CN110906810A - 基于arm的三轴高g值传感器测试装置及测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，它包括三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块，三轴信号调理模块用于将三轴高G值传感器输出的加速度信号调理放大，ARM单片机控制模块用于将调理放大后的加速度信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储。本发明可实时识别、记录弹体侵彻硬目标过程X、Y、Z三方向加速度数据，能精准的、全面的判别战斗部倾彻目标状态，目标识别可靠性高，为后续精确炸点识别、战斗部姿态识别奠定了基础。

Description

基于ARM的三轴高G值传感器测试装置及测试方法

技术领域

本发明涉及传感器测试技术领域，具体涉及一种基于ARM的三轴高G值传感器测试装置及测试方法。

背景技术

基于ARM的三轴高G值传感器测试装置主要用于感知、识别、记录存储战斗部侵彻目标各个历程的X、Y、Z三方向过载数据。测试装置中的三轴高G值传感器为环境信息敏感元件，可感知、识别战斗部在碰撞、侵入、穿透不同构造和形态的硬目标过程中的X、Y、Z三方向过载信号，并实时记录存储到过载数据存储模块中。

目前战斗部侵彻硬目标的过载识别系统为单轴过载系统，其只能识别战斗部侵彻硬目标轴向方向的过载，侵彻过载数据不全，在战斗部侵彻硬目标过程中，存在目标误识别的可能。基于ARM的三轴高G值传感器测试装置可识别战斗部侵彻硬目标三方向过载数据，能更精准的判别战斗部侵彻硬目标状态，目标识别可靠性得以提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于ARM的三轴高G值传感器测试装置及测试方法，本发明可实时识别、记录弹体侵彻硬目标过程X、Y、Z三方向加速度数据，能精准的、全面的判别战斗部倾彻目标状态，目标识别可靠性高，为后续精确炸点识别、战斗部姿态识别奠定了基础。

为解决上述技术问题，本发明公开的一种基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，它包括三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块，三轴信号调理模块用于将三轴高G值传感器感知到X、Y、Z三方向加速度信号调理放大；ARM单片机控制模块用于将调理放大后的X、Y、Z三方向加速度信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储；加速度数据存储模块用于存储经ARM单片机控制模块处理后的三方向加速度信号。

一种利用上述装置的测试方法，它包括如下步骤：

步骤1：根据侵彻环境装订低功耗时间，并复位加速度数据存储模块；

步骤2：测试装置上电，ARM单片机D1进入低功耗延时；

步骤3：在ARM单片机低功耗延时期间内，将测试装置安装在战斗部中；

步骤4：低功耗延时时间到，战斗部点火发射，利用战斗部撞击靶标的后座力，闭合测试装置中的机械惯性开关GB；

步骤5：机械惯性开关GB闭合后，测试装置中的三轴高G值传感器S1感受战斗部侵彻过程中的X、Y、Z三方向加速度，并以电压信号形式将加速度信号传递给三轴信号调理模块，然后ARM单片机控制模块将调理放大后的三方向电压信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储，直至存储器存满为止，存储时间可覆盖战斗部接触、侵彻、穿透、钻出目标一系列历程；

步骤6：试验结束后，上位机通过串口读取加速度数据存储模块中存储数据，然后在上位机将读取信号解析还原成战斗部侵彻加速度数据。

本发明可实时感知、识别、记录存储战斗部接触、侵彻、穿透、钻出目标一系列历程中X、Y、Z三方向侵彻过载数据，通过感知、识别X、Y、Z三方向侵彻过载变化可判别战斗部出、入靶标具体状态，目标识别性强，适用于识别多层建筑物空穴类目标。

附图说明

图1为本发明的电路示意图；

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明：

本发明的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，如图1所示，它包括三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块，三轴信号调理模块用于将三轴高G值传感器感知到X、Y、Z(空间坐标系三个轴，X是弹体的轴向，Y、Z均为弹体的径向，且相互成90度)三方向加速度信号调理放大；ARM单片机控制模块用于将调理放大后的X、Y、Z三方向加速度信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储；加速度数据存储模块用于存储经ARM单片机控制模块处理后的三方向加速度信号。

