CN110838539B - 一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法,所述外延结构包括硅衬底,依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层;所述含氮缓冲层包括AlN层、Aly1Ga1‑y1N层和GaN层,所述AlN层设置在Al层和Aly1Ga1‑y1N层之间,所述GaN层设置在Aly1Ga1‑ y1N层和剥离层之间;所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成。本发明的剥离层不仅可以减少后续形成GaN的缺陷,也可以采用简单的湿法腐蚀工艺来腐蚀剥离层,从而去除硅衬底。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法。
背景技术
第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,与第二代半导体硅(Si)、砷化镓(GaAs)等材料相比,第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度(>3eV),一般也被称为宽禁带半导体材料。
得益于禁带宽度的优势,GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。
此外,GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异,因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件,在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。
与此同时,将GaN外延生长在硅衬底之上,可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。但是,镓与硅之间的晶格失配很大,由于很高的缺陷密度,54%的热膨胀系数,外延膜在降温过程中产生裂纹,金属架直接与硅衬底结束时会有化学回融反应。
在硅衬底上形成高质量的氮化镓材料,同时便于将硅衬底去除,是现有的一个技术难题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法,在硅衬底上形成高质量的氮化镓材料,同时便于将硅衬底去除。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种硅基氮化镓外延结构,包括硅衬底,依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N-GaN层、有源层和P-GaN层;
所述含氮缓冲层包括AlN层、Aly1Ga1-y1N层和GaN层,所述AlN层设置在Al层和Aly1Ga1-y1N层之间,所述GaN层设置在Aly1Ga1-y1N层和剥离层之间;
所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成。
作为上述方案的改进,所述剥离层设有若干个孔洞,所述孔洞贯穿所述剥离层,设置在剥离层上的N-GaN层填充在孔洞内。
作为上述方案的改进,所述剥离层的厚度为10~300nm。
作为上述方案的改进,所述孔洞的形状为漏斗形,所述孔洞的顶端开口的宽度为a,底端开口的宽度为b,其中,
b=(0.4~0.6)*a。
作为上述方案的改进,a=6~50μm。
作为上述方案的改进,孔洞与孔洞之间的距离为c,c=5~20μm。
作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为一层Al原子的厚度;
所述AlN层的厚度为100~500nm,Aly1Ga1-y1N层的厚度为200~300nm,GaN层的厚度为1~2μm。
相应地,本发明还提供了一种硅基氮化镓外延结构的制作方法,包括:
在衬底上形成Al层;
在Al层上形成含氮缓冲层,所述含氮缓冲层包括依次形的AlN层、Aly1Ga1-y1N层和GaN层;
在GaN层上形成剥离层,所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成;
在剥离层上形成外延层。
作为上述方案的改进,所述Al层和含氮缓冲层的制作方法包括:
维持MOCVD反应腔温度为1000~1100℃,压力为50~200torr,在氢气气氛中处理硅衬底1~5分钟;
维持反应腔温度为1100~1100℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入三甲基铝,在硅衬底上形成Al层;
维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD设备中通入NH3和TMA,在Al层上形成AlN层;
