CN110849843A - 基于级联u型波导嵌套微环的硅基折射率传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，自下而上依次由层叠的硅衬底层、二氧化硅下包层、单晶硅芯层、二氧化硅上包层构成，所述的单晶硅芯层中的第一直波导的输出与第一U型波导的输入相连，第一U型波导的输出与第二直波导的输入相连，第二直波导的输出与第二U型波导的输入相连，第二U型波导的输出与第三直波导的输入相连；第一微环谐振腔位于第一U型波导内侧的第一直波导与第二直波导之间，第二微环谐振腔位于第二U型波导内侧的第二直波导与第三直波导之间。与同尺寸级联微环型传感器相比，所述结构能够在提高传感灵敏度的基础上，将传感检测范围提高一倍。具有灵敏度高，传感范围大，利于片上集成等优点。

Description

基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器
技术领域
本发明涉及对气体分子、生物分子等特定的化学或生物物质的传感检测技术，属于光传感及光集成技术领域。
背景技术
光学传感主要分为标记型传感与免标记型传感两种类型。标记型传感器在对待测物质进行检测前需要一定处理来对其进行标记，例如加入特定荧光物质或放射性同位素等，然后通过检测标记物以得到被标记的待测物质的相应信息，但是该方法存在测试步骤复杂、设备昂贵等缺点，并且还会存在对待测物造成破坏的风险，而免标记型传感器可以省去标记待测物等繁琐步骤，在各行业中受到越来越多的关注与需求。例如光纤传感器作为一种免标记型传感器，结构简单，现有的制作工艺成熟，检测步骤简单，并且具有耐高温高压、抗电磁干扰能力强的高环境适应性。但是光纤型传感器的尺寸较大，不利于传感器件的小型集成化，随着科技的发展，集成光学的兴起使得小型化高灵敏度免标记传感器成为现实。
集成光学是光通信、光传感领域的重要发展方向，而硅是最有可能实现大规模集成的材料，所以硅基光学器件在集成光学中具有十分重要的地位。基于SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)的光学生化传感器就是一种无标记型光学生化传感器，同时也是光传感领域的研究热点。现有的硅基光学生化传感器，大多采用了倏逝波探测原理，倏逝波是指由于全反射而在两种不同介质的分界面上产生的一种电磁波，其幅值随与分界面相垂直的深度的增大而呈指数形式衰减。其原理在于待测样本中生物化学物质会引起光学生化传感器中光波传输性质的改变，会表现为光学生化传感器的有效折射率的变化，从而实现待测样本中的生物化学物质浓度的变化信息转换为输出光信号的变化。目前已用于光传感的平面波导结构有马赫曾德尔型、光栅型、法布里-珀罗腔、环形腔、表面等离子体共振等结构。其中，对基于微环谐振腔结构的光学生化传感器而言，谐振效应的引入可使光信号在谐振腔内不断谐振和放大，因此等效于光学生化传感器传感长度的增加，更能引起光信号相位或强度的变化，进而实现在小尺寸光学生化传感器上达到较好的传感性能，且小尺寸的光学生化传感器也便于整个传感系统的微型化，有效降低系统成本。
基于单微环谐振腔的传感器传感灵敏度受限于微环谐振腔本身的结构特性，虽然可以通过在环型波导上周期性挖孔以增大待测物对倏逝场的影响，从而提高器件的传感灵敏度，但会引起光场损耗增大的问题；目前较多的是通过级联两个微环谐振腔，利用其产生的游标效应来提高灵敏度，但该级联结构的传感范围并不能得到提高。本发明提出的传感器结构与现有的同尺寸级联微环型结构相比，实现了在达到相同的高传感灵敏度条件下，将传感范围扩大一倍的效果。
发明内容
技术问题：本发明为解决无标记型光学传感中对某些需要高灵敏度检测物质的传感检测问题，提供了一种基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，能够在大幅提高传感灵敏度的基础上，比现有同尺寸的级联微环型传感器的传感范围提高一倍。
技术方案：为了达到上述目的，本发明的一种基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，该传感器自下而上依次由层叠的硅衬底层、二氧化硅下包层、单晶硅芯层、二氧化硅上包层构成，其特征在于，所述的单晶硅芯层包含第一直波导、第一微环谐振腔，第一U 型波导、第二直波导，第二微环谐振腔，第二U型波导，第三直波导；第一直波导的输出与第一U型波导的输入相连，第一U型波导的输出与第二直波导的输入相连，第二直波导的输出与第二U型波导的输入相连，第二U型波导的输出与第三直波导的输入相连；第一微环谐振腔位于第一U型波导内侧的第一直波导与第二直波导之间，第二微环谐振腔位于第二U型波导内侧的第二直波导与第三直波导之间。
第一U型波导的长度等于第一微环谐振腔的周长，第二U型波导长度等于第二微环谐振腔的周长。
第一微环谐振腔与第二微环谐振腔具有较小差异的自由光谱范围，两者差值小于第二微环谐振腔谐振峰的半高全宽。
第一微环谐振腔与第一直波导、第二直波导之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内，第二微环谐振腔与第二直波导、第三直波导之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内。