上述技术方案中，所述三轴信号调理模块包括三轴高G值传感器S1、仪表放大器N1、仪表放大器N2和仪表放大器N3，所述三轴高G值传感器为电桥式传感器，其含有X、Y、Z三路输出(与X、Y、Z三方向对应)，三轴高G值传感器S1的X路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N1的同相输入端IN+和反相输入端IN-(三轴高G值传感器S1的X路有2个输出端X+、X-，X+端连接仪表放大器N1的同相输入端IN+，X-端连接仪表放大器N1反相输入端IN-，)，仪表放大器N1的增益控制端的正负接口之间连接增益电阻R1，仪表放大器N1的参考电压端REF连接第一组分压电阻R2和R3的公共端，电阻R2的另一端接地，电阻R3的另一端接入电源(3.3V)，电阻R4连接在仪表放大器N1的输出端OUT与ARM单片机D1的模拟信号输入端PC0之间；

三轴高G值传感器S1的Y路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N2的同相输入端IN+和反相输入端IN-(三轴高G值传感器S1的Y路有2个输出端Y+、Y-，Y+端连接仪表放大器N2的同相输入端IN+，Y-端连接仪表放大器N2反相输入端IN-)，仪表放大器N2的增益控制端的正负接口(RG+和RG-)之间连接增益电阻R5，仪表放大器N2的参考电压端REF连接第二组分压电阻R6和R7的公共端，电阻R6的另一端接地，电阻R7的另一端接入电源，电阻R8连接在仪表放大器N2的输出端OUT和ARM单片机D1的模拟信号输入端PC1之间；

三轴高G值传感器S1的Z路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N3的同相输入端IN+和反相输入端IN-(三轴高G值传感器S1的Y路有2个输出端Y+、Y-，Y+端连接仪表放大器N2的同相输入端IN+，Y-端连接仪表放大器N2反相输入端IN-)，仪表放大器N3的增益控制端的正负接口(RG+和RG-)之间连接增益电阻R9，仪表放大器N3的参考电压端REF连接第三组分压电阻R10和R11的公共端，电阻R10的另一端接地，电阻R11的另一端连接电源，电阻R12连接在仪表放大器N3的输出端OUT和ARM单片机D1的模拟信号输入端PC2之间。

上述技术方案中，所述三轴信号调理模块X路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的X方向加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的X路输出端输入到仪表放大器N1中，仪表放大器N1通过同反向输入端将接收到X路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大(放大倍数1+100/R1)，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高(抬高零位电压3.3R2/(R2+R3))，最后通过仪表放大器N1的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理(AD转换处理)；

所述三轴信号调理模块Y路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的Y方向加速度加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的Y路输出端输入到仪表放大器N2中，仪表放大器N2通过同反向输入端将接收到Y路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大(放大倍数1+100/R5)，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高(抬高零位电压3.3R6/(R6+R7))，最后通过仪表放大器N2的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理(AD转换处理)；

所述三轴信号调理模块Z路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的Z方向加速度加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的Z路输出端输入到仪表放大器N3中，仪表放大器N3通过同反向输入端将接收到Z路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大(放大倍数1+100/R9)，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高(抬高零位电压3.3R10/(R10+R11))，最后通过仪表放大器N3的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理(AD转换处理)。

上述技术方案中，所述ARM单片机控制模块包括单片机D1、上拉电阻R13和机械惯性开关GB，所述ARM单片机D1的中断触发端PB1连接上拉电阻R13的一端，上拉电阻R13的另一端连接电源，ARM单片机D1的供电端VDD连接电源，ARM单片机D1的触发端PB1与参考地GND之间连接机械惯性开关GB，单片机D1的数据发送端PA9连接引信发送接口TXD，单片机D1的数据接收端PA10连接引信接收接口RXD，引信发送接口TXD用于连接上位机的引信接收端，引信接收接口RXD用于连接上位机的引信输出端。

上述技术方案中，所述ARM单片机控制模块的工作流程为：ARM单片机D1上电后，ARM单片机D1进入低功耗模式，低功耗结束后，等待机械惯性开关GB闭合，机械惯性开关GB闭合后，ARM单片机D1产生中断响应，ARM单片机D1开始接收三轴信号调理模块传递过来的三路调理放大后的电压信号，并将接收到的三路电压信号进行模数转换，然后通过SPI通信功能将按顺序排好的经模数转换的三路电压信号存储到加速度数据存储模块中，此外，上位机可以通过串口(TXD、RXD)向ARM单片机发送Flash擦除指令、复位指令、低功耗指令，上位机也可以通过串口(TXD、RXD)接收从加速度数据存储模块传递到ARM单片机D1中的存储数据，其中Flash擦除指令作用是擦除ARM单片机D1中Flash数据存储区域内存储的低功耗数据；复位指令作用是擦除加速度数据存储模块中的数据；低功耗指令作用是节省电能源消耗，低功耗时间根据侵彻环境实时装订，低功耗指令存储在Flash数据存储区域内。