维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入NH3、TMA和三甲基镓(TMGa),在AlN层上形成Aly1Ga1-y1N层;
维持反应腔温度为1000~1100℃,压力为100~300torr,通入气体NH3和TMGa,在Aly1Ga1-y1N层上形成GaN层。
作为上述方案的改进,所述剥离层的制作方法包括:
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层;或者,
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiNx、SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层;或者,
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入Al2O3、TEMA和N2O,在GaN层上形成剥离层。
实施本发明,具有如下有益效果:
本发明提供的一种硅基氮化镓外延结构,包括硅衬底,依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层和氮化镓外延层,所述氮化镓外延层包括依次设置在剥离层上的N-GaN层、有源层和P-GaN层。
本发明的Al层和含氮缓冲层用于减少硅衬底和氮化镓外延层之间的晶格失配,提高外延结构的晶体质量。本发明的剥离层不仅可以减少后续形成GaN的缺陷,也可以采用简单的湿法腐蚀工艺来腐蚀剥离层,从而去除硅衬底。
本发明的剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成。上述材料为氧化物或是氮化物,不仅与氮化镓具有良好的黏附性,还容易被氢氟酸蚀刻。
本发明在剥离层中形成漏斗形的孔洞,可以让腐蚀液轻易地进入到剥离层的内部将剥离层腐蚀掉,从而使硅衬底与氮化镓外延层分离。
附图说明
图1是本发明外延结构的结构示意图;
图2是本发明孔洞的结构示意图;
图3是本发明孔洞的排布示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1,本发明提供的一种硅基氮化镓外延结构,包括硅衬底10,依次设于硅衬底10上的Al层20、含氮缓冲层30、剥离层40和氮化镓外延层50,所述氮化镓外延层50包括依次设置在剥离层40上的N-GaN层51、有源层52和P-GaN层53。
本发明的Al层20和含氮缓冲层30用于减少硅衬底10和氮化镓外延层50之间的晶格失配,提高外延结构的晶体质量。
具体的,本发明的含氮缓冲层30包括AlN层31、Aly1Ga1-y1N层32和GaN层33,所述AlN层31设置在Al层20和Aly1Ga1-y1N层32之间,所述GaN层33设置在Aly1Ga1-y1N层32和剥离层40之间。
本发明含氮缓冲层30中的AlN层31、Aly1Ga1-y1N层32和GaN层33都是三五族元素,晶格都很接近,且与N元素结合,能有效降低硅衬底10和氮化镓之间的晶格失配,提高外延结构的晶体质量。
具体的,AlN层31的厚度为100~500nm,Aly1Ga1-y1N层32的厚度为200~300nm,GaN层33的厚度为1~2μm。
由于AlN的晶格常数为0.3112nm小于Si(111)衬底10的有效晶格常数0.3840nm,因此AlN层中会积累张应力,使得位错得以弯曲、湮灭。若AlN层的厚度小于100nm,则厚度太薄,无法遮挡;若AlN层的厚度大于500nm,则厚度太大,AlN层容易裂开。
由于Si与Ga反应会形成回融刻蚀坑,造成LED芯片漏电、抗静电能力差,故在生长GaN之前,先生长一定厚度的AlN作为屏障,可以阻止Si与Ga发生化学反应。
本发明的Aly1Ga1-y1N层32作为中间层,起到缓冲AlN与GaN的晶格作用。
当GaN层33的厚度达到1μm时,GaN层33才整个长平;若GaN层33的厚度大于2μm时,则厚度太厚,后面形成的氮化镓外延层50会应力失配,裂开。
本发明的剥离层40用于分离硅衬底10和氮化镓外延层50。需要说明的是,本发明的外延结构在制作成芯片的过程中,需要去除硅衬底10来提高芯片的发光效率。剥离出来的硅衬底10可以重复使用,以降低生产成本。
本发明的剥离层40不仅可以减少后续形成GaN的缺陷,也可以采用简单的湿法腐蚀工艺来腐蚀剥离层40,从而去除硅衬底10。
本发明的剥离层40由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成。上述材料为氧化物或是氮化物,不仅与氮化镓具有良好的黏附性,还容易被氢氟酸蚀刻。
本发明的剥离层40可以为单层结构,也可以为双层结构。剥离层40的厚度不仅影响硅衬底10的分离,也影响氮化镓外延层50的晶体质量。
优选的,所述剥离层40的厚度为10~300nm。若剥离层40的厚度小于10nm,则厚度太薄,无法成膜;若剥离层40的厚度大于300nm,则厚度太厚,剥离层40会形成块状,块状与氮化镓之间的内应力大太,会造成SiO2断裂崩离。
