泵浦源(1)对第一激光增益介质(5)进行泵浦，第一谐振腔处于储能状态，第二泵浦源(19)处于间歇状态，当第一谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体(9)施加四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第一波长λ1脉冲激光；
周期性重复电光调Q晶体(9)加压和退压，得到基于腔倒空技术的双波长交替调Q窄脉冲激光输出。
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