上述技术方案中，所述加速度数据存储模块包括数据存储器D2、滤波电容C4，数据存储器D2的片选端S连接到单片机D1的SPI通信的使能端PB12，数据存储器D2的SPI时钟端C连接到单片机D1的时钟信号通信端PB13，数据存储器D2的SPI信号输入端Q连接到单片机D1的SPI信号输出端PB15，数据存储器D2的SPI信号输出端D连接到单片机D1的SPI信号输入端PB14，数据存储器D2的供电端VDD与接地端VSS端之间连接滤波电容C4，数据存储器D2的写保护控制端W和SPI通信挂起控制端HOLD连接电源，数据存储器D2的供电端VDD也连接电源。

上述技术方案中，所述加速度数据存储模块工作流程为：通过SPI通信端口，数据存储器D2接收ARM单片机传递过来的经模数转换的三路电压信号，并实时的按X轴、Y轴、X轴、Z轴的顺序存储到数据存储器D2的固态存储空间中，此外，当数据存储器D2接收到上位机发送过来的回读指令时，数据存储器D2通过SPI通信端口将存储的数据传递给ARM单片机，然后再传递给上位机。

上述技术方案中，它还包括贮能电源，贮能电源分别为三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块供电。

上述技术方案中，所述贮能电源包括电池组E1、限流电阻R14、隔离二极管V1、隔离二极管V2、稳压器N4、贮能电容C1、输入滤波电容C2和输出滤波电容C3，所述电池组E1正极连接限流电阻R14的一端，限流电阻R14的另一端连接隔离二极管V1的正极，隔离二极管V1的负极连接稳压器N4的输入端，限流电阻R14和隔离二极管V1正极公共端与电池组E1负极之间串联贮能电容C1，稳压器N4输入端与电池组E1负极之间连接输入滤波电容C2，稳压器N4输出端与电池组E1负极之间连接输出滤波电容C3，隔离二极管V2正极连接电池组E1正极，隔离二极管V2阴极连接稳压器N4输入端，稳压器N4输出端为所述电源，为三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块供电。

上述技术方案中，三轴高G值传感器中X路为主轴；Y、Z路为辅轴，采样频率为X轴的一半，且三轴高G值传感器的主轴方向可根据实际情况调换，主轴采样频率是辅轴的2倍。

一种利用上述装置的测试方法，它包括如下步骤：

步骤1：根据侵彻环境装订低功耗时间，并复位加速度数据存储模块；

步骤2：测试装置上电，ARM单片机D1进入低功耗延时；

步骤3：在ARM单片机低功耗延时期间内，将测试装置安装在战斗部中；

步骤4：低功耗延时时间到，战斗部点火发射，利用战斗部撞击靶标的后座力，闭合测试装置中的机械惯性开关GB；

步骤5：机械惯性开关GB闭合后，测试装置中的三轴高G值传感器S1感受战斗部侵彻过程中的X、Y、Z三方向加速度，并以电压信号形式将加速度信号传递给三轴信号调理模块，然后ARM单片机控制模块将调理放大后的三方向电压信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储，直至存储器存满为止，存储时间可覆盖战斗部接触、侵彻、穿透、钻出目标一系列历程；

步骤6：试验结束后，上位机通过串口(TXD、RXD)读取加速度数据存储模块中存储数据，然后在上位机将读取信号解析还原成战斗部侵彻加速度数据。

本实施例包括的贮能电容C1为100μF，输入滤波电容C2为1μF，输出滤波电容C3为10μF，铁电存储器滤波电容C4为1μF；X路调理电路中：增益电阻R1为5.1kΩ，分压电阻中，R2为1kΩ～10kΩ、R3为1kΩ～10kΩ，由传感器具体失调电压确定，输出电阻R4为1kΩ；Y路调理电路中：增益电阻R5为5.1kΩ，分压电阻中，R6为120Ω～10kΩ、R7为120Ω～10kΩ，由传感器具体失调电压确定，输出电阻R8为1kΩ；Z路调理电路中：增益电阻R9为5.1kΩ，分压电阻中，R10为1kΩ～10kΩ、R11为1kΩ～10kΩ，由传感器具体失调电压确定，输出电阻R12为1kΩ；上拉电阻13为10kΩ，ARM单片机D1为HWD32F103，仪表放大器N1为AD623，仪表放大器N2为AD623，仪表放大器N3为AD623，稳压器N4为LT1763-3.3，隔离二极管V1为BAS16H，隔离二极管V2为BAS16H，12V电池组E1为12V串联锂锰电池，三轴高G值传感器S1为量程10万g，机械惯性开关GB为闭合阈值100g。