为了便于腐蚀液蚀刻剥离层40,所述剥离层40设有若干个孔洞41,所述孔洞41贯穿所述剥离层40,其中,设置在剥离层40上的N-GaN层填充在孔洞41内。
优选的,所述孔洞41的形状为漏斗形。本发明在剥离层40中形成漏斗形的孔洞,可以让腐蚀液轻易地进入到剥离层40的内部将剥离层40腐蚀掉,从而使硅衬底10与氮化镓外延层50分离。需要说明的是,填充在孔洞内的氮化镓外延层50在腐蚀的过程中会发生断裂,与缓冲层分离,但不影响氮化镓外延层50整体的质量。
参见图2,所述孔洞41的顶端开口的直径为a,底端开口的直径为b,为了便于腐蚀液进入到剥离层40的内部,优选的,b=(0.4~0.6)*a。
更优的,a=6~50μm。若孔洞的顶端开口的直径a小于6μm,则开口太小,外延层难以在孔洞内形成;若a大于50μm,则开口太大,孔洞内的外延层难以断裂分离。
参见图3,所述孔洞41呈阵列排布,孔洞41与孔洞41之间的距离为c,优选的,c=5~20μm。若c小于5μm,则距离太小,外延层缺陷密度会增加;若c大于20μm,则距离太大,也会影响外延层质量。
需要说明的是,为了进一步提高外延结构的晶体质量,所述剥离层40和N-GaN层51之间还设有一层U-GaN层54,所述P-GaN层53和有源层52之间还设有一层P型AlGaN层55。
相应地,本发明还提供了一种硅基氮化镓外延结构的制作方法,包括以下步骤:
一、在硅衬底上形成Al层和含氮缓冲层;
具体的,包括:
1、维持MOCVD反应腔温度为1000~1100℃,压力为50~200torr,在氢气气氛中处理硅衬底1~5分钟;
由于硅衬底表面有一层薄薄的SiO2,在高温下用氢气可以去除衬底表面的氧原子及其他杂质,为后期形成性能良好的外延层打下良好的基础。
2、维持反应腔温度为1100~1100℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入三甲基铝(TMAl),在硅衬底上形成Al层;
需要说明的是,Al层的厚度为一层Al原子的厚度。
本发明的Al层可有效钝化硅衬底,防止硅衬底与后期的反应气体NH3反应形成非晶的SiNx,SiNx会严重影响后期GaN晶体的生长质量;同时,Al层也可作为后期AlN的生长种子,使得AlN层均匀覆盖于基体表面。
3、维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD设备中通入NH3和TMA,在Al层上形成AlN层;
4、维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入NH3、TMA和三甲基镓(TMGa),在AlN层上形成Aly1Ga1-y1N层。
其中,y1的取值范围为0.35~1,且y1随着所述Aly1Ga1-y1N层厚度的增加呈递减变化;或y1为0.1~1;且y1随着Aly1Ga1-y1N层厚度的增加呈递减变化。具体的,所述递减变化为连续变化、梯度变化或混合梯度变化。连续变化是指y1随着缓冲层厚度的增加均匀地减小;梯度变化是指在某一厚度范围内,y1值维持恒定,当到厚度增加到另一厚度范围后,y1减小到某一特定的值,并维持恒定;混合梯度变化是指上述两种变化的结合。优选的,递减变化为梯度变化。
其中,Aly1Ga1-y1N层的厚度为200~300nm,优选的,其厚度为250~300nm。
需要说明的是,如果直接在AlN层上生长GaN,那么来自AlN层的大量位错会向上延伸至GaN层,积累在GaN层中的压应力导致位错密度大幅提升。因此,制备了Aly1Ga1-y1N层,并且在其生长的过程中,通过控制TMA流量,使Al组分从y1=1梯度降低至y1=0.35或y1=0.1。随着Al组分的减少,Aly1Ga1-y1N晶格不断增大,压应力不断积累,在压应力作用下,来自AlN层的大量位错会在Aly1Ga1-y1N界面处发生弯曲、合并、湮灭,使得延伸至GaN的位错密度就会随之大幅减少,GaN的晶体质量得到提高。
5、维持反应腔温度为1000~1100℃,压力为100~300torr,通入气体NH3和TMGa,在Aly1Ga1-y1N层上形成GaN层。
二、在缓冲层上形成剥离层,
采用蒸镀、溅镀、PECVD或MOCVD工艺,在GaN层上形成剥离层。
具体的,所述剥离层有多种实施方式,包括:
实施案例一:维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层。
实施案例二:维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiNx、SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层。
实施案例三:维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入Al2O3、TEMA和N2O,在GaN层上形成剥离层。
三、对所述剥离层进行刻蚀,形成若干个孔洞;
采用光刻工艺,对所述剥离层进行刻蚀,刻蚀至GaN层的表面形成漏若干个漏斗形的孔洞。