第一微环谐振腔与第一直波导、第二直波导之间的耦合系数k和第二微环谐振腔与第二直波导、第三直波导之间的耦合系数k相同。
第一微环谐振腔、第一U型波导所在区域的上包层为二氧化硅层，第二微环谐振腔、第二U型波导所在传感区的上包层为待测样本。
所有波导的宽度均为300-500nm。
所有波导的厚度均为200-300nm。
有益效果：基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，以SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)材料为基体，可以利用成熟的微电子CMOS加工工艺，使得该折射率传感器易于大规模批量生产，有利于降低成本。与相同尺寸的级联微环型传感器相比，能够在大幅提高传感灵敏度的基础上，将传感检测范围提高一倍。并且本折射率传感器既可用于液体样本的传感检测，也可用于气体分子的传感检测。因此，本发明具有制作工艺标准化、价格低、体积小、便于集成化、传感性能优良及适用范围广等特点。
附图说明
图1为本发明实施例的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器的结构示意图。
图2为本发明实施例的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器的横截面a的横截面视图。
图3为本发明实施例的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器的横截面b的横截面视图。
图4为传感区待测液体为去离子水(n＝1.333RIU)以及待测液体折射率变为1.3362RIU时传感器的输出谱线对比。
图5为本发明的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器构成的传感系统结构示意图。
附图标记说明：第一直波导1，第一微环谐振腔2，第一U型波导3，第二直波导4，第二微环谐振腔5，第二U型波导6，第三直波导7，传感区8，硅衬底层11，二氧化硅下包层 12，单晶硅芯层13，待测样本容纳层14，二氧化硅上包层15。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图对本发明作进一步的详细说明。
图1为本发明的基于U型波导嵌套微环的折射率传感器的结构示意图，自下而上依次由层叠的硅衬底层11、二氧化硅下包层12、单晶硅芯层13、二氧化硅上包层15构成，其特征在于，所述的单晶硅芯层13包含第一直波导1、第一微环谐振腔2，第一U型波导3、第二直波导4，第二微环谐振腔5，第二U型波导6，第三直波导7。第一直波导1的输出与第一 U型波导3的输入相连，第一U型波导3的输出与第二直波导4的输入相连，第二直波导4 的输出与第二U型波导6的输入相连，第二U型波导6的输出与第三直波导7的输入相连，其中，第一直波导1、第二直波导4、第三直波导7相互平行，第一微环谐振腔2置于第一直波导1与第二直波导4之间，第二微环谐振腔5置于第二直波导4与第三直波导7之间。特别的，第一U型波导3长度等于第一微环谐振腔2的周长，第二U型波导长度6等于第二微环谐振腔5的周长，第一微环谐振腔2与第二微环谐振腔5具有较小差异的自由光谱范围。第一微环谐振腔2与第一直波导1、第二直波导4之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内，第二微环谐振腔5与第二直波导4、第三直波导7之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内。第一微环谐振腔2与第一直波导1、第二直波导4之间的耦合系数k和第二微环谐振腔5与第二直波导4、第三直波导7之间的耦合系数k相等，在本实例中耦合系数均取0.4。第一微环谐振腔 2、第一U型波导3所在区域的上包层为二氧化硅层12，第二微环谐振腔5、第二U型波导 6所在的传感区8上包层为待测样本14。所述第一微环谐振腔2的半径为300μm，第二微环谐振腔5的半径为298μm，所有波导的宽度均为450nm，所有波导的厚度均为220nm。光信号由第一直波导1输入，不满足谐振条件的光信号由第一直波导1的输出端进入第一U型波导3，经过第一U型波导3产生一个的相位变化后进入第二直波导4，与满足谐振条件经过第一微环谐振腔2进入第二直波导4的光信号进行干涉作用，相长干涉和相消干涉在谐振波长处交替出现，相长干涉使得谐振波长处的谐振滤波被抑制，而相消干涉使得谐振波长处产生明显的消光，表现在输出谱线中就是微环谐振腔的谐振峰会间隔性相消，即U型波导嵌套微环的结构的自由光谱范围相对于第一微环谐振腔2结构的自由光谱范围增加了1倍。然后光信号经过第二直波导4作为后续输入，不满足谐振条件的光信号由第二直波导4的输出端进入第二U型波导6，经过第二U型波导6产生一个的相位变化后进入第三直波导7，与满足谐振条件经过第二微环谐振腔5进入第三直波导7的光信号进行干涉作用，相长干涉和相消干涉在谐振波长处交替出现，相长干涉使得谐振波长处的谐振滤波被抑制，而相消干涉使得谐振波长处产生明显的消光，表现在输出谱线中就是微环谐振腔的谐振峰会间隔性相消，即U型波导嵌套微环的结构的自由光谱范围相对于第二微环谐振腔5结构的自由光谱范围增加了1倍。