电路中，各电阻、电容、二极管以及运算放大器和单片机采用表面贴装元器件，经过环氧灌封胶整体加固后，在高加速度环境下电路的工作可靠性高。

本说明书未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (10)

1.一种基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：它包括三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块，三轴信号调理模块用于将三轴高G值传感器感知到X、Y、Z三方向加速度信号调理放大；ARM单片机控制模块用于将调理放大后的X、Y、Z三方向加速度信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储；加速度数据存储模块用于存储经ARM单片机控制模块处理后的三方向加速度信号。

2.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述三轴信号调理模块包括三轴高G值传感器S1、仪表放大器N1、仪表放大器N2和仪表放大器N3，所述三轴高G值传感器为电桥式传感器，其含有X、Y、Z三路输出，三轴高G值传感器S1的X路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N1的同相输入端IN+和反相输入端IN-，仪表放大器N1的增益控制端的正负接口之间连接增益电阻R1，仪表放大器N1的参考电压端REF连接第一组分压电阻R2和R3的公共端，电阻R2的另一端接地，电阻R3的另一端接入电源，电阻R4连接在仪表放大器N1的输出端OUT与ARM单片机D1的模拟信号输入端PC0之间；

三轴高G值传感器S1的Y路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N2的同相输入端IN+和反相输入端IN-，仪表放大器N2的增益控制端的正负接口之间连接增益电阻R5，仪表放大器N2的参考电压端REF连接第二组分压电阻R6和R7的公共端，电阻R6的另一端接地，电阻R7的另一端接入电源，电阻R8连接在仪表放大器N2的输出端OUT和ARM单片机D1的模拟信号输入端PC1之间；

三轴高G值传感器S1的Z路的正负2个输出端分别连接仪表放大器N3的同相输入端IN+和反相输入端IN-，仪表放大器N3的增益控制端的正负接口之间连接增益电阻R9，仪表放大器N3的参考电压端REF连接第三组分压电阻R10和R11的公共端，电阻R10的另一端接地，电阻R11的另一端连接电源，电阻R12连接在仪表放大器N3的输出端OUT和ARM单片机D1的模拟信号输入端PC2之间。

3.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述三轴信号调理模块X路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的X方向加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的X路输出端输入到仪表放大器N1中，仪表放大器N1通过同反向输入端将接收到X路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高，最后通过仪表放大器N1的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理；

所述三轴信号调理模块Y路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的Y方向加速度加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的Y路输出端输入到仪表放大器N2中，仪表放大器N2通过同反向输入端将接收到Y路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高，最后通过仪表放大器N2的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理；

所述三轴信号调理模块Z路工作流程为：三轴高G值传感器S1将感知到的战斗部侵彻目标过程中产生的Z方向加速度加速度信号，以电压信号形式从三轴高G值传感器S1的Z路输出端输入到仪表放大器N3中，仪表放大器N3通过同反向输入端将接收到Z路输入的电压信号进行差分运算，再通过增益端将差分电压信号进行调理放大，再通过参考电压端REF将差分放大后的电压信号进行零位抬高，最后通过仪表放大器N3的输出端OUT将进行零位抬高后的差分放大后的电压信号输入ARM单片机控制模块中进行处理。

4.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述ARM单片机控制模块包括单片机D1、上拉电阻R13和机械惯性开关GB，所述ARM单片机D1的中断触发端PB1连接上拉电阻R13的一端，上拉电阻R13的另一端连接电源，ARM单片机D1的供电端VDD连接电源，ARM单片机D1的触发端PB1与参考地GND之间连接机械惯性开关GB，单片机D1的数据发送端PA9连接引信发送接口TXD，单片机D1的数据接收端PA10连接引信接收接口RXD，引信发送接口TXD用于连接上位机的引信接收端，引信接收接口RXD用于连接上位机的引信输出端。