具体的,在剥离层上涂覆一层光刻胶,并对光刻胶进行软考,软烤温度90~100℃,在光刻胶上面覆盖光罩,在波长为365nm的光照下曝光10~15秒,用显影剂显影,显出图型,再对光刻胶进行硬烤,硬烤温度为110~130℃,时间为3~65min;然后采用氢氟酸来蚀刻剥离层,蚀刻时间为30~60min。
本发明在剥离层中形成漏斗形的孔洞,可以让腐蚀液轻易地进入到剥离层的内部将剥离层腐蚀掉,从而使硅衬底与氮化镓外延层分离。需要说明的是,填充在孔洞内的氮化镓外延层在腐蚀的过程中会发生断裂,与缓冲层分离,但不影响氮化镓外延层整体的质量。
参见图2,所述孔洞的顶端开口的直径为a,底端开口的直径为b,为了便于腐蚀液进入到剥离层的内部,优选的,b=(0.4~0.6)*a。
更优的,a=6~50μm。若孔洞的顶端开口的直径a小于6μm,则开口太小,外延层难以在孔洞内形成;若a大于50μm,则开口太大,孔洞内的外延层难以断裂分离。
需要说明的是,所述孔洞呈阵列排布,孔洞与孔洞之间的距离为c,优选的,c=5~20μm。若c小于5μm,则距离太小,外延层缺陷密度会增加;若c大于20μm,则距离太大,也会影响外延层质量。
四、在所述剥离层和孔洞内形成外延层。
采用MOCVD工艺,在剥离层和孔洞内依次形成N-GaN层、有源层和P-GaN层。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种硅基氮化镓外延结构,其特征在于,包括硅衬底,依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N-GaN层、有源层和P-GaN层;
所述含氮缓冲层包括AlN层、Aly1Ga1-y1N层和GaN层,所述AlN层设置在Al层和Aly1Ga1-y1N层之间,所述GaN层设置在Aly1Ga1-y1N层和剥离层之间;
所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成;
所述剥离层设有若干个孔洞,所述孔洞贯穿所述剥离层,设置在剥离层上的N-GaN层填充在孔洞内;
孔洞与孔洞之间的距离为c,c=5~20μm。
2.如权利要求1所述的硅基氮化镓外延结构,其特征在于,所述剥离层的厚度为10~300nm。
3.如权利要求1所述的硅基氮化镓外延结构,其特征在于,所述孔洞的形状为漏斗形,所述孔洞的顶端开口的宽度为a,底端开口的宽度为b,其中,
b=(0.4~0.6)*a。
4.如权利要求3所述的硅基氮化镓外延结构,其特征在于,a=6~50μm。
5.如权利要求1所述的硅基氮化镓外延结构,其特征在于,所述Al层的厚度为一层Al原子的厚度;
所述AlN层的厚度为100~500nm,Aly1Ga1-y1N层的厚度为200~300nm,GaN层的厚度为1~2μm。
6.一种如权利要求1~5所述的硅基氮化镓外延结构的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成Al层;
在Al层上形成含氮缓冲层,所述含氮缓冲层包括依次形的AlN层、Aly1Ga1-y1N层和GaN层;
在GaN层上形成剥离层,所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成;
在剥离层上形成外延层。
7.如权利要求6所述的硅基氮化镓外延结构的制作方法,其特征在于,所述Al层和含氮缓冲层的制作方法包括:
维持MOCVD反应腔温度为1000~1100℃,压力为50~200torr,在氢气气氛中处理硅衬底1~5分钟;
维持反应腔温度为1100~1100℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入三甲基铝,在硅衬底上形成Al层;
维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD设备中通入NH3和TMA,在Al层上形成AlN层;
维持反应腔温度为960~1060℃,压力为50~200torr,在MOCVD反应腔中通入NH3、TMA和三甲基镓(TMGa),在AlN层上形成Aly1Ga1-y1N层;
维持反应腔温度为1000~1100℃,压力为100~300torr,通入气体NH3和TMGa,在Aly1Ga1-y1N层上形成GaN层。
8.如权利要求6所述的硅基氮化镓外延结构的制作方法,其特征在于,所述剥离层的制作方法包括:
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层;或者,
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入SiNx、SiH4和N2O,在GaN层上形成剥离层;或者,
维持反应腔温度为200~300℃,压力为450~550torr,在PECVD设备中通入Al2O3、TEMA和N2O,在GaN层上形成剥离层。
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