第一微环谐振腔2和第二微环谐振腔5所对应的自由光谱范围相邻谐振波长的间距)不相同，目的在于使所述的两个微环谐振腔通过第二直波导4级联时可以形成游标效应，以提高所述传感器的传感灵敏度。表现在第三直波导7的输出端口的输出谱线为：在同时满足两个微环谐振条件的波长处，因谐振峰对齐导致该波长处的输出谱线很尖锐，消光比达到最大，而两侧的谐振峰则因为两个微环的谐振峰没有对齐而分裂为两个消光较小，且间隔距离周期性变化的波峰，直到下一个谐振峰对齐的波长处再次出现消光比最大的谐振峰值。相邻的两个消光比最大的谐振峰之间的间距，即为整个传感器的自由光谱范围，是两个微环谐振腔的自由光谱范围的最小公倍数。
基于上述具体实施方式，结合生化传感这一具体应用做进一步详述：
生化传感器主要用于蛋白质等一些生物大分子的检测以及有毒、易爆气体或者病毒的检测。为了检测出某一待测样本中是否含有某些希望检测到的特定物质或者分析待测样本的物质组成，这要求传感器具有特异选择性，即对不同的物质能够表现出不同的选择性，这需要在传感器的传感区域涂覆一层生化敏感材料，使其与进入传感区域的待测样本发生亲和反应，传感区样本特性的变化导致该区域的有效折射率发生变化，从而致使传感器输出谱线的谐振波长发生偏移，通过该偏移量便可以判断出该待测样本中是否有某些特定物质。
特定溶液的浓度与溶液的折射率存在具体的对应关系，因此通过检测某一特定溶液的折射率，便可以得出该溶液的具体浓度信息。当需要检测待测溶液中某一物质的浓度时，需要一份标准溶液作为参考，首先让标准溶液流过传感区，此时的传感器输出谱线作为标准参考谱线，然后让待测溶液流过传感区，由于溶液的浓度发生了变化，传感区的有效折射率也将变化，反映在传感器的输出谱线中即为谐振波长较标准参考谱线的谐振波长发生一定的偏移，通过偏移量即可计算出待测溶液的浓度信息。图4给出了在本实施方法中将去离子水(折射率为1.333RIU)作为标准溶液，待测溶液的折射率变化为1.3362RIU时传感器输出谱线的变化情况，谐振波长偏移了35.49nm。
图5给出了一种基于本发明的一种光学生化传感系统结构示意图，包括宽谱光源、偏振控制器、传感芯片(级联U型波导嵌套微环芯片)、微流体通道、光谱分析仪。光信号从宽谱光源中发射出来，经过偏振控制器后进入微流体通道中的传感芯片输入端，传感芯片的输出光信号经过偏振控制器后进入光谱仪进行数据处理。其中待测样本通过微流体通道的注入阀门进入传感器的传感区，流经传感区后由收集阀门流出并被收集。待测样本会使得传感区的有效折射率发生变化，进而使得传感器输出谱线的谐振峰发生偏移，根据偏移量计算出具体的待测信息，从而实现传感功能。
以上所述仅为本发明的具体实施方式,本领域的技术人员将会理解,在本发明所揭露的技术范围内,可以对本发明进行各种修改、替换和改变。因此本发明不应由上述事例来限定,而应以权利要求书的保护范围来限定。

Claims (8)

1.一种基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，该传感器自下而上依次由层叠的硅衬底层(11)、二氧化硅下包层(12)、单晶硅芯层(13)、二氧化硅上包层(15)构成，所述的单晶硅芯层(13)包含第一直波导(1)、第一微环谐振腔(2)，第一U型波导(3)、第二直波导(4)，第二微环谐振腔(5)，第二U型波导(6)，第三直波导(7)；第一直波导(1)的输出与第一U型波导(3)的输入相连，第一U型波导(3)的输出与第二直波导(4)的输入相连，第二直波导(4)的输出与第二U型波导(6)的输入相连，第二U型波导(6)的输出与第三直波导(7)的输入相连；第一微环谐振腔(2)位于第一U型波导(3)内侧的第一直波导(1)与第二直波导(4)之间，第二微环谐振腔(5)位于第二U型波导(6)内侧的第二直波导(4)与第三直波导(7)之间。
2.根据权利要求1所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，第一U型波导(3)的长度等于第一微环谐振腔(2)的周长，第二U型波导长度(6)等于第二微环谐振腔(5)的周长。
3.根据权利要求1所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，第一微环谐振腔(2)与第二微环谐振腔(5)具有较小差异的自由光谱范围，两者差值小于第二微环谐振腔谐振峰的半高全宽。
4.根据权利要求1所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，第一微环谐振腔(2)与第一直波导(1)、第二直波导(4)之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内，第二微环谐振腔(5)与第二直波导(4)、第三直波导(7)之间的耦合系数k在0.3～0.4范围内。