5.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述ARM单片机控制模块的工作流程为：ARM单片机D1上电后，ARM单片机D1进入低功耗模式，低功耗结束后，等待机械惯性开关GB闭合，机械惯性开关GB闭合后，ARM单片机D1产生中断响应，ARM单片机D1开始接收三轴信号调理模块传递过来的三路调理放大后的电压信号，并将接收到的三路电压信号进行模数转换，然后通过SPI通信功能将按顺序排好的经模数转换的三路电压信号存储到加速度数据存储模块中，此外，上位机通过串口向ARM单片机发送Flash擦除指令、复位指令、低功耗指令，上位机通过串口接收从加速度数据存储模块传递到ARM单片机D1中的存储数据，其中Flash擦除指令作用是擦除ARM单片机D1中Flash数据存储区域内存储的低功耗数据；复位指令作用是擦除加速度数据存储模块中的数据；低功耗指令作用是节省电能源消耗，低功耗时间根据侵彻环境实时装订，低功耗指令存储在Flash数据存储区域内。

6.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述加速度数据存储模块包括数据存储器D2、滤波电容C4，数据存储器D2的片选端S连接到单片机D1的SPI通信的使能端PB12，数据存储器D2的SPI时钟端C连接到单片机D1的时钟信号通信端PB13，数据存储器D2的SPI信号输入端Q连接到单片机D1的SPI信号输出端PB15，数据存储器D2的SPI信号输出端D连接到单片机D1的SPI信号输入端PB14，数据存储器D2的供电端VDD与接地端VSS端之间连接滤波电容C4，数据存储器D2的写保护控制端W和SPI通信挂起控制端HOLD连接电源，数据存储器D2的供电端VDD也连接电源。

7.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述加速度数据存储模块工作流程为：通过SPI通信端口，数据存储器D2接收ARM单片机传递过来的经模数转换的三路电压信号，并实时的按X轴、Y轴、X轴、Z轴的顺序存储到数据存储器D2的固态存储空间中，此外，当数据存储器D2接收到上位机发送过来的回读指令时，数据存储器D2通过SPI通信端口将存储的数据传递给ARM单片机，然后再传递给上位机。

8.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：它还包括贮能电源，贮能电源分别为三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块供电。

9.根据权利要求1所述的基于ARM的三轴高G值传感器测试装置，其特征在于：所述贮能电源包括电池组E1、限流电阻R14、隔离二极管V1、隔离二极管V2、稳压器N4、贮能电容C1、输入滤波电容C2和输出滤波电容C3，所述电池组E1正极连接限流电阻R14的一端，限流电阻R14的另一端连接隔离二极管V1的正极，隔离二极管V1的负极连接稳压器N4的输入端，限流电阻R14和隔离二极管V1正极公共端与电池组E1负极之间串联贮能电容C1，稳压器N4输入端与电池组E1负极之间连接输入滤波电容C2，稳压器N4输出端与电池组E1负极之间连接输出滤波电容C3，隔离二极管V2正极连接电池组E1正极，隔离二极管V2阴极连接稳压器N4输入端，稳压器N4输出端为所述电源，为三轴信号调理模块、ARM单片机控制模块、加速度数据存储模块供电；

三轴高G值传感器中X路为主轴；Y、Z路为辅轴，采样频率为X轴的一半，且三轴高G值传感器的主轴方向可根据实际情况调换，主轴采样频率是辅轴的2倍。

10.一种利用权利要求1所述装置的测试方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：根据侵彻环境装订低功耗时间，并复位加速度数据存储模块；

步骤2：测试装置上电，ARM单片机D1进入低功耗延时；

步骤3：在ARM单片机低功耗延时期间内，将测试装置安装在战斗部中；

步骤4：低功耗延时时间到，战斗部点火发射，利用战斗部撞击靶标的后座力，闭合测试装置中的机械惯性开关GB；

步骤5：机械惯性开关GB闭合后，测试装置中的三轴高G值传感器S1感受战斗部侵彻过程中的X、Y、Z三方向加速度，并以电压信号形式将加速度信号传递给三轴信号调理模块，然后ARM单片机控制模块将调理放大后的三方向电压信号进行模数转换后传递到加速度数据存储模块进行存储，直至存储器存满为止，存储时间可覆盖战斗部接触、侵彻、穿透、钻出目标一系列历程；

步骤6：试验结束后，上位机通过串口读取加速度数据存储模块中存储数据，然后在上位机将读取信号解析还原成战斗部侵彻加速度数据。

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