5.根据权利要求4所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，第一微环谐振腔(2)与第一直波导(1)、第二直波导(4)之间的耦合系数k和第二微环谐振腔(5)与第二直波导(4)、第三直波导(7)之间的耦合系数k相同。
6.根据权利要求1所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，第一微环谐振腔(2)、第一U型波导(3)所在区域的上包层为二氧化硅层(12)，第二微环谐振腔(5)、第二U型波导(6)所在传感区(8)的上包层为待测样本(14)。
7.根据权利要求1-6之任一项权利要求所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，所有波导的宽度均为300-500nm。
8.根据权利要求7所述的基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，其特征在于，所有波导的厚度均为200-300nm。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112729604A (zh) * 2021-01-22 2021-04-30 兰州大学 基于双环产生的fano谐振的三维传感器件
CN113267908A (zh) * 2021-05-20 2021-08-17 燕山大学 基于金刚石波导的级联双微环谐振腔滤波器
CN113514420A (zh) * 2021-04-20 2021-10-19 桂林电子科技大学 一种双u型波导结构的高灵敏度传感器

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101261222A (zh) * 2008-04-11 2008-09-10 浙江大学 一种高灵敏度微谐振腔光传感器
US20120194803A1 (en) * 2010-12-28 2012-08-02 Agency For Science, Technology And Research Optical Sensing System And A Method Of Determining A Change In An Effective Refractive Index Of A Resonator Of An Optical Sensing System
CN102636456A (zh) * 2012-03-02 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 基于光强探测的集成光波导微腔传感器
US20120298849A1 (en) * 2010-01-29 2012-11-29 Zheijang University Optical sensor based on a broadband light source and cascaded waveguide filters
CN103308476A (zh) * 2013-05-16 2013-09-18 成都谱视科技有限公司 基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片
CN103411924A (zh) * 2013-07-31 2013-11-27 电子科技大学 基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片
CN103487405A (zh) * 2013-09-23 2014-01-01 电子科技大学 一种基于螺旋跑道型干涉结构的光学生化传感器
CN104317068A (zh) * 2014-10-29 2015-01-28 中国科学院半导体研究所 中心波长及滤波带宽独立可调的集成化光滤波器
CN105675545A (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 浙江工业大学 基于自干涉型微谐振腔光传感器的高灵敏度强度探测方法
CN107710528A (zh) * 2015-06-25 2018-02-16 华为技术有限公司 快速可调谐的可变栅格激光器
CN109813681A (zh) * 2019-01-09 2019-05-28 东南大学 一种基于嵌套型微环谐振器的液体折射率传感器
CN110165554A (zh) * 2019-05-07 2019-08-23 太原理工大学 基于微环波导结构的集成混沌信号发生器
CN110274892A (zh) * 2019-06-27 2019-09-24 东南大学 一种基于跑道型微环谐振器的Fano折射率传感器

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101261222A (zh) * 2008-04-11 2008-09-10 浙江大学 一种高灵敏度微谐振腔光传感器
US20120298849A1 (en) * 2010-01-29 2012-11-29 Zheijang University Optical sensor based on a broadband light source and cascaded waveguide filters
US20120194803A1 (en) * 2010-12-28 2012-08-02 Agency For Science, Technology And Research Optical Sensing System And A Method Of Determining A Change In An Effective Refractive Index Of A Resonator Of An Optical Sensing System
CN102636456A (zh) * 2012-03-02 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 基于光强探测的集成光波导微腔传感器
CN103308476A (zh) * 2013-05-16 2013-09-18 成都谱视科技有限公司 基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片
CN103411924A (zh) * 2013-07-31 2013-11-27 电子科技大学 基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片
CN103487405A (zh) * 2013-09-23 2014-01-01 电子科技大学 一种基于螺旋跑道型干涉结构的光学生化传感器
CN104317068A (zh) * 2014-10-29 2015-01-28 中国科学院半导体研究所 中心波长及滤波带宽独立可调的集成化光滤波器
CN107710528A (zh) * 2015-06-25 2018-02-16 华为技术有限公司 快速可调谐的可变栅格激光器
CN105675545A (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 浙江工业大学 基于自干涉型微谐振腔光传感器的高灵敏度强度探测方法
CN109813681A (zh) * 2019-01-09 2019-05-28 东南大学 一种基于嵌套型微环谐振器的液体折射率传感器
CN110165554A (zh) * 2019-05-07 2019-08-23 太原理工大学 基于微环波导结构的集成混沌信号发生器
CN110274892A (zh) * 2019-06-27 2019-09-24 东南大学 一种基于跑道型微环谐振器的Fano折射率传感器

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LEI JIN ET AL.: "Highly-sensitive silicon-on-insulator sensor based on two cascaded micro-ring resonators with vernier effect", 《OPTICS COMMUNICATIONS》 *
ZHANG XIN ET AL.: "An ammonia gas sensor with two chambers based on U-bending microring resonator", 《OPTOELECTRONICS LETTERS》 *
ZHILIN XU ET AL.: "Highly sensitive refractive index sensor based on cascaded microfiber knots with Vernier effect", 《OPTICS EXPRESS》 *
廖佳枭 等: "基于游标效应的级联双环传感特性的分析", 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 *
张鑫 等: "带有Ｕ形波导的双微环级联结构的传感特性分析", 《光电子· 激光》 *
李志全 等: "自由光谱范围加倍的单微环谐振滤波器", 《光学学报》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112729604A (zh) * 2021-01-22 2021-04-30 兰州大学 基于双环产生的fano谐振的三维传感器件
CN112729604B (zh) * 2021-01-22 2023-06-27 兰州大学 基于双环产生的fano谐振的三维传感器件
CN113514420A (zh) * 2021-04-20 2021-10-19 桂林电子科技大学 一种双u型波导结构的高灵敏度传感器
CN113514420B (zh) * 2021-04-20 2022-10-04 桂林电子科技大学 一种双u型波导结构的高灵敏度传感器
CN113267908A (zh) * 2021-05-20 2021-08-17 燕山大学 基于金刚石波导的级联双微环谐振腔滤